JP4669760B2 - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents
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Description
この発明は基板の表面を所定の温度で加熱された処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for processing a surface of a substrate with a processing liquid heated at a predetermined temperature.
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。 A circuit pattern is formed on a glass substrate used in the liquid crystal display device. A lithographic process is employed to form a circuit pattern on the substrate. In a lithography process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and light is irradiated through a mask having a circuit pattern formed on the resist.
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。 Next, by repeating a series of steps such as removing a portion of the resist not irradiated with light or a portion irradiated with light, etching the portion of the substrate where the resist is removed, and removing the resist after etching, a plurality of times. Then, a circuit pattern is formed on the substrate.
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などによって基板を処理する工程、さらに洗浄液によって洗浄する工程があり、洗浄後には基板に付着残留した洗浄液を除去する乾燥工程が必要となる。 In such a lithography process, there are a step of treating the substrate with a developer, an etching solution or a stripping solution for removing the resist after etching, and a step of washing with a cleaning solution. After washing, the substrate remains adhered to the substrate. A drying process for removing the cleaning liquid is required.
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによって水平な状態でそれぞれの処理チャンバに順次搬送し、各チャンバで上述したそれぞれの処理を行うようにしている。 Conventionally, when the above-described series of processing is performed on a substrate, the substrate is sequentially transported to each processing chamber in a horizontal state by transport rollers arranged with the axis line horizontal, and each processing described above is performed in each chamber. Like to do.
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。 Recently, glass substrates used in liquid crystal display devices tend to be larger and thinner. For this reason, when the substrate is horizontally transported, the bending of the substrate between the transport rollers becomes large, so that processing in each processing chamber cannot be performed uniformly over the entire plate surface of the substrate.
しかも、基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化するとともに、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は単に自重によって撓むだけでなく、搬送軸とともに撓むから、そのことによっても均一な処理が行えなくなるということがある。
そこで、最近では基板の撓みを少なくするために、基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら、処理するということが実用化されつつある。
In addition, when the substrate is enlarged, the transport shaft provided with the transport roller for transporting the substrate becomes longer and the amount of processing liquid supplied onto the substrate increases, depending on the amount of processing liquid on the substrate. Since the load applied to the transport shaft is increased, the deflection of the transport shaft is increased. For this reason, the substrate is not only bent by its own weight but also bent together with the transport shaft, which may prevent uniform processing.
Therefore, recently, in order to reduce the bending of the substrate, it has been put into practical use that the substrate is processed while being inclined at a predetermined angle.
ところで、基板を処理液としての剥離液で処理する場合、レジストの剥離効果を高めるために、剥離液を70〜80度に加熱して供給するということが行われている。基板を水平に搬送する場合には、基板の回路パターンが形成される表面(上面)に供給された剥離液はその表面に滞留するため、基板の温度が剥離液の温度とほぼ同じ温度に維持される。それによって、レジストの剥離を効率よく行うことが可能となる。 By the way, when processing a board | substrate with the peeling liquid as a processing liquid, in order to improve the peeling effect of a resist, heating and supplying a peeling liquid at 70-80 degree | times is performed. When the substrate is transported horizontally, the stripping solution supplied to the surface (upper surface) on which the circuit pattern of the substrate is formed stays on the surface, so that the substrate temperature is maintained at substantially the same temperature as the stripping solution. Is done. As a result, the resist can be efficiently peeled off.
ところで、上述したように基板を所定の角度で傾斜させて搬送する場合、傾斜方向の上側となる表面に所定温度に加熱された剥離液を供給しても、その剥離液は基板の表面の上端から下端に沿って速い速度で流れ落ちてしまう。しかも、基板のたわみを少なくするために、傾斜角度を大きくすればする程、剥離液は基板の表面から短時間で流れ落ちてしまう。 By the way, as described above, when the substrate is transported at a predetermined angle, even if the stripping solution heated to a predetermined temperature is supplied to the upper surface in the tilting direction, the stripping solution remains at the upper end of the surface of the substrate. Will flow down at a high speed along the bottom edge. Moreover, as the tilt angle is increased in order to reduce the deflection of the substrate, the stripping solution flows down from the surface of the substrate in a shorter time.
