JP4648745B2 - 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ - Google Patents
金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4648745B2 JP4648745B2 JP2005114515A JP2005114515A JP4648745B2 JP 4648745 B2 JP4648745 B2 JP 4648745B2 JP 2005114515 A JP2005114515 A JP 2005114515A JP 2005114515 A JP2005114515 A JP 2005114515A JP 4648745 B2 JP4648745 B2 JP 4648745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- pattern
- metal film
- reticle
- scribe line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明は、上記のような金属膜のベタ部発生を防ぎ、ダイシング時の金属膜剥れを防止することを目的とする。
(手段4)TEGパターン領域内以外の全ての領域にスクライブラインを有する金属膜パターニング用レチクルおよびこれを用いた露光法とした。
(効果4)金属膜パターニング用レチクルのTEGパターン領域内以外の全ての領域に設けられたスクライブラインによって前記発明の効果3の効果が得られるだけでなく、全てのショットにおいてICパターン集合領域のTEG側の領域以外は必ず露光し、TEG領域がウエハエッジに掛かる部分に関してはTEG側の領域も含めて露光することにより、ウエハ外周部の金属膜ベタ残り領域にスクライブラインを挿入することができ、ダイシング時にウエハ外周部の金属膜剥れを防止する。この方法は機能が不十分でウエハ外周部のショットが露光できない露光装置を用いた場合に有効である。
002 光非透過性ベタ部
003 TEGパターン領域
004 スクライブライン(ICパターン集合領域内)
005 ICパターン
006 露光ブレード
008 金属膜ベタ部(TEG領域の右側)
009 露光ブレードマージン幅
010 半導体ウエハ
011 露光不可能ショット
012 金属膜ベタ部(ウエハ外周部)
013 露光可能ショット
014 領域A(ICパターン集合領域とTEGパターン間領域)
015 領域B(TEGパターンの右側の領域)
016 金属ベタ部
017 スクライブライン(領域A)
018 スクライブライン(領域B)
019 スクライブライン挿入幅
020 金属膜無しスクライブライン(領域B)
021 ICパターン集合領域の上側
022 ICパターン集合領域の下側
023 ICパターン集合領域の左側
024 ICパターン集合領域の右側
025 ウエハ外周金属膜ベタ部A
026 ウエハ外周金属膜ベタ部B
Claims (5)
- 格子状に配置された第一のスクライブラインを有するICパターン集合領域と、
TEGパターン領域と、
前記ICパターン集合領域と前記TEGパターン領域との間に設けられた第一領域と、
前記TEGパターン領域を挟んで前記第一領域とは反対側に設けられた第二領域と、
を備え、
前記第一領域及び前記第二領域の双方、あるいは、前記第一領域及び前記第二領域のいずれか一方には、第二のスクライブラインが配置されており、前記第一領域に前記第二のスクライブラインが配置される場合には前記第二のスクライブラインは前記第一のスクライブラインに連続して配置されており、前記第二領域に前記第二のスクライブラインが配置される場合には前記第二のスクライブラインは前記TEGパターン領域の前記第二領域側の一辺に接し、露光ブレードマージン幅より広い幅を有し、転写時には前記第一のスクライブラインが連続して転写できるように配置されていることを特徴とする金属膜パターニング用レチクル。 - 金属膜パターニング用レチクルにおいて、
ICパターン集合領域と、
TEGパターン領域と、
前記ICパターン集合領域及び前記TEGパターン領域以外の第一領域と、
を備え、
前記ICパターン集合領域及び前記第一領域は、格子状に形成されたスクライブラインを有することを特徴とする金属膜パターニング用レチクル。 - 第一のICパターン集合領域のみを露光する第一露光で、請求項1または2記載の金属膜パターニング用レチクルを用い、半導体ウエハの所定部分を露光する工程と、
第二のICパターン集合領域及びTEGパターン領域を露光する第二露光で、前記金属膜パターニング用レチクルを用い、前記所定部分から一定のステップ幅で移動した部分を露光する工程と、
第三のICパターン集合領域を、露光ブレードマージン幅を前記第三のICパターン集合領域に重なるようにして、前記TEGパターン領域に連続して露光する第三露光で、前記金属膜パターニング用レチクルを用い、前記部分から一定のステップ幅で移動した次の部分を露光する工程と、
を備えることを特徴とする金属膜パターニング用レチクルを用いた露光法。 - 請求項3記載の金属膜パターニング用レチクルを用いた露光法を使用して製造された半導体ウエハ。
- TEGパターン領域を有する半導体ウエハであって、
前記TEGパターン領域の外周のうち、連続して露光する際の移動方向と直交する二辺のうち、せいぜい一辺に沿ってのみスクライブラインのない金属膜のベタ部があることを特徴とする半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005114515A JP4648745B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005114515A JP4648745B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006293065A JP2006293065A (ja) | 2006-10-26 |
JP4648745B2 true JP4648745B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=37413707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005114515A Active JP4648745B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4648745B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6224624A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光方法及びフォトリソグラフィ装置 |
JPH03197949A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Nec Corp | 半導体集積回路装置製造用フォトレチクル |
JPH07201780A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | ダイシング装置 |
JP2001135569A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Kawasaki Steel Corp | 逐次露光方法および逐次露光用マスク |
JP2003007678A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及びこの方法により製造される半導体装置 |
JP2004252064A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Denso Corp | レチクル及び半導体ウェハ露光方法 |
JP2006041449A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Nec Electronics Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-04-12 JP JP2005114515A patent/JP4648745B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6224624A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光方法及びフォトリソグラフィ装置 |
JPH03197949A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Nec Corp | 半導体集積回路装置製造用フォトレチクル |
JPH07201780A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | ダイシング装置 |
JP2001135569A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Kawasaki Steel Corp | 逐次露光方法および逐次露光用マスク |
JP2003007678A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及びこの方法により製造される半導体装置 |
JP2004252064A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Denso Corp | レチクル及び半導体ウェハ露光方法 |
JP2006041449A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Nec Electronics Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006293065A (ja) | 2006-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI438586B (zh) | 對準標記、半導體元件及其製造方法 | |
TW201539115A (zh) | 使用能夠使用較爲緊密接點封入間距規則之多重圖案化製程圖案化線型特徵之方法 | |
KR100674935B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 레이아웃 | |
JP2007214268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100439388B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 그것에 이용되는 레티클과웨이퍼 | |
US20180330960A1 (en) | Methods for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process | |
JP2009216844A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクルおよびそれを用いた露光方法 | |
US9316901B2 (en) | Method for forming patterns | |
JP2005285853A (ja) | 半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法、および半導体装置の製造方法 | |
JP4648745B2 (ja) | 金属膜パターニング用レチクルおよびそれを用いた露光法と半導体ウエハ | |
JP2007049066A (ja) | 半導体ウェハ、並びに、半導体チップおよびその製造方法 | |
JP4640941B2 (ja) | 露光方法 | |
JP2007149768A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007173325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN104062855B (zh) | 半导体装置的制造方法以及在该方法中使用的曝光掩模 | |
JP2008091824A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100222805B1 (ko) | 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JPH07117744B2 (ja) | ダイシングラインの形成方法 | |
CN104808435A (zh) | 一种opc中双掩膜版的检测方法 | |
JP2001035776A (ja) | 半導体装置の製造方法及びレチクル | |
JP2006032482A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3955457B2 (ja) | フォトマスク及びウェハ基板の露光方法 | |
JP2005166900A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005283609A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
JP2011082434A (ja) | ウエハ及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080111 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101210 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4648745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |