JP4152871B2 - Nozzle and substrate processing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、液晶デバイスの製造工程において、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等に使用されるＬＣＤ基板に対し所定の液処理を行いＬＣＤ基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置に用いられるノズルに関する。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is used in a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus for performing predetermined liquid processing on an LCD substrate used for a liquid crystal display (LCD) or the like and drying the LCD substrate in a liquid crystal device manufacturing process. It relates to the nozzle.

ＬＣＤの製造工程において、ＬＣＤ用のＬＣＤ基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをＬＣＤ基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。   In the LCD manufacturing process, a photolithography technique similar to that used for manufacturing semiconductor devices is used to form an ITO (Indium Tin Oxide) thin film or electrode pattern on an LCD substrate for LCD. In the photolithography technique, a photoresist is applied to an LCD substrate, which is exposed and further developed.

これらレジスト塗布、露光及び現像の一連の処理は、従来から、塗布、現像あるいはベーキングや洗浄等の各処理を行う基板処理装置によって行われている。   Conventionally, a series of processes such as resist coating, exposure, and development are performed by a substrate processing apparatus that performs each process such as coating, developing, baking, and cleaning.

この基板処理装置における現像処理及び洗浄処理では、例えば、基板をコロ式の搬送ローラによりほぼ水平に搬送させながら、現像液や洗浄液等の処理液を基板に供給して現像処理、洗浄処理を行っている。その後、一端部が搬送方向の最も下流側となるように斜めに配置されたエアナイフノズルから基板に高圧のエアを噴出して基板上の処理液を除去し液切りを行っている（例えば、特許文献１参照。）。   In the development processing and cleaning processing in this substrate processing apparatus, for example, while the substrate is transported almost horizontally by a roller-type transport roller, a processing liquid such as a developing solution or a cleaning liquid is supplied to the substrate to perform development processing and cleaning processing. ing. Thereafter, high-pressure air is ejected from the air knife nozzle disposed obliquely so that one end portion is the most downstream side in the transport direction to remove the processing liquid on the substrate and perform liquid cutting (for example, patents) Reference 1).

また、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、基板における搬送方向の後端の一方の角部に集中的にエアを噴出するためのノズルを設けることで、液切りが困難な基板後端の一方の角部において液切りをする技術も知られている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００３−７７８８３号公報（段落[００５０]、[００５８]、[００５９]等）。 特開平９−２４６２２９号公報（段落[００１２]、[００１３]等）。 In addition to the nozzle for ejecting air over the entire surface of the substrate, it is difficult to drain the liquid by providing a nozzle for ejecting air intensively at one corner of the rear end of the substrate in the transport direction. A technique for draining liquid at one corner of the rear end of the substrate is also known (for example, see Patent Document 2).
JP 2003-77883 A (paragraphs [0050], [0058], [0059], etc.). JP-A-9-246229 (paragraphs [0012], [0013], etc.).

しかしながら、特許文献１の技術では、処理液の除去が困難な基板の後端付近において、基板の搬送方向に直交する幅方向にほぼ均一にエアを噴出する。このとき、エアナイフノズルの一端部が搬送方向の最も下流側となるように傾けて配置されているため、基板後端の一方の角部に処理液が残り易く、この角部の処理液を充分に除去しきれない場合がある。この角部の処理液を充分に除去するためにエアの使用量を増加させると、コスト高となるとともに、設備に過大な負担を掛けることになる。   However, with the technique of Patent Document 1, air is ejected substantially uniformly in the width direction orthogonal to the substrate transport direction in the vicinity of the rear end of the substrate where it is difficult to remove the processing liquid. At this time, since the one end portion of the air knife nozzle is inclined so as to be the most downstream side in the transport direction, the processing liquid tends to remain at one corner portion of the rear end of the substrate. May not be able to be removed. If the amount of air used is increased in order to sufficiently remove the processing liquid at the corners, the cost increases and an excessive burden is placed on the equipment.

また、特許文献２の技術では、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、処理液の残留し易い基板後端の一方の角部にエアを噴出するためのエア噴出ノズルが設けられている。このため、基板処理装置がコスト高となるとともに、エアの使用量が増加するという問題がある。   Further, in the technique of Patent Document 2, an air ejection nozzle for ejecting air to one corner of the rear end of the substrate where the processing liquid is likely to remain is provided in addition to the nozzle for ejecting air over the entire surface of the substrate. It has been. For this reason, there is a problem that the cost of the substrate processing apparatus is increased and the amount of air used is increased.

上記事情に鑑み、本発明は、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去可能な基板処理装置及び該基板処理装置に用いられるノズルを提供することを課題とする。   In view of the above circumstances, the present invention is a substrate capable of removing processing liquid adhering to a region (corner portion) near the rear end in the transport direction among regions near the side end of the substrate while suppressing an increase in the amount of gas used. It is an object to provide a processing apparatus and a nozzle used in the substrate processing apparatus.

上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送機構と、搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第２の領域に向けて第１の流量より多い第２の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、前記ノズルの一端部を前記第２の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、前記ノズルに気体を供給する供給機構とを具備し、前記ノズルは、第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを有し、前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、前記第２の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられている。 In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention has a transport mechanism for transporting a substrate and a first flow rate toward a first region that is a region other than the vicinity of the side edge of the substrate being transported. An elongated nozzle capable of ejecting gas and capable of ejecting gas at a second flow rate greater than the first flow rate toward a second region which is a region near a side edge of the substrate; A holding portion that holds the nozzle obliquely with respect to the transport direction so that the one end portion faces the second region and the one end portion is disposed on the most downstream side in the transport direction of the substrate; A supply mechanism for supplying a gas to the nozzle, wherein the nozzle is provided with a first width and ejects the gas, and the first jet outlet substantially in the longitudinal direction of the nozzle And provided at the one end adjacent to the first width. A second jetting port provided at a tip of the nozzle, a second jetting port provided at a second width of the nozzle, and the first jetting port and the second jetting port. A flow path for introducing a gas to be supplied and circulating the gas to the ejection section, the flow path is configured to narrow toward the tip, and the second ejection port is configured to have the one end section. The tip is provided with a notch.

本発明では、ノズルが基板の搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板が搬送されると、基板の第２の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に処理液が押し流される。このとき、ノズルによりこの基板の第１の領域より第２の領域に多く気体を噴出することができる。従って、第１の領域での気体の使用量の増加を抑制しつつ、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着している処理液を拡散して除去することができる。また、供給機構から流路に気体を流通させて、この気体を第２の噴出口から基板に向けて噴出することができる。第２の噴出口の第２の幅は、第１の噴出口の第１の幅より広いので、基板の側端付近の領域に多く気体を噴出して後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。さらに切り欠きを設けることにより第２の噴出口の大きさが大きくなる。このため、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を拡散して除去することができる。 In the present invention, the nozzles are provided obliquely with respect to the substrate transport direction. For this reason, when the substrate is transported, the processing liquid is swept away into a region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the second region of the substrate. At this time, more gas can be ejected to the second area than the first area of the substrate by the nozzle. Therefore, while suppressing an increase in the amount of gas used in the first region, the processing liquid adhering to the region (corner) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate is diffused. Can be removed. In addition, gas can be circulated from the supply mechanism to the flow path, and the gas can be ejected from the second ejection port toward the substrate. Since the second width of the second jet port is wider than the first width of the first jet port, a large amount of gas is jetted in the region near the side edge of the substrate, and the region (corner) near the rear end. The treatment liquid that adheres can be removed. Furthermore, the size of the second jet outlet is increased by providing the notch. For this reason, it is possible to diffuse and remove the processing liquid adhering to the corner portion by ejecting a large amount of gas to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the region near the side edge of the substrate.

本発明の一の形態によれば、前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第３の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第３の流量より多い第４の流量で噴出するように制御する手段を有する。これにより、例えば、第３の流量より多い第４の流量の領域を基板の後端の領域に限定することができる。従って、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。   According to an aspect of the present invention, the supply mechanism ejects the gas ejected from the nozzle at a third flow rate toward a region other than the vicinity of the rear end of the transported substrate, and the rear end. Means for controlling to eject at a fourth flow rate greater than the third flow rate toward a nearby region. Thereby, for example, the region of the fourth flow rate higher than the third flow rate can be limited to the region at the rear end of the substrate. Therefore, it is possible to remove the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction among the regions near the side edges of the substrate while suppressing an increase in the amount of gas used.

本発明の一の形態によれば、前記第２の幅は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍである。このような構成によれば、第２の幅が０．２ｍｍ以上なので、第２の噴出口の大きさを確保して処理液に長時間第２の流量の気体を噴出することができる。また、第２の幅が０．５ｍｍ以下なので、第２の噴出口が大きくなり過ぎて気体の流速を確保することが困難となることを防止することができる。   According to an embodiment of the present invention, the second width is 0.2 mm to 0.5 mm. According to such a configuration, since the second width is 0.2 mm or more, it is possible to ensure the size of the second ejection port and eject the gas having the second flow rate into the processing liquid for a long time. In addition, since the second width is 0.5 mm or less, it is possible to prevent the second jet outlet from becoming too large to ensure the gas flow rate.

本発明の一の形態によれば、前記第２の幅は０．３ｍｍである。これにより、基板１枚当たり、例えば、１６００ｌ／ｍｉｎ程度の最小の気体の流量で基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。   According to one aspect of the invention, the second width is 0.3 mm. This removes the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate with a minimum gas flow rate of about 1600 l / min per substrate, for example. be able to.

本発明の一の形態によれば、前記噴出部は、前記第１の噴出口と前記第２の噴出口との間に設けられ、該第１から第２の噴出口に向かうにつれて幅が広くなる第３の噴出口を有する。これにより、第１の噴出口と第２の噴出口との間において急激な気体の流量変化が生ずることを防止して、第２の噴出口を設けることにより基板上に処理液が残留することを防止することができる。   According to one form of this invention, the said ejection part is provided between the said 1st ejection port and the said 2nd ejection port, and a width | variety becomes wide as it goes to this 2nd ejection port from this 1st. A third spout is formed. This prevents a sudden change in the gas flow rate between the first outlet and the second outlet, and the treatment liquid remains on the substrate by providing the second outlet. Can be prevented.

本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されている。これにより、気体の流量のバランスを安定させて、基板の上下面全域において処理液を除去することができる。   According to an aspect of the present invention, the nozzles are disposed so as to be opposed to each other so as to sandwich the substrate to be transported. Thereby, the balance of the gas flow rate can be stabilized and the processing liquid can be removed in the entire upper and lower surfaces of the substrate.

本発明の一の形態によれば、前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構を更に具備する。これにより、加熱機構により加熱された気体を処理液に噴出して処理液の乾燥を促進させることができる。   According to one form of this invention, the heating mechanism which heats the gas which distribute | circulates the said flow path is further comprised. Thereby, the gas heated by the heating mechanism can be ejected to the treatment liquid to promote drying of the treatment liquid.

本発明に係るノズルは、第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、一端部に設けられ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを有する噴出部と、前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを具備し、前記流路は、先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、前記第２の噴出口は、前記一端部の先端が切り欠かれて設けられている。 The nozzle according to the present invention is provided with a first width and provided with a first width for ejecting a gas, and the first width is provided at one end and adjacent to the first width in the longitudinal direction. A jet part having a second jet port provided with a wider second width, and a gas supplied from the outside, which is provided in communication with the first jet port and the second jet port, are introduced. And a flow path that circulates to the ejection part, the flow path is configured to narrow toward the tip, and the tip of the one end is notched in the second jet outlet. Is provided.

本発明では、外部から流路に気体を流通させて、この気体を第１の噴出口及び第２の噴出口から基板に向けて噴出することができる。このとき、第２の噴出口の第２の幅は、第１の噴出口の第１の幅より広いので、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を除去することができる。また、切り欠きを設けることにより第２の噴出口の大きさが大きくなる。このため、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を拡散して除去することができる。 In the present invention, gas can be circulated from the outside to the flow path, and this gas can be ejected from the first ejection port and the second ejection port toward the substrate. At this time, since the second width of the second ejection port is wider than the first width of the first ejection port, the region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the region near the side edge of the substrate. It is possible to remove the treatment liquid adhering to the corners by ejecting a large amount of gas. Moreover, the magnitude | size of a 2nd jet nozzle becomes large by providing a notch. For this reason, it is possible to diffuse and remove the processing liquid adhering to the corner portion by ejecting a large amount of gas to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the region near the side edge of the substrate.

本発明に係る基板処理方法は、（ａ）搬送される基板の後端付近以外の領域のうち側端付近の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出する工程と、（ｂ）前記基板の後端付近以外の領域のうち前記第１の領域以外の第２の領域に向けて第１の流量より少ない第２の流量で気体を噴出する工程と、（ｃ）前記基板の後端付近の領域のうち側端付近以外の領域である第３の領域に向けて前記第２の流量より多い第３の流量で気体を噴出する工程と、（ｄ）後端付近の領域のうち前記第３の領域以外の第４の領域に向けて前記第１の流量より多い第４の流量で気体を噴出する工程とを具備する。   The substrate processing method according to the present invention includes: (a) a step of ejecting gas at a first flow rate toward a first region that is a region near the side edge among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate to be transferred; (B) jetting gas at a second flow rate less than the first flow rate toward a second region other than the first region among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate; and (c). A step of jetting gas at a third flow rate greater than the second flow rate toward a third region which is a region other than the vicinity of the side edge in a region near the rear end of the substrate; and (d) near the rear end And jetting gas at a fourth flow rate greater than the first flow rate toward a fourth region other than the third region.

本発明では、第２の領域に噴出される第２の流量が第１の領域に噴出される第１の流量より少ない。このため、第１、第２の領域において第１の流量で気体を噴出する場合に比べて気体の流量を抑制して処理液を除去することができる。また、第３の領域に噴出される第３の流量が第４の領域に噴出される第４の流量より少なく、第４の流量が第１の流量より多い。このため、第３の領域において気体の流量を抑えつつ第４の領域の後端付近の角部に付着した処理液を拡散して除去することができる。   In the present invention, the second flow rate ejected to the second region is smaller than the first flow rate ejected to the first region. For this reason, compared with the case where gas is ejected at the first flow rate in the first and second regions, the treatment liquid can be removed while suppressing the gas flow rate. Further, the third flow rate ejected to the third region is smaller than the fourth flow rate ejected to the fourth region, and the fourth flow rate is larger than the first flow rate. For this reason, it is possible to diffuse and remove the processing liquid adhering to the corner near the rear end of the fourth region while suppressing the gas flow rate in the third region.

本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）の前に、前記基板に疎水性の処理液を塗布する工程を更に具備する。これにより、基板に気体を噴出して処理液を拡散する前に、基板上の処理液を乾燥させることができる。   According to an aspect of the present invention, the method further includes a step of applying a hydrophobic treatment liquid to the substrate before the step (a). Thus, the processing liquid on the substrate can be dried before gas is blown onto the substrate to diffuse the processing liquid.

本発明によれば、気体の使用量が増加することを抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を拡散して除去することができる。   According to the present invention, the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate is suppressed while increasing the amount of gas used is suppressed. be able to.

以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus for an LCD substrate according to a first embodiment of the present invention.

レジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇ（以下、基板Ｇと略称する。）を収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。   The resist coating / developing apparatus 100 is provided with a cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C for storing a plurality of LCD substrates G (hereinafter abbreviated as substrates G) is placed, and resist coating and developing on the substrate G A processing station (processing unit) 2 including a plurality of processing units for performing a series of processing including the above, and an interface station (interface unit) 3 for transferring the substrate G to and from the exposure apparatus 4 are provided. The cassette station 1 and the interface station 3 are arranged at both ends of the processing station 2 respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing apparatus 100 is defined as the X direction, and the direction orthogonal to the X direction on the plane is defined as the Y direction.

カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。   The cassette station 1 includes a transfer device 11 for loading and unloading the substrate G between the cassette C and the processing station 2. In the cassette station 1, the cassette C is loaded into and unloaded from the outside. Further, the transfer device 11 has a transfer arm 11a and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. The transfer arm 11a allows the cassette C and the processing station 2 to move. The substrate G is carried in and out.

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。   The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the substrate G extending in the X direction. From the cassette station 1 side toward the interface station 3 along the transfer line A. A scrubber cleaning processing unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged. In addition, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, and the second one from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B. Three thermal processing unit sections 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is used to perform a decoloring process for development. Provided.

スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。   The scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 is configured to perform cleaning processing and drying processing while being transported substantially horizontally, as will be described later, without the substrate G being rotated in the conventional manner. The development processing unit (DEV) 24 also performs the developer application, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported substantially horizontally as will be described later, without the substrate G being rotated therein. ing. In the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the transport inlet and the transport outlet of the substrate G are opposed short sides. Is provided. Further, the transport of the substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transport mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

レジスト処理ユニット２３は、基板Ｇにレジストを塗布するためのレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージに載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドにより基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口および搬出口が設けられている。   The resist processing unit 23 includes a resist coating processing apparatus (CT) 23a for applying a resist to the substrate G, a vacuum drying apparatus (VD) 23b for drying the resist film formed on the substrate G in a vacuum container, and a stage. A peripheral resist removing device (ER) 23c for removing excess resist adhering to the peripheral edge of the substrate G by a solvent discharge head capable of scanning the four sides of the substrate G placed on the substrate G is arranged in that order. The resist processing unit 23 is provided with a carry-in port and a carry-out port for the substrate G on opposite short sides.

