JP2541478B2 - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JP2541478B2
JP2541478B2 JP5270708A JP27070893A JP2541478B2 JP 2541478 B2 JP2541478 B2 JP 2541478B2 JP 5270708 A JP5270708 A JP 5270708A JP 27070893 A JP27070893 A JP 27070893A JP 2541478 B2 JP2541478 B2 JP 2541478B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、注入同期されたレーザ
を用いた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、狭帯域化された強力光を発生する
光源として、注入光発生器とスレーブレーザとの2つの
レーザを連結し、注入光発生器において露光装置に必要
な狭い線幅のレーザ光を発生し、このレーザ光をスレー
ブレーザで増幅して出力するいわゆる注入同期するレー
ザ光源が知られている。この露光用光源の出力には、繰
り返し、200Hz、平均出力3W程度が通常必要とさ
れる。この方式においては、従来知られている露光用の
注入同期方式では、注入レーザには、プリズムやエタロ
ンなどの波長選択素子を共振器内に設けた安定共振器構
成のエキシマレーザを用い、スレーブレーザには、波長
選択素子がなく、不安定共振器構成のエキシマレーザを
用いる例が知られている。この構成は特開昭63−54
786号公報に詳しく記述されている。
【0003】一方、色素レーザの高調波をエキシマレー
ザで増幅して高出力短パルス紫外光を得る方式が、J.
Ringling等により1992年のオプティクスレ
ターズ(Optics Letters)第17巻ペー
ジ1794から1796に記述されている。この論文で
は、300フェムトセカンドの極短パルス紫外光を得る
目的で、波長774nmの色素レーザを基本波として、
第2高調波、第3高調波、第4高調波を順次発生させ、
第4高調波をArFエキシマレーザに注入し、増幅させ
たことが報告されている。但し、この場合、第4高調波
の線幅は200pmと露光用光源で求められる1pmに
比べはるかに広く、そのまま露光用光源への適用が可能
ではない。この他の高調波紫外光とエキシマレーザを組
み合わせて短パルスを発生した文献が知られているが、
従来の文献には、高調波基本光源にはすべて色素レーザ
が使用されており、Ti:Al2 3 などの固体レーザ
は使用されていなかった。この理由の一つには、高出力
のパルス光の得られるパルス励起のTi:Al2 3
は、励起光の入射から出力までの時間のジッタが大きく
スレーブエキシマレーザとのタイミングの同期が難しか
ったことが考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の注入同期方式を
用いた露光装置において、注入光源をスレーブレーザと
同一の波長の光源で行なう方式では、狭帯域化のための
波長選択素子は、紫外域で透過率や選択能において高い
性能を持たせるために加工精度や材料の純度を高くする
事が不可欠であり、そのため、装置が高価となり、ま
た、紫外線による放射損傷のために寿命を長くできず、
定期的な部品交換が不可欠であり、保守管理が複雑とな
り、実用上大きな問題となっていた。
【0005】また、近赤外光の高調波を注入光源に用い
る方法では、狭線幅を得られることを示した例は報告さ
れていない。従来知られている色素レーザや波長可変固
体レーザで狭線幅を得る手法には、共振器内に、グレー
ティングやエタロンなどの光学素子を挿入する方法がよ
く知られているが、この方法では、共振器損失が大き
く、スレーブレーザの注入に必要な十分な出力を得るた
めには多段の波長変換の効率の低下を避けるために近赤
外レーザの励起入力を著しく高くすることが必要で、そ
のために励起光源の大型化を招き、かつ1ショット当た
りの熱負荷の増大から高繰り返し動作が困難となる問題
を生じた。
【0006】本発明の目的は、従来の高い空間分解能の
露光装置を得るために必要とされる紫外域でかつ線幅の
狭い露光用光源を、線幅制御性にすぐれ、信頼性が高い
基本波光源をもとに、保守の簡単な構成を用いることに
より高性能で安価な露光装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、注
入同期方式の極紫外光を用いる露光装置において、注入
光源の基準波長光源となる1.5μm帯のDFBレーザ
と、DFBレーザ光の第2高調波光を発生する第2高調
波発生器と、この第2高調波光に注入同期されて動作す
る波長可変固体レーザと、波長可変固体レーザ光の第2
高調波、第3高調波、第4高調波をそれぞれ発生する高
調波発生素子と、第4高調波光に注入同期されて動作す
るスレーブエキシマレーザと、スレーブエキシマレーザ
の励起タイミングを調整するタイミングコントローラと
からなる露光用光源を備えることを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明では、最終的な紫外光の波長を決める基
本波の波長を1.5μm帯とし、その光源にはDFBレ
ーザを用いる。DFBレーザは、通信用として、高い波
長安定度と狭い線幅を有しており、現在市販の標準的な
光源でも、線幅0.1pm、絶対波長安定性は1pm/
℃が得られており、DFBレーザに0.1℃程度の温度
調節を行えば、高調波発生を5段繰り返して193nm
