JP4635132B2 - 連続式成膜装置および方法 - Google Patents
連続式成膜装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4635132B2 JP4635132B2 JP2005129044A JP2005129044A JP4635132B2 JP 4635132 B2 JP4635132 B2 JP 4635132B2 JP 2005129044 A JP2005129044 A JP 2005129044A JP 2005129044 A JP2005129044 A JP 2005129044A JP 4635132 B2 JP4635132 B2 JP 4635132B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- substrate
- ozone
- continuous film
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 123
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
2 仕込室
3 取出室
4 排気系統
5 排気系統
6 排気系統
7 不活性ガス導入口
8 基板
9 基板トレー
10 搬送手段
11 スパッタリング電極
12 シャワー機構
13 遮蔽板
14 仕切バルブ
15 ターゲット
16 DC電源
17 マスフローコントローラ
18 オゾナイザー
19 酸素ボンベ
20 搬送経路
21 成膜位置
30 ノズル
31 孔
40 マスク機構
Claims (13)
- 排気手段を備える真空槽
該真空槽内で基板表面に成膜材料を堆積させる成膜手段、
該成膜手段に対面する成膜位置に順次該基板を搬送する搬送手段、および
該真空槽内の基板搬送経路付近に配置され、該成膜位置に到達する前の基板の表面にオゾンを吹き付けるオゾン導入手段を備えたことを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項1記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段が、さらに、該成膜位置にある該基板にオゾンを吹き付けることを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項2の連続式成膜装置において、
前記オゾン導入手段が、該成膜位置に供給された基板の外周方向からオゾンを吹き付け、前記成膜手段が、該成膜位置に供給された基板の正面方向から成膜材料を堆積させるように構成された連続式成膜装置。
- 請求項2又は3記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段は、酸素ボンベ、オゾナイザー、オゾナイザー用マスフローコントローラ、および、ノズルを備え、該ノズルからオゾンシャワーを噴出する機構であることを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項1乃至4記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段に、オゾンが該基板表面以外へ拡散するのを防止するための拡散防止手段を設けたことを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項5記載の連続式成膜装置であって、
該拡散防止手段は、該基板の近接位置に配置した該オゾン導入手段を該成膜手段に対して遮蔽する遮蔽板であることを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項1乃至4記載の連続式成膜装置であって、
該搬送手段に非接触駆動伝達機構を用い、該成膜位置に該基板を間隙なく連続的に供給することを特徴とする連続式成膜装置。
- 請求項1乃至4記載の連続式成膜装置であって、
該成膜手段は、該真空槽内に固定配置されターゲット材料を備えるスパッタリング電極であり、該真空槽内に不活性ガスを導入するガス供給手段を備えたことを特徴とする連続式成膜装置。
- 基板の搬送手段、オゾン導入手段及び成膜手段を備えた成膜室内部で、
該オゾン導入手段によりオゾン雰囲気を噴出する工程、
該搬送手段により該オゾン雰囲気中に基板を通過させ、該基板を洗浄する工程、及び
該搬送手段により該基板を成膜位置まで搬送し、該成膜手段により成膜を行う工程
からなることを特徴とする連続式成膜方法。
- 請求項9記載の連続式成膜方法であって、
該オゾン雰囲気が該成膜位置においても形成され、該オゾン雰囲気が該基板表面における成膜材料の酸化を行うことを特徴とする連続式成膜方法。
- 請求項9記載の連続式成膜方法であって、
反応性DCスパッタリング法を用い、該成膜室内の該基板搬送経路上のターゲット前面にオゾン雰囲気を形成し、該オゾン雰囲気が該基板上の有機汚染物質除去とスパッタされたターゲット物質の酸化の双方を行うことを特徴とする連続式成膜方法。
- 請求項9記載の連続式成膜方法であって、前記成膜を行なう工程が、
前記オゾン導入手段によって該成膜位置に供給された基板の外周方向からオゾンを吹き付ける工程、及び
前記成膜手段によって該成膜位置に供給された基板の正面から成膜材料を堆積させる工程
からなる連続式成膜方法。
- 請求項12記載の連続式成膜方法において、
前記オゾンを吹き付ける工程と前記成膜材料を堆積させる工程とが同時に行われることを特徴とする連続式成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005129044A JP4635132B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 連続式成膜装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005129044A JP4635132B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 連続式成膜装置および方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006307257A JP2006307257A (ja) | 2006-11-09 |
JP2006307257A5 JP2006307257A5 (ja) | 2008-05-15 |
JP4635132B2 true JP4635132B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=37474475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005129044A Active JP4635132B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 連続式成膜装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4635132B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5246862B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2013-07-24 | Agcテクノグラス株式会社 | スパッタリング装置 |
CN102226267B (zh) * | 2011-06-10 | 2013-01-16 | 谢德培 | 在真空室内连续完成喷底漆、烘干、电镀的装置 |
-
2005
- 2005-04-27 JP JP2005129044A patent/JP4635132B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006307257A (ja) | 2006-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI401328B (zh) | 真空處理裝置 | |
TWI548767B (zh) | 應用於磁控濺鍍裝置之環狀陰極 | |
JP5665290B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2006521461A (ja) | 基板クリーニング装置を有するコータおよびそのようなコータを用いたコーティング堆積法 | |
TW201737296A (zh) | 用於產生派形加工的對稱電漿源 | |
WO2011043047A1 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP4747665B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2005048260A (ja) | 反応性スパッタリング方法 | |
TW201901733A (zh) | 用於旋轉基座的電漿源 | |
JP2022180370A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4635132B2 (ja) | 連続式成膜装置および方法 | |
JP3953444B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
TWI791778B (zh) | 成膜方法及成膜裝置 | |
US9885107B2 (en) | Method for continuously forming noble metal film and method for continuously manufacturing electronic component | |
JP2008262781A (ja) | 雰囲気制御装置 | |
TWI454587B (zh) | 濺鍍裝置 | |
JP2012201900A (ja) | 成膜装置 | |
JP2006310682A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006307257A5 (ja) | ||
WO2020080030A1 (ja) | 成膜装置 | |
JP2009144252A (ja) | 反応性スパッタリング装置及び反応性スパッタリング方法 | |
JP2005320599A (ja) | カソード取付構造体、カソード取付構造体を用いた薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP7390997B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2012144783A (ja) | 薄膜製造装置及び薄膜製造方法 | |
JP7174100B2 (ja) | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080331 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100915 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4635132 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |