JP4663243B2 - 無電解銅めっき浴 - Google Patents

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本発明は、人体及び環境に悪影響を及ぼす刺激臭がなく、かつ安価で安定性のある無電解銅めっき浴に関するものである。
従来の無電解銅めっき浴には、銅イオンの還元剤としてホルムアルデヒドが使用されていた。このホルムアルデヒドは蒸気圧が高く、刺激臭による作業環境の悪化、発ガン性による人体への悪影響が指摘されている。また、ホルムアルデヒドを含有した無電解銅めっき浴は強アルカリ性を示し、このため被めっき物の劣化を引き起こし易いという欠点を有している。
また、アスコルビン酸を含みホルムアルデヒドを含有しない従来の無電解銅めっき浴においては、遷移金属を含有することにより遷移金属の酸化還元反応を利用して銅イオンを銅金属に還元し、金属銅を析出している(「表面技術」Vol.50,No.4,1999年)。
しかしながら、アスコルビン酸は、Cu2+→Cu+の反応及び上記の例では一部Co3+→Co2+の反応に利用されるものであり、金属銅の析出には直接関与していない。上記のような無電解めっきでは、反応継続性の維持が困難であり、液安定性も悪く、遷移金属化合物が高価である。
また、上記無電解銅めっき浴中に遷移金属を含まない場合であっても、銅の不均化反応(2Cu+→Cu2++Cu)を利用して金属銅を析出することもできるが(社団法人・表面技術協会、第107回講演大会要旨集)、液安定性に劣るものである。また、上記のような無電解めっきにおいては、アスコルビン酸はCu2+→Cu+の反応に利用されているが、金属銅の析出には直接関与していない。
特開2002−241953号公報 特開平5−148661号公報(特許第3052515号) 「表面技術」Vol.50,No.4,1999年 社団法人・表面技術協会、第107回講演大会要旨集
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ホルムアルデヒドを使用せず、アスコルビン酸の還元作用が金属銅の析出に直接関与することができる無電解銅めっき浴を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、還元剤として、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩、及びそれらの変性体並びに誘導体から選ばれる1種又は2種以上を用いた場合に、錯化剤として、ぎ酸,酢酸,プロピオン酸,安息香酸,乳酸,しゅう酸,こはく酸,りんご酸,酒石酸,グリコール酸,ジグリコール酸,クエン酸,ニトリロ三酢酸,アジピン酸,チオジグリコール酸及びその塩から選ばれる1種又は2種以上を用いることにより、ホルムアルデヒドを使用せず、しかも金属銅の析出の際に遷移金属の酸化還元反応を利用しなくてもアスコルビン酸が直接金属銅の析出に関与(Cu2+→Cuの反応)することができることを見い出し、本発明を完成したものである。
従って、本発明は、銅の水溶性塩、錯化剤及び還元剤を含有してなる無電解銅めっき浴において、上記還元剤として、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩及びそれらの変性体並びに誘導体から選ばれる1種又は2種以上を用い、その還元剤濃度が0.002〜0.05モル/Lであり、かつ上記錯化剤として、クエン酸,酒石酸及びその塩から選ばれる1種又は2種以上を用い、さらに、不均化反応抑制剤として、塩化アンモニウムを0.01〜0.5モル/L含有し、安定剤として、エチレングリコール,ニコチン酸及び2,2'−ジピリジルから選ばれる1種または2種以上を含有し、pHが5〜8であることを特徴とする無電解銅めっき浴を提供する。
本発明の無電解銅めっき浴は、人体及び環境に悪影響を及ぼすホルムアルデヒドを使用する必要がなく、安価なアスコルビン酸を還元剤として使用することができるものであり、浴安定性、めっき析出性に優れており、被めっき物の劣化を起こり難いものである。
以下、本発明について更に詳しく説明すると、本発明の無電解銅めっき浴では、銅の水溶性塩、錯化剤及び還元剤を含有したものである。
