JP4611698B2 - EMC countermeasure member and EMC countermeasure method - Google Patents

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Description

本発明は、ＥＭＣ対策部材、およびこれを用いたＥＭＣ対策方法に関する。   The present invention relates to an EMC countermeasure member and an EMC countermeasure method using the same.

近年、携帯電話、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ等の電子機器の小型軽量化に伴い、これら電子機器の内部に搭載されているＣＰＵ、ＬＳＩ、周辺半導体等の電子部品の高密度化、高集積化、およびプリント配線基板への電子部品等の高密度実装化が進んでいる。また、電子機器の高性能化のため、取り扱われる周波数が高くなってきている。これに伴い、電子部品より放射される放射ノイズあるいはプリント基板の配線回路を伝わる伝導ノイズによる電子機器の故障、誤作動、機能不全等が問題となっている。
このため、非特許文献１に定義されているように、自分が他に影響を与えることを防止するＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）対策、他からの影響を抑えるＥＭＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策の両方を兼ね備えたＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策が求められてきている。 In recent years, as electronic devices such as mobile phones, personal computers, and digital cameras have become smaller and lighter, electronic components such as CPUs, LSIs, and peripheral semiconductors mounted in these electronic devices have been increased in density and integration. In addition, high-density mounting of electronic components and the like on a printed wiring board is progressing. In addition, the frequency to be handled is increasing for higher performance of electronic devices. Along with this, there are problems such as failure, malfunction and malfunction of electronic equipment due to radiation noise radiated from electronic components or conduction noise transmitted through the wiring circuit of the printed circuit board.
For this reason, as defined in Non-Patent Document 1, both EMI (Electro Magnetic Interference) measures to prevent one's own influence and EMS (Electro Magnetic Susceptibility) measures to reduce the influence from others are taken. EMC (Electro Magnetic Compatibility) measures that have been combined have been demanded.

他からの影響を抑えるＥＭＳ対策方法としては、一般的には、金属板を電磁波シールド材として用いて、空間を伝搬して来る放射ノイズを反射させる方法がある。
このほか、軟磁性体粉末および有機結合剤を含む絶縁性軟磁性体層と導電性支持体とからなる電磁波干渉抑制体を、電子部品などの上に設け、電磁波の透過に対してはシールド材である導電性支持体が遮蔽し、反射に対しては絶縁性軟磁性体層が電磁結合を助長させない方法が知られている（特許文献１）。
自分が他に影響を与えることを防止するＥＭＩ対策方法としては、上記した金属板による遮蔽のほか、軟磁性粉末と有機結合剤とからなる複合磁性体で情報処理装置のバスラインを覆うことにより対策することが知られている（特許文献２）。 As an EMS countermeasure method for suppressing the influence from others, generally, there is a method of reflecting radiation noise propagating through space using a metal plate as an electromagnetic shielding material.
In addition, an electromagnetic wave interference suppressor composed of an insulating soft magnetic layer containing a soft magnetic powder and an organic binder and a conductive support is provided on an electronic component, etc., and shields against electromagnetic wave transmission. There is known a method in which the conductive support is shielded and the insulating soft magnetic layer does not promote electromagnetic coupling against reflection (Patent Document 1).
In addition to shielding with the metal plate described above, the EMI countermeasure method for preventing oneself from affecting others is to cover the bus line of the information processing apparatus with a composite magnetic material composed of soft magnetic powder and an organic binder. It is known to take measures (Patent Document 2).

金属板等の導電性のシールド材を用いた反射による遮蔽は、ＥＭＣ対策のうち、放射ノイズの漏洩には効果があるものの、電子機器内部には、このシールド材により反射、散乱した放射ノイズが充満して電磁波干渉を助長してしまう問題、電子機器内部に設置された複数のプリント基板間での電磁干渉が起こってしまう問題があり、その使用範囲は限定されている。   Shielding by reflection using a conductive shielding material such as a metal plate is effective for leakage of radiation noise among EMC countermeasures, but radiation noise reflected and scattered by this shielding material is present inside the electronic equipment. There is a problem that it fills up and promotes electromagnetic interference, and there is a problem that electromagnetic interference occurs between a plurality of printed boards installed in an electronic device, and its use range is limited.

特許文献１に記載の方法では、導電性支持体による、遠方からの放射ノイズおよび電子部品等からの放射ノイズの抑制に効果はある、すなわち放射ノイズにおけるＥＭＣ対策に効果が認められるものの、ＥＭＩ対策のうち、電子部品等の導体を伝搬する伝導ノイズに対しては何の考慮もされていない。   The method described in Patent Document 1 is effective for suppressing radiation noise from a distant place and radiation noise from an electronic component or the like by a conductive support. Among them, no consideration is given to conduction noise propagating through a conductor such as an electronic component.

特許文献２に記載の複合磁性体は、特許文献１に記載の電磁波干渉抑制体と同様の絶縁性軟磁性体層を有しており、ＥＭＩ対策のうち、ケーブル等をアンテナとして放射される放射ノイズを対象に対策を行うものであり、伝導ノイズを抑制するものではない。伝導ノイズは、スイッチング動作による電源電圧の変動等により発生し、電子機器の機能に影響を与えるものであり、特に、配線回路の特性インピーダンスの不整合による信号波形の乱れまたは不整合箇所での反射などが定在化し、共振することによって放射ノイズ化し、他に影響を及ぼす。このため、ＥＭＩ対策においては、電子部品等から発生した伝導ノイズが放射ノイズになる前に、伝導ノイズを抑えることが求められている。
さらに、ＥＭＳ対策として、特に遠方からの放射ノイズをも抑制することを兼ね備えたＥＭＣ部材およびその対策方法が、求められている。
「電磁波の吸収と遮蔽」、日経技術図書株式会社、１９８９年１月１０日、ｐ．３７７ 特開平７−２１２０７９号公報 特開平９−３１２４８９号公報 The composite magnetic material described in Patent Document 2 has an insulating soft magnetic material layer similar to the electromagnetic wave interference suppressor described in Patent Document 1, and is a radiation radiated from a cable or the like as an antenna among EMI countermeasures. It is intended to take measures against noise and does not suppress conduction noise. Conducted noise is caused by fluctuations in the power supply voltage due to switching operations, etc., and affects the functions of electronic devices. In particular, signal waveforms are disturbed due to mismatched characteristic impedance of wiring circuits or reflected at mismatched points. Etc. are settled and resonate to generate radiation noise and affect others. For this reason, in EMI countermeasures, it is required to suppress conduction noise before conduction noise generated from an electronic component or the like becomes radiation noise.
Furthermore, as an EMS countermeasure, there is a demand for an EMC member and a countermeasure method thereof that can also suppress radiation noise particularly from a distance.
“Absorption and shielding of electromagnetic waves”, Nikkei Technical Books, January 10, 1989, p. 377 Japanese Patent Laid-Open No. 7-212079 JP 9-312489 A

よって本発明の目的は、伝導ノイズ抑制機能および放射ノイズ抑制機能を兼ね備えたＥＭＣ対策部材、およびこれを用いたＥＭＣ対策方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an EMC countermeasure member having a conduction noise suppression function and a radiation noise suppression function, and an EMC countermeasure method using the same.

すなわち、本発明のＥＭＣ対策部材は、物理的蒸着法により、物理的蒸着時におけるせん断弾性率が１×１０3 〜１×１０7 Ｐａである結合剤に、磁性体を蒸着させることによって、磁性体を結合剤中に分散させた伝導ノイズ抑制層と、結合剤および電磁波吸収材を含有する放射ノイズ抑制層とを有し、前記伝導ノイズ抑制層の厚さが、０．００５〜０．３μｍであることを特徴とするものである。 That is, the EMC countermeasure member of the present invention is magnetically deposited on a binder having a shear modulus of 1 × 10 3 to 1 × 10 7 Pa by physical vapor deposition. and transmission noise suppressing layer containing a dispersed body in forming a fixed combination, possess a radiation noise suppressing layer containing a binder and an electromagnetic wave absorbing material, the thickness of the conductive noise suppressing layer, 0.005 to 0. and it is characterized in 3μm der Rukoto.

ここで、前記磁性体は、鉄、コバルトおよびニッケルからなる群から選ばれる１つ以上の元素を含有する金属系軟磁性体であることが望ましい。
前記結合剤は、有機高分子であることが望ましい。 Here, the magnetic body is preferably a metallic soft magnetic body containing one or more elements selected from the group consisting of iron, cobalt and nickel.
The binder is preferably an organic polymer.

また、本発明のＥＭＣ対策方法は、本発明のＥＭＣ対策部材を、電子部品内の配線回路または基板上の配線回路の近くに、伝導ノイズ抑制層が電子部品内の配線回路の導体または基板上の配線回路の導体と電磁気的に結合するように配置することを特徴とする。
ここで、電子部品内の配線回路の導体または基板上の配線回路の導体と、伝導ノイズ抑制層との距離を０．８ｍｍ以下にすることが望ましい。 In addition, the EMC countermeasure method of the present invention is such that the EMC countermeasure member of the present invention is placed near the wiring circuit in the electronic component or the wiring circuit on the substrate, and the conductive noise suppression layer is on the conductor or substrate of the wiring circuit in the electronic component. It arrange | positions so that it may couple | bond with the conductor of this wiring circuit electromagnetically.
Here, it is desirable that the distance between the conductor of the wiring circuit in the electronic component or the conductor of the wiring circuit on the substrate and the conduction noise suppression layer is 0.8 mm or less.

本発明のＥＭＣ対策部材は、物理的蒸着法により、物理的蒸着時におけるせん断弾性率が１×１０3 〜１×１０7 Ｐａである結合剤に、磁性体を蒸着させることによって、磁性体を結合剤中に分散させた伝導ノイズ抑制層と；結合剤および電磁波吸収材を含有する放射ノイズ抑制層とを有するため、放射ノイズ抑制機能および伝導ノイズ抑制機能の２つの電磁波ノイズ抑制機能を兼ね備えたものとなる。 EMC countermeasure member of the present invention, by physical vapor deposition, the shear modulus during physical vapor deposition binder is 1 × 10 3 ~1 × 10 7 Pa, by depositing a magnetic substance, a magnetic substance and dispersed in binding a fixed combination transmission noise suppressing layer; because it has a radiation noise suppressing layer containing a binder and an electromagnetic wave absorbing material, it combines the two electromagnetic noise suppression function of the radiation noise suppressing function and transmission noise suppressing function It will be.

ここで、前記磁性体が、鉄、コバルトおよびニッケルからなる群から選ばれる１つ以上の元素を含有する金属系軟磁性体であれば、結晶異方性により磁気特性を発現する酸化物系磁性体、窒化物系磁性体とは異なり、再結晶化のための加温が必要ではないので、ＥＭＣ対策部材の製造工程が煩わしくなく、また、可とう性を有する軽量の有機高分子を結合剤として用いることができる。
そして、前記結合剤が、有機高分子であれば、可とう性があり、強度の高いＥＭＣ対策部材とすることができ、また、電子部品等への密着性、追従性に優れる。
さらに、前記伝導ノイズ抑制層の厚さが、０．００５〜０．３μｍであるので、伝導ノイズ抑制効果がさらに向上し、薄型化、軽量化を図ることができる。 Here, if the magnetic material is a metal-based soft magnetic material containing one or more elements selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel, an oxide-based magnetic material that exhibits magnetic properties due to crystal anisotropy Unlike the magnetic body and the nitride-based magnetic body, heating for recrystallization is not necessary, so the manufacturing process of the EMC countermeasure member is not troublesome, and a lightweight organic polymer having flexibility is used as a binder. Can be used as
And if the said binder is an organic polymer, it will be flexible and can be used as a high intensity | strength EMC countermeasure member, and it is excellent in the adhesiveness and followable | trackability to an electronic component etc.
Further, the thickness of the conductive noise suppressing layer, 0.005 to der Runode, and further improve transmission noise suppressing effect can be achieved thinning and weight reduction.

また、本発明のＥＭＣ対策方法は、本発明のＥＭＣ対策部材を、電子部品内の配線回路または基板上の配線回路の近くに、伝導ノイズ抑制層が電子部品内の配線回路の導体または基板上の配線回路の導体と電磁気的に結合するように配置する方法であるため、ＥＭＳ対策として、特に遠方からの放射ノイズを抑制することができ、かつＥＭＩ対策として、電子部品などから発生した伝導ノイズが放射ノイズになる前に、伝導ノイズを抑えることができる。
さらに、電子部品内の配線回路の導体または基板上の配線回路の導体と、伝導ノイズ抑制層との距離を０．８ｍｍ以下にして、電磁気的に結合させると、効率よく、伝導ノイズを抑制することができる。 In addition, the EMC countermeasure method of the present invention is such that the EMC countermeasure member of the present invention is placed near the wiring circuit in the electronic component or the wiring circuit on the substrate, and the conductive noise suppression layer is on the conductor or substrate of the wiring circuit in the electronic component. As a countermeasure for EMS, it is possible to suppress radiation noise from far away, and as an EMI countermeasure, conducted noise generated from electronic parts, etc. The conduction noise can be suppressed before the noise becomes radiation noise.
Furthermore, if the distance between the conductor of the wiring circuit in the electronic component or the conductor of the wiring circuit on the substrate and the conduction noise suppression layer is 0.8 mm or less and electromagnetically coupled, the conduction noise is efficiently suppressed. be able to.

以下、本発明を詳しく説明する。
＜ＥＭＣ対策部材＞
本発明のＥＭＣ対策部材は、物理的蒸着法により、物理的蒸着時におけるせん断弾性率が１×１０3 〜１×１０7 Ｐａである結合剤に、磁性体を分散させた伝導ノイズ抑制層と；結合剤および電磁波吸収材を含有する放射ノイズ抑制層とを有するものである。 The present invention will be described in detail below.
<EMC countermeasure material>
The EMC countermeasure member of the present invention comprises a conductive noise suppression layer in which a magnetic material is dispersed in a binder having a shear modulus of 1 × 10 3 to 1 × 10 7 Pa during physical vapor deposition by physical vapor deposition. A radiation noise suppressing layer containing a binder and an electromagnetic wave absorbing material.

このようなＥＭＣ対策部材としては、例えば、図１に示すように、結合剤２およびこれに分散された電磁波吸収性材３を含有し、かつ電磁波吸収材３が存在しないスキン層４が形成された放射ノイズ抑制層５と；放射ノイズ抑制層５のスキン層４の結合剤２の一部に物理的蒸着法により磁性体を分散させ、スキン層４の結合剤２の一部と磁性体とが一体化してなる伝導ノイズ抑制層６とを有するＥＭＣ対策部材１が挙げられる。この他、図２に示すように、伝導ノイズ抑制層６の表面にさらに、結合剤２および電磁波吸収材３を含有する放射ノイズ抑制層７を積層したＥＭＣ対策部材体１０；図３に示すように、２つのＥＭＣ対策部材１を積層したＥＭＣ対策部材２０であっても構わない。
さらに、ＥＭＣ対策部材を電子デバイス内または基板上の配線回路近くに配設するための粘着機能が、ＥＭＣ対策部材の表面に付与されていても構わない。 As such an EMC countermeasure member, for example, as shown in FIG. 1, a skin layer 4 containing a binder 2 and an electromagnetic wave absorbing material 3 dispersed therein and having no electromagnetic wave absorbing material 3 is formed. A magnetic material dispersed in a part of the binder 2 of the skin layer 4 of the radiation noise suppression layer 5 by physical vapor deposition, and a part of the binder 2 of the skin layer 4 and the magnetic substance The EMC countermeasure member 1 which has the conductive noise suppression layer 6 formed by integrating the. In addition, as shown in FIG. 2, an EMC countermeasure member body 10 in which a radiation noise suppression layer 7 containing a binder 2 and an electromagnetic wave absorber 3 is further laminated on the surface of the conduction noise suppression layer 6; as shown in FIG. In addition, the EMC countermeasure member 20 in which two EMC countermeasure members 1 are laminated may be used.
Furthermore, an adhesion function for disposing the EMC countermeasure member in the electronic device or near the wiring circuit on the substrate may be provided on the surface of the EMC countermeasure member.

本発明のＥＭＣ対策部材は、伝導ノイズ抑制効果の指標である、１ＧＨｚにおけるロス電力比（パワーロス値ともいう）が０．３〜０．９５であることが好ましく、０．４〜０．９５であることがより好ましい。
ここで、ロス電力比は、伝導ノイズ抑制機能の反射・透過特性の総合的な指標であって、次式で求められ、０〜１の値をとる。ロス電力比は、伝送特性のＳ11（反射減衰量）とＳ21（透過減衰量）の変化から次式で求められる。
ロス電力比（Ｐloss／Ｐin）＝１−（｜Γ｜2＋｜Ｔ｜2）
ここで、Ｓ11＝２０ｌｏｇ｜Γ｜であり、Ｓ21＝２０ｌｏｇ｜Ｔ｜であり、Γは反射係数であり、Ｔは透過係数である。 The EMC countermeasure member of the present invention preferably has a loss power ratio (also referred to as a power loss value) at 1 GHz, which is an index of a conduction noise suppression effect, of 0.3 to 0.95, preferably 0.4 to 0.95. More preferably.
Here, the loss power ratio is a comprehensive index of the reflection / transmission characteristics of the conduction noise suppression function, and is obtained by the following equation and takes a value of 0 to 1. The loss power ratio can be obtained by the following equation from changes in transmission characteristics S 11 (reflection attenuation) and S 21 (transmission attenuation).
Loss power ratio (P loss / P in ) = 1− (| Γ | 2 + | T | 2 )
Here, S 11 = 20 log | Γ |, S 21 = 20 log | T |, Γ is a reflection coefficient, and T is a transmission coefficient.

伝導ノイズ抑制効果を十分に発揮するためには、ロス電力比が０．３以上であることが好ましい。ロス電力比が０．３より小さいと十分な伝導ノイズ抑制効果を有しているということはできない。さらには、ロス電力比が０．４以上であることが好ましい。ロス電力比が０．４以上あれば十分な伝導ノイズ抑制効果がある。現状の技術では１ＧＨｚにおいて０．９５を超えるロス電力比のものを得ることは達成できていない。
このＥＭＣ対策部材のロス電力比を０．３〜０．９５にするためには、ＥＭＣ対策部材の作製にあたって、高エネルギーでの物理的蒸着を行うことにより、ナノメーターレベルで結合剤と磁性体原子とを一体化させることを基本とし、物理的蒸着条件、磁性体蒸着量を適宜選択することにより達成できる。 In order to sufficiently exhibit the conduction noise suppressing effect, the loss power ratio is preferably 0.3 or more. If the loss power ratio is smaller than 0.3, it cannot be said that the conductive noise is sufficiently suppressed. Furthermore, the loss power ratio is preferably 0.4 or more. If the loss power ratio is 0.4 or more, there is a sufficient conduction noise suppression effect. With the current technology, it has not been possible to obtain a loss power ratio exceeding 0.95 at 1 GHz.
In order to set the loss power ratio of the EMC countermeasure member to 0.3 to 0.95, the binder and the magnetic material are formed at the nanometer level by performing physical vapor deposition at high energy when producing the EMC countermeasure member. This can be achieved by selecting the physical vapor deposition conditions and the magnetic material vapor deposition amount as appropriate based on integration with atoms.

また、本発明のＥＭＣ対策部材は、放射ノイズ抑制効果の指標である、１ＧＨｚのおける相互減結合率が−１ｄＢ以上であることが好ましく、−２ｄＢ以上であることがより好ましい。１ＧＨｚにおける内部減結合率は、−１ｄＢ以上であることが好ましく、−２ｄＢ以上であることがより好ましい。
相互減結合率とは、二つのプリント回路基板間またはデバイス間での結合がＥＭＣ対策部材を装着することによりどれくらい減衰するかという量である。内部減結合率とは伝送ライン間または同じプリント回路基板内での結合がＥＭＣ対策部材を装着することによりどれくらい減衰するかという量である（武田茂、「ノイズ抑制シートのＩＥＣ規格化の現状」、第１３１回研究会資料、日本応用磁気学会、２００３年７月４日、ｐ．３３−３６）。 The EMC countermeasure member of the present invention preferably has a mutual decoupling rate at 1 GHz, which is an index of the radiation noise suppression effect, of -1 dB or more, and more preferably -2 dB or more. The internal decoupling rate at 1 GHz is preferably −1 dB or more, and more preferably −2 dB or more.
The mutual decoupling rate is an amount of how much the coupling between two printed circuit boards or devices is attenuated by mounting the EMC countermeasure member. The internal decoupling rate is the amount by which the coupling between transmission lines or the same printed circuit board is attenuated by mounting an EMC countermeasure member (Shigeru Takeda, “Current Status of IEC Standardization of Noise Suppression Sheets”) , 131st Study Group Material, Japan Society of Applied Magnetics, July 4, 2003, p. 33-36).

（伝導ノイズ抑制層）
伝導ノイズ抑制層６は、図４の高分解能透過型電子顕微鏡像、および電子顕微鏡像の模式図である図５に示すように、放射ノイズ抑制層５表面のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させてなる層であり、物理的に蒸着された磁性体が均質膜を形成することなく、原子状態で結合剤２中に分散一体化してなるものである。 (Conduction noise suppression layer)
As shown in FIG. 5 which is a schematic diagram of the high-resolution transmission electron microscope image of FIG. 4 and the electron microscope image, the conduction noise suppression layer 6 physically applies a magnetic substance to the skin layer 4 on the surface of the radiation noise suppression layer 5. It is a layer formed by vapor deposition, and is formed by dispersing and integrating the physically vapor-deposited magnetic material in the binder 2 in an atomic state without forming a homogeneous film.

伝導ノイズ抑制層６は、非常に小さい結晶として数オングストローム間隔の磁性体原子が配列された結晶格子１１が観察され、薄片状態になっていると認められる部分と、非常に小さい範囲で磁性体が存在しない結合剤２のみが観察される部分と、磁性体原子１３が結晶化せず結合剤２中に分散して観察される部分からなっている。すなわち、磁性体が明瞭な結晶構造を有する微粒子として存在を示す粒界は観察されず、ナノメーターレベルで磁性体と結合剤が一体化した複雑なヘテロ構造（不均質・不斉構造）を有している。   The conduction noise suppression layer 6 has a crystal lattice 11 in which magnetic atoms with a few angstrom intervals are arranged as a very small crystal, and a portion that is recognized as being in a flake state and a magnetic material within a very small range. It consists of a portion where only the non-existent binder 2 is observed and a portion where the magnetic substance atoms 13 are not crystallized but are dispersed and observed. In other words, the grain boundary where the magnetic substance is present as a fine particle having a clear crystal structure is not observed, and it has a complex heterostructure (heterogeneous / asymmetric structure) in which the magnetic substance and the binder are integrated at the nanometer level. is doing.

伝導ノイズ抑制層６の厚さは、放射ノイズ抑制層５の表面に磁性体原子が侵入した深さであり、磁性体の蒸着質量、結合剤材質、物理的蒸着の条件などに依存し、およそ磁性体の蒸着厚さの１．５〜３．０倍ほどとなる。ここで、磁性体の蒸着厚さとは、磁性体原子が侵入することのない硬い基材上に磁性体を物理的蒸着させた際の膜厚を意味する。   The thickness of the conduction noise suppression layer 6 is the depth of penetration of the magnetic atoms into the surface of the radiation noise suppression layer 5 and depends on the vapor deposition mass of the magnetic material, the binder material, the physical vapor deposition conditions, etc. It becomes about 1.5 to 3.0 times the deposition thickness of the magnetic material. Here, the vapor deposition thickness of the magnetic material means a film thickness when the magnetic material is physically vapor-deposited on a hard base material that does not allow magnetic atoms to enter.

伝導ノイズ抑制層６の厚さを０．００５μｍ以上とすることにより、磁性体原子の結合剤２との分散一体化ができ、形状異方性に由来する高周波領域での大きな磁気損失特性を有するものと思われ、十分な伝導ノイズ抑制効果を発揮させることができる。一方、伝導ノイズ抑制層６の厚さが０．３μｍを超えると、明瞭な結晶構造を経て均質な磁性体膜が形成され、バルクの磁性体に戻ってしまい、形状異方性が減少し、伝導ノイズ抑制効果も小さくなり、実効的でない。それゆえ、伝導ノイズ抑制層の厚さは、より好ましくは０．３μｍ以下である。   By setting the thickness of the conduction noise suppression layer 6 to 0.005 μm or more, the magnetic material atoms can be dispersed and integrated with the binder 2 and have a large magnetic loss characteristic in a high frequency region derived from shape anisotropy. This is considered to be a sufficient conduction noise suppression effect. On the other hand, when the thickness of the conduction noise suppression layer 6 exceeds 0.3 μm, a homogeneous magnetic film is formed through a clear crystal structure, and returns to the bulk magnetic body, thereby reducing the shape anisotropy, The conduction noise suppression effect is also reduced and is not effective. Therefore, the thickness of the conduction noise suppression layer is more preferably 0.3 μm or less.

伝導ノイズ抑制層６の固有抵抗は、バルクの磁性体金属の固有抵抗から計算された値より数倍から数百倍と大きいが、表面抵抗としては１０1 から１０3 Ω／ｃｍ2 程度と絶縁性は低いため、伝導ノイズ抑制層６を導体近傍に配置する際には、十分絶縁対策を施すことが肝要である。 The specific resistance of the conduction noise suppression layer 6 is several times to several hundred times larger than the value calculated from the specific resistance of the bulk magnetic metal, but the surface resistance is about 10 1 to 10 3 Ω / cm 2. Therefore, it is important to take sufficient insulation measures when the conductive noise suppression layer 6 is disposed near the conductor.

（スキン層）
本発明におけるスキン層４とは、電磁波吸収材３を含有した放射ノイズ抑制層５において、放射ノイズ抑制層５の表面に形成される、電磁波吸収材３が存在しない、結合剤２のみからなる層である。 (Skin layer)
The skin layer 4 in the present invention is a layer formed of only the binder 2 in the radiation noise suppressing layer 5 containing the electromagnetic wave absorbing material 3 and formed on the surface of the radiation noise suppressing layer 5 and without the electromagnetic wave absorbing material 3. It is.

スキン層４の平均厚さは、前述の伝導ノイズ抑制層６の厚さ０．００５〜０．３μｍを形成するのに十分な膜厚があればよく、具体的には０．１〜３００μｍであることが好ましい。スキン層４の平均厚さが０．１μｍ未満であると、電磁波吸収材３の一部がスキン層４の表面に露出してしまうおそれがあり、電磁波吸収材３が露出した箇所は伝導ノイズ抑制層６が均一に形成されないため、伝導ノイズ抑制効果が低下してしまう。スキン層４が３００μｍより厚い場合は、電磁波吸収材３が放射ノイズ抑制層５中に分散されていない状態のため、放射ノイズ抑制効果が低下してしまうおそれがある。   The average thickness of the skin layer 4 may be sufficient to form the above-described conductive noise suppression layer 6 having a thickness of 0.005 to 0.3 μm, specifically 0.1 to 300 μm. Preferably there is. If the average thickness of the skin layer 4 is less than 0.1 μm, a part of the electromagnetic wave absorbing material 3 may be exposed on the surface of the skin layer 4, and the portion where the electromagnetic wave absorbing material 3 is exposed suppresses conduction noise. Since the layer 6 is not formed uniformly, the conduction noise suppression effect is reduced. When the skin layer 4 is thicker than 300 μm, since the electromagnetic wave absorbing material 3 is not dispersed in the radiation noise suppression layer 5, the radiation noise suppression effect may be reduced.

（結合剤）
結合剤２は、特に限定されないが、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアクリレート、塩化ビニル系樹脂、塩素化ポリエチレンなどの樹脂；天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のジエン系ゴム；ブチル系ゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の非ジエン系ゴム等の有機高分子が挙げられる。これらは熱可塑性であっても、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってよい。また、上記の樹脂、ゴムなど変性物、混合物、共重合体であってもよい。 (Binder)
The binder 2 is not particularly limited, but polyolefin, polyamide, polyester, polyether, polyketone, polyimide, polyurethane, polysiloxane, phenolic resin, epoxy resin, acrylic resin, polyacrylate, vinyl chloride resin, chlorination Resins such as polyethylene; diene rubbers such as natural rubber, isoprene rubber, butadiene rubber and styrene butadiene rubber; and organic polymers such as non-diene rubbers such as butyl rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber and silicone rubber . These may be thermoplastic, thermosetting, or uncured products thereof. Further, it may be a modified product such as the above-mentioned resin or rubber, a mixture, or a copolymer.

中でも、結合剤２としては、結合剤２への磁性体原子の入り込みやすさの点で、後述する磁性体の物理的蒸着に際して、そのせん断弾性率が低いものが用いられる。具体的には、磁性体の物理的蒸着時における結合剤２のせん断弾性率は、１×１０3 〜１×１０7 Ｐａである。所望のせん断弾性率にするために必要に応じて、例えば１００〜３００℃に結合剤を加熱することもできるが、分解や蒸発が起きない温度に加熱することが必要である。
また、結合剤２としては、伝導ノイズ抑制効果に影響する密着性の観点からは、柔軟性を有し、ゴム弾性率を有するシリコーンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴムが好ましく、結合剤２のせん断弾性率は１×１０3 〜１×１０6 Ｐａであることが好ましい。 Among them, as the binder 2, a material having a low shear elastic modulus is used in the physical vapor deposition of a magnetic material described later in terms of ease of entry of magnetic substance atoms into the binder 2. Specifically, the shear modulus of the binder 2 at the time of physical vapor deposition of the magnetic material is 1 × 10 3 to 1 × 10 7 Pa. If necessary, the binder can be heated to, for example, 100 to 300 ° C. in order to obtain a desired shear modulus, but it is necessary to heat to a temperature at which decomposition and evaporation do not occur.
The binder 2 is preferably silicone rubber, urethane rubber, acrylic rubber, or ethylene propylene rubber having flexibility and rubber elasticity from the viewpoint of adhesion that affects the effect of suppressing conduction noise. The shear modulus of 2 is preferably 1 × 10 3 to 1 × 10 6 Pa.

せん断弾性率の測定方法としては、以下のような方法が知られている。
（１）ＪＩＳ Ｋ７１１３に規定されている引張応力と歪との関係から引張り弾性率を求め、これをもとに下記式からせん断弾性率を求める。
せん断弾性率＝引張り弾性率／（２×（１＋ポアソン比））
ここで２×（１＋ポアソン比）の値は、剛直な高分子からゴム状の弾性体まで、おおよそ２．６〜３．０である。
（２）温度特性を把握できる粘弾性率測定装置を用い、試験モードをせん断モードにしてせん断弾性率を測定する。
（３）粘弾性率測定装置を用い、試験モード引張りモードにして貯蔵弾性率Ｇ’および損失弾性率Ｇ”を測定し、下記式から複素弾性率Ｇ* を求め、複素弾性率を引張り弾性率として、上記式からせん断弾性率を求める。
Ｇ* ＝√（（Ｇ’）2 ＋（Ｇ”）2）
本発明におけるせん断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、せん断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した値とする。 The following methods are known as methods for measuring the shear modulus.
(1) The tensile elastic modulus is obtained from the relationship between the tensile stress and strain defined in JIS K7113, and the shear elastic modulus is obtained from the following formula based on this.
Shear modulus = Tensile modulus / (2 x (1 + Poisson's ratio))
Here, the value of 2 × (1 + Poisson's ratio) is approximately 2.6 to 3.0 from a rigid polymer to a rubbery elastic body.
(2) Using a viscoelasticity measuring device capable of grasping the temperature characteristics, the shear modulus is measured with the test mode set to the shear mode.
(3) Using a viscoelasticity measuring device, in the test mode tension mode, the storage elastic modulus G ′ and the loss elastic modulus G ″ are measured, the complex elastic modulus G * is obtained from the following formula, and the complex elastic modulus is determined as the tensile elastic modulus. As described above, the shear modulus is obtained from the above formula.
G * = √ ((G ′) 2 + (G ″) 2 )
The shear elastic modulus in the present invention is a value measured using a solid analyzer RSA-II manufactured by Rheometric Scientific as a viscoelasticity measuring device in a shear mode under a measurement frequency of 1 Hz.

ここで、結合剤２のせん断弾性率を下げるために、ゲル状、ペースト状、オイル状の成分を添加することもできる。例えば、シリコーンオイル、パラフィンワックス、ポリエチレンワックス、高級アルコール、高級脂肪酸エステルが挙げられる。このような結合剤２を用いた場合、放射ノイズ抑制層５自身が粘着性を示すため、ＥＭＣ対策部材をＬＳＩ、周辺半導体、フレキシブル配線基板上へ配設する際に、粘着層、接着層を設けなくても配設させることができる。ただし、ゲル状、ペースト状、オイル状の成分を添加すると、これら成分が放射ノイズ抑制層５よりブリードするおそれもある。これにより、ＬＳＩ、周辺半導体を汚染し、絶縁性皮膜を形成し、電子部品の接触不良を引き起こす原因となるため、配合には注意が必要である。   Here, in order to lower the shear modulus of the binder 2, a gel-like, paste-like, or oil-like component can be added. Examples thereof include silicone oil, paraffin wax, polyethylene wax, higher alcohol, and higher fatty acid ester. When such a binder 2 is used, since the radiation noise suppression layer 5 itself exhibits adhesiveness, when the EMC countermeasure member is disposed on the LSI, the peripheral semiconductor, or the flexible wiring board, the adhesive layer and the adhesive layer are provided. Even if it does not provide, it can arrange. However, when a gel-like, paste-like or oil-like component is added, these components may bleed from the radiation noise suppression layer 5. This contaminates LSI and peripheral semiconductors, forms an insulating film, and causes poor contact of electronic components, so care must be taken in blending.

また、結合剤２としては、前記したヘテロ構造を維持し、伝導ノイズ抑制効果を維持する観点から、磁性体の物理的蒸着の後に、せん断弾性率が高いものが好ましい。磁性体の物理的蒸着の後に結合剤２のせん断弾性率を高くすることにより、ナノメーターレベルの磁性体原子またはクラスターが凝集して結晶化し、微粒子に成長することを確実に防止できる。具体的には、ＥＭＣ対策部材が使用される温度範囲で１×１０7 Ｐａ以上のものが好ましい。所望のせん断弾性率にするためには、磁性体の物理的蒸着の後に結合剤を架橋することが好ましい。この点においては、結合剤として、蒸着時に低弾性率であり、蒸着後に架橋して弾性率をあげることができることから、熱硬化性樹脂、エネルギー線（紫外線、電子線）硬化性樹脂が好適である。 The binder 2 is preferably one having a high shear elastic modulus after physical vapor deposition of the magnetic material from the viewpoint of maintaining the above-described heterostructure and maintaining the effect of suppressing conduction noise. By increasing the shear modulus of the binder 2 after physical vapor deposition of the magnetic material, it is possible to reliably prevent the nanometer-level magnetic material atoms or clusters from aggregating and crystallizing to grow into fine particles. Specifically, the thing of 1 * 10 < 7 > Pa or more is preferable in the temperature range where EMC countermeasure member is used. In order to obtain a desired shear modulus, it is preferable to crosslink the binder after physical vapor deposition of the magnetic material. In this respect, as the binder, a thermosetting resin and an energy ray (ultraviolet ray, electron beam) curable resin are preferable because they have a low elastic modulus during vapor deposition and can be cross-linked after vapor deposition to increase the elastic modulus. is there.