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。   The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G, The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transfer device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）の４段積層されて構成されている（図示を省略する）。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）を介してのスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）を介してレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。   The thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) that transfers the substrate G in order from the bottom, two dehydration bake units (DHP) that perform a dehydration bake process on the substrate G, and a substrate G. The adhesion processing unit (AD) for performing the hydrophobization process is configured by being stacked in four stages (not shown). The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) for transferring the substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) for cooling the substrate G, and an adhesion for applying a hydrophobic treatment to the substrate G. The processing units (AD) are stacked in four stages. The first transfer device 33 receives the substrate G from the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 through the pass unit (PASS), carries in / out the substrate G between the thermal processing units, and the pass unit (PASS). Then, the substrate G is transferred to the resist processing unit 23.

第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。第２の熱的処理ユニットセクション２７及び第３の熱的処理ユニットセクション２８について同様に構成されている。   Since the first transfer device 33 is provided so as to be able to move up and down, move back and forth, and turn, it can access any of the thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32. The second thermal processing unit section 27 and the third thermal processing unit section 28 are similarly configured.

このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラバ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラバ洗浄される。このスクラバ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラバ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出される。   In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 of the processing station 2 by the transport apparatus 11. The scrubber pretreatment is performed. Next, the substrate G is carried into the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 disposed under the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the transfer device 11 and cleaned by the scrubber. In this scrubber cleaning, the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated, and the cleaning process and the drying process are performed. It is possible to realize the same processing capacity as using two units in a smaller space. After the scrubber cleaning process, the substrate G is carried out to the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.

パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。   The substrate G placed in the pass unit (PASS) is lifted by protruding a pin (not shown), and is transported to the first thermal processing unit section 26 to be subjected to the following series of processes. That is, first, it is transferred to one of the dehydration bake units (DHP) of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then the cooling unit (COL) of the thermal processing unit block (TB) 32. After being transported to either one and cooled, the adhesion processing unit (AD) of the thermal processing unit block (TB) 31 and the adhesion processing unit of the thermal processing unit block (TB) 32 in order to improve the fixability of the resist. (AD), where it is adhering (hydrophobized) by HMDS, then transferred to one of the cooling units (COL), cooled, and further subjected to thermal processing unit block (TB) 32. To the pass unit (PASS). At this time, all the conveyance processing is performed by the first conveyance device 33. In some cases, the adhesion process is not performed. In this case, the substrate G is immediately transferred to the pass unit (PASS) after the dehydration baking and cooling.

その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアームにより減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアームにより周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアームによりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。   Thereafter, the substrate G placed in the pass unit (PASS) is carried into the resist processing unit 23 by the sub arm of the resist processing unit 23. Then, the substrate G is first transported to a resist coating processing device (CT) 23a therein, where a resist solution is spin-coated on the substrate G, and then transported to a vacuum drying device (VD) 23b by a sub arm and dried under reduced pressure. Further, it is transported to the peripheral resist removing device (ER) 23c by the sub arm, and excess resist on the peripheral edge of the substrate G is removed. Then, after the peripheral resist removal is completed, the substrate G is unloaded from the resist processing unit 23 by the sub arm. As described above, the decompression drying device (VD) 23b is provided after the resist coating processing device (CT) 23a. If this is not provided, the substrate G coated with the resist is prebaked or after the development processing. After the post-bake treatment, the shapes of lift pins, fixing pins, etc. may be transferred to the substrate G. In this way, the solvent in the resist can be obtained by performing vacuum drying without heating by a vacuum drying apparatus (VD). Is released gradually and does not cause rapid drying as in the case of drying by heating, can accelerate the drying of the resist without adversely affecting the resist, and effectively prevents transfer on the substrate. Because it can be done.

このようにして塗布処理が終了し、サブアームによりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。   Thus, the substrate G carried out of the resist processing unit 23 by the sub arm after the coating process is completed is passed through the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27. Is passed on. The substrate G placed in the pass unit (PASS) is pre-baked by the second transfer device 36 (PREBAKE) of the thermal processing unit block (TB) 34 and pre-baking unit (TB) of the thermal processing unit block (TB) 35. Is transferred to one of the PREBAKE) and prebaked, and then transferred to the cooling unit (COL) of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. And it is further conveyed by the 2nd conveying apparatus 36 to the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 35.

その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファーカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。   Thereafter, the substrate G is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transfer device 36, and transferred to the peripheral exposure device (EE) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3. Then, exposure is performed to remove the peripheral resist, and then the wafer is transferred to the exposure device 4 by the transfer device 42 where the resist film on the substrate G is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the substrate G is accommodated in a buffer cassette on a buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、後述する現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。   After the exposure is completed, the substrate G is loaded into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the substrate G, and then the extension / cooling stage (EXT / COL). ) 44, and is carried into the processing station 2 again from there. That is, the substrate G is transferred by the second transfer device 36 to the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 35 belonging to the second thermal processing unit section 27. Then, a pin is protruded in the pass unit (PASS) to lower the substrate G from the raised state, thereby extending from a development processing unit (DEV) 24 described later to the pass unit (PASS), for example, a roller transport mechanism. The substrate G is carried into the development processing unit (DEV) 24 and subjected to development processing. In this development processing, the substrate G is not rotated as in the prior art, and for example, the developer application, the developer removal after development, and the drying treatment are performed while being transported substantially horizontally by roller transport. As a result, the same processing capability as conventionally using three rotation type development processing units can be realized in a smaller space.

現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出される。   After the development processing is completed, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the substrate G is subjected to decolorization processing. The Thereafter, the substrate G is transferred to a pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a transfer mechanism in the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, for example, roller transfer. ).

このパスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。   The substrate G placed in the pass unit (PASS) is post-baked by the third transfer device 39 in the post-baking unit (POBAKE) of the thermal processing unit block (TB) 37 and the post-baking of the thermal processing unit block (TB) 38. After being transported to one of the units (POBAKE) and post-baked, and then transported to the pass cooling unit (PASS / COL) of the thermal processing unit block (TB) 38 and cooled to a predetermined temperature, the cassette station One transport device 11 accommodates the cassette in a predetermined cassette C arranged in the cassette station 1.

図２（ａ）はスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１を示す概略側面図である。スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１には、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ５８が複数設けられている。搬送ローラ５８の両端には、昇降動作により他の処理部との間で基板の受け渡しを行う受け渡しピン５９が配置されており、この両受け渡しピン５９の間には、この基板の搬送上流側（図において左側）から、ロールブラシ洗浄室５６、スプレー洗浄室５７及び乾燥処理装置６０が順に配置されている。ロールブラシ洗浄室５６にはロールブラシ６５が設けられ、スプレー洗浄室５７には、洗浄液を噴出するスプレー式のノズル６６が設けられている。なお、ノズル６６は、基板Ｇの表面側だけでなく、基板Ｇ裏面側にも更に配置するようにしてもかまわない。   FIG. 2A is a schematic side view showing the scrubber cleaning unit (SCR) 21. The scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 is provided with a plurality of roller-type conveyance rollers 58 that constitute a conveyance mechanism. At both ends of the transfer roller 58, transfer pins 59 for transferring the substrate to and from other processing units by raising and lowering operations are arranged, and between the transfer pins 59, the transfer upstream side of the substrate ( From the left side in the figure, a roll brush cleaning chamber 56, a spray cleaning chamber 57, and a drying processing device 60 are arranged in this order. The roll brush cleaning chamber 56 is provided with a roll brush 65, and the spray cleaning chamber 57 is provided with a spray type nozzle 66 for ejecting cleaning liquid. The nozzle 66 may be further arranged not only on the front surface side of the substrate G but also on the back surface side of the substrate G.

このようなスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１においては、先ずロールブラシ洗浄室５６で基板Ｇ上の比較的大きいゴミを除去洗浄した後、スプレー洗浄室５７で微細なゴミを除去洗浄し、乾燥処理装置６０で乾燥処理される。   In such a scrubber cleaning processing unit (SCR) 21, first, relatively large dust on the substrate G is removed and cleaned in the roll brush cleaning chamber 56, then fine dust is removed and cleaned in the spray cleaning chamber 57, and drying processing is performed. Drying is performed by the apparatus 60.