ここで、上記還元剤としては、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩及びそれらの変性体並びに誘導体から選ばれる1種又2種以上の化合物が選ばれるものであり、還元性を有するものであれば使用することができる。例えば、アスコルビン酸、アスコルビン酸ナトリウム、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸りん酸ナトリウム、アスコルビン酸りん酸マグネシウム、アスコルビン酸エチル、アスコルビン酸硫酸2ナトリウム等を単独または適宜混合して使用することができる。還元剤濃度としては、0.002〜0.05モル/L程度である。0.002モル/Lよりも低いとめっきが析出しない場合があり、0.05モル/Lより高いと浴安定性が悪くなるおそれがある
上述のようにアスコルビン酸を還元剤として用いる場合、アスコルビン酸はその還元力が比較的弱いため、強い錯化力を有するポリアミノカルボン酸を用いた場合には、めっき析出反応が阻害されるおそれがある。上記錯化剤として、具体的には、クエン酸、酒石酸及びその塩等を単独または適宜混合して使用することができる。上記錯化剤の濃度としては、0.005〜2モル/L程度、好ましくは0.03〜0.3モル/L程度である。0.005モル/Lより低いと浴安定性が悪くなるおそれがあり、2モル/Lよりも高いとめっきが析出しなかったり、黒色気味の粗い皮膜が析出したりして皮膜外観が悪くなるおそれがある。
上記水溶性銅塩としては、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅等の公知のものを採用することができ、そのめっき浴中への濃度は、0.001〜0.2モル/L、好ましくは0.01〜0.05モル/L程度である。
本発明の無電解銅めっき浴には、必要に応じてpH調整剤、緩衝剤、安定剤、その他の添加剤を添加することができる。
例えば、めっき浴のpH低下を抑制するためのpH緩衝剤を用いる場合には、pH緩衝剤としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸、オキシカルボン酸、無機酸またはそれらの塩等を単独または適宜混合して使用することができる。上記モノカルボン酸としては、例えば、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、アクリル酸、トリメチル酢酸、安息香酸、クロロ酢酸またはそれらの塩等が挙げられる。上記ジカルボン酸としては、例えば、しゅう酸、こはく酸、マレイン酸、イタコン酸、パラフタル酸またはそれらの塩等が挙げられる。上記オキシカルボン酸としては、例えば、グリコール酸、乳酸、サリチル酸、酒石酸、クエン酸またはそれらの塩等が挙げられる。上記無機酸としては、例えば、ほう酸、炭酸、亜硫酸、りん酸またはそれらの塩等が挙げられる。
また、pH調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、硫酸、塩酸、ホウ酸、リン酸、モノカルボン酸、ジカルボン酸等を単独または適宜混合して使用することができる。めっき浴のpHとしては5〜8程度である。


上記安定剤として具体的には、オルソりん酸,メタりん酸,ポリりん酸等のりん酸及び縮合りん酸及びその塩、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,エチレングリコール,プロピレングリコール、グリセリン等のアルコール及び多価アルコール、グリコース,デキストロース,グルコラクトン,グルコピラノース,フルクトース等の単糖類、サッカロース,ラクトース,マルトース等の二糖類,アルギン酸,セルロース,でんぷん,グリコーゲン等の多糖類、フェノール,カテコール,2−ナフトール,ピロガロール,安息香酸,ヒドロキノン,没食子酸,ジブチルヒドロキシトルエン等の芳香族化合物、ピリジン,クマリン,サッカリン,ニコチン酸,イミダゾール,2,2'−ジピリジル,1,2,3−ベンゾトリアゾール,1,10−フェナントロリン,チオインジゴ等のヘテロ芳香環化合物を単独または適宜混合して使用することができる。なお、これらの安定剤は、めっき析出速度が大きく低下し過ぎない範囲内で適宜使用することができる。
上記添加剤としては、例えば、析出皮膜の物性を改良するための各種添加剤や被めっき物の微細箇所へ浸透するめっき浴の浸透性を高めるための各種添加剤が挙げられる。これらの添加剤については単独または適宜混合して使用することができる。
本発明の無電解銅めっき浴では、銅の不均化反応の抑制剤を含有させることができる。本発明の無電解銅めっき浴は、アスコルビン酸の還元力によりめっき浴中の銅イオンを還元析出させるものであり、このアスコルビン酸は上述のように還元力が比較的弱いため錯化剤として錯化力の弱い上記カルボン酸、オキシカルボン酸、アミノカルボン酸を用いるものである。めっき浴中では銅の不均化反応により銅イオンがめっき浴中で結晶化するなどの反応が起こり易く、銅錯化力が弱い錯化剤を用いる本発明の無電解銅めっき浴においては、銅の不均化反応により生成する銅結晶の混入などにより形成される皮膜特性が悪くなるおそれがある。このため、本発明のめっき浴中には上記銅の不均化反応抑制剤を含有することが好ましい。この不均化反応抑制剤のめっき浴中の濃度は、0.005〜2モル/L程度、好ましくは0.01〜0.5モル/L程度である。上記不均化反応抑制剤としては、特に、アンモニウムイオンまたは塩化物イオンを単独または適宜混合して用いることが好ましい。上記アンモニウムイオンを含む化合物としては、例えば、アンモニア水、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。上記塩化物イオンを含む化合物としては、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム等が挙げられる。特に、アンモニウムイオンと塩化物イオンとの両方を含有することが好ましく、これにより、めっき浴が分解されることなくアスコルビン酸により銅イオンを安定的に還元析出することができる。なお、これらアンモニウムイオンや塩化物イオンは、上述した成分の水溶性塩として添加されてもよい。
本発明の無電解銅めっき浴には、コバルト、チタン、鉄等の遷移金属のイオンを含有することもできるが、その濃度は100mg/L以下とするものである。好ましくは、遷移金属イオンを全く含有しないようにすることである。上記遷移金属イオン濃度が100mg/Lを超えると、アスコルビン酸による銅イオンの還元析出反応に優先して遷移金属イオンによる銅イオンの還元析出反応が起こるおそれがあり、その結果、形成される銅めっき皮膜の外観が悪くなったり、めっき浴の安定性が低下して分解してしまうおそれがある。しかし、上記の100mg/L以下であれば、遷移金属の水溶性塩を安定剤や皮膜特性改質剤として含有することができる。
本発明の無電解銅めっき浴を使用する際のめっき温度は0〜90℃程度、好ましくは30〜70℃程度である。
なお、本発明の無電解銅めっき浴では、常用されている無電解銅めっきの前処理を採用することにより、前処理が施された被めっき物のめっき面に銅めっき皮膜を形成することができる。
本発明の無電解めっき浴では、被めっき物の種類については特に制限されるものではなく、従来から用いられる無電解銅めっきの処理対象物を被めっき物とすることができる。特に、本発明の無電解銅めっき浴は、強アルカリ性により劣化し易い被めっき物の銅めっき皮膜形成に対して有効である。
以下、本発明の実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に制限されるものではない。
[実施例1]
硫酸銅・5水塩0.04モル/L、アスコルビン酸0.02モル/L程度、クエン酸三ナトリウム0.1モル/L、塩化アンモニウム0.2モル/L、りん酸水素二ナトリウム10g/L、エチレングリコール10g/L、ニコチン酸1g/Lを配合し、水酸化ナトリウムでpHを7.0に調整して無電解銅めっき浴とした。
表面銅箔を除去したガラスエポキシ基板を被めっき物として使用し、被めっき物のめっき面に対して下記表1のNo.1〜No.8の手順による前処理を行い、上記無電解銅めっき浴にて銅めっきを行った。めっき温度は45℃、めっき時間は60分間とした。
[実施例2]
めっき浴に酒石酸0.1モル/Lを添加した以外は実施例1と同様にして無電解銅めっきを行った。
[実施例3]
めっき浴にグリシン0.1モル/Lを添加し、更にニコチン酸に代えてカテコール1g/Lを配合し、めっき浴温度を40℃とし、それ以外は実施例1と同様にして無電解銅めっきを行った。