の紫外光を発生する場合には高調波発生における線幅縮
小の効果も加味されて、線幅、絶対波長はそれぞれ、露
光用に必要な1pm、0.1pm程度の値を容易に得る
ことができるとの知見による。DFBレーザの出力は高
々100mW程度と弱いため、この基本光から3次以上
の高調波を取ることはエネルギー変換効率の点から無理
がある。よって、DFBレーザの第2高調波光を近赤外
の固体レーザ光源に注入同期して、DFBレーザの狭帯
域性を生かした高出力な近赤外光をまず発生させる。次
に高出力な狭帯域近赤外光の2次、3次、4次の高調波
を高効率に順次発生し、第4高調波光をスレーブエキシ
マレーザに注入同期することで、露光に必要な高出力な
狭帯域紫外光を得る方式を用いる。
【0009】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明の装置を実施する露光装置
の光源の一例の概略図であり、図2は、光源に使用され
る各レーザの出射タイミングを示す図である。
【0010】図1において、温度調節器3で温度安定化
される波長1.54μmのDFBレーザ1からの出射光
は、LiIO3 から成る第1のSHG素子5により77
2nmに変換される。772nm光は合成ミラー7で大
部分反射され、Ti:Al23 結晶から成る波長可変
固体レーザ8に注入される。
【0011】一方、波長可変固体レーザ8を励起するフ
ラッシュランプ励起QスイッチYAGレーザの第2高調
波光源から成る励起光源6の出射光は、合成ミラー7を
透過して、772nmの注入光の光路と合成され、波長
可変固体レーザ8に入射する。波長可変レーザ8からの
出射光は、レンズ4を介して第2のSHG素子9、TH
G素子10、FHG素子11に集光照射され、2次、3
次、4次の高調波光を発生する。第2のSHG素子、T
HG素子、FHG素子には、それぞれの高調波発生にお
ける位相整合条件に併せてカットしたLBO、BBO、
BBO結晶をそれぞれ用いた。
【0012】発生した高調波光の第4高調波光を分離ミ
ラー12で選択的に反射して、スレーブエキシマレーザ
14に入射し、スレーブエキシマレーザ14を、第4高
調波光により注入同期させる。分離ミラー12で反射し
た第4高調波光の1部は分岐ミラーで分岐して、フォト
ダイオード13で受光し、強度及び、出射タイミングを
モニタする。また、注入同期タイミングを調整するため
のタイミングコントローラ2は、フォトダイオード13
からの信号タイミングをモニタしながら、励起光源6の
フラッシュランプトリガおよびQスイッチトリガ、DF
Bレーザ1の出射トリガ、スレーブエキシマレーザ14
の励起電源15のトリガ信号をそれぞれ発生し、各ユニ
ットにトリガ信号を供給する。
【0013】図2に、図1に示す各レーザからの出射光
の出力タイミングを示す。DFBレ−ザ1の出力を、波
長可変固体レーザ8の利得が最大となるタイミングで出
射するため、励起光源6のQスイッチトリガ信号は、D
FBレーザ1の出射の20ns手前で出力される。DF
Bレーザ1からの注入光は、波長可変固体レーザ8に注
入され、波長可変レーザ8からは、DFBレーザ1から
の光パルス出射後、5ns遅れて出力光が発生する。ス
レーブエキシマレーザ14へは、波長可変レーザ8の出
射後の光路伝搬時間だけ遅れて注入光が注入される。
【0014】以上説明した構成において、各高調発生段
で得られた出力および、波長制御特性を次に述べる。D
FBレーザ1はパルス幅50ns、ピーク出力100m
Wで動作させた時、第1のSHG素子から、772nm
注入光ピーク出力として、3mWが得られた。注入光と
して1mW以上あれば安定に波長可変固体レーザ8の注
入同期を行なうことができた。波長可変固体レーザ8の
出射エネルギーは10mJ、パルス幅10nsが得ら
れ、その第4高調波出力として、10μJ、パルス幅5
nsが得られた。このとき、波長可変固体レーザ8の励
起エネルギーは30mJであり、波長可変固体レーザ8
のエネルギー変換効率は30%と、通常のエタロン等の
波長選択素子を使用する場合に比べ、およそ2倍の高い
エネルギー変換効率を得られた。このことは、100H
z以上の高繰り返し動作時に波長可変固体レーザ8への
熱負荷を低減し、熱的な擾乱を低減でき、波長安定性や
出力安定性をよくする上で効果的で、また、励起光源6
の電源容量を大幅に低減できる利点もある。スレーブエ
キシマレーザ14の注入同期に必要なエネルギーは1μ
J以上あれば十分な注入同期が可能であり、本構成にお
いて、十分な余裕を持って、スレーブエキシマレーザ1
4の注入同期を行なうことができた。
【0015】通常の波長選択素子を用いる発振では、励
起光源からの励起光の出射タイミングと、波長可変固体
レーザの出射タイミングには、30ns程度の時間遅れ
と±5ns程度のジッタが生じることが知られている
が、本発明では、遅れ時間を10nsに短縮でき、かつ
ジッタを±1nsに低減できた。その結果、193nm
の注入光とスレーブエキシマレーザ14とのタイミング
の変動がほとんどなくなり、注入同期の不安定性を回避
することができた。
【0016】波長可変固体レーザ8を注入同期構成で発
生させることにより、繰り返し200Hzの動作におい
て、1週間の動作試験において短時間、及び経時的な変
動を測定したところスレーブエキシマレーザ14からの
出射光の線幅は1pm以下、絶対波長の変動も測定装置
の限界の0.1pm以下におさえられていることがわか
った。また、出力エネルギーも平均100mJ/パルス
と露光用として十分な特性が得られることがわかった。
【0017】本実施例によれば、基本波光源のDFBレ
ーザの波長安定性が良好なので、光学的な波長モニタを