プラズマ化またはイオン化された磁性体原子、あるいは電磁波吸収材３が、結合剤と一部反応し、安定化するように、結合剤中にシランカップリング剤、シラン、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、極性樹脂オリゴマーなどを配合してもよい。このような添加剤を配合することにより、磁性体の酸化防止のほか、蒸着した磁性体原子の凝集によるところの均質膜の形成を防止して、均質膜による伝導ノイズの反射を防止し、吸収特性を改善することができる。   In the binder, silane coupling agent, silane, titanate coupling agent, aluminate so that the plasma atomized or ionized magnetic material or electromagnetic wave absorber 3 partially reacts with the binder and stabilizes. A coupling agent, a nonionic surfactant, a polar resin oligomer, and the like may be blended. By adding such additives, in addition to preventing oxidation of the magnetic material, it prevents the formation of a homogeneous film due to agglomeration of the deposited magnetic material atoms, prevents reflection of conduction noise by the homogeneous film, and absorbs it. The characteristics can be improved.

結合剤２に補強フィラー、難燃剤、難燃助剤、老化防止剤、酸化防止剤、着色剤、可塑剤、滑剤、耐熱向上剤等を適宜添加しても構わない。このほか、磁性体を蒸着後、さらに酸化ケイ素または窒化ケイ素の蒸着を施して、対環境特性を改善することも可能である。   A reinforcing filler, a flame retardant, a flame retardant aid, an anti-aging agent, an antioxidant, a colorant, a plasticizer, a lubricant, a heat improver and the like may be appropriately added to the binder 2. In addition, it is also possible to improve the environmental characteristics by depositing a silicon oxide or silicon nitride after the magnetic material is deposited.

（電磁波吸収材）
本発明における電磁波吸収材３としては、カーボン、黒鉛等の粒子状または繊維状の導電性材料；金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体等の磁性体粒子が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。電磁波吸収材３としては、数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波域で電気抵抗が高いため、渦電流による電磁波ノイズの反射が抑えられ、大きな磁気損失、すなわち虚数部透磁率μ”を有している点で、金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体等の磁性体粒子が好ましい。 (Electromagnetic wave absorber)
Examples of the electromagnetic wave absorbing material 3 in the present invention include particulate or fibrous conductive materials such as carbon and graphite; magnetic particles such as metal-based soft magnetic materials, oxide-based magnetic materials, and nitride-based magnetic materials. . These may be used alone or in combination of two or more. The electromagnetic wave absorbing material 3 has a high electric resistance in a high frequency range of several hundred MHz to several GHz, so that reflection of electromagnetic wave noise due to eddy current is suppressed and has a large magnetic loss, that is, an imaginary part permeability μ ″. In view of this, magnetic particles such as metal-based soft magnetic materials, oxide-based magnetic materials, and nitride-based magnetic materials are preferable.

磁性体粒子の形状としては、扁平状、針状、球状が挙げられ、放射ノイズ抑制効果が良好なことから扁平状の磁性体粒子が好ましい。なお、扁平状の磁性体粒子を使用する場合には、磁性体粒子の充填量が少なくなりやすいため、球状の磁性体粒子を併用してもよい。
扁平状の磁性体粒子の平均粒子径は、０．５〜１００μｍが好ましく、アスペクト比は２〜８０が好ましい。平均粒子径が０．５μｍ未満の場合は、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となる場合がある。平均粒子径が１００μｍを超えると、ＥＭＣ対策部材の表面から磁性体粒子の一部が露出してしまい、この結果、伝導ノイズ抑制効果が損なわれるおそれがある。 Examples of the shape of the magnetic particles include a flat shape, a needle shape, and a spherical shape, and flat magnetic particles are preferable because they have a good radiation noise suppressing effect. When flat magnetic particles are used, since the filling amount of the magnetic particles tends to decrease, spherical magnetic particles may be used in combination.
The average particle diameter of the flat magnetic particles is preferably 0.5 to 100 μm, and the aspect ratio is preferably 2 to 80. When the average particle size is less than 0.5 μm, the specific surface area of the particles becomes too large and it may be difficult to achieve high packing. When the average particle diameter exceeds 100 μm, part of the magnetic particles is exposed from the surface of the EMC countermeasure member, and as a result, the conduction noise suppressing effect may be impaired.

球状の磁性体粒子の平均粒子径は、０．５〜１００μｍが好ましい。平均粒子径が０．５μｍ未満の場合は、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となる場合がある。平均粒子径が１００μｍを超えると、ＥＭＣ対策部材の表面から磁性体粒子の一部が露出してしまい、この結果、伝導ノイズ抑制効果が損なわれるおそれがある。   The average particle diameter of the spherical magnetic particles is preferably 0.5 to 100 μm. When the average particle size is less than 0.5 μm, the specific surface area of the particles becomes too large and it may be difficult to achieve high packing. When the average particle diameter exceeds 100 μm, part of the magnetic particles is exposed from the surface of the EMC countermeasure member, and as a result, the conduction noise suppressing effect may be impaired.

金属系軟磁性体としては、鉄、カルボニル鉄、およびＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金が具体的に挙げられる。これら金属系軟磁性体は、１種類を単独で用いてもよし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。鉄および鉄合金のほかに、コバルト、ニッケル等の金属またはそれらの合金を用いてもよい。   Metallic soft magnetic materials include iron, carbonyl iron, and Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Cr, Fe-Si, Fe-Al, Fe-Cr-Si, Fe-Cr-Al, Fe-Al- Specific examples include iron alloys such as Si and Fe—Pt. These metallic soft magnetic materials may be used alone or in combination of two or more. In addition to iron and iron alloys, metals such as cobalt and nickel, or alloys thereof may be used.

酸化物系磁性体としては、フェライト等が挙げられる。その具体例としては、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＣｕＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライト、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｎｉ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｇ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｕ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41等が挙げられる。これらフェライトは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the oxide-based magnetic material include ferrite. Specific examples thereof include MnFe 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CuFe 2 O 4 , ZnFe 2 O 4 , MgFe 2 O 4 , Fe 3 O 4 , Cu—Zn-ferrite, Ni—Zn. - ferrite, Mn-Zn- ferrite, Ba 2 Co 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Ni 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Zn 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Mn 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Zn 2 Fe Examples thereof include 12 O 22 , Ba 2 Mn 2 Fe 12 O 22 , Ba 2 Mg 2 Fe 12 O 22 , Ba 2 Cu 2 Fe 12 O 22 , Ba 2 Co 2 Fe 24 O 41 and the like. One type of these ferrites may be used alone, or two or more types may be used in combination.

窒化物系磁性体としては、Ｆｅ2Ｎ、Ｆｅ3Ｎ、Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ16Ｎ2等が具体的に挙げられる。これら窒化物系軟磁性体は透磁率が高く、耐食性に優れるため、好適である。 Specific examples of the nitride-based magnetic material include Fe 2 N, Fe 3 N, Fe 4 N, and Fe 16 N 2 . These nitride-based soft magnetic materials are suitable because of their high magnetic permeability and excellent corrosion resistance.

電磁波吸収材３の配合量は、結合剤２、電磁波吸収材３の種類により異なるが、結合剤１００質量部に対して５０質量部〜２０００質量部、好ましくは２００質量部〜１５００質量部である。電磁波吸収材３の配合量が５０質量部未満の場合は、ＥＭＣ対策部材の放射ノイズ抑制効果が十分でなくなるおそれがある。電磁波吸収材３の配合量が２０００質量部を超えると、ＥＭＣ対策部材の成形が困難となると共に、得られたＥＭＣ対策部材は柔軟性が失われ、硬く脆いものとなってしまう。
電磁波吸収材３には、結合剤と安定化させるために、シランカップリング剤、シラン、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、極性樹脂オリゴマーなどを、本発明の効果を損なわない程度に配合してもよい。 The blending amount of the electromagnetic wave absorber 3 varies depending on the types of the binder 2 and the electromagnetic wave absorber 3, but is 50 parts by mass to 2000 parts by mass, preferably 200 parts by mass to 1500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder. . When the blending amount of the electromagnetic wave absorbing material 3 is less than 50 parts by mass, the radiation noise suppressing effect of the EMC countermeasure member may not be sufficient. When the blending amount of the electromagnetic wave absorbing material 3 exceeds 2000 parts by mass, it becomes difficult to mold the EMC countermeasure member, and the obtained EMC countermeasure member loses flexibility and becomes hard and brittle.
The electromagnetic wave absorbing material 3 includes a silane coupling agent, a silane, a titanate coupling agent, an aluminate coupling agent, a nonionic surfactant, a polar resin oligomer, etc., in order to stabilize the binder. You may mix | blend to the grade which does not impair the effect of.

（磁性体）
本発明における磁性体は、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選ばれる１つ以上の元素を含有する金属系軟磁性体であることが好ましい。これらは、物理的蒸着によって結合剤上に蒸着されるため、通常、矩形あるいは円形状のターゲットとして用いられ、その純度は９９〜９９．９９９％のものが用いられる。磁性体が、酸化物系の磁性体などの、結晶性によりその磁性体の特性が出るものであると、その理由は定かではないが、先の結合剤との一体化によりその結晶性がくずれ性能が発揮されないものと思われ、十分な伝導ノイズ抑制機能を有しない。上記した金属系軟磁性体は、結合剤との一体化により形成されたナノメーターレベルのヘテロ構造が形成され、伝導ノイズ抑制効果が発揮されるものと思われる。 (Magnetic material)
The magnetic material in the present invention is preferably a metallic soft magnetic material containing one or more elements selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel. Since these are deposited on the binder by physical vapor deposition, they are usually used as rectangular or circular targets with a purity of 99 to 99.999%. If the magnetic material is an oxide-based magnetic material that exhibits the characteristics of the magnetic material due to crystallinity, the reason for this is not clear, but the crystallinity of the magnetic material is destroyed by integration with the binder. It seems that performance is not exhibited and does not have a sufficient conduction noise suppression function. The metal-based soft magnetic material described above is believed to form a nanometer-level heterostructure formed by integration with a binder, and exhibit a conduction noise suppression effect.

＜ＥＭＣ対策部材の製造方法＞
以下、ＥＭＣ対策部材１の製造方法について説明する。
ＥＭＣ対策部材１の製造方法は、結合剤２および電磁波吸収材３を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材３が存在しないスキン層４を表面に有する放射ノイズ抑制層５を製造する基体製造工程と；放射ノイズ抑制層５のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させて、放射ノイズ抑制層５の表面に伝導ノイズ抑制層６を形成する蒸着工程とを有する方法である。 <Method for manufacturing EMC countermeasure member>
Hereinafter, the manufacturing method of the EMC countermeasure member 1 is demonstrated.
The EMC countermeasure member 1 is manufactured by forming an electromagnetic wave absorbing composition containing a binder 2 and an electromagnetic wave absorbing material 3 and forming a radiation noise suppressing layer 5 having a skin layer 4 on the surface of which no electromagnetic wave absorbing material 3 exists. A substrate manufacturing process to be manufactured; and a vapor deposition process in which a magnetic material is physically vapor-deposited on the skin layer 4 of the radiation noise suppression layer 5 to form a conduction noise suppression layer 6 on the surface of the radiation noise suppression layer 5. .

（基体製造工程）
電磁波吸収性組成物の調製には、一般的な混練方法を用いることができる。例えば、結合剤２に電磁波吸収材３を添加してミキシングロール、ニーダー、バンバリーミキサー、プラネタリーミキサー等で混合、分散させる方法；結合剤２が溶剤に可溶であれば、溶剤に溶解した結合剤２溶液中に電磁波吸収材３を添加して、プロペラ攪拌機にて混合、分散し、乾燥させる方法等がある。 (Substrate manufacturing process)
A general kneading method can be used for the preparation of the electromagnetic wave absorbing composition. For example, a method of adding the electromagnetic wave absorbing material 3 to the binder 2 and mixing and dispersing with a mixing roll, kneader, Banbury mixer, planetary mixer, etc .; if the binder 2 is soluble in the solvent, the bond dissolved in the solvent There is a method of adding the electromagnetic wave absorbing material 3 to the solution of the agent 2 and mixing, dispersing and drying with a propeller stirrer.

