JP4620501B2 - 研磨パッド - Google Patents
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Description
Mechanical Planarization;CMP)により、シリコンウエハなどの被研磨物の平坦化処理に用いる研磨パッドに関する。
前記研磨パッドは円板形状であり、
前記研磨パッドの厚み方向に貫通する貫通孔の周辺部分であって、前記凹部が設けられていない無加工部分を有し、
前記貫通孔は、前記研磨面方向の断面形状が曲線部分のみからなる閉曲線であり、長手方向が研磨パッドの半径方向と垂直となるように設けられ、
前記無加工部は、前記研磨パッドの回転方向の領域が小さく、前記研磨パッドの半径方向の領域が大きくなるように設けられることを特徴とする研磨パッドである。
前記研磨パッドは円板形状であり、
前記研磨パッドの厚み方向に貫通する貫通孔の周辺部分であって、前記凹部が設けられていない無加工部分を有し、
前記貫通孔は、前記研磨面方向の断面形状が曲線部分と直線部分とを含み、前記直線部分が前記曲線部分の接線と平行な閉曲線であり、長手方向が研磨パッドの半径方向と垂直となるように設けられ、
前記無加工部は、前記研磨パッドの回転方向の領域が小さく、前記研磨パッドの半径方向の領域が大きくなるように設けられることを特徴とする研磨パッドである。
これにより、無加工部分の面積を小さくし、研磨レートの低下を防ぐことができる。また、研磨パッドの回転方向の領域を大きく、半径方向の領域を小さくして研磨効率を向上させることができる。
直径が上記範囲より大きくなると研磨レートが低下し、小さくなるとスラリが貫通孔に進入しやすくなり加工検出精度が低下する。
まず、貫通孔の大きさを変化させたときの研磨レートおよび加工終点検出精度に対する影響について検討した。
検討結果を表1に示す。
次に、無加工部分の大きさを変化させたときの研磨レートおよび加工終点検出精度に対する影響について検討した。
検討結果を表2に示す。
直径743mmで、発泡ポリウレタン樹脂からなり、長径6mm、短径3mmの貫通孔、直径25mmの無加工部分を設けた。また、溝については、溝幅230μm、溝深さ375μm、溝ピッチ1.5mmのものと、溝幅450μm、溝深さ755μm、溝ピッチ1.78mmのものを作製した。
2 溝
3 貫通孔
4 無加工部分
Claims (8)
- 被研磨物を研磨する研磨面側に開放された凹部が、前記研磨面にわたって分布するように設けられる研磨パッドにおいて、
前記研磨パッドは円板形状であり、
前記研磨パッドの厚み方向に貫通する貫通孔の周辺部分であって、前記凹部が設けられていない無加工部分を有し、
前記貫通孔は、前記研磨面方向の断面形状が曲線部分のみからなる閉曲線であり、長手方向が研磨パッドの半径方向と垂直となるように設けられ、
前記無加工部は、前記研磨パッドの回転方向の領域が小さく、前記研磨パッドの半径方向の領域が大きくなるように設けられることを特徴とする研磨パッド。 - 被研磨物を研磨する研磨面側に開放された凹部が、前記研磨面にわたって分布するように設けられる研磨パッドにおいて、
前記研磨パッドは円板形状であり、
前記研磨パッドの厚み方向に貫通する貫通孔の周辺部分であって、前記凹部が設けられていない無加工部分を有し、
前記貫通孔は、前記研磨面方向の断面形状が曲線部分と直線部分とを含み、前記直線部分が前記曲線部分の接線と平行な閉曲線であり、長手方向が研磨パッドの半径方向と垂直となるように設けられ、
前記無加工部は、前記研磨パッドの回転方向の領域が小さく、前記研磨パッドの半径方向の領域が大きくなるように設けられることを特徴とする研磨パッド。 - 前記貫通孔は、前記研磨面方向の断面形状が楕円形状であり、長軸方向が研磨パッドの半径方向と垂直となるように設けられることを特徴とする請求項1記載の研磨パッド。
- 前記貫通孔の長手方向長さは6mm〜8mmであり、短手方向長さは3mm〜5mmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の研磨パッド。
- 前記無加工部分の前記研磨面方向の形状が円形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の研磨パッド。
- 前記無加工部分の直径は、15mm〜60mmであることを特徴とする請求項5記載の研磨パッド。
- 前記凹部は、砥粒を含むスラリを保持するための1または複数の溝であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の研磨パッド。
- 前記凹部は、砥粒を含むスラリを保持するための複数の孔であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の研磨パッド。
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TWI411495B (zh) * | 2007-08-16 | 2013-10-11 | Cabot Microelectronics Corp | 拋光墊 |
US9156124B2 (en) * | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
US20120302148A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
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US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
US9597769B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-03-21 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer |
US10569383B2 (en) * | 2017-09-15 | 2020-02-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Flanged optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1083977A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成 |
JP2003197587A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Ebara Corp | 基板研磨装置 |
JP2003300151A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2003300149A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2004074314A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 研磨体、この研磨体を備えた研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス |
JP2004106177A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Korea Polyol Co Ltd | 一体型研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2004146704A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Jsr Corp | 半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド |
JP2004261887A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド、その製造方法および製造装置 |
WO2005000528A1 (en) * | 2003-06-17 | 2005-01-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Ultrasonic welding method for the manufacture of a polishing pad comprising an optically transmissive region |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1083977A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成 |
JP2003197587A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Ebara Corp | 基板研磨装置 |
JP2003300151A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2003300149A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-21 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2004074314A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 研磨体、この研磨体を備えた研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス |
JP2004106177A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Korea Polyol Co Ltd | 一体型研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2004146704A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Jsr Corp | 半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド |
JP2004261887A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド、その製造方法および製造装置 |
WO2005000528A1 (en) * | 2003-06-17 | 2005-01-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Ultrasonic welding method for the manufacture of a polishing pad comprising an optically transmissive region |
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