使う必要がなく、通常必要な波長モニタ用のエタロンや
分光器が不要となり、安価な装置構成で高精度の波長制
御を行なうことができる。772nm光源を注入同期さ
せることで、トリガ信号に対する772nm光の出射タ
イミングのジッタを大幅に低減できるので、スレーブA
rFレーザと772nm光の出射タイミングの同期が容
易となる。また、772nm光源内に波長選択素子を用
いないために、共振器内損失を低減でき、エネルギー変
換効率を高く取れるので、励起光源の小型化、高繰り返
し化が容易となる。以上述べたように,波長安定性に優
れ、かつ、装置が小型で信頼性が高い実用性の高い装置
を実現できる。
【0018】別の本発明の一実施例として、基本波光源
に用いるDFBレーザにファイバピッグテイル付のもの
を用い、第1のSHG素子との間をファイバコネクタを
介して結合する構成が可能である。この構成を用いれ
ば、絶対波長の校正などのために、DFBレーザをワン
タッチで取り外し、また面倒な調整なしに露光装置に再
度組み込むことが可能となり、DFBレーザの故障の際
にも簡単に新しいDFBレーザと交換できる利点が生ま
れる。
【0019】また本発明の別の一実施例としてDFBレ
ーザと第1のSHG素子の間にErファイバ増幅器を介
することが可能である。この構成を用いれば、第1のS
HG素子に入射するレーザ光強度をDFBレーザ単体の
1000倍程度に増幅するのができるので、第1のSH
G素子での変換効率を高くでき、波長可変固体レーザ8
の注入同期をより安定に行うことができる。その結果、
波長可変固体レーザ8の励起光源の出力変動などに起因
する波長変動をさらに低減できるほか、DFBレーザの
出力を低減したり第1のSHG素子への入射光の絞り込
みを緩和するなど、設計の許容幅を拡大して、調整が簡
単で、長期的な安定性に優れる装置を提供することが可
能となる利点がある。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、注入同期方式の紫外露
光光源を持つ露光装置において、光学的な波長モニタが
不要でかつ波長線幅の安定性、信頼性に優れ、保守管理
が容易で、高性能で安価な露光装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の装置構成概略図。
【図2】本発明における各レーザの出射タイミングを説
明する図。
【符号の説明】
1 DFBレーザ 2 タイミングコントローラ 3 温度調節器 4 レンズ 5 第1のSHG素子 6 励起光源 7 合成ミラー 8 波長可変固体レーザ 9 第2のSHG素子 10 THG素子 11 FHG素子 12 分離ミラー 13 フォトダイオード 14 スレーブエキシマレーザ 15 励起電源 16 分岐ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/109 H01S 3/18 3/18 3/097 Z

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 注入同期方式の極紫外光を用いる露光装
    置において、注入光源の基本波長光源となる1.5μm
    帯のDFBレーザと、DFBレーザの温度を一定に保つ
    温度調節器と、DFBレーザ光の第2高調波光を発生す
    る第2高調波発生器と、前記第2高調波光に注入同期さ
    れて動作する波長可変固体レーザと、波長可変固体レー
    ザ光の第2高調波、第3高調波、第4高調波をそれぞれ
    発生する高調波発生素子と、第4高調波光に注入同期さ
    れて動作するスレーブエキシマレーザと、スレーブエキ
    シマレーザの励起タイミングと、DFBレーザの出力タ
    イミングと波長可変固体レーザの励起タイミングを調整
    するタイミングコントローラとからなる露光用光源を備
    えることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 ファイバピッグテイル付のDFBレーザ
    光源を用いることを特徴とする請求項1記載の露光装
    置。
  3. 【請求項3】 DFBレーザと、第2高調波発生器の間
    にErファイバ増幅器を備えることを特徴とする請求項
    1記載の露光装置。
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JPH09307190A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Fuji Photo Film Co Ltd AlInGaN系半導体発光素子および半導体発光装置
JPH11298083A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Komatsu Ltd 注入同期型狭帯域レーザ
JP4636020B2 (ja) * 2004-05-26 2011-02-23 株式会社ニコン 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
JP4640029B2 (ja) * 2005-08-08 2011-03-02 株式会社ニコン 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置
US20130313440A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser

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