JP4834205B2 - 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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Description
このような反射型マスクは、基板上に露光光であるEUV光を反射する多層反射膜を有し、更に、多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜がパターン状に設けられた構造をしている。このような反射型マスクを搭載した露光機(パターン転写装置)を用いてパターン転写を行なうと、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射された光が反射光学系を通して半導体基板(レジスト付きシリコンウエハ)上に転写される。
多層反射膜は、基板上に、例えば、イオンビームスパッタ法により形成することができる。MoとSiを含む場合、SiターゲットとMoターゲットを用いて交互にスパッタし、30〜60周期程度、好ましくは40周期程度積層する。
ところで、EUV光に対する反射率をより高めるためには、多層反射膜の表面粗さを小さくする必要があるが、多層反射膜の表面粗さは基板の表面粗さに大きく依存する。多層反射膜としては、例えば上記SiとMoの薄膜の面内膜厚分布を均一にするために基板を傾けて成膜(斜入射成膜)を行なうと、基板の表面粗さを増長した表面粗さが形成されてしまう。
上記基板としては通常ガラス基板が用いられるが、現状のガラスの研磨加工方法を適用しても、多成分アモルファス構造のガラスで上記の表面粗さの要求を満たすような高平滑で、しかも欠陥の無い表面を得ることは実際には非常に困難である。
尚、特許文献2には、レチクル基板上の欠陥の悪影響を低減するため、レチクル基板上に多層緩衝層を設けることが開示されている。
(構成1)基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基板上に、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直もしくは略垂直な方向から入射するように成膜する直入射成膜と、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直方向に対し斜め方向から入射するように成膜する斜入射成膜とを組み合わせて成膜した下地膜を成膜した後、該下地膜上に前記多層反射膜を成膜することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
構成3のように、下地膜と多層反射膜の成膜条件をそれぞれ異なる条件とすることにより、下地膜からの反射光が多層反射膜からの反射スペクトルに影響が無いようにすることができる。
ここで、異なる成膜条件とは、下地膜と多層反射膜の材質が異なる場合はもちろんのこと、同じ材質の場合でも成膜条件が異なることを意味する。
構成4のように、多層反射膜の直下の下地膜を直入射成膜工程によって成膜することにより、下地膜表面の表面粗さをより一層低減することができ、その上に多層反射膜を成膜すると、露光光に対する反射率をより一層向上させることができる。
構成5のように、下地膜と多層反射膜の成膜をイオンビームスパッタ成膜法を用いて行うことにより、成膜方向を容易に変えることができ、さらに、高平滑・高密度な膜を形成できる。
構成6によれば、構成1乃至5の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板を使用し、その多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを製造するので、最終的に低欠陥でしかもマスクの反射面となる多層反射膜の表面粗さが小さく露光光反射率を高めた反射型マスクブランクを得ることができる。
なお、上記吸収体膜と多層反射膜との間に、吸収体膜へのパターン形成時に多層反射膜を保護するためのエッチングストッパー機能を有するバッファ膜を設けることができる。
構成7によれば、構成6に記載の反射型マスクブランクを使用し、その吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを製造するので、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、パターン転写性に優れた反射型マスクを得ることが出来る。
また、本発明によれば、上述の多層反射膜付き基板を用いて、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより、低欠陥でしかも多層反射膜の露光光反射率を高めた高品質の反射型マスクブランクを提供することができる。
さらに、本発明によれば、上述の反射型マスクブランクを用いて、その吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することにより、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、パターン転写性に優れた高品質の反射型マスクを提供することができる。
本発明に係る多層反射膜付き基板の製造方法は、基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、基板上に、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直もしくは略垂直な方向から入射するように成膜する直入射成膜と、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直方向に対し斜め方向から入射するように成膜する斜入射成膜とを組み合わせて成膜した下地膜を成膜した後、該下地膜上に前記多層反射膜を成膜する。より好ましくは、前記下地膜の成膜は、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直もしくは略垂直な方向から入射するように成膜する直入射成膜工程と、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直方向に対し斜め方向から入射するように成膜する斜入射成膜工程とを組み合わせて、露光光に対して反射に寄与しない下地膜を成膜する。
尚、斜入射成膜工程では、基板の表面に存在する凹状の欠陥(凹欠陥)を小さくする効果がある。一方、上記直入射成膜工程により、多層反射膜を成膜した場合、基板の表面に存在する凸欠陥を小さくするが、基板表面の凹欠陥を大きくする作用があることが、本発明者の検討により判明した(図6(b)参照)。さらに、この直入射成膜工程により多層反射膜を成膜すると、多層反射膜の表面粗さを小さくする効果もあるため、反射率の向上につながる。
多層反射膜の直下の下地膜は、前記直入射成膜工程により成膜することが好ましい。多層反射膜の直下の下地膜を直入射成膜工程によって成膜することにより、下地膜表面の表面粗さをより一層低減することができ、その上に多層反射膜を成膜すると、露光光に対する反射率をより一層向上させることができる。
