TWI401328B - 真空處理裝置 - Google Patents
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Description
本發明是關於真空處理裝置。
電漿顯示面板是使用MgO膜當作電極及介電體之保護層。於形成該MgO膜，使用蒸鍍裝置等之真空處理裝置。
第11圖是表示以往技術所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。該中空處理裝置100是具備有執行被處理基板之加熱處理之加熱室114，和對加熱後之基板執行MgO膜之成膜處理之成膜室115。並且，基板是搭載於載體上，使多數載體順序移動至各處理室，對各基板順序執行上述各處理。
在成膜室115中，不僅基板就連在體也附著MgO膜之一部份。該MgO膜是具有容易吸附大氣中之水分或二氧化碳之性質。難以取出MgO所吸著之水分，載體進入於成膜室115之時，藉由加熱而氣體化(蒸發)，成膜室115之真空度成為不安定。當成膜室115之真空度成為不安定之時，形成於基板之MgO膜是結晶配向成為不安定。該是由於成膜時之壓力，MgO膜之(111)結晶配向成分和(200)結晶配向成分之混合比率不同所引起。再者，同時透過率也不安定。另外，當MgO吸著二氧化碳(CO2
、CO)時，於MgO膜中取入C，陰極發光強度則下降。即是，被取入MgO膜之C是使電漿顯示面板中之放電特性變差。
在此，提案有藉由將載體之移動路徑保持於真空狀態，經由裝載鎖定室而對載體執行基板之搬入搬出，以防止附著於載體之MgO膜吸著水分或二氧化碳之技術(例如參照專利文獻1)。於第11圖之真空處理裝置中，從成膜室115之出口至加熱室114之入口，形成載體之回動搬送路(第2搬送室92、第3搬送室93及第1搬送室112)，該搬送路、加熱室114及成膜室115是被保持真空狀態，形成多數載體之真空循環經路108。然後，在第1搬送室112設置有基板對載體進出的出入室110。於該基板出入室110中，對於循環真空循環經路108之多數載體，執行導入處理前之基板及取出處理後之基板。
〔專利文獻1〕日本特開平9－279341號公報〔專利文獻2〕日本特開2001－
156158號公報
但是，因載體之回動搬送路不助於生產，故有需要充分之裝置設置空間，且需要大量設備成本之問題。
在此，提案有在該回動搬送路徑中設置成膜室或其他處理室之技術(例如，參照專利文獻2)。但是，上述真空處理裝置中之基板處理之工作時間(tact time)因速率限制於基板之導入及取出時間，故要提昇生產性則有限。
本發明為用以解決上述課題者，其目的為提供可提升生產性之真空處理裝置。
為了達成上述目的，本發明所涉及之真空處理裝置之特徵為具備有：搭載基材之多數載體；保持於被控制之環境下，上述載體循環移動之循環路徑；被設置在上述循環路徑上，用以對上述載體執行導入及取出上述基材的多數基材出入室；和各被設置於上述循環路徑中之上述各基材出入室之間，用以對上述基材施予真空處理的真空處理室。
並且，即使在上述循環路徑中之上述真空處理室之上流側，設置有用以對上述基材施予加熱處理之加熱室亦可。
再者，即使在上述循環路徑中之上述真空處理室之下流側，設置有用以對上述基材施予冷卻處理之冷卻室亦可。
在此，「被控制之環境」是指水分及二氧化碳之分壓被控制之環境，稱為真空狀態或是CDA(Clean Dry Air)或N2
等之惰性氣體環境。
以往技術中，將基材導入至位於基材出入室之載體，在真空處理室中對該基材施予真空處理，在相同的基材出入室將該基材自載體取出。即是，在一個循環路徑形成有一個處理系統。對此，若藉由本發明之構成，則可以將基材導入至位於第1基材出入室中之載體，再下一個第1真空處理室中對該基材施予真空處理，並在下一個第2基材出入室中自在體取出該基材。可以與此並行，在第2基材出入室中將基材導入至其他載體，在下一個第2真空處理室中對該基材施予真空處理，在下一個第3基材出入室中自在體取出該基材。如此一來，可以沿著一個循環路徑形成多數處理系統，並行實施各處理系統之基材處理。因此，即使基材處理之工作時間(tact time)速率限制於基板之導入及取出時間，藉由在多數處理系統並行實施基材處理，則可以比僅在一個處理系統中執行基材處理之先前技術，提昇生產性。
再者，上述多數真空處理室是包含第1真空處理室和第2真空處理室，上述第1真空處理室和上述第2真空處理室是為了執行互相不同之處理而被設置。
若藉由該構成，則可臨機應變對應於多種生產，並可以提昇生產性。
再者，上述多數真空處理室即使包含第1真空處理室和第2真空處理室，在上述循環路徑中之上述第1真空處理室之下流側，上述第2真空處理室之上流側配置有上述基材之搬送室，在上述搬送室之上述第2真空處理室側之端部，設置有上述基材出入室亦可。
再者，上述搬送室即使當作用以對在上述第2真空處理室施予處理之前的上述基材施予冷卻處理之冷卻室而發揮功能亦可。
又，上述搬送室即使當作用以對在上述第2真空處理室施予處理之前的上述基材施予加熱處理之加熱室而發揮功能亦可。
若藉由該構成，則可以將幾乎所有真空循環路徑利用於生產，可以提昇生產性。
再者，作為上述基材出入室，即使分離設置有上述基材之取出室和上述基材之導入室亦可。
若藉由該構成，可經由循環之在體並行實施自基材取出室中一個載體取出基材對基材導入室之其他載體導入基材，比起在基材出入室中自一個載體取出基材之後，對同樣在體導入基材之時，可以縮短工作時間。因此，可以提昇生產性。
若藉由本發明所涉及之真空處理裝置，則可以沿著一個循環路徑形成多數處理系統，並行實施各處理系統中之基材處理。因此，即使基材處理之工作時間速率限制於基材之導入及取出時間，藉由在多數處理系統並行實施基材處理，比起僅以一個處理系統執行基材處理之先前技術，可以提昇生產性。
以下，針對本發明之實施型態，參照圖面予以說明。並且，以下各說明中所使用之各圖面中，為了使各構件成為可辨識之大小，適當變更各構件之縮尺。
再者，於以下中，雖然以形成MgO膜當作電漿顯示面板之電極及介電體之保護層之時為例，但是亦本發明亦可適用於形成除此以外之被膜之情形。
首先，針對本發明之第1實施型態之真空處理裝置予以說明。
第1圖是表示第1實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成的平面圖。第1實施型態所涉及之真空處理裝置1是具備有保持基板之載體的真空循環路徑(循環路徑)8、對載體進出基板之第1出入室(基材出入室)10及第2出入室(基材出入室)20、被射至在從第1出入室10至第2出入室20之真空循環路徑8中之第1成膜室(真空處理室)15、被設置在從第2出入室20至第1出入室10之真空循環路徑8中之第2成膜室(真空處理室25)。然後，於真空循環路徑8中之第2成膜室25之下流側，第1成膜室15之上流側，配置第1搬送室(搬送室)12，在該第1搬送室12中之第1成膜室15側之端部設置有第1出入室10。
真空處理裝置1是具備有保持基板(基材)之載體。
第2圖為載體之斜視圖。載體50是在外框體52之內側具備有內框體54，在該內框體54形成有窗部56。然後，藉由在內框體54載置基板6，使基板6從窗部56露出之狀態下，取得在再體50搭載基板6。第2圖是在內框體54形成6個窗部56，例示在載體50搭載當作1片主玻璃之基板6之情形。然後，通過形成在內框體54之1個或多數個窗部56而執行以下之各處理，可以從主玻璃取出1片或者多數面之面板。
如第1圖所示般，真空處理裝置1是具備有第1成膜室15。
第3圖為表示第1成膜室之概略構成之側面剖面圖。第1成膜室15是在真空循環路徑8之下方具備有蒸鍍反應室60。該蒸鍍反應室60之側面設置有電子束照射裝置62。再者，在蒸鍍反應室60之內部設置有偏向線圈64及爐床66。然後，自電子照射裝置62照射電子束63，以偏向線圈64彎曲該軌道，使射入至爐床66。依此，加熱被充填於爐床66之MgO等之成膜材料67而蒸發。蒸發掉之成膜材料67是通過真空循環路徑8之窗部68，而附著於被搭載在載體之基板6上。依此，對基板6施予成膜處理。並且，在成膜室中，不僅一個載體50，也有一面連續搬送多數載體，一面對基板執行成膜。