スキン層４を有する放射ノイズ抑制層５を製造する方法としては、カレンダー成形、押出成形、射出成形、プレス成形等を用いることができる。スキン層４は、例えば、次のようにして成形される。離型性の良い金型内に、電磁波吸収材３を加えた結合剤２をトランスファー成形し、結合剤２の粘度を低下させ、結合剤２に流動性を持たせて、結合剤２を型内に充填させ、硬化または固化させる。結合剤２の流動により電磁波吸収材３も移動するが、型の面には結合剤２が接することとなるため、スキン層４が形成される。その後、結合剤２と型との界面において剥離することにより、スキン層４を有した放射ノイズ抑制層５を得ることができる。ここで、電磁波吸収材３が放射ノイズ抑制層５の表面から露出しないように成形することが肝要である。例えば、成形後の放射ノイズ抑制層５を冶具によって切削、スライス加工して得られた放射ノイズ抑制層５は、電磁波吸収材３が放射ノイズ抑制層５表面に露出してしまう、または、電磁波吸収材３自体が切削、スライスされてしまうと、伝導ノイズ抑制層６が均一に形成されなくなる。   As a method of manufacturing the radiation noise suppression layer 5 having the skin layer 4, calendar molding, extrusion molding, injection molding, press molding, or the like can be used. The skin layer 4 is formed as follows, for example. In a mold having good releasability, the binder 2 to which the electromagnetic wave absorbing material 3 is added is transfer molded, the viscosity of the binder 2 is lowered, and the binder 2 is made fluid so that the binder 2 is molded. It is filled in and cured or solidified. Although the electromagnetic wave absorbing material 3 is also moved by the flow of the binder 2, the skin layer 4 is formed because the binder 2 comes into contact with the mold surface. Then, the radiation noise suppression layer 5 having the skin layer 4 can be obtained by peeling at the interface between the binder 2 and the mold. Here, it is important to mold the electromagnetic wave absorber 3 so as not to be exposed from the surface of the radiation noise suppression layer 5. For example, the radiation noise suppression layer 5 obtained by cutting and slicing the molded radiation noise suppression layer 5 with a jig has the electromagnetic wave absorbing material 3 exposed on the surface of the radiation noise suppression layer 5 or electromagnetic wave absorption. If the material 3 itself is cut and sliced, the conduction noise suppression layer 6 is not formed uniformly.

（蒸着工程）
まず、物理的蒸着法（ＰＶＤ）の一般的な説明を行う。
物理的蒸着法は、一般に、真空にした容器の中で蒸発材料を何らかの方法で気化させ、気化した蒸発材料を近傍に置いた基板上に堆積させて薄膜を形成する方法であり、蒸発物質の気化方法の違いで、蒸発系とスパッタリング系に分けられる。蒸発系としては、ＥＢ蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられ、スパッタリング系としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングなどが挙げられる。 (Deposition process)
First, a general description of physical vapor deposition (PVD) will be given.
In general, the physical vapor deposition method is a method in which a vaporized material is vaporized by some method in a vacuumed container, and the vaporized vaporized material is deposited on a substrate placed nearby to form a thin film. Depending on the vaporization method, it can be divided into an evaporation system and a sputtering system. Examples of the evaporation system include EB vapor deposition and ion plating. Examples of the sputtering system include high-frequency sputtering, magnetron sputtering, and counter target type magnetron sputtering.

ＥＢ蒸着は蒸発粒子のエネルギーが１ｅＶと小さいので、基板のダメージが少なく、膜がポーラスになりやすく膜強度が不足する傾向があるが、膜の固有抵抗は高くなるという特徴がある。   In EB vapor deposition, since the energy of the evaporated particles is as small as 1 eV, the substrate is less damaged and the film tends to be porous and the film strength tends to be insufficient, but the specific resistance of the film is increased.

イオンプレーティングによれば、アルゴンガスおよび蒸発粒子のイオンは加速されて基板に衝突するため、ＥＢよりエネルギーが大きく、粒子エネルギーは１ＫｅＶほどになり、付着力の強い膜を得ることはできるものの、ドロッププレットと呼んでいるミクロサイズの粒子の付着を避けることができず、放電が停止してしまうおそれがある。   According to the ion plating, the argon gas and the ions of the evaporated particles are accelerated and collide with the substrate. Therefore, the energy is larger than that of EB, the particle energy is about 1 KeV, and a film having strong adhesion can be obtained. The adhesion of micro-sized particles called droplets cannot be avoided, and there is a possibility that the discharge stops.

マグネトロンスパッタリングは、ターゲット（蒸発材料）の利用効率が低いものの、磁界の影響で強いプラズマが発生するため成長速度が速く、粒子エネルギーは数十ｅＶと高い特徴となる。高周波スパッタリングでは絶縁性ターゲットを使用することもできる。   Magnetron sputtering has a low utilization efficiency of the target (evaporation material), but a strong plasma is generated under the influence of a magnetic field, so that the growth rate is fast and the particle energy is as high as several tens of eV. In the high frequency sputtering, an insulating target can be used.

マグネトロンスパッタリングのうち、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングは、対向するターゲット間でプラズマを発生させ、磁界によりプラズマを封じ込め、対向するターゲット間の外に基板を置き、プラズマダメージを受けることなく所望の薄膜を生成する方法である。そのため、基板上の薄膜を再スパッタリングすることなく、成長速度がさらに速く、スパッタリングされた原子が衝突緩和することなく、緻密なターゲット組成物と同じ組成のものを生成することができる。   Among magnetron sputtering, opposed target type magnetron sputtering generates plasma between opposing targets, encloses the plasma by a magnetic field, and places the substrate outside between opposing targets, producing the desired thin film without being damaged by plasma. It is a method to do. Therefore, it is possible to produce a dense target composition having the same composition as the target composition without resputtering the thin film on the substrate, with a higher growth rate, and without causing collisional relaxation of the sputtered atoms.

以上の物理的蒸着法の中でも、本発明のＥＭＣ対策部材の製造方法においては、次の理由から、イオンプレーティング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングが好ましく、特に対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングが好適である。   Among the physical vapor deposition methods described above, in the method for producing an EMC countermeasure member of the present invention, ion plating, magnetron sputtering, and counter target type magnetron sputtering are preferable, and counter target type magnetron sputtering is particularly preferable for the following reasons. is there.

結合剤２が有機高分子からなる場合は、有機高分子における共有結合エネルギーは約４ｅＶであり、具体的にいえば、Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーはそれぞれ３．６ｅＶ、４．３ｅＶ、４．６ｅＶ、３．３ｅＶである。これに対して、イオンプレーティング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングでは、蒸発粒子は高いエネルギーを持っているので、樹脂の一部の化学結合を切断し、衝突することが考えられる。   When the binder 2 is made of an organic polymer, the covalent bond energy in the organic polymer is about 4 eV. Specifically, the bond energy of C—C, C—H, Si—O, and Si—C is These are 3.6 eV, 4.3 eV, 4.6 eV, and 3.3 eV, respectively. On the other hand, in ion plating, magnetron sputtering, and opposed target type magnetron sputtering, since the evaporated particles have high energy, it is considered that some chemical bonds of the resin are broken and collide with each other.

したがって、本発明においては、有機高分子からなる結合剤２の弾性率が十分小さいと、磁性体を蒸着させた際、有機高分子が振動、運動し、ある場合は切断され、磁性体原子と有機高分子との局部的なミキシング作用が生じて、磁性体原子は結合剤２表面から最大３μｍ程度まで進入し、有機高分子等とインターラクションを生じ、均質的な磁性体膜ではなく、ナノメーターレベルのヘテロ構造を有した伝導ノイズ抑制層６が形成されると考えられる。   Therefore, in the present invention, if the elastic modulus of the binder 2 made of an organic polymer is sufficiently small, when the magnetic material is deposited, the organic polymer vibrates and moves. A local mixing action with the organic polymer occurs, and the magnetic atoms enter up to about 3 μm from the surface of the binder 2, interacting with the organic polymer and the like, not a homogeneous magnetic film, but a nano film. It is considered that