[実施例4]
実施例1で用いたニコチン酸に代えて2,2'−ジピリジル10mg/Lを配合し、めっき浴温度を35℃とし、それ以外は実施例1と同様にして無電解銅めっきを行った。
[実施例5]
実施例3で用いたエチレングリコールに代えてグリセリン10g/Lを配合し、めっき浴温度を40℃とし、それ以外は実施例3と同様にして無電解銅めっきを行った。
[実施例6]
実施例1で用いたエチレングリコールに代えてアルギン酸ナトリウム0.1g/Lを配合し、めっき浴温度を50℃とし、それ以外は実施例1と同様にして無電解銅めっきを行った。
[比較例1]
硫酸銅・5水塩0.04モル/L、エチレンジアミン4酢酸・4ナトリウム0.08モル/L、2,2'−ジピリジル20mg/L、分子量1000ポリエチレングリコール1g/L、ホルムアルデヒド0.1モル/Lを配合し、水酸化ナトリウムでpHを13.5に調整して無電解銅めっき浴とした。
表面銅箔を除去したガラスエポキシ基板を被めっき物として使用し、被めっき物のめっき面に対して下記表1のNo.1〜No.8の手順による前処理を行い、上記無電解銅めっき浴にて銅めっきを行った。めっき温度は60℃、めっき時間は60分間とした。
[比較例2]
比較例1で用いたエチレンジアミン4酢酸・4ナトリウムに代えてロッセル塩0.08モル/Lを配合し、めっき浴温度を30℃とし、それ以外は比較例1と同様にして無電解銅めっきを行った。
[比較例3]
塩化銅0.05モル/L、硝酸コバルト・6水塩0.15モル/L、エチレンジアミン0.6モル/L、アスコルビン酸0.01モル/L、2,2'−ジピリジル20mg/Lを配合し、硝酸でpHを6.7に調整して無電解銅めっき浴とした。めっき温度は50℃、めっき時間は60分間とした。その他の条件は上記と同様である。
[比較例4]
硫酸銅・5水塩0.01モル/L、エチレンジアミン4酢酸・4ナトリウム0.005モル/L、アスコルビン酸0.01モル/L、2,2'−ジピリジル700mg/Lを配合し、硫酸でpHを5に調整して無電解銅めっき浴とした。めっき浴温度を30℃、めっき時間は60分間とした。その他の条件は上記と同様である。
Figure 0004663243
各実施例及び比較例のめっき浴の環境及び得られためっきを評価した。
めっき処理を施した被めっき物の表面を目視で観察し、その外観を調べた。めっき浴の安定性の評価では、60分間めっきを行った後のビーカーの底の銅析出を調べた。刺激臭については、作業中に生じた臭いを確認した。これらの評価を下記表2に示す。
Figure 0004663243
表2の結果から分かるように、本発明のめっき浴では、ホルムアルデヒドを使用していないので浴中の刺激臭も無く、無害であり、そのうえ浴安定性が良好であり、めっき析出性(析出速度)が大きく、めっき外観に優れたものである。これに対して、比較例1,2ではホルムアルデヒドを使用しており作業環境が悪くなっている。また、比較例3,4では、ホルムアルデヒドを使用していないので無害ではあるが、浴安定性が悪化してめっきが析出することができなくなってしまう。
[実験例1〜4]
実施例1において、硝酸コバルト・6水和物を下記表3に示した各濃度で添加して各例のめっき浴の環境及び得られためっきを評価した。その評価を下記表3に示す。
Figure 0004663243

Claims (2)

  1. 銅の水溶性塩、錯化剤及び還元剤を含有してなる無電解銅めっき浴において、上記還元剤として、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩及びそれらの変性体並びに誘導体から選ばれる1種又は2種以上を用い、その還元剤濃度が0.002〜0.05モル/Lであり、かつ上記錯化剤として、クエン酸,酒石酸及びその塩から選ばれる1種又は2種以上を用い、さらに、不均化反応抑制剤として、塩化アンモニウムを0.01〜0.5モル/L含有し、安定剤として、エチレングリコール,ニコチン酸及び2,2'−ジピリジルから選ばれる1種または2種以上を含有し、pHが5〜8であることを特徴とする無電解銅めっき浴。
  2. めっき浴中に遷移金属を含有しない請求項1記載の無電解銅めっき浴。
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