如第1圖所示般，鄰接於第1成膜室15設置有第1加熱室(加熱室)14。第1加熱室14是對成膜處理前之基板施以加熱處理，以與基板之表背面相向之方式配置構成加熱器等。
鄰接於上述第1加熱室14及第1成膜室15，設置有相同構成之第2加熱室(加熱室)24及第2成膜室(真空處理室)25。從該第2成膜室25至第1加熱室設置有第1搬送室12，從第1成膜室15至第2加熱室設置有第2搬送室(搬送室)22。所有該些各室是被保持真空狀態，使該內部成為載體循環。即是，藉由該些各室形成載體之真空循環路徑8。
另外，在第1搬送室12連接有第1出入室10。該第1出入室10是對載體執行基板導入及取出者，具備有無圖示之機械臂。再者，第1出入室10是當作對真空循環路徑8之裝載鎖定室而發揮功能，具備有真空泵，並且經由泵連接於第1搬送室12。同樣，於第2搬送室22連接有第2出入室。
如此一來，在真空循環路徑8設置有多數基板出入室。然後，從第1出入室10至第2出入室20之間的真空循環路徑8中，設置有第1成膜室15，自第2出入室20至第1出入室10之間的真空循環路徑8中，設置有第2成膜室25。並且，即使設置其他真空處理室，來取代第1成膜室15及第2成膜室25亦可。例如亦可設置MgO膜之表面處理，來取代例如第2成膜室25。
並且，第1實施型態之第1搬送室12是當作第2成膜室25中之成膜處理後之基板之冷卻室而發揮功能。因此，第1出入室10是連接於第1搬送室12之下流側(第1成膜室15側)之端部。具體而言，與第1加熱室14之連接部分以外之端部(於第1圖之例中，第1加熱室14之反對側端部)。再者，同樣，第2出入室20是連接於第2搬送室22之下流側(第2成膜室25側)之端部。具體而言，與第2加熱室24連接部分以外之端部(於第1圖之例中，第2加熱室24之相反側端部)。
第4圖及第5圖是表示包含真空處理裝置1之基板流通系統之概略構成的平面圖。第4圖是第5圖之A部的放大圖，第5圖為全體圖。如第4圖所示般，在真空處理裝置1中之第1出入室10之側方，設置有第1基板輸排裝置71。該第1基板輸排裝置71是具備有基板搬送機械臂76。並且，對第1基板輸排裝置71，配給有處理前基板載架78及處理後基板載架79。
處理前基板載架78是使處理面朝向而搭載處理前之多數基板6。在此，自處理前基板載架78取出基板6，藉由基板搬送機械臂76吸附該基板6，並以處理面朝下之方式反轉基板6。被反轉之基板6是被供給至真空處理裝置1之第1出入室10。
再者，基板搬送機械臂76是吸附被取入第1出入室10之處理後之基板6，以處理面朝上之方式，反轉基板6。被反轉之基板6是被載置於處理後基板載架79。該處理後基板載架79是成為取得搭載處理後之多數基板。
如第5圖所示般，在真空處理裝置1之第1出入室10之側方，配置有上述第1基板輸排裝置71。再者，在第2出入室20之側方也配置有同樣構成之第2基板輸排裝置72。各基板輸排裝置71、72是面向AGV(Automatic Guided Vehicle)之通路82，該通路82是通過載架保管場所80。
該齒輪保管場所80是暫時性置放自前工程被搬送之處理前基板載架78，和被搬送至後工程之處理後基板載架79。
然後，AGV是自載架保管場所80取出處理前基板載架78，配送至第1基板輸排裝置71。該AGV是自第1基板輸排裝置71接受處理後載架79，配送至載架保管場所80。接著，AGV是自載架保管場所80取出其他處理前基板載架78，配送至第2基板輸排裝置72。該AGV是自第2基板輸排裝置72接收處理後基板載架79，配送至載架保管場所80。藉由上述，構成從前工程經由真空處理置後工程之基板流通系統。
並且，亦可採用上述以外之基板流通系統。例如，分歧自前工程延伸設置之載架供給輸送帶而連接於第1基板輸排裝置71及第2基板輸排裝置72，並且即使令自第1基板輸排裝置71及第2基板輸排裝置72延伸設置之載架排出輸送帶合流而連接於後工程亦可。
針對使用本實施型態之真空處理裝置1之真空處理方法，使用第1圖予以說明。首先將處理前之基板自第1出入室10導入至真空循環路徑8之載體。對該基板在第1加熱室施予加熱處理，在第1成膜室施予成膜處理，在第2搬送室22施予冷卻處理。然後，將處理後之基板自真空循環路徑8之載體取出至第2出入室20。
與此並行，將其他處理前之基板自第2出入室20導入至真空循環路徑8之載體。對該基板，在第2加熱室24施予加熱處理，在第2成膜室施予成膜處理，在第1搬送室12施予冷卻處理。然後，將處理後之基板自真空循環路徑8之載體取出至第1出入室10。如此一來，本實施型態之真空處理裝置是沿著真空循環路徑8形成兩個處理系統。
並且，即使於第2成膜室25中，以與第1成膜室15不同之條件執行成膜處理亦可。即是，可以執行成膜溫度或壓力、製程氣體、成膜速度等之條件不同之成膜處理。例如，亦可在第1成膜室15形成(111)配向之MgO膜，並在第2成膜室25形成(220)配向之MgO膜。再者，亦可在第1成膜室15及第2成膜室25中，對厚度不同之基板執行成膜處理。
再者，即使在第1成膜室15及/或第2成膜室25中，執行成膜處理以外之其他處理亦可。
於本實施型態所涉及之真空處理裝置1中，其構成為具備有基板對載體進出之第1出入室10及第2出入室20；設置在自第1出入室10至第2出入室20之間的真空循環路徑8中之第1成膜室15；被設置在自第2出入室20至第1出入室10之間的真空循環路徑8中之第2成膜室25。若藉由該構成，沿著一個循環路徑形成兩個處理系統。因此，即使基材處理之工作時間速率限制於基材導入及取出時間，藉由在兩個處理系統中並行實施基材處理，比起僅以一個處理系統來執行基材處理之以往技術，可以提昇生產性。
再者，本實施型態所涉及之真空處理裝置1，其構成是使第1搬送室12當作冷卻室而發揮功能，於第1搬送室12之下流側端部連接有第1出入室10。若藉由該構成，可將幾乎所有真空循環路徑利用於生產，可以提昇生產性。
再者，可以謀求真空處理裝置之省空間化及降低設備成本。
再者，本實施型態所涉及之真空處理裝置1中，是可以在第1成膜室15及第2成膜室25中執行成膜條件不同之成膜處理。例如，可以在第1成膜室15執行第1成膜處理而生產第1製品，在第2成膜室25執行第2成膜處理而生產第2製品。並且，於僅變更第1製品生產之時，停止第2成膜室25之第2成膜處理，僅在第1成膜室15執行第1成膜處理即可。此時，使第2成膜室25單當作真空搬送露而發揮功能。再者，於增加第1製品生產量之時，變更第2成膜室25之成膜條件使與第1成膜室15之成膜條件一致，在雙方之成膜室執行第1成膜處理即可。相反的，於執行第1製品之生產調整之時，藉由交互使用第1成膜室及第2成膜室，可以使第1成膜室及第2成膜室之維修週期延長至兩倍。如此一來，本實施型態之真空處理裝置可以臨機應變對應於多品種之生產。再者，於緊接著後工程之前，即使有必要執行成膜處理，亦可以適時僅適量效率性地執行成膜處理。
而且，於在第1成膜室15及第2成膜室25中形成同種之被膜時，在一方成膜室附著於載體之被膜，對另一方之成膜室之成膜處理造成壞影響較少。並且，由於不同種之被膜而所造成的污染不成為任何間題時，亦可在第1成膜室15及第2成膜室25中形成不同種之被膜。
第6圖是表示本發明之第2實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。並且，針對與上述第1實施型態相同之構成之部分，省略該說明。
第2實施型態所涉及之真空處理裝置1B之第1搬送室12，是當作第1成膜室15之成膜處理前之基板之加熱室而發揮功能。因此，第1出入室10是被連接於第1搬送室12之上流側(第2成膜室25側)之端部。再者，同樣第2出入室20是連接於第2搬送室22之上流側(第1成膜室15側)之端部。若藉由該構成，則與第1實施型態相同，可將幾乎所有真空循環路徑利用於生產，可以提昇生產性。再者可以謀求真空處理裝置之省空間化及降低設備成本。
並且，因將第1搬送室12當作加熱室發揮功能，故配合第1加熱室14，兩個加熱室被設置在第1成膜室15之上流側。此時，例如在第1搬送室12中使基板溫度從70℃上升至180℃，在第1加熱室14中，使180℃上升至250℃。如此一來，藉由分擔加熱處理，可縮短工作時間，並可提升生產性。再者，可以降低加熱器之負荷。
第7圖是表示本發明之第3實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成的平面圖。並且，針對與上述各實施型態相同之構成部分，省略該說明。
於第3實施型態所涉及之真空處理裝置1C中，4組加熱室(第1加熱室14、第2加熱室24、第3加熱室34及第4加熱室44)，及成膜室(第1成膜室15、第2成膜室25、第3成膜室35及第4成膜室45)，是經由緩衝器12、22、32、42而互相連接，構成真空循環路徑。然後，在4個緩衝器各連接有基板出入室(基材出入室)10、20、30、40。依此，成為在4個基材出入室之間的真空循環路徑(第7圖中省略圖示)各設置有加熱室及成膜室之構成。
第3實施型態所涉及之真空處理裝置1C是可以達成與第1實施型態相同之效果。而且，因可以以相同工作時間處理更多基板，故可以提昇比第1實施型態更高之生產性。
並且，雖然在第1實施型態中設置兩組基板出入室、加熱室及成膜室，在第2實施型態中，設置有4組基板出入室、加熱室及成膜室，但是亦可設置3組或5組以上之基板出入室、加熱室及成膜室。
第8圖是表示本發明之第4實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。並且，針對與上述各實施型態相同之構成之部分，省略該說明。
第4實施型態所涉及之真空處理裝置ID中，是設置分離處理前基板之導入室和處理後之取出室以作為基板出入室。基板導入室是當作裝載鎖定室而發揮功能者。因此，基板導入室及基板取出室具備有真空泵，經由閥而連接於搬送室。
第4實施型態所涉及之真空處理裝置1D中，在第1搬送室12連接有第1導入室(基材導入室)11及第2取出室(取出室)29，在第2搬送室22連接有第1取出室(取出室)19及第2導入室(導入室)21。然後，自第1導入室11所導入之基板，是經由第1加熱室14及第1成膜室15而被取出至第1取出室19。再者，自第2導入室21所導入之基板是經由第2加熱室24及第2成膜室25，而被取出至第2取出室29。
第4實施型態所涉及之真空處理裝置1D中，因基板導入室和基板取出室是被設為分離而加以設置之構成，故可經由循環載體並行實施自基材取出室中之一個載體取出基材和對基材導入室中之另一個載體導入基材。因此，如第1實施型態所涉及之真空處理裝置1般，比起在基材出入室中自一個載體取出基材之後，對相同載體執行基材導入之時，可以縮短工作時間。因此，可以提昇生產性。
第9圖是表示本發明之第5實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成的平面圖。並且，針對與上述各實施型態相同之構成的部分，省略該說明。
第5實施型態所涉及之真空處理裝置1E是在第1成膜室15之下流側設置有第1冷卻室(冷卻室)16。該第1冷卻室16為用以冷卻第1成膜室15之成膜處理後之基板者。該冷卻方法即使為以與基板之表背面相向之方式配置冷卻板之強制冷卻亦可，自然冷卻亦可。同樣在第2成膜室25之下流側也連接有第2冷卻室(冷卻室)26。並且，於第9圖中，省略有真空循環路徑之圖示。
第5實施型態所涉及之真空處理裝置1E中，是與第4實施型態所涉及之真空處理裝置1D相同，基板導入室和基板取出室是被分離設置。此時，在第2搬送室22之下流側連接第2導入室21，在第2搬送室22之上流側連接第1取出室19。因此，要使第2搬送室22當作冷卻室發揮功能則為困難(針對第1搬送室12也為相同)。在此，藉由在成膜室之下流側設置冷卻室，則可以確實冷卻成膜處理後之基板。
第10圖是表示本發明之第6實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。並且，針對與上述各實施型態相同之構成的部分，省略該說明。
