JP4636020B2 - 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置 - Google Patents
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[入射]→[出射]:[P(1ω)]→[P(2ω)]、[P(1ω)]→[S(2ω)]、
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(例えば、P偏光の2倍波は、P(2ω)と標記する)
があげられ、また、3倍波形成光学素子4へ入射する偏光及び3倍波形成光学素子4から出射する偏光として、
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があげられ、また、5倍波形成光学素子5へ入射する偏光及び5倍波形成光学素子5から出射する偏光として、
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[S(2ω)]+[S(3ω)]→[S(5ω)]
があげられる。ただし、これらの入射光と出射光との間の偏光の条件は、各倍波形成光学素子のみでは成り立たないものがあるが、その場合は、必要に応じて倍波形成光学素子の入射側、又は出射側に波長板(偏光制御素子)を入れることにより作り出すことができるので、このようなものも、上記の関係式の中に、各倍波形成光学素子への入射光と各倍波形成光学素子からの出射光との間の偏光条件として挙げている。
[入射]→[出射]:[P(1ω)]→[P(2ω)]、[P(1ω)]→[S(2ω)]、
[S(1ω)]→[P(2ω)]、[S(1ω)]→[S(2ω)]
(例えば、P偏光の2倍波は、P(2ω)と標記する)があげられ、また、3倍波形成光学素子4へ入射する偏光及び3倍波形成光学素子4から出射する偏光として、
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があげられ、また、5倍波形成光学素子6へ入射する偏光及び5倍波形成光学素子6から出射する偏光として、
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があげられ、7倍波形成光学素子11の前の偏光状態は、8倍波形成光学素子12と直結する場合は基本波と7倍波の偏光が合致している必要があるので、[(1ω)、(2ω)、(3ω)、(5ω)]=[S、P、P、P]、[S、P、S、P]、[P、S、P、S]、[P、S、S、S]があげられる。ただし、これらの入射光と出射光との間の偏光の条件は、各倍波形成光学素子のみでは成り立たないものがあるが、その場合は、必要に応じて倍波形成光学素子の入射側、又は出射側に波長板(偏光制御素子)を入れることにより作り出すことができるので、このようなものも、上記の関係式の中に、各倍波形成光学素子への入射光と各倍波形成光学素子からの出射光との間の偏光条件として挙げている。
Claims (11)
- 第1の基本波から第1の2倍波を形成する第1の2倍波形成光学素子と、前記第1の2倍波形成光学素子から出射した前記第1の基本波と前記2倍波とから3倍波を形成する3倍波形成光学素子と、前記3倍波形成光学素子から出射した前記2倍波と前記3倍波とから5倍波を形成する5倍波形成光学素子と、第2の基本波から第2の2倍波を形成する第2の2倍波形成光学素子と、前記第2の2倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波及び前記第2の2倍波と前記5倍波形成光学素子から出射した前記5倍波とを同一光路に合成する光学部材と、前記第2の2倍波と前記5倍波とから7倍波を形成する7倍波形成光学素子と、前記7倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波と前記7倍波とから8倍波を形成する8倍波形成光学素子とを有してなり、前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成光学素子は共にCLBO結晶からなり、前記7倍波形成光学素子には少なくとも基本波が入射し、かつ、前記7倍波形成光学素子からは少なくとも基本波が出射することを特徴とする波長変換光学系。
- 第1の基本波から少なくとも一つの波長変換光学素子を経て5倍波を形成する第1の波長変換光学系と、第2の基本波から2倍波を形成する2倍波形成光学素子と、前記2倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波及び前記2倍波と前記第1の波長変換光学系から出射した前記5倍波とを同一光路に合成する光学部材と、前記2倍波と前記5倍波とから7倍波を形成する7倍波形成光学素子と、前記7倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波と前記7倍波とから8倍波を形成する8倍波形成光学素子とを有してなり、前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成光学素子は共にCLBO結晶からなり、前記7倍波形成光学素子には少なくとも基本波が入射し、かつ、前記7倍波形成光学素子からは少なくとも基本波が出射することを特徴とする波長変換光学系。
- 基本波を第1の基本波と第2の基本波とに分割する第1の光学部材と、前記第1の基本波から第1の2倍波を形成する第1の2倍波形成光学素子と、前記第1の2倍波形成光学素子から出射した前記第1の基本波と前記第1の2倍波とから3倍波を形成する3倍波形成光学素子と、前記3倍波形成光学素子から出射した前記第1の2倍波と前記3倍波とから5倍波を形成する5倍波形成光学素子と、前記第2の基本波から第2の2倍波を形成する第2の2倍波形成光学素子と、前記第2の2倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波及び前記第2の2倍波と前記5倍波形成光学素子から出射した5倍波とを同一光路に合成する第2の光学部材と、前記第2の2倍波と前記5倍波とから7倍波を形成する7倍波形成光学素子と、前記7倍波形成光学素子から出射した前記第2の基本波と前記7倍波とから8倍波を形成する8倍波形成光学素子とを有してなり、前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成光学素子は共にCLBO結晶からなり、前記7倍波形成光学素子には少なくとも基本波が入射し、かつ、前記7倍波形成光学素子からは少なくとも基本波が出射することを特徴とする波長変換光学系。
- 基本波から2倍波を形成する2倍波形成光学素子と、前記2倍波形成光学素子から出射した前記基本波と前記2倍波とから3倍波を形成する3倍波形成光学素子と、前記3倍波形成光学素子から出射した前記2倍波と前記3倍波とから5倍波を形成する5倍波形成光学素子と、前記5倍波形成光学素子から出射した前記2倍波と前記5倍波とから7倍波を形成する7倍波形成光学素子と、前記7倍波形成光学素子から出射した前記基本波と前記7倍波とから8倍波を形成する8倍波形成光学素子とを有してなり、前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成光学素子は共にCLBO結晶からなり、前記7倍波形成光学素子には少なくとも基本波が入射し、かつ、前記7倍波形成光学素子からは少なくとも基本波が出射することを特徴とする波長変換光学系。
- 前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成光学素子の間にはダイクロイックミラーが存在しないことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の波長変換光学系。
- 前記7倍波形成光学素子と前記8倍波形成素子との間に、集光光学系を有しないことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の波長変換光学系。
- 前記7倍波形成光学素子の長さが3〜10mmであり、前記7倍波形成光学素子に入射する光のビーム直径が100〜300μmであることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の波長変換光学系。
- 基本波を発振するレーザ光源と、請求項1から7のいずれか一項の波長変換光学系を備えたことを特徴とするレーザ光源。
- 請求項8に記載のレーザ光源と、所定の露光パターンが設けられたフォトマスクを保持するマスク支持部と、露光対象物を保持する対象物保持部と、前記レーザ装置から出射される紫外光を前記マスク支持部に保持されたフォトマスクに照射させる照明光学系と、前記照明光学系を介して前記フォトマスクに照射されてここを通過した照射光を前記対象物保持部に保持された露光対象物に照射させる投影光学系とを備えて構成されることを特徴とする露光装置。
- 請求項8に記載のレーザ光源と、所定のパターンが設けられたフォトマスクを保持するマスク支持部と、前記パターンの投影像を検出する検出器と、前記レーザ装置から出射される紫外光を前記マスク支持部に保持されたフォトマスクに照射させる照明光学系と、前記照明光学系を介して前記フォトマスクに照射されて、通過した照明光を前記検出器に投影させる投影光学系とを有することを特徴とするマスク欠陥検査装置。
- 高分子結晶を加工する高分子結晶の加工装置であって、請求項8に記載のレーザ光源と、当該レーザ光源から放出されるレーザ光を、被加工物である高分子結晶に導き、当該高分子結晶の被加工場所に集光させる光学系と、前記光学系と前記高分子結晶の相対位置を変化させる機構を有することを特徴とする高分子結晶の加工装置。
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