JP4664688B2 - 工業製品の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、図6〜図15を用いて、本発明の実施の形態に係るNAND型フラッシュメモリの製造方法の活性領域(AA)のパターニングまでの通常ルーチンの工程、及び活性領域(AA)のパターニングに伴う工程段階評価を説明する。図6〜図8、図10,図11及び図13では、図2に示したデータ転送線BL2j-1,BL2j,BL2j+1,・・・・・方向の断面図は省略し、ワード線WL1k,WL2k,・・・・・,WL32k,WL1k-1,・・・・・方向の断面図のみを示している。なお、以下に述べるNAND型フラッシュメモリの製造方法とこれに伴う工程段階評価方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能であり、同様に、開示したマスクパターンも一例であり、他の種々のマスクパターンを用いることが可能であることは勿論である。
前述したAAのパターニングまでの工程の後の、ワード線のパターニングまでの通常ルーチンの工程、及びワード線のパターニングに伴う工程段階評価を、図17〜図25を用いて説明する。AAのパターニングまでの工程と同様、以下に述べるNAND型フラッシュメモリの製造方法とこれに伴う工程段階評価方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能である。同様に、以下に開示するマスクパターンも一例であり、他の種々のマスクパターンを用いることが可能であることは勿論である。図17〜図21のそれぞれにおいて、(a)は、図2のデータ転送線BL2j-1,BL2j,BL2j+1,・・・・・方向に沿った切断面におけるメモリセルアレイ520の一部を示す工程断面図、(b)は図2のWL1k,WL2k,・・・・・,WL32k,WL1k-1,・・・・・方向に沿った切断面におけるメモリセルアレイ520の一部を示す工程断面図である。図17〜図21のそれぞれにおいて、(b)は隣接する2つのメモリセルカラムの折り返し領域に対応し、それぞれ異なるメモリセルカラムに属する選択トランジスタQSGk,QSGk-1の工程断面図に相当する。
12k+1,212k+2,・・・・,212m-1,212m,212m+1,212m+2,・・・・の隣接する指(フィンガー)間の短絡(ショート)不良を検出できる。
前述したワード線のパターニングまでの工程の後の、データ転送線引出し部(中継配線)形成までの通常ルーチンの工程、及びデータ転送線引出し部形成に伴う工程段階評価を、図27〜図34を用いて説明する。ワード線のパターニングまでの工程と同様、以下に述べるNAND型フラッシュメモリの製造方法とこれに伴う工程段階評価方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能である。同様に、以下に開示するマスクパターンも一例であり、他の種々のマスクパターンを用いることが可能であることは勿論である。
前述したデータ転送線引出し部(中継配線)形成後の、データ転送線形成までの通常ルーチンの工程、及びデータ転送線形成に伴う工程段階評価を、図36〜図40を用いて説明する。データ転送線引出し部形成までの工程と同様、以下に述べるNAND型フラッシュメモリの製造方法とこれに伴う工程段階評価方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能である。同様に、以下に開示するマスクパターンも一例であり、他の種々のマスクパターンを用いることが可能であることは勿論である。
上記のように、NAND型フラッシュメモリの製造方法を例示して、本発明の実施の形態を説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではなく、NAND型のフラッシュメモリ以外のAND型のフラッシュメモリやDINOR型フラッシュメモリ等にも同様に適用可能であり、更にはDRAMやSRAM等の他の種々の半導体記憶装置等にも、適用可能であり、上記の開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…トンネル酸化膜(ゲート絶縁膜)
3…第1導電層(第1ドープドポリシリコン膜)
4…導電層間絶縁膜
5…素子分離絶縁膜
7…第2導電層(第2ドープドポリシリコン膜)
8…シリコン窒化膜
14…データ転送線引出し部
16…ビアコンタクト(第1ビアコンタクト)
17…ビアコンタクト(第2ビアコンタクト)
18…拡散層
22…バリア絶縁膜
23、24…層間絶縁膜
28…ソース線コンタクトCS開口部
32…データ転送線コンタクトCB開口部32
34…ビアコンタクト開口部
41…素子分離溝
42…導電層間導通孔
58…レジスト
64…バリアメタル
69…配線材
70…埋め込み材
101…マスク膜
110,201,310、410…探針用パッド
111i-1,111i,111i+1,111i+2,111i+3,111i+4;151i,151o;152i,152o;153i,153o;221〜223;311n-2,311n-1,311n,311n+1,311n+2,311n+3,311n+4,311n+5;411q-2,411q-1,411q,411q+1…評価用引出し配線
112j-2,112j-1,112j,112j+1,112j+2…活性領域
113j-2,113j-1,113j,113j+1,113j+2;171i,171a,171b,171o;172i,172a,172b,172o;173i,173a,173b,173o;213k-2,213k-1,213k,213k+1,213k+2,213m-2,213m-1,213m,213m+1,213m+2;313p-2,313p-1,313p,313p+1,313p+2;413r-2,413r-1,413r,413r+1,413r+2…電位抽出用コンタクトホール
121、231、331、431…パターン欠陥(ショート不良)
122…パターン欠陥(オープン不良)
131、241、341,401…配線変更用絶縁膜
161−1〜161−m,162−1〜162−m,163−1〜163−m…接続変更配線
212k-2,212k-1,212k,212k+1,212k+2,212m-1,212m,212m+1,212m+2…ワード配線
212m-2…選択ゲート配線
312p-2,312p-1,312p,312p+1,312p+2…データ転送線引出し部
314p-2,314p-1,314p,314p+1,314p+2…データ転送線コンタクト
412r-2,412r-1,412r,412r+1,412r+2…データ転送線
520…メモリセルアレイ
521…周辺回路(トップ・ページバッファ)
522…周辺回路(ボトム・ページバッファ)
523…周辺回路(レフト・ロウデコーダ/チャージポンプ)
524…周辺回路(ライト・ロウデコーダ/チャージポンプ)
602…周辺回路
611〜620…探針用パッド
Claims (4)
- 工業製品の実マスクによるリソグラフィ工程を利用して、被処理基体の表面に、工業製品の一部をなす実パターンを形成する工程と、
該実パターンの上に配線変更用絶縁膜を形成する工程と、
該配線変更用絶縁膜の一部を前記実パターンの一部が露出するように選択的に除去し、複数の電位抽出用コンタクトホールを開口する工程と、
電位抽出用コンタクトホールを介して前記実パターンに電気的に接続される複数の評価用引出し配線を形成する工程と、
該評価用引出し配線を用いて、前記実パターンのパターン欠陥を電気的に検出する工程と、
前記実マスクのマスク欠陥を検査する工程
を含み、 前記検査によりマスク欠陥が発見された場合は、前記電位抽出用コンタクトホールの開口場所は、前記マスク欠陥を有するパターンを回避して選択されることを特徴とする工業製品の製造方法。 - 前記実パターンは、周期的繰り返しパターンを有し、
前記評価用引出し配線は、前記周期的繰り返しパターンに対して周期的に開口された前記電位抽出用コンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の工業製品の製造方法。 - 前記実パターンは、複数のストライプからなるライン・アンド・スペース・パターンと該複数のストライプにそれぞれ接続され、該複数のストライプの延在方向とは異なる方向に延伸するパターンを含む終端中継配線とを有し、
前記評価用引出し配線は、前記終端中継配線に対して開口された前記電位抽出用コンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の工業製品の製造方法。 - 前記複数の評価用引出し配線は、前記周期的繰り返しパターンの内の偶数番のパターンに接続される第1の評価用引出し配線と、奇数番のパターンに接続される第2の評価用引出し配線とを備えることを特徴とする請求項2に記載の工業製品の製造方法。
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