第6實施型態所涉及之真空處理裝置1F，是在第1搬送室12和第1加熱室14之間經由閥連接第1排氣室13，在第1冷卻室16和第2搬送室22之間經由閥連接有第1通氣室17。第1排氣室13及第1通氣室17中之任一者具備真空泵，使內部成為真空排氣。相反的，於第1導入室11及第1取出室19不連接有真空泵。同樣在第2搬送室22和第2加熱室24之間設置有第2排氣室23，於第2冷卻室26和第1搬送室12之間設置有第2通氣室27。並且，即使在第10圖中，也省略真空循環路徑之圖示。
然後，第1搬送室12及第2搬送室22之內部是保持於被控制之環境下。在此，「被控制之環境」是指水分及二氧化碳之分壓被控制之環境，稱為真空狀態或是CDA(Clean Dry Air)或N2
等之惰性氣體環境。並且，自第1排氣室13至第1通氣室17之間及自第2排氣室23至第2通氣室27之間是保持真空。即是，所有載體之循環路徑是被保持於抑制水分或CO2
之分壓的「被控制的環境」。依此，附著於載體之MgO膜不吸附水分或CO2
。然後，因不需要將容積大之第1搬運室12及第2搬送室22之內部保持真空，故可以大幅度降低設備成本及製造成本。
再者，第4實施型態所涉及之真空處理裝置ID中，當作裝載鎖定室而發揮功能之基板導入室，在本實施型態所涉及之真空處理裝置1F中，是僅分離成基板導入室和排氣室。再者，在第4實施型態所涉及之真空處理裝置1D中，當作卸載鎖定室發揮功能之基板取出室，在本實施型態所涉及之真空處理裝置1F中是單被分離成基板取出室和通氣室。依此，可經由循環之載體並行實施對基板導入室中之一個載體導入基板和對配置有其他載體之排氣室真空排氣。因此，如第4實施型態所涉及之真空處理裝置ID般，比起配置一個載體之裝載鎖定室，於真空排氣後對相同載體執行基板導入之時，可以縮短工作時間。再者，可經由循環在體並行實施自基板取出室中之一個載體取出基板和對配置有其他載體之通氣室真空排氣。因此。如第4實施型態所涉及之真空處理裝置1D般，比起在配置一個載體之卸載鎖定室中，於取出基板後執行真空排氣之時，可以縮短工作時間。因此。可以提昇生產性。
並且，本發明之技術範圍並不限定於上述各實施型態，只要在不脫離本發明之主旨的範圍，也包含對上述各實施型態添加各種變更。
即是，在各實施型態所舉出之具體材料或構成只不過為一例而已，可做適當變更。
例如，在上述各實施型態中，雖然對在載體保持水平之基板執行各種處理之情形予以說明，但是本發明亦可適用於對在載體保持垂直之基板執行各種處理之時。再者，上述各實施型態中，雖然是以平面性構築真空循環路徑之時予以說明，但是，本發明亦可以適用於立體性構築真空循環路徑之時。再者，上述各實施型態中，雖然以在真空處理室執行電子束之時予以說明，但是亦將本發明適用於在真空處理室執行濺鍍成膜之時。
本發明是適合利用在例如在電漿顯示面板之製造工程中所使用之真空處理裝置。
1、1B、1C、1D、1E、1F．．．真空處理裝置
8．．．第1出入室(基材出入室)
10．．．第1出入室(基材出入室)
11．．．第1導入室(導入室)
12．．．第1搬送室(搬送室)
14．．．第1加熱室(加熱室)
15．．．第1成膜室(真空處理室)
16．．．第1冷卻室(冷卻室)
19．．．第1取出室(取出室)
20．．．第2出入室(基材出入室)
21．．．第2導入室(導入室)
22．．．第2搬送室
24．．．第2加熱室(加熱室)
25．．．第2成膜室(真空處理室)
26．．．第2冷卻室(冷卻室)
29．．．第2取出室(取出室)
30．．．第3出入室(基材出入室)
34．．．第3加熱室(加熱室)
35．．．第3成膜室(真空處理室)
40．．．第4出入室(基材出入室)
44．．．第4加熱室(加熱室)
45．．．第4成膜室(真空處理室)
50．．．載體
第1圖是表示本發明之第1實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第2圖是同真空處理裝置中之載體的斜視圖。
第3圖是表示同真空處理裝置中之第1成膜室之概略構成之側面剖面圖。