図２（ｂ）は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を示す概略側面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４には、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と同様に、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ５８及び受け渡しピン５９が配置されている。この両受け渡しピン５９の間には、搬送上流側（図において左側）から、プリウェット処理室６１、現像処理室６２、リンス処理室６３及び乾燥処理装置６０が順に配置されている。プリウェット処理室６１には、プリウェットノズル６７が、また現像処理室６２には現像液を吐出する現像液ノズル６８がそれぞれ設けられ、またリンス処理室６３にはリンスノズル６９が設けられている。   FIG. 2B is a schematic side view showing the development processing unit (DEV) 24. In the development processing unit (DEV) 24, similarly to the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21, a roller-type conveyance roller 58 and a delivery pin 59 that constitute a conveyance mechanism are arranged. Between the delivery pins 59, a pre-wet processing chamber 61, a development processing chamber 62, a rinse processing chamber 63, and a drying processing device 60 are sequentially arranged from the upstream side of conveyance (left side in the drawing). The pre-wet processing chamber 61 is provided with a pre-wet nozzle 67, the development processing chamber 62 is provided with a developer nozzle 68 for discharging a developer, and the rinse processing chamber 63 is provided with a rinse nozzle 69. .

このような現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においては、先ず、プリウェット処理室６１で、現像液吐出の際の基板Ｇに対するインパクト軽減のために、基板Ｇをプリウェットし、次に現像処理室６２で現像液が吐出されて現像され、そしてリンス処理室６３で現像液が洗い流され、最後に乾燥処理装置６０で乾燥処理される。   In such a development processing unit (DEV) 24, first, the substrate G is pre-wet in the pre-wet processing chamber 61 in order to reduce the impact on the substrate G when the developer is discharged, and then the development processing chamber 62. Then, the developing solution is discharged and developed, and the developing solution is washed away in the rinse treatment chamber 63, and finally dried in the drying processing device 60.

なお、現像処理室６２においては、現像時間を確保するために、搬送ローラ５８を逆回転させ基板Ｇを往復させながら現像処理を行っている。   In the development processing chamber 62, the development processing is performed while the transport roller 58 is rotated in the reverse direction and the substrate G is reciprocated in order to secure a development time.

図３は、乾燥処理装置６０におけるエア供給機構９０を模式的に示すブロック図である。また、図４は、乾燥処理装置６０の平断面図である。図３に示すように、乾燥処理装置６０のチャンバ７１内の空間は、搬送上流側（図３において左側）から仕切り板８３によって仕切られている。チャンバ７１の上流端及び下流端には、それぞれ基板Ｇを搬入及び搬出するための開口部７１ａ及び７１ｂが形成されている。   FIG. 3 is a block diagram schematically showing the air supply mechanism 90 in the drying processing apparatus 60. FIG. 4 is a plan sectional view of the drying processing apparatus 60. As shown in FIG. 3, the space in the chamber 71 of the drying processing apparatus 60 is partitioned by a partition plate 83 from the upstream side of conveyance (left side in FIG. 3). At the upstream end and the downstream end of the chamber 71, openings 71a and 71b for loading and unloading the substrate G are formed, respectively.

仕切り板８３の下端切り欠き部８３ａには、搬送される基板Ｇに対しエアを噴出して基板Ｇを乾燥させる長尺状のエアナイフノズル７３Ａ及び７３Ｂが、搬送される基板Ｇを挟みこむように上下に相対して配設されている。   In the lower notch 83a of the partition plate 83, long air knife nozzles 73A and 73B for blowing air to the substrate G to be transported to dry the substrate G are arranged so as to sandwich the substrate G to be transported. It is arrange | positioned relative to.

ブロアファン８０、１８０は、それぞれ切換弁１１０、１１１を介してフィルタ部７９、１７９に接続されている。切換弁１１０、１１１には、例えば、電磁式切換弁を用いることができる。フィルタ部７９、１７９には、それぞれ例えば粗いパーティクル用のプレフィルタ８１、１８１と細かいパーティクル用のＵＬＰＡフィルタ８２、１８２が設けられている。このＵＬＰＡフィルタ８２、１８２は、ＨＥＰＡフィルタであってもよい。ブロアファン８０、１８０は、例えばクリーンルーム内又は外部の空気を取り入れている。ブロアファン１８０が基板Ｇに供給可能なエアの流量は、ブロアファン８０が供給可能な流量より大きく設定されている。フィルタ部７９、１７９は、それぞれ２つのフローメータ８５、１８５を介して供給管８６によりエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂに接続されている。制御部７０は、ＣＰＵ７６、メモリ７７を有しており、切換弁１１０、１１１はこの制御部７０により例えばオンオフ切換、すなわち開閉切換のタイミングが制御されるようになっている。   The blower fans 80 and 180 are connected to the filter units 79 and 179 via the switching valves 110 and 111, respectively. As the switching valves 110 and 111, for example, an electromagnetic switching valve can be used. The filter units 79 and 179 are provided with prefilters 81 and 181 for coarse particles and ULPA filters 82 and 182 for fine particles, respectively. The ULPA filters 82 and 182 may be HEPA filters. The blower fans 80 and 180 take in air inside or outside the clean room, for example. The flow rate of air that the blower fan 180 can supply to the substrate G is set to be larger than the flow rate that the blower fan 80 can supply. The filter parts 79 and 179 are connected to the air knife nozzles 73A and 73B by a supply pipe 86 via two flow meters 85 and 185, respectively. The control unit 70 includes a CPU 76 and a memory 77, and the switching valves 110 and 111 are controlled by the control unit 70, for example, on / off switching, that is, opening / closing switching timing.

このように、ブロアファン８０、１８０を設けることで、制御部７０により基板Ｇに噴出するエアの流量を２段階に切り替える制御を行うことができる。また、工場の高圧エアコンプレッサを使用する必要がなくなり、工場用力を削減し省エネルギー化を図ることができる。特に基板Ｇの大型に伴い用力も増大する傾向にあるのでブロアファンを使用する効果は大きい。また、ブロアファンはエアコンプレッサに比べ経済的にも極めて有利である。   As described above, by providing the blower fans 80 and 180, the control unit 70 can perform control to switch the flow rate of the air ejected to the substrate G in two stages. In addition, it is no longer necessary to use a high-pressure air compressor in the factory, and the power for the factory can be reduced and energy can be saved. In particular, since the working force tends to increase with the size of the substrate G, the effect of using the blower fan is great. In addition, the blower fan is extremely advantageous economically compared to the air compressor.

チャンバ７１の下流側上部には、開口が形成されここにファンフィルタユニット７２が設置されている。このファンフィルタユニット７２は、例えばクリーンルーム内あるいは外部のエアを清浄にしてチャンバ７１内に取り入れ、この取り入れたエアを、搬送上流側の上下部に設けられた排気口７５ａ及び７５ｂから排気している。排気口７５ａ及び７５ｂは図示しないバキューム装置等に接続されている。これにより、チャンバ７１内の気圧を、下流側から上流側に向かうにつれて低くなるように制御しており、この気圧の制御により液切りによる基板Ｇ上の処理液をも効率良く排出することができる。   An opening is formed in the upper part on the downstream side of the chamber 71, and a fan filter unit 72 is installed here. The fan filter unit 72, for example, cleans the air inside the clean room or outside and takes it into the chamber 71, and exhausts the taken air from the exhaust ports 75a and 75b provided at the upper and lower portions on the upstream side of the conveyance. . The exhaust ports 75a and 75b are connected to a vacuum device or the like (not shown). Thereby, the atmospheric pressure in the chamber 71 is controlled so as to decrease from the downstream side toward the upstream side, and the processing liquid on the substrate G due to liquid drainage can be efficiently discharged by controlling the atmospheric pressure. .

エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂより搬送上流側には、例えば発光部Ｓａ及び受光部Ｓｂを備えた光センサＳ１が配置されている。例えば、基板Ｇによって光センサＳ１の光が遮光されると、その情報が制御部７０に伝えられるようになっている。   For example, an optical sensor S1 including a light emitting portion Sa and a light receiving portion Sb is disposed on the upstream side of the air knife nozzles 73A and 73B. For example, when the light from the optical sensor S <b> 1 is shielded by the substrate G, the information is transmitted to the control unit 70.

光センサＳ１の下流側かつエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの上流側には、例えば疎水性の処理液としてのアルコールなどの有機材料を基板Ｇの上下面に吐出するための一対の吐出ノズルＬが配置されている。吐出ノズルＬは、アルコール等を収容する図示を省略した収容タンクにポンプ等を介して接続されている。これにより、例えば、基板Ｇによって光センサＳ１の光が遮光されると、その情報が制御部７０に伝えられ、ポンプを駆動させることにより、吐出ノズルＬからアルコールを吐出することができる。従って、基板Ｇにアルコールを吐出して基板Ｇの上下面の処理液の乾燥を促進させることができる。   A pair of discharge nozzles L for discharging an organic material such as alcohol as a hydrophobic treatment liquid onto the upper and lower surfaces of the substrate G is disposed on the downstream side of the optical sensor S1 and on the upstream side of the air knife nozzles 73A and 73B. ing. The discharge nozzle L is connected to a storage tank (not shown) that stores alcohol or the like via a pump or the like. Thereby, for example, when the light of the optical sensor S1 is shielded by the substrate G, the information is transmitted to the control unit 70, and alcohol can be discharged from the discharge nozzle L by driving the pump. Accordingly, it is possible to accelerate the drying of the processing liquid on the upper and lower surfaces of the substrate G by discharging alcohol onto the substrate G.

エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂより搬送下流側には、例えば発光部Ｓｃ及び受光部Ｓｄを備えた光センサＳ２が配置されている。更に、光センサＳ２の搬送下流側には、例えば発光部Ｓｅ及び受光部Ｓｆを備えた光センサＳ３が配置されている。基板Ｇによって光センサＳ２、Ｓ３の光が遮断され、または透過率が低下すると、その情報が制御部７０に伝えられ、これに基づき切換弁１１０、１１１が切り替えられ、後述するようにそれぞれエアの流量を切り替えることができるように構成されている。   For example, an optical sensor S2 including a light emitting unit Sc and a light receiving unit Sd is disposed downstream of the air knife nozzles 73A and 73B. Further, an optical sensor S3 including, for example, a light emitting unit Se and a light receiving unit Sf is disposed on the transport downstream side of the optical sensor S2. When the light from the optical sensors S2 and S3 is blocked by the substrate G or the transmittance is lowered, the information is transmitted to the control unit 70, and the switching valves 110 and 111 are switched based on this information. The flow rate can be switched.

図４に示すように、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、長尺状の形状を有しており、長手方向Ｄの一端部Ｅが基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）の最も下流側に配置されように搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに設けられている。すなわち、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、その長手方向Ｄが基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に対して角度θだけ傾斜するように配置されている。角度θは例えば５°〜５０°、より好ましくは１０°〜３０°に設定することができるが、これらに限られるものではない。エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、例えばその両端部がそれぞれ保持部材２０１により保持されている。基板Ｇが搬送されるときには、一端部Ｅは、基板Ｇの側端付近の領域である第１の領域Ｈ１に対向する。第１の領域Ｈ１のＹ方向の幅は、３０ｍｍ〜１００ｍｍ程度とする。以下、基板Ｇの第１の領域Ｈ１以外の領域を第２の領域Ｈ２という。また、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、その長手方向Ｄの両端部が基板Ｇの両端部からはみ出すように配置されている。例えば、基板Ｇの幅（Ｙ方向）の長さが１０００ｍｍのときに、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの長手方向Ｄの長さを１０６０ｍｍに設定することができる。これにより、搬送される基板Ｇの上（下）面の全面に渡ってエアを噴出することができる。なお、角度θは、例えば、１０度に設定することができるが、基板Ｇの搬送速度やエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂからのエアの流量などに応じて適宜変更するようにしてもよい。   As shown in FIG. 4, the air knife nozzle 73 </ b> A (73 </ b> B) has a long shape, and one end E in the longitudinal direction D is disposed on the most downstream side in the transport direction (X direction) of the substrate G. Thus, it is provided obliquely with respect to the transport direction (X direction). That is, the air knife nozzle 73A (73B) is arranged such that its longitudinal direction D is inclined by an angle θ with respect to the width direction (Y direction) of the substrate G. The angle θ can be set to, for example, 5 ° to 50 °, more preferably 10 ° to 30 °, but is not limited thereto. For example, both ends of the air knife nozzle 73A (73B) are held by the holding members 201. When the substrate G is transported, the one end E faces the first region H1, which is a region near the side edge of the substrate G. The width of the first region H1 in the Y direction is about 30 mm to 100 mm. Hereinafter, the region other than the first region H1 of the substrate G is referred to as a second region H2. The air knife nozzle 73 </ b> A (73 </ b> B) is disposed such that both ends in the longitudinal direction D protrude from both ends of the substrate G. For example, when the width of the substrate G (Y direction) is 1000 mm, the length of the air knife nozzles 73A and 73B in the longitudinal direction D can be set to 1060 mm. Thereby, air can be ejected over the entire upper (lower) surface of the substrate G to be transported. Note that the angle θ can be set to 10 degrees, for example, but may be appropriately changed according to the transport speed of the substrate G, the flow rate of air from the air knife nozzles 73A and 73B, and the like.

搬送機構を構成する基板Ｇを搬送するための搬送ローラ５８には、例えば、その軸心部材の一端に複数の歯車９５が取り付けられ、これらの歯車９５にそれぞれ噛合する歯車８８が軸部材６４にそれぞれ取り付けられている。この軸部材６４は、モータ９１の駆動により回転するようになっており、モータ９１の駆動により搬送ローラ５８が回転し基板Ｇを搬送するようになっている。   For example, a plurality of gears 95 are attached to one end of the shaft center member of the transport roller 58 for transporting the substrate G constituting the transport mechanism, and gears 88 respectively meshing with the gears 95 are attached to the shaft member 64. Each is attached. The shaft member 64 is rotated by driving of the motor 91, and the transport roller 58 is rotated by driving of the motor 91 so as to transport the substrate G.

図５は、乾燥処理装置６０のエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの斜視図である。図５に示すように、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂは、Ｘ方向に搬送される基板Ｇを挟むように上下に相対して配設されている。これにより、エアの流量のバランスを安定させて、基板Ｇの上下面全域において処理液を除去することができる。エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂは、エアがＺ方向に対して４０°以上傾いて噴出されるように、基板Ｇに対しＺ方向から例えば４０°以上傾けて配設されている。   FIG. 5 is a perspective view of the air knife nozzles 73 </ b> A and 73 </ b> B of the drying processing apparatus 60. As shown in FIG. 5, the air knife nozzles 73 </ b> A and 73 </ b> B are disposed so as to be opposed to each other so as to sandwich the substrate G transported in the X direction. Thereby, the balance of the air flow rate can be stabilized and the processing liquid can be removed in the entire upper and lower surfaces of the substrate G. The air knife nozzles 73A and 73B are disposed with an inclination of, for example, 40 ° or more from the Z direction with respect to the substrate G so that the air is ejected with an inclination of 40 ° or more with respect to the Z direction.

エアナイフノズル７３Ａの先端７３ｔには、エアを噴出するための第１の噴出口７３ｕ、第２の噴出口７３ｖ、第３の噴出口７３ｗがそれぞれ長手方向Ｄで連続して設けられている。すなわち、第１の噴出口７３ｕと第２の噴出口７３ｖとの間に第３の噴出口７３ｗが設けられている。第２の噴出口７３ｖは、基板Ｇの第１の領域Ｈ１に対向している。第２の噴出口７３ｖ、第３の噴出口７３ｗの長手方向Ｄの長さａ、ｂは、例えばそれぞれ５０ｍｍ、２０ｍｍに設定されている。第３の噴出口７３ｗは、第１の噴出口７３ｕから第２の噴出口７３ｖに向かうにつれて幅が広くなるような形状を有している。これにより、第１の噴出口７３ｕと第２の噴出口７３ｖとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制することができる。従って、急激な流量変化により処理液等の処理液が基板Ｇ上に残留することを防止できる。   A first jet port 73u, a second jet port 73v, and a third jet port 73w for jetting air are continuously provided in the longitudinal direction D at the tip 73t of the air knife nozzle 73A. That is, the third jet port 73w is provided between the first jet port 73u and the second jet port 73v. The second jet port 73v faces the first region H1 of the substrate G. The lengths a and b in the longitudinal direction D of the second jet port 73v and the third jet port 73w are set to, for example, 50 mm and 20 mm, respectively. The third spout 73w has a shape that becomes wider as it goes from the first spout 73u to the second spout 73v. Thereby, a rapid change in the flow rate of air between the first jet port 73u and the second jet port 73v can be suppressed. Accordingly, it is possible to prevent the processing liquid such as the processing liquid from remaining on the substrate G due to a rapid flow rate change.

図６は、エアナイフノズル７３Ａの側断面図である。図６に示すように、ブロアファン８０に接続された供給管８６は、エアナイフノズル７３Ａの長手方向Ｄの略中央に接続されている。エアナイフノズル７３Ａ内には、供給管８６から導入されたエアが流通する流路Ｐが設けられている。なお、供給管８６の本数及び配置位置についてはこれに限定されない。例えば、エアナイフノズル７３Ａの長手方向Ｄに等間隔に複数設けるようにしてもよい。また、供給管８６から導入されたエアの流れを整流する図示を省略した整流板をエアナイフノズル７３Ａ内に設けるようにしてもよい。このようにすることで、例えば、長手方向Ｄにおいてエア噴出量の均一性を確保することができる。   FIG. 6 is a side sectional view of the air knife nozzle 73A. As shown in FIG. 6, the supply pipe 86 connected to the blower fan 80 is connected to the approximate center in the longitudinal direction D of the air knife nozzle 73A. A flow path P through which air introduced from the supply pipe 86 flows is provided in the air knife nozzle 73A. Note that the number and arrangement positions of the supply pipes 86 are not limited thereto. For example, a plurality of air knife nozzles 73A may be provided at equal intervals in the longitudinal direction D. Further, a baffle plate (not shown) that rectifies the flow of air introduced from the supply pipe 86 may be provided in the air knife nozzle 73A. By doing in this way, the uniformity of the air ejection amount can be ensured in the longitudinal direction D, for example.