このように、剥離液が基板の表面から早い速度で流れ落ちてしまうと、基板は剥離液によって温度上昇し難くなる。そのため、剥離液によるレジストの除去を効率よく確実に行うことができないということが生じる。 As described above, when the stripping liquid flows down from the surface of the substrate at a high speed, the temperature of the substrate is hardly increased by the stripping liquid. For this reason, the resist cannot be efficiently and reliably removed with the stripping solution.
そこで、基板の表面の上下方向に沿って複数のノズル体を所定間隔で配置し、各ノズル体から処理液を供給することで、基板を上下方向に沿って温度上昇させることができるようにすることが考えられている。 Therefore, by arranging a plurality of nozzle bodies at predetermined intervals along the vertical direction of the surface of the substrate and supplying the processing liquid from each nozzle body, the temperature of the substrate can be raised along the vertical direction. It is considered.
しかしながら、基板の表面に上下方向に沿って配置された複数のノズル体から処理液を供給すると、各ノズル体から供給された処理液は基板の表面の下部に行くにつれて流量が多くなる。そのため、基板は上部よりも下部の方が温度上昇し、上下方向が均一な温度で加熱されなくなるから、その温度差に応じて処理液による処理も不均一になるということがあった。 However, when processing liquid is supplied from a plurality of nozzle bodies arranged along the vertical direction on the surface of the substrate, the flow rate of the processing liquid supplied from each nozzle body increases toward the lower part of the surface of the substrate. For this reason, the temperature of the substrate is lower at the lower part than at the upper part, and the substrate is not heated at a uniform temperature in the vertical direction, so that the treatment with the treatment liquid becomes non-uniform depending on the temperature difference.
この発明は、基板を傾斜させて搬送する場合に、この基板を処理液によって上下方向に温度差が生じることなく均一に加熱して処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method in which when a substrate is conveyed while being inclined, the substrate can be heated and processed uniformly without causing a temperature difference in the vertical direction by a processing liquid. It is to provide.
この発明は、搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に上記処理液を供給する第1の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の搬送方向の上記第1の給液手段よりも上流側に配置され上記基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する第2の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の裏面側に設けられ上記第2の給液手段によって基板の裏面の上部に供給された処理液を基板の裏面に沿って流れるようガイドするガイド部材と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate to be transported with a processing liquid heated to a predetermined temperature,
Transport means for transporting the substrate at a predetermined angle so that the surface is on the upper side in the tilt direction;
First liquid supply means for supplying the treatment liquid to the surface on the upper side in the inclination direction of the substrate conveyed by the conveyance means;
A processing liquid heated to a predetermined temperature is supplied to the upper part of the back surface, which is arranged on the upstream side of the first liquid supply means in the transport direction of the substrate transported by the transport means and is below the tilt direction of the substrate. A second liquid supply means;
A guide member that is provided on the back side of the substrate transported by the transport means and guides the processing liquid supplied to the upper part of the back surface of the substrate by the second liquid supply means so as to flow along the back surface of the substrate . The substrate processing apparatus is characterized by the above.
この発明は、搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理方法であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する工程と、
搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
搬送される基板の上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する前に、傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
上記基板の裏面の上部に供給された処理液を、この基板の裏面に沿って流れるようガイドする工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
The present invention is a substrate processing method for processing a surface of a substrate to be transported with a processing liquid heated to a predetermined temperature,
Transporting the substrate inclined at a predetermined angle so that the surface is on the upper side in the inclination direction;
Supplying a treatment liquid heated to a predetermined temperature to the surface on the upper side in the inclination direction of the substrate to be conveyed;
Before supplying the processing liquid heated to a predetermined temperature to the front surface of the substrate to be transported , supplying the processing liquid heated to a predetermined temperature to the upper part of the back surface on the lower side in the inclined direction;
And a step of guiding the processing liquid supplied to the upper part of the back surface of the substrate so as to flow along the back surface of the substrate.
この発明によれば、基板の表面だけでなく、裏面の上部にも処理液を供給するようにしたから、基板の表面を流れる処理液の流量が上部よりも下部の方が多くなっても、裏面の上部に供給された処理液によって、基板を上下方向にほぼ均一な温度に加熱することが可能となる。 According to this invention, since the processing liquid is supplied not only to the surface of the substrate but also to the upper part of the back surface, even if the flow rate of the processing liquid flowing on the surface of the substrate is higher in the lower part than in the upper part, The substrate can be heated to a substantially uniform temperature in the vertical direction by the processing liquid supplied to the upper part of the back surface.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1乃至図3はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1は搬送手段1によって所定の角度、たとえば75度の角度で傾斜して搬送される基板Wを示す斜視図である。上記搬送手段1は軸線を水平面に対して15度の角度で傾斜させて配置された複数の駆動ローラ2を有する。駆動ローラ2は、図2に示すように駆動源3によって回転駆動される第1の取り付け軸4に取り付けられている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 to FIG. 3 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a substrate W which is transported by a transport means 1 at a predetermined angle, for example, an angle of 75 degrees. The conveying means 1 has a plurality of
上記基板Wの傾斜方向下側となる裏面側には、軸線を搬送される基板Wと平行、つまり75度の角度で傾斜させて配置された複数の第2の取り付け軸5が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で、しかも上下端部をそれぞれ軸受6によって回転可能に支持されて設けられている。各第2の取り付け軸5にはそれぞれ軸方向に所定間隔で複数、この実施の形態では3つの支持ローラ7が上記第2の取り付け軸5に対して回転可能に設けられている。
A plurality of
上記基板Wは下端が上記駆動ローラ2の外周面に支持され、裏面が上記支持ローラ7によって支持される。つまり、基板Wは回路パターンが形成された表面を傾斜方向の上側にして所定の傾斜角度で傾斜して支持される。そして、上記駆動ローラ2を駆動源3によって回転駆動すれば、上記基板Wは支持ローラ7に支持されながら図1に矢印で示す駆動ローラ2の回転方向に搬送駆動されるようになっている。
The lower end of the substrate W is supported by the outer peripheral surface of the
上記搬送手段1によって搬送される基板Wの搬送路には、この基板Wの傾斜方向下側である裏面側に、一側面を基板Wの裏面と数mm、たとえば5mmの間隔で平行に対向させて板状のガイド部材11が設けられている。
In the transport path of the substrate W transported by the transport means 1, one side surface is opposed to the back surface side, which is the lower side in the inclination direction of the substrate W, in parallel with the back surface of the substrate W at intervals of several mm, for example, 5 mm. A plate-
上記ガイド部材11は、耐薬品性を備えているとともに熱伝導率の低い(保温性の高い材料)材料、たとえば合成樹脂などによって上記基板Wよりも大きな矩形板状に形成されている。
The
上記ガイド部材11には、図2と図3に示すように上記支持ローラ7と対応する箇所に、支持ローラ7が径方向の一部をガイド部材11の裏面から基板W側に突出させる開口部12が形成されている。それによって、基板Wは、ガイド部材11の開口部12から一部を突出させた支持ローラ7によって裏面が走行可能に支持される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
上記ガイド部材11の上記基板Wの裏面と対向する一側面には、断面形状が台形状の複数の抵抗部材13がガイド部材11の上下方向に所定間隔で平行に離間し、かつ幅方向ほぼ全長にわたって設けられている。この実施の形態では、ガイド部材11の幅方向に沿って同じ高さで形成された開口部12の下側にそれぞれ上記抵抗部材13が設けられている。
On one side surface of the
図2に示すように、75度で傾斜して搬送される基板Wの傾斜方向の上側となる表面には、上下方向に所定間隔で配置された第1の給液手段としての複数の表面用ノズル14から処理液としての剥離液が供給される。処理液が剥離液の場合、その剥離液は所定の温度である70〜80度に加熱される。表面用ノズル14は、図1に鎖線で示すように基板Wの搬送方向の下流側となる上記ガイド部材11の幅方向の一端部に対向する位置に上下方向に所定間隔、つまり上段、中段及び下段の3箇所に配置されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of surfaces serving as first liquid supply means arranged at predetermined intervals in the vertical direction are provided on the surface on the upper side in the inclination direction of the substrate W which is conveyed inclined at 75 degrees. stripping solution as a processing solution is fed from
各表面用ノズル14には剥離液の給液管15が接続されている。給液管15は剥離液の給液源19に第1の流量制御弁21を介して接続されていて、この給液管15からは第2の給液手段を構成する複数の分岐管16(1つのみ図示)が分岐されている。なお、給液源19は図示しないヒータを有し、内部に収容された処理液を所定の温度に加熱できるようになっている。
The
各分岐管16は上記ガイド部材11の上端部に幅方向に所定間隔で形成された開口部18に第2の流量制御弁22を介して接続されている。第1の流量制御弁21と第2の流量制御弁22は制御装置23によって開度を設定できるようになっている。
Each
それによって、所定の温度に加熱された剥離液は、基板Wの表面に供給されると同時に、上記開口部18から基板Wの裏面とガイド部材11との間の隙間17、つまり基板Wの裏面上部にも供給される。つまり、基板Wの表面と裏面とに種類及び温度が同じ処理液がそれぞれ第1の流量制御弁21と第2の流量制御弁22によって設定された流量で供給される。
Thereby, the stripping solution heated to a predetermined temperature is supplied to the surface of the substrate W, and at the same time, the
なお、この実施の形態では分岐管16は給液管15から3本分岐されていて、これらの分岐管16は上記表面用ノズル14よりも基板Wの搬送方向上流側に位置するよう上記ガイド部材11の上部に接続されている。
In this embodiment, three
上記隙間17に供給された剥離液はこの隙間17に充満し、図2に矢印で示すように基板Wの裏面上部から下部へと流れる。上記ガイド部材11の基板Wの裏面に対向する一側面には幅方向に沿う複数の抵抗部材13が上下方向に所定間隔で形成されている。それによって、基板Wの裏面に沿って流れる剥離液は、上記隙間17に位置する上記抵抗部材13の抵抗によって落下速度が低減される。
The stripping solution supplied to the
つまり、開口部18から基板Wとガイド部材11とがなす隙間17の上部に供給された剥離液は、この隙間17が小さいことによって生じる表面張力と、抵抗部材13の抵抗とによって上記隙間17に比較的長い時間滞留しながら隙間17の下端から流出するようになっている。
That is, the stripping solution supplied from the
このように構成された処理装置によって基板Wの表面に付着したレジストを剥離処理する場合、搬送手段1によって基板Wがガイド部材11に対向する位置まで搬送されてきたならば、第1、第2の流量制御弁21,22が開放され、給液源19の所定の温度に加熱された処理液が給液管15を通じて複数の表面用ノズル14及び分岐管16が接続された開口部18に供給される。
When the resist attached to the surface of the substrate W is peeled off by the processing apparatus configured as described above, if the substrate W has been transported to a position facing the
開口部18に供給された処理液は、基板Wが搬送されてきてその裏面がガイド部材11に対向し、これらの間に隙間17が形成されると、この隙間17に沿って流れる。つまり、剥離液はガイド部材11が設けられていることで、上記隙間17を形成する基板Wの裏面上部から下部に沿って流れることになる。
The processing liquid supplied to the
基板Wが搬送されてその搬送方向の先端部が表面用ノズル14に対向すると、表面用ノズル14から流出する剥離液は基板Wの表面を上方から下方へと流れる。基板Wの先端部が表面用ノズル14に対向する位置まで搬送されてきた時点では、基板Wの搬送方向の先端部は上記隙間17に供給された剥離液によって温度が上昇している。
When the substrate W is transported and the tip in the transport direction faces the
そのため、表面用ノズル14から基板Wの表面に供給される剥離液は、ガイド部材11と基板Wとの隙間17に供給された剥離液によって加熱された基板Wの表面に供給されることになるから、その剥離液は温度上昇した基板Wに有効に作用する。つまり、基板Wの表面に供給された剥離液は、この基板Wの表面を比較的速い速度で流れても、温度上昇した基板Wに対して確実に剥離作用を呈することになる。
Therefore, the stripping solution supplied from the
上記隙間17に供給された剥離液は、この隙間17が狭いことによって生じる剥離液の表面張力及びガイド部材11に設けられた抵抗部材13による抵抗によって上記隙間17に滞留する時間が長くなる。つまり、剥離液が隙間17から流出する時間が長くなる。
The stripping solution supplied to the
剥離液が隙間17に滞留する時間が長くなれば、隙間17に供給された剥離液は基板Wを確実に温度上昇させることになる。そのため、基板Wの表面に供給された剥離液がその表面を速い速度で流れ落ちても、基板Wの表面を、この表面に供給された剥離液によって確実に剥離処理することが可能となる。
If the time during which the stripping solution stays in the
基板Wの表面には上下方向に沿って所定間隔で配置された3つの表面用ノズル14から剥離液が供給される。そのため、基板Wの表面では上部よりも下部の方が処理液の流量が多くなるため、下部の方が上部よりも温度が高くなる虞がある。
A stripping solution is supplied to the surface of the substrate W from three