第4圖是表示包含同真空處理裝置之基板流通系統之概略構成的平面圖。
第5圖是表示包含同真空處理裝置之基板流通系統之概略構成的平面圖。
第6圖是表示本發明之第2實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第7圖是表示本發明之第3實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第8圖是表示本發明之第4實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第9圖是表示本發明之第5實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第10圖是表示本發明之第6實施型態所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
第11圖是表示以往技術所涉及之真空處理裝置之概略構成之平面圖。
1．．．真空處理裝置
8．．．第1出入室(基材出入室)
10．．．第1出入室(基材出入室)
12．．．第1搬送室(搬送室)
14．．．第1加熱室(加熱室)
15．．．第1成膜室(真空處理室)
20．．．第2出入室(基材出入室)
22．．．第2搬送室
24．．．第2加熱室(加熱室)
25．．．第2成膜室(真空處理室)
Claims (9)
- 一種真空處理裝置，其特徵為：具備有：搭載基材之複數載體；保持於潔淨乾燥空氣(Clean Dry Air：CDA)環境下，上述載體循環移動之循環路徑；被設置在上述循環路徑上，用以對上述載體執行導入及取出上述基材的複數基材出入室；被配置在上述循環路徑上，搬運上述載體的兩個搬送室；各被設置於上述循環路徑中之上述各基材出入室之間，具備被設置在上述循環路徑之下方的蒸鍍反應室，用以使成膜材料通過上述循環路徑之窗部而附著於被搭載在上述載體之上述基板的複數真空處理室，在上述潔淨乾燥空氣(Clean Dry Air：CDA)環境中，水分及二氧化碳之分壓被抑制。
- 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，在上述循環路徑中之上述真空處理室之上流側，設置有用以對上述基材施予加熱處理之加熱室。
- 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，在上述循環路徑中之上述真空處理室之下流側，設置有用以對上述基材施予冷卻處理之冷卻室。
- 如申請專利專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，上述複數真空處理室包含第1真空處理室和第2 真空處理室，上述第1真空處理室和上述第2真空處理室是為了執行互相不同之處理而被設置。
- 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，上述複數真空處理室包含第1真空處理室和第2真空處理室，在上述循環路徑中之上述第1真空處理室之下流側，上述第2真空處理室之上流側配置上述基材之搬送室，在上述搬送室之上述第2真空處理室側之端部，設置有上述基材出入室。
- 如申請專利範圍第5項所記載之真空處理裝置，其中，上述搬送室是當作用以對在上述第2真空處理室施予處理之前的上述基材施予冷卻處理之冷卻室而發揮功能。
- 如申請專利範圍第5項所記載之真空處理裝置，其中，上述搬送室是當作用以對在上述第2真空處理室施予處理之前的上述基材施予加熱處理之加熱室而發揮功能。
- 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，作為上述基材出入室，分離設置有上述基材之取出室和上述基材之導入室。
- 如申請專利範圍第5項所記載之真空處理裝置，其中，作為上述基材出入室，分離設置有上述基材之取出室和上述基材之導入室。
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