図７は、エアナイフノズル７３Ａの断面図である。図７に示すように、エアナイフノズル７３Ａは、先端７３ｔに向かうにつれて流路Ｐが狭まるように構成されている。第１、第２の幅ｄ１、ｄ２は、それぞれ０．１５ｍｍ、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。従って、ブロアファン８０により第２の噴出口７３ｖから噴出されるエアの流量Ｑ２は、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ１より多くなる。また、ブロアファン１８０により第２の噴出口７３ｖから噴出される流量Ｑ４は、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ３より多くなる（図６参照）。ここで、流量とは、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の第１又は第２の噴出口７３ｕ、７３ｖの単位長さ（ノズルの長手方向の単位長さ）、単位時間当たりのエアの噴出量である。第２の噴出口７３ｖは、第１の噴出口７３ｕより幅が広いので、第２の噴出口７３ｖにおけるエアの流れの抵抗が小さくなり、その結果、流量に違いが生じると考えられる。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the air knife nozzle 73A. As shown in FIG. 7, the air knife nozzle 73A is configured such that the flow path P becomes narrower toward the tip 73t. The first and second widths d1 and d2 are set to 0.15 mm, 0.2 mm to 0.5 mm, respectively. Accordingly, the flow rate Q2 of the air ejected from the second ejection port 73v by the blower fan 80 is larger than the flow rate Q1 ejected from the first ejection port 73u. Further, the flow rate Q4 ejected from the second ejection port 73v by the blower fan 180 is larger than the flow rate Q3 ejected from the first ejection port 73u (see FIG. 6). Here, the flow rate is the unit length (unit length in the longitudinal direction of the nozzle) of the first or second ejection port 73u, 73v of the air knife nozzle 73A (73B), and the amount of air ejected per unit time. . Since the second jet port 73v is wider than the first jet port 73u, the resistance of the air flow at the second jet port 73v is reduced, and as a result, the flow rate is considered to be different.

次に、本実施形態の乾燥処理装置６０を用いる乾燥手順について図を参照しながら説明する。   Next, a drying procedure using the drying processing apparatus 60 of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図８（ａ）に示すように、図３に示す搬送ローラ５８を回転させチャンバ７１内に基板Ｇを搬送する。次いで、搬送された基板Ｇの先端を光センサＳ１により検知し、吐出ノズルＬからアルコールを基板Ｇの上下面に吐出する。これにより、基板Ｇの上下面に付着する処理液などの乾燥を促進させることができる。   As illustrated in FIG. 8A, the transport roller 58 illustrated in FIG. 3 is rotated to transport the substrate G into the chamber 71. Next, the tip of the conveyed substrate G is detected by the optical sensor S <b> 1, and alcohol is discharged from the discharge nozzle L onto the upper and lower surfaces of the substrate G. Thereby, drying of the process liquid etc. which adhere to the upper and lower surfaces of the substrate G can be promoted.

次いで、図８（ｂ）に示すように、例えば、アルコールの吐出後ブロアファン８０を駆動させて、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂから基板Ｇの後端付近の領域Ｒ４、Ｒ３以外の領域のうち基板Ｇの側端付近の領域である領域Ｒ１と、領域Ｒ４、Ｒ３以外の領域のうち領域Ｒ１以外の領域Ｒ２とにそれぞれ流量Ｑ１、Ｑ２のエアを噴出する。これにより、領域Ｒ１、Ｒ２では、搬送方向に前端側から後端側に処理液が押し流され除去される。   Next, as shown in FIG. 8B, for example, the blower fan 80 after alcohol discharge is driven, and the substrate G out of the regions other than the regions R4 and R3 near the rear end of the substrate G from the air knife nozzles 73A and 73B. The air at the flow rates Q1 and Q2 is jetted into the region R1 which is a region near the side edge of the region R2 and the region R2 other than the region R1 among regions other than the regions R4 and R3, respectively. Thereby, in the regions R1 and R2, the processing liquid is pushed away from the front end side to the rear end side in the transport direction and removed.

次いで、搬送される基板Ｇの先端を光センサＳ２により検知し、制御部７０により図３に示す切換弁１１０をオフ、切換弁１１１をオンとし、ブロアファン１８０を駆動する。これにより、所定長さｅの後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４にそれぞれ流量Ｑ２、Ｑ１より多い流量Ｑ３、Ｑ４のエアを噴出する。この所定長さｅは、例えば、基板Ｇの搬送速度を３０ｍｍ／ｓとするときに３００ｍｍ以上に設定することができる。すなわち、光センサＳ２の位置は、後端付近の領域Ｒ４内の角部Ｊ付近に確実に流量Ｑ４でエアを噴出することができるように設定されている。従って、領域Ｒ２及び後端付近の領域Ｒ３での流量を抑えつつ基板Ｇの角部Ｊ付近に噴出する流量を増大さることができる。従って、エアの使用量を従来より４０％削減しつつ、これまで除去することが困難であった基板Ｇの角部Ｊの処理液を拡散して除去することができる。このように、エアの使用量の増加を抑制することができるので、ブロアファン８０、１８０などに過大な負荷が掛かることを防止することができる。なお、領域Ｒ１及び後端付近の領域Ｒ４を合わせた領域が第１の領域Ｈ１に相当し、領域Ｒ２及び後端付近の領域Ｒ３を合わせた領域が第２の領域Ｈ２に相当する。   Next, the tip of the substrate G to be transported is detected by the optical sensor S2, and the control unit 70 turns off the switching valve 110 and turns on the switching valve 111 shown in FIG. As a result, air having flow rates Q3 and Q4 larger than the flow rates Q2 and Q1 is ejected to the regions R3 and R4 near the rear end of the predetermined length e, respectively. For example, the predetermined length e can be set to 300 mm or more when the transport speed of the substrate G is set to 30 mm / s. That is, the position of the optical sensor S2 is set so that air can be reliably ejected at the flow rate Q4 in the vicinity of the corner J in the region R4 near the rear end. Accordingly, it is possible to increase the flow rate ejected near the corner portion J of the substrate G while suppressing the flow rate in the region R2 and the region R3 near the rear end. Therefore, the processing liquid at the corner portion J of the substrate G, which has been difficult to be removed, can be diffused and removed while reducing the amount of air used by 40% compared to the prior art. As described above, since an increase in the amount of air used can be suppressed, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the blower fans 80 and 180 and the like. Note that the region including the region R1 and the region R4 near the rear end corresponds to the first region H1, and the region including the region R2 and the region R3 near the rear end corresponds to the second region H2.

続いて、図８（ｃ）に示すように、基板Ｇの前端を光センサＳ３により検知し、切換弁１１１をオフ、ブロアファン１８０を停止し乾燥処理を終了する。光センサＳ３が基板Ｇの前端を検知したときに、基板Ｇの後端が完全にエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂを通過するように、光センサＳ３及びノズル７３Ａが配置される位置が予め設定されている。これにより、無駄なエアの使用量を抑制することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 8C, the front end of the substrate G is detected by the optical sensor S3, the switching valve 111 is turned off, the blower fan 180 is stopped, and the drying process is finished. When the optical sensor S3 detects the front edge of the substrate G, the positions where the optical sensor S3 and the nozzle 73A are arranged are set in advance so that the rear edge of the substrate G completely passes through the air knife nozzles 73A and 73B. . Thereby, the use amount of useless air can be suppressed.

本実施形態では、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂが基板Ｇの搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板Ｇが搬送されると基板Ｇの後端付近の領域Ｒ４の角部Ｊに処理液が押し流される。このとき、図９（ａ）に示すように、基板Ｇの角部Ｊに付着する処理液は、小径になっているため接触角θ２が小さくなり付着エネルギーが大きくなっていると考えられる。また、基板Ｇの角部Ｊなどの端部においては、例えば処理液が基板Ｇの側壁Ｇａにまとわりつくことによって付着面積がより大きくなり、その結果、付着エネルギーがより大きくなっていると考えられる。従来のように、エアの噴出口の幅ｄが例えば０．１５ｍｍであるエアナイフノズル７３Ｄを用いる場合には、エアが基板Ｇに噴出される領域の幅ｆ１が小さくなる。   In the present embodiment, the air knife nozzles 73A and 73B are provided obliquely with respect to the transport direction of the substrate G. For this reason, when the substrate G is transported, the processing liquid is pushed to the corner J of the region R4 near the rear end of the substrate G. At this time, as shown in FIG. 9A, the treatment liquid adhering to the corner portion J of the substrate G has a small diameter, so that it is considered that the contact angle θ2 is small and the adhesion energy is large. In addition, at the end portion such as the corner portion J of the substrate G, it is considered that, for example, the treatment liquid clings to the side wall Ga of the substrate G to increase the adhesion area, and as a result, the adhesion energy is increased. When the air knife nozzle 73D having the air ejection port width d of, for example, 0.15 mm is used as in the prior art, the width f1 of the region where the air is ejected onto the substrate G is reduced.

本実施形態では、図９（ｂ）に示すように、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が、第１の噴出口７３ｕの第１の幅ｄ１より広く設定されている。換言すれば、第１の噴出口７３ｕは第２の噴出口７３ｖより幅が狭く設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖから流量Ｑ４（または流量Ｑ１）のエアを従来の幅ｆ１より広い幅ｆ２の領域に渡って噴出することができる。従って、第１の噴出口７３ｕから噴出されるエアの使用量の増加を抑制しつつ短時間に処理液を拡散して除去することができると考えられる。また、図９（ｃ）に示すように、流量Ｑ４のエアを処理液に噴出することで、処理液の表面を更新して処理液の蒸発を促進することができると考えられる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 9B, the second width d2 of the second jet port 73v of the air knife nozzle 73A (73B) is wider than the first width d1 of the first jet port 73u. Is set. In other words, the width of the first jet port 73u is set narrower than that of the second jet port 73v. For this reason, the air of the flow volume Q4 (or flow volume Q1) can be ejected from the 2nd jet nozzle 73v over the area | region of the width | variety f2 wider than the conventional width | variety f1. Accordingly, it is considered that the processing liquid can be diffused and removed in a short time while suppressing an increase in the amount of air used from the first jet port 73u. Further, as shown in FIG. 9C, it is considered that the evaporation of the processing liquid can be promoted by renewing the surface of the processing liquid by ejecting the air having the flow rate Q4 to the processing liquid.

本実施形態では、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が０．２ｍｍ以上に設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖの大きさを確保して処理液に長時間流量Ｑ４のエアを噴出して処理液を除去することができる。また、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が０．５ｍｍ以下に設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２の広さが広過ぎて流速を確保できず処理液を除去するために大量のエアを噴出する必要が生ずることを防止することができる。   In the present embodiment, the second width d2 of the second jet port 73v is set to 0.2 mm or more. For this reason, it is possible to remove the processing liquid by securing the size of the second ejection port 73v and ejecting the air having the flow rate Q4 to the processing liquid for a long time. The second width d2 of the second jet port 73v is set to 0.5 mm or less. For this reason, it can be prevented that the second width d2 of the second ejection port 73v is too wide to secure a flow velocity and a large amount of air needs to be ejected to remove the processing liquid. .

本実施形態によれば、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂから噴出されるエアの流量を、搬送される基板Ｇの領域Ｒ１、Ｒ２で流量Ｑ１、Ｑ２とし、後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４で流量Ｑ３、Ｑ４にする制御を併用した。これにより、例えば、流量の多い領域を基板Ｇの後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４に限定することができる。従って、更にエアの使用量をさらに２５％削減することができる。これにより、ブロアファン８０、１８０などに過大な負荷がかかることを防止することができる。   According to the present embodiment, the flow rate of air ejected from the air knife nozzles 73A and 73B is set to the flow rates Q1 and Q2 in the regions R1 and R2 of the substrate G to be transported, and the flow rate Q3 is set in the regions R3 and R4 near the rear end. The control to make Q4 was used together. Thereby, for example, a region with a large flow rate can be limited to the regions R3 and R4 near the rear end of the substrate G. Therefore, the amount of air used can be further reduced by 25%. This can prevent an excessive load from being applied to the blower fans 80 and 180.

次に、噴出口の幅が異なるエアナイフノズルを用いた乾燥処理装置を利用して基板Ｇの乾燥処理を行った結果を図１０に示す。   Next, the result of having performed the drying process of the board | substrate G using the drying processing apparatus using the air knife nozzle from which the width | variety of a jet nozzle differs is shown in FIG.

図１０に示すように、第２の幅ｄ２が、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下のときには、基板１枚（１ Sheet）を乾燥させるために必要なエアの流量を２２００（ｌ／min・Sheet）以下に抑えることができた。また、第２の幅ｄ２が０．３ｍｍのときは、１６００（ｌ／min・Sheet）と必要なエアの流量（ｌ／min・Sheet）が最小（極小）となることが判明した。   As shown in FIG. 10, when the second width d2 is not less than 0.2 mm and not more than 0.5 mm, the flow rate of air required to dry one substrate (1 sheet) is 2200 (l / min · Sheet ) I was able to keep it below. Further, it was found that when the second width d2 is 0.3 mm, 1600 (l / min · Sheet) and the required air flow rate (l / min · Sheet) are minimum (minimum).

なお、この実験において、縦１２００ｍｍ及び横１０００ｍｍ程度の大きさの基板を用いた。また、エアナイフノズルの流路Ｐ（図６参照）の容積を３．４×１０−３ｍ３程度と設定した。 In this experiment, a substrate having a size of about 1200 mm in length and 1000 mm in width was used. Moreover, the volume of the flow path P (see FIG. 6) of the air knife nozzle was set to about 3.4 × 10 −3 m 3 .

本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。   The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible.

図１１に示すように、例えば、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の一端部Ｅの背面に、流路Ｐを流通するエアを加熱するためのヒータ１０１を固定するようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｇにより高温のエアを噴出することができる。従って、基板Ｇ上の処理液をより確実に除去することができる。なお、ヒータ１０１をエアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の背面に固定する例を示したが、側面に固定するようにしてもほぼ同様の効果を得ることができる。また、一端部Ｅに限定されず、例えば、長手方向Ｄの中央部付近にヒータ１０１を固定するようにしてもよい。   As shown in FIG. 11, for example, a heater 101 for heating the air flowing through the flow path P may be fixed to the back surface of the one end E of the air knife nozzle 73A (73B). In this way, high-temperature air can be ejected from the substrate G. Therefore, the processing liquid on the substrate G can be more reliably removed. In addition, although the example which fixes the heater 101 to the back surface of the air knife nozzle 73A (73B) was shown, even if it fixes to a side surface, the substantially same effect can be acquired. Moreover, it is not limited to the one end E, For example, you may make it fix the heater 101 near the center part of the longitudinal direction D. FIG.

本実施形態では、第２の幅ｄ２が一定の例を示した。しかし、図１２に示すように、例えば、エアナイフノズル７３Ａの第２の噴出口７３ｖ内の上下面に、電源７３Ｔに接続された圧電素子７３ｐを設けるようにしてもよい。このようにすれば、例えば、エアナイフノズルから噴出されるエアの流量を増加させたいときに、圧電素子７３ｐにより圧電素子７３ｐを矢印方向に収縮させることで、噴出口の大きさを大きくして所望の流量にすることができる。   In the present embodiment, an example in which the second width d2 is constant is shown. However, as shown in FIG. 12, for example, piezoelectric elements 73p connected to the power source 73T may be provided on the upper and lower surfaces in the second jet port 73v of the air knife nozzle 73A. In this way, for example, when it is desired to increase the flow rate of the air ejected from the air knife nozzle, the piezoelectric element 73p is contracted in the direction of the arrow by the piezoelectric element 73p, thereby increasing the size of the ejection port. The flow rate can be reduced.

また、図１３及び図１４に示すように、エアナイフノズル１７３Ａ、１７３Ｂの一端部Ｅにおける先端１７３ｔを切り欠くことで、切り欠き部１７３ｃを設けるようにしてもよい。このとき、例えば、第２の噴出口１７３ｖ、第３の噴出口１７３ｗの長手方向Ｄの長さａ、ｂを、それぞれ５０ｍｍ、２０ｍｍに設定することができる。図１５に示すように、エアナイフノズル１７３Ａは、先端１７３ｔに向かうにつれて流路Ｐが狭まるように構成されている。このため、先端１７３ｔからの切り欠きの深さｃを大きくすることで、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２を広くすることができる。このとき、第１の噴出口１７３ｕから第２の噴出口１７３ｖに向かうにつれて第３の噴出口１７３ｗの幅が広くなるように切り欠く。これにより、第２の噴出口１７３ｖから噴出されるエアの流量Ｑ２（Ｑ３）を、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ１（Ｑ４）より多くすることができる。従って、第１の噴出口１７３ｕと第２の噴出口１７３ｖとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制し、処理液等の処理液が基板Ｇ上に残留することを防止できる。   Further, as shown in FIGS. 13 and 14, the notch 173c may be provided by notching the tip 173t at the one end E of the air knife nozzles 173A and 173B. At this time, for example, the lengths a and b in the longitudinal direction D of the second jet outlet 173v and the third jet outlet 173w can be set to 50 mm and 20 mm, respectively. As shown in FIG. 15, the air knife nozzle 173A is configured such that the flow path P becomes narrower toward the tip 173t. For this reason, the 2nd width d2 of the 2nd jet outlet 73v can be enlarged by enlarging the depth c of the notch from the front-end | tip 173t. At this time, it cuts out so that the width | variety of the 3rd ejection port 173w becomes wide as it goes to the 2nd ejection port 173v from the 1st ejection port 173u. Thereby, the flow rate Q2 (Q3) of air ejected from the second ejection port 173v can be made larger than the flow rate Q1 (Q4) ejected from the first ejection port 73u. Therefore, a rapid change in the flow rate of air between the first jet port 173u and the second jet port 173v can be suppressed, and the processing liquid such as the processing liquid can be prevented from remaining on the substrate G.