しかしながら、基板Wの裏面の上部には、開口部18に接続された分岐管16から表面に供給される剥離液と同じ温度に加熱された剥離液が供給される。しかも、裏面上部に供給された剥離液は隙間17を緩やかな速度で流れることになる。
However, a stripping solution heated to the same temperature as the stripping solution supplied to the surface from the
したがって、基板Wの上部は、裏面に供給された剥離液と表面に供給された剥離液とによって加熱されるから、下部に流れる剥離液の量が多くなっても、上部とほぼ同じ温度に加熱される。それによって、基板Wは表面の上部と下部とに温度差が生じ難くなるから、剥離液によって上下方向をほぼ均一に処理されることになる。 Therefore, since the upper part of the substrate W is heated by the stripping solution supplied to the back surface and the stripping solution supplied to the front surface, even if the amount of the stripping solution flowing to the lower part increases, it is heated to substantially the same temperature as the upper part. Is done. As a result, the temperature difference between the upper and lower surfaces of the substrate W is less likely to occur, so that the substrate W is processed substantially uniformly in the vertical direction by the stripping solution.
さらに、基板Wの表面に剥離液を供給する上下3つの表面用ノズル14は第1の流量制御弁21によってそれぞれ供給量を制御することができる。そのため、下部の表面用ノズル14から供給される剥離液の供給量を、上部に位置する表面用ノズル14から供給される供給量よりも少なくすれば、基板Wの上下方向の温度差をより一層、少なくすることが可能となる。
Furthermore, the supply amount of the upper and lower three
基板Wの表面と裏面とに同じ処理液、つまり剥離液を供給するようにしている。そのため、基板Wの表面と裏面とに供給された剥離液を、まとめて回収して再使用することができるから、便利である。 The same processing liquid, that is, the stripping liquid is supplied to the front surface and the back surface of the substrate W. Therefore, it is convenient because the stripping solution supplied to the front and back surfaces of the substrate W can be collected and reused.
図4はこの発明のガイド部材11に設けられる抵抗部材の変形例を示す第2の実施の形態である。この実施の形態に示された抵抗部材13Aは、ガイド部材11の幅方向に対して複数に分割されている。このような抵抗部材13Aを用いれば、第1の実施の形態に示されたように、抵抗部材13が幅方向全長にわたる長さに形成された場合に比べ、剥離液が落下する際に与える抵抗が小さくなる。
FIG. 4 is a second embodiment showing a modification of the resistance member provided in the
すなわち、基板Wとガイド部材11との間の隙間17を流れる剥離液に与える抵抗は、ガイド部材11に設けられる抵抗部材の形状や隙間17の大きさなどによって調整することが可能である。
That is, the resistance given to the stripping solution flowing through the
また、ガイド部材11に抵抗部材を設けて隙間を流れる剥離液に抵抗を与えるようにしたが、隙間を十分に小さくすることで、抵抗部材を設けなくても、隙間を流れる剥離液によって基板を所定の温度に温めることは可能である。
In addition, a resistance member is provided on the
また、処理液として剥離液を例に上げたが、基板を加熱された剥離液以外の処理液で処理する必要があれば、剥離液以外の処理液の場合であっても、この発明を適用することができる。 Further, the stripping solution is taken as an example of the processing solution. However, if it is necessary to treat the substrate with a processing solution other than the heated stripping solution, the present invention is applied even in the case of a processing solution other than the stripping solution. can do.
なお、処理液としては剥離液以外に、たとえば現像液やエッチング液などを用いることがあり、現像液の場合には23〜25度、エッチング液の場合には30〜60度の温度に加熱して使用することで、処理効果を高めることができる。 In addition to the stripping solution, for example, a developing solution, an etching solution, or the like may be used as the processing solution. By using these, the processing effect can be enhanced.
基板の裏面側の隙間には、処理液として表面に供給する剥離液と同じ剥離液を供給するようにしたが、表面に供給される処理液と異なる種類の処理液、たとえば剥離液に比べて安価な処理液を供給するようにしてもよく、要は基板を裏面側から加熱することができる処理液であればよい。 In the gap on the back side of the substrate, the same stripping solution as the stripping solution supplied to the surface is supplied as the processing solution, but compared to a processing solution of a different type from the processing solution supplied to the surface, for example, the stripping solution Inexpensive processing liquid may be supplied. In short, any processing liquid that can heat the substrate from the back side may be used.
図5はこの発明の第3の実施の形態を示す。この実施の形態は第1の実施の形態に示されたガイド部材11を用いず、分岐管16に第2の流量制御弁22を介して第2の給液手段としての裏面用ノズル体25を接続する。そして、この裏面用ノズル体25によって搬送される基板Wの裏面上部に所定の温度に加熱された処理液としての剥離液を直接、供給するようにした。
図5では裏面用ノズル体25は1つしか示されていないが、裏面用ノズル体25は1つでなく、基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で複数配置されている。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the
Although only one back
このような構成によれば、搬送される基板Wの裏面上部には裏面用ノズル体25によって所定の温度に加熱された剥離液が供給され、その剥離液によって基板Wの裏面上部が加熱される。基板Wの裏面上部に供給された剥離液は、一部が裏面の上部から下部に沿って流れるが、残りの剥離液は基板Wの裏面上部から落下してしまう。
According to such a configuration, the peeling liquid heated to a predetermined temperature by the back
一方、基板Wの表面には上下方向に所定間隔で配置された複数の表面用ノズル14から剥離液が供給される。基板Wの表面に供給された剥離液は、その表面の上部から下部に流れることで、上部よりも下部の方が流量が多くなる。したがって、基板Wの表面は下部の方が上部よりも温度が高くなる。
On the other hand, the peeling liquid is supplied to the surface of the substrate W from a plurality of
しかしながら、基板Wの裏面上部には裏面用ノズル体25から所定温度の剥離液が供給される。つまり、基板Wの裏面は下部よりも上部の方が高い温度に加熱されるから、基板Wの裏面の加熱状態が表面に反映される。その結果、基板Wの表面は、上下方向がほぼ同じ温度に加熱されることになるから、その表面に供給された剥離液によって均一な処理を行なうことができる。
However, a stripping solution at a predetermined temperature is supplied from the back
1…搬送手段、2…駆動ローラ、3…駆動源、7…支持ローラ、11…ガイド部材、13…抵抗部材、14…ノズル体(第1の給液手段)、15…給液管、16…分岐管(第2の給液手段)、17…隙間。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に上記処理液を供給する第1の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の搬送方向の上記第1の給液手段よりも上流側に配置され上記基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する第2の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の裏面側に設けられ上記第2の給液手段によって基板の裏面の上部に供給された処理液を基板の裏面に沿って流れるようガイドするガイド部材と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate to be transported with a processing liquid heated to a predetermined temperature,
Transport means for transporting the substrate at a predetermined angle so that the surface is on the upper side in the tilt direction;
First liquid supply means for supplying the treatment liquid to the surface on the upper side in the inclination direction of the substrate conveyed by the conveyance means;
A processing liquid heated to a predetermined temperature is supplied to the upper part of the back surface, which is arranged on the upstream side of the first liquid supply means in the transport direction of the substrate transported by the transport means and is below the tilt direction of the substrate. A second liquid supply means;
A guide member that is provided on the back side of the substrate transported by the transport means and guides the processing liquid supplied to the upper part of the back surface of the substrate by the second liquid supply means so as to flow along the back surface of the substrate . A substrate processing apparatus.
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する工程と、
搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
搬送される基板の上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する前に、傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
上記基板の裏面の上部に供給された処理液を、この基板の裏面に沿って流れるようガイドする工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 A substrate processing method for processing a surface of a substrate to be transported with a processing liquid heated to a predetermined temperature,
Transporting the substrate inclined at a predetermined angle so that the surface is on the upper side in the inclination direction;
Supplying a treatment liquid heated to a predetermined temperature to the surface on the upper side in the inclination direction of the substrate to be conveyed;
Before supplying the processing liquid heated to a predetermined temperature to the front surface of the substrate to be transported , supplying the processing liquid heated to a predetermined temperature to the upper part of the back surface on the lower side in the inclined direction;
And a step of guiding the processing liquid supplied to the upper part of the back surface of the substrate so as to flow along the back surface of the substrate.
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