上記下地膜は多層膜とするのが好ましい。下地膜を多層膜とすることにより、直入射成膜工程と斜入射成膜工程を組み合わせて用いて基板表面の凹凸両欠陥を小さくすることが可能だからである。また、例えばMoまたはSiの単層膜よりも、MoとSiの多層膜の方が、応力が小さくなるため、基板平坦度への影響や成膜装置からの発塵が抑えられるためである。
下地膜の成膜は、例えばイオンビームスパッタ成膜法を用いることができる。下地膜の成膜をイオンビームスパッタ成膜法を用いて行うことにより、成膜方向を容易に変えることができ、さらに、高平滑・高密度な膜を形成できる。
図2は、多層反射膜付き基板の断面図であるが、これによると、多層反射膜付き基板30は、基板1上に、露光光に対して反射に寄与しない下地膜6と、その上に設けられた露光光を反射する多層反射膜2とを有している。このような多層反射膜付き基板30は、本発明の多層反射膜付き基板の製造方法によれば、基板1上に、直入射成膜工程と斜入射成膜工程とを組み合わせて下地膜6を成膜し、該下地膜6の上に前記多層反射膜2を成膜することにより得られる。
すなわち、基板1上に多層反射膜2を成膜する前に、直入射成膜工程と斜入射成膜工程とを組み合わせて下地膜6を成膜することにより、基板1表面に存在する凸欠陥及び凹欠陥などの表面欠陥を下地膜6表面では低減することができ、下地膜6表面を表面粗さの小さな平滑な表面とすることができる。その上に多層反射膜2を成膜することにより、表面粗さの小さい平滑な多層反射膜2が形成されるので、露光光に対する反射率を向上させた多層反射膜付き基板30を得ることができる。
上記下地膜6上に形成する多層反射膜2は、屈折率の異なる材料を交互に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射することが出来る。例えば13〜14nmのEUV光に対する反射率が高い、MoとSiを交互に40周期程度積層したMo/Si多層反射膜が挙げられる。EUV光の領域で使用されるその他の多層反射膜の例としては、Ru/Si周期多層反射膜、Mo/Be周期多層反射膜、Mo化合物/Si化合物周期多層反射膜、Si/Nb周期多層反射膜、Si/Mo/Ru周期多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層反射膜などが挙げられる。多層反射膜2は、基板1上に例えば通常のスパッタ法またはイオンビームスパッタ法により形成することができる。
上述の本発明による多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより、露光用反射型マスクブランクが得られる。必要に応じて、上記多層反射膜と吸収体膜の間に、吸収体膜へのパターン形成時のエッチング環境に耐性を有し、多層反射膜を保護するためのバッファ膜を有していてもよい。本発明による多層反射膜付き基板を使用し、その多層反射膜上に吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを製造するので、とくに最終的にマスクの反射面となる多層反射膜の低欠陥でしかも表面粗さが小さく露光光反射率を高めた反射型マスクブランクを得ることができる。
図3(a)は、本発明により得られる反射型マスクブランクの一実施の形態の断面図である。これによると、反射型マスクブランク10は、前述の多層反射膜付き基板の多層反射膜2上に、バッファ膜3、吸収体膜4を順に有する構成である。
これらの吸収体膜は、通常のスパッタ法(DCスパッタ、RFスパッタ)、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することが出来る。吸収体膜の膜厚は、露光光である例えばEUV光が十分に吸収できる厚みであればよいが、通常は30〜100nm程度である。
また、上記バッファ膜3は、吸収体膜4に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、本実施の形態では多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。なお、バッファ膜は必要に応じて設ければよい。
バッファ膜の材料としては、吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ膜と吸収体膜のエッチング選択比は5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上である。更に、低応力で、平滑性に優れた材料が好ましく、とくに0.3nmRms以下の平滑性を有していることが好ましい。このような観点から、バッファ膜を形成する材料は、微結晶あるいはアモルファス構造であることが好ましい。
一方、吸収体膜として、Cr単体や、Crを主成分とする材料を用いる場合には、バッファ膜には、Taを主成分とする材料、例えば、TaとBを含む材料や、TaとBとNを含む材料等を用いることができる。
このバッファ膜は、反射型マスク形成時には、マスクの反射率低下を防止するために、吸収体膜に形成されたパターンに従って、パターン状に除去してもよいが、バッファ膜に露光光の透過率の大きい材料を用い、膜厚を十分薄くすることが出来れば、パターン状に除去せずに、多層反射膜を覆うように残しておいてもよい。バッファ膜は、例えば、通常のスパッタ法(DCスパッタ、RFスパッタ)、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することができる。バッファ膜の膜厚は、集束イオンビーム(Focussed Ion Beam:FIB)を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、20〜60nm程度にするのが好ましいが、FIBを用いない場合には、5〜15nm程度としてもよい。
吸収体膜へのパターン形成は、リソグラフィーの手法を用いて形成することができる。図3を参照して説明すると、まず、本発明による多層反射膜付き基板30(図2参照)の多層反射膜2上にバッファ膜3及び吸収体膜4を形成して得られた反射型マスクブランク10(図3(a)参照)を準備する。
次に、この反射型マスクブランク10の吸収体膜4上にレジスト層を設け、このレジスト層に所定のパターン描画、現像を行ってレジストパターン5aを形成する(図3(b)参照)。次に、このレジストパターン5aをマスクとして、吸収体膜4にエッチングなどの手法でパターン4aを形成する。例えばTaを主成分とする吸収体膜の場合には、塩素ガスやトリフロロメタンを含むガスを用いるドライエッチングを適用することが出来る。
吸収体膜4にパターン4aを形成した後、バッファ膜3を吸収体膜パターン4aにしたがって除去し、吸収体膜パターン4aのない領域では多層反射膜2を露出させた反射型マスク20が得られる(図3(d)参照)。ここで、例えばCr系材料からなるバッファ膜の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることが出来る。尚、バッファ膜3を除去しなくても必要な反射率が得られる場合は、図3(c)のように、バッファ膜3を吸収体膜と同様のパターン状に加工せず、多層反射膜2上に残すこともできる。
本発明によれば、上述の反射型マスクブランクを使用して反射型マスクとしているので、とくにマスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、パターン転写性に優れた反射型マスクを得ることが出来る。