本実施形態では、図８（ｃ）に示すように光センサＳ３が基板Ｇの先端を検出したときに、エアの流量を低下させる例を示した。しかし、これに限定されず、例えば、光センサＳ３を設けずに、基板Ｇの後端を光センサＳ１により検知した後、基板Ｇの後端がエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂを通過する時間の経過後に切換弁１１１をオフとしブロアファン１８０を停止し乾燥処理を終了するようにしてもよい。このようにしても、同様にエアの無駄な使用量を抑制することができる。   In the present embodiment, an example in which the air flow rate is decreased when the optical sensor S3 detects the tip of the substrate G as shown in FIG. However, the present invention is not limited to this. For example, after the rear end of the substrate G is detected by the optical sensor S1 without providing the optical sensor S3, the passage of the rear end of the substrate G through the air knife nozzles 73A and 73B has elapsed. The switching valve 111 may be turned off to stop the blower fan 180 and finish the drying process. Even in this case, the useless amount of air can be similarly suppressed.

本実施形態では、開口面積の異なる第１の噴出口と第２の噴出口とをノズルに設けて、それらの噴出口でそれぞれ噴出される流量を異なるようにした。しかし、ノズル内部の気体の流路を、第１の噴出口に連通する第１の流路と、第２の噴出口に連通する第２の流路とに分離して設けるようにしてもよい。そしてノズルに気体を供給する供給機構が、第１の流路と、第２の流路とに独立して気体を供給すればよい。この場合において、２つの供給機構からそれぞれ異なる流量で第１の流路と第２の流路とに供給することで流量に差を持たせることができる。   In the present embodiment, the first jet port and the second jet port having different opening areas are provided in the nozzle, and the flow rates ejected from these jet ports are made different. However, the gas flow path inside the nozzle may be provided separately into a first flow path communicating with the first jet outlet and a second flow path communicating with the second jet outlet. . And the supply mechanism which supplies gas to a nozzle should just supply gas independently to a 1st flow path and a 2nd flow path. In this case, the flow rate can be made different by supplying the first flow path and the second flow path from the two supply mechanisms at different flow rates.

本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。1 is a plan view showing an overall configuration of a resist coating and developing treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. 実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示し、（ａ）はスクラバ洗浄処理ユニット、（ｂ）は現像処理ユニットの側断面図である。1 shows a resist coating and developing apparatus according to an embodiment, where (a) is a scrubber cleaning unit, and (b) is a side sectional view of the developing unit. 実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置におけるエア供給機構を模式的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows typically the air supply mechanism in the drying processing apparatus of the scrubber cleaning processing unit and development processing unit which concerns on embodiment. 実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置の平断面図である。It is a plane sectional view of a drying processing device of a scrubber cleaning processing unit and a development processing unit concerning an embodiment. 実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置のエアナイフノズルの斜視図である。It is a perspective view of the air knife nozzle of the drying processing apparatus of the scrubber cleaning processing unit and the development processing unit according to the embodiment. 実施形態に係る乾燥処理装置のエアナイフノズルを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the air knife nozzle of the drying processing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る乾燥処理装置のエアナイフノズルを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the air knife nozzle of the drying processing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る基板の各搬送工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating each conveyance process of the board | substrate which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの切り欠き部の作用を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating an effect | action of the notch part of the air knife nozzle which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの第２の噴出口の第２の幅とエアの流量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the 2nd width | variety of the 2nd jet nozzle of the air knife nozzle which concerns on embodiment, and the flow volume of air. 実施形態に係るエアナイフノズルの変形例を示す斜視図ある。It is a perspective view which shows the modification of the air knife nozzle which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの別の変形例を示す斜視図ある。It is a perspective view which shows another modification of the air knife nozzle which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other modification of the air knife nozzle which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the other modification of the air knife nozzle which concerns on embodiment. 実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other modification of the air knife nozzle which concerns on embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

Ｄ…長手方向
Ｇ…基板
Ｅ…一端部
Ｈ１…第１の領域
Ｈ２…第２の領域
Ｐ…流路
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４…流量
Ｒ１、Ｒ２…領域
Ｒ３、Ｒ４…後端付近の領域
ｄ１…第１の幅
ｄ２…第２の幅
５８…搬送ローラ
７０…制御系
７３Ａ、７３Ｂ…エアナイフノズル
７３ｕ、７３ｖ、７３ｗ…第１、第２、第３の噴出口
７３ｃ…切り欠き部
９０…エア供給機構
９１…モータ
１０１…ヒータ
２０１…保持部材 D ... Longitudinal direction G ... Substrate E ... One end H1 ... First region H2 ... Second region P ... Channel Q1, Q2, Q3, Q4 ... Flow rate R1, R2 ... Region R3, R4 ... Region near the rear end d1 ... first width d2 ... second width 58 ... conveying roller 70 ... control system 73A, 73B ... air knife nozzles 73u, 73v, 73w ... first, second and third ejection ports 73c ... notch 90 ... Air supply mechanism 91 ... motor 101 ... heater 201 ... holding member

Claims (8)

基板を搬送する搬送機構と、
搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第２の領域に向けて第１の流量より多い第２の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、
前記ノズルの一端部を前記第２の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、
前記ノズルに気体を供給する供給機構と
を具備し、
前記ノズルは、
第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、
前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路と
を有し、
前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、
前記第２の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられたことを特徴とする基板処理装置。 A transport mechanism for transporting the substrate;
Gas can be ejected at a first flow rate toward a first region that is a region other than the vicinity of the side edge of the substrate to be conveyed, and toward a second region that is a region near the side edge of the substrate. A long nozzle capable of ejecting gas at a second flow rate greater than the first flow rate;
A holding portion that holds the nozzle obliquely with respect to the transport direction so that the one end portion of the nozzle faces the second region and the one end portion is disposed on the most downstream side in the transport direction of the substrate. When,
A supply mechanism for supplying gas to the nozzle ,
The nozzle is
A first jet port provided with a first width for ejecting gas; and provided at the one end portion adjacent to the first jet port in a substantially longitudinal direction of the nozzle; and the first width A jetting portion having a second jetting port provided at a wider second width at the tip of the nozzle;
A flow path that is provided in communication with the first jet port and the second jet port, and that introduces a gas supplied from the supply mechanism and distributes the gas to the jet part.
Have
The flow path is configured to narrow toward the tip,
The substrate processing apparatus, wherein the second ejection port is provided by cutting out the tip of the one end . 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第２の幅は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the second width is 0.2 mm to 0.5 mm. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第２の幅は、０．３ｍｍであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2 ,
The substrate processing apparatus, wherein the second width is 0.3 mm. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記噴出部は、前記第１の噴出口と前記第２の噴出口との間に設けられ、該第１から第２の噴出口に向かうにつれ幅が広くなる第３の噴出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The ejection part has a third ejection port which is provided between the first ejection port and the second ejection port and becomes wider as it goes from the first to the second ejection port. A substrate processing apparatus. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第３の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第３の流量より多い第４の流量で噴出するように制御する手段
を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The supply mechanism ejects the gas ejected from the nozzle at a third flow rate toward a region other than the vicinity of the rear end of the substrate to be transported, and the third mechanism toward the region near the rear end. A substrate processing apparatus comprising: means for controlling to eject at a fourth flow rate higher than the flow rate. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the nozzles are disposed so as to face each other so as to sandwich the substrate to be transported. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus further comprising a heating mechanism for heating the gas flowing through the flow path. 第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、一端部に設けられ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを有する噴出部と、A first jet port provided with a first width for ejecting gas, and a second width that is provided at one end and adjacent to the first jet port in the longitudinal direction and wider than the first width. An ejection part having a second ejection port provided;
前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とA flow path which is provided in communication with the first jet port and the second jet port, introduces a gas supplied from the outside, and distributes the gas to the jet section;
を具備し、Comprising
前記流路は、先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、The flow path is configured to narrow toward the tip,
前記第２の噴出口は、前記一端部の先端が切り欠かれて設けられたことを特徴とするノズル。The nozzle characterized in that the second ejection port is provided by cutting out the tip of the one end.
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