(実施例1)
基板として、外形152mm角、厚さが6.35mmの低熱膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、機械研磨、洗浄により、0.15nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度を有している。
得られたガラス基板表面の表面欠陥(凸欠陥、凹欠陥)の有無を、欠陥検査装置(レーザーテック社製 MAGICS M-1350)により測定したところ、基板全体で凸欠陥及び凹欠陥が併せて数百個存在していることが分った。
また、多層反射膜表面の表面粗さを測定したところ、0.10nmRmsとなり、ガラス基板表面よりも表面粗さが小さくなった。
以上のようにして得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0°で反射率を測定したところ、65%と高い反射率であった。
次いで、上記バッファ膜上に、波長13〜14nmの露光光に対する吸収体膜として、Taを主成分とし、BとNを含む膜を形成した。成膜方法は、Ta及びBを含むターゲットを用いて、Arに窒素を10%添加して、DCマグネトロンスパッタリング装置によって行った。膜厚は、露光光を十分に吸収できる厚さとして、70nmとした。成膜されたTaBN膜の組成比は、Taは0.8、Bは0.1、Nは0.1であった。
以上のようにして、本実施例の反射型マスクブランクが得られた。
まず、上記反射型マスクブランク上にEBレジストを塗布し、EB描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜であるTaBN膜を塩素を用いてドライエッチングし、吸収体膜パターンを形成した。
次いで、この吸収体膜に形成されたパターンをマスクとして、バッファ膜であるCrN膜を、塩素と酸素の混合ガス(混合比は体積比で1:1)を用いてドライエッチングし、吸収体膜に形成されたパターンに従ってパターン状に除去した。
基板として、外形152mm角、厚さが6.35mmの低熱膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、機械研磨、洗浄により、0.15nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度を有している。
得られたガラス基板表面の表面欠陥(凸欠陥、凹欠陥)の有無を、欠陥検査装置(レーザーテック社製 MAGICS M-1350)により測定したところ、基板全体で凸欠陥及び凹欠陥が併せて数百個存在していることが分った。
以上のようにして得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0°で反射率を測定したところ、63.5%と高い反射率であった。
次に、実施例1と同様に、上記反射型マスクブランクを用いて、反射型マスクを作製した。この反射型マスクについて、欠陥検査装置でパターン欠陥を測定したところ、パターン欠陥の無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて、実施例1と同様にパターン転写装置により、半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、半導体基板上に良好な転写像が得られた。
(比較例1)
実施例1と同様にして、外形152mm角、厚さが6.35mmの低熱膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、機械研磨、洗浄により、0.15nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度を有している。
得られたガラス基板表面の表面欠陥(凸欠陥、凹欠陥)の有無を、実施例1と同様に欠陥検査装置(レーザーテック社製 MAGICS M-1350)により測定したところ、基板全体で凸欠陥及び凹欠陥が併せて数百個存在していることが分った。
次に、上記下地膜上に、実施例1と全く同様にしてMoとSiの交互積層膜からなる多層反射膜を形成した。多層反射膜表面の反射率の光学特性は実施例1と同程度であった。
次いで、上記反射型マスクブランクを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜及びバッファ膜にパターンを形成して、反射型マスクを作製したが、得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パターン欠陥が多く発見された。この反射型マスクを用いて、実施例1と同様に半導体基板上へのパターン転写を行なったところ、精度の良好なパターン転写が行なえなかった。
実施例1と同様にして、外形152mm角、厚さが6.35mmの低熱膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、機械研磨、洗浄により、0.15nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度を有している。
得られたガラス基板表面の表面欠陥(凸欠陥、凹欠陥)の有無を、実施例1と同様に欠陥検査装置(レーザーテック社製 MAGICS M-1350)により測定したところ、基板全体で凸欠陥及び凹欠陥が併せて数百個存在していることが分った。
次いで、上記反射型マスクブランクを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜及びバッファ膜にパターンを形成して、反射型マスクを作製したが、得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パターン欠陥が発見された。
この反射型マスクを用いて、実施例1と同様に半導体基板上へのパターン転写を行なったところ、実施例1と比べると精度の良好なパターン転写が行なえなかった。
2 多層反射膜
3 バッファ膜
4 吸収体膜
5a レジストパターン
6 下地膜
10 反射型マスクブランク
20 反射型マスク
30 多層反射膜付き基板
40 ターゲット
50 パターン転写装置
Claims (10)
- 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基板は、前記多層反射膜を成膜する側の表面に凸欠陥と凹欠陥の両方が存在しており、
前記基板上に、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直もしくは垂直から35度以内の方向から入射するようにして多層膜を成膜する直入射成膜と、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直方向に対して50度〜80度の方向から入射するようにして多層膜を成膜する斜入射成膜とを組み合わせて成膜した下地膜を成膜した後、該下地膜上に前記多層反射膜を成膜することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 前記基板上に、最初に斜入射成膜で多層膜を成膜してから、直入射成膜で多層膜を成膜することで前記下地膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基板上に、露光光に対して反射に寄与しない下地膜を成膜した後、該下地膜上に前記多層反射膜を成膜し、
前記基板は、前記多層反射膜を成膜する側の表面に凸欠陥と凹欠陥の両方が存在しており、
前記下地膜は、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直もしくは垂直から35度以内の方向から入射するようにして多層膜を成膜する直入射成膜工程と、前記基板に向かってターゲットからの飛散粒子が垂直方向に対して50度〜80度の方向から入射するようにして多層膜を成膜する斜入射成膜工程とを組み合わせて成膜することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 前記下地膜は、前記基板上に、最初に斜入射成膜工程を行って多層膜を成膜してから、直入射成膜工程を行って多層膜を成膜することで形成されることを特徴とする請求項3に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記下地膜は、膜厚が2μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記下地膜と前記多層反射膜は、それぞれ異なる成膜条件で成膜することを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記多層反射膜の直下の下地膜は、前記直入射成膜工程により成膜することを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記下地膜と前記多層反射膜の成膜は、イオンビームスパッタ成膜法を用いて行うことを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 請求項1乃至8の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項9に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006217795A JP4834205B2 (ja) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005233801 | 2005-08-11 | ||
JP2005233801 | 2005-08-11 | ||
JP2006217795A JP4834205B2 (ja) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073949A JP2007073949A (ja) | 2007-03-22 |
JP4834205B2 true JP4834205B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=37935097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006217795A Active JP4834205B2 (ja) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4834205B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7504185B2 (en) * | 2005-10-03 | 2009-03-17 | Asahi Glass Company, Limited | Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography |
JP4905914B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-03-28 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
JP4666365B2 (ja) | 2005-10-14 | 2011-04-06 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
JP5816499B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2015-11-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Euvマスクの製造方法 |
KR101993322B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2019-06-26 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법 |
US9348217B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-05-24 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
WO2014050831A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板の製造方法 |
JP2015018918A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | キヤノン株式会社 | 反射型原版、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001027700A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、多層膜反射鏡の応力の制御方法および露光装置 |
US20040159538A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Hans Becker | Photo mask blank, photo mask, method and apparatus for manufacturing of a photo mask blank |
JP3683261B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2005-08-17 | Hoya株式会社 | 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板 |
JP4376638B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2009-12-02 | Hoya株式会社 | スパッタリングターゲット及びこれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006217795A patent/JP4834205B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007073949A (ja) | 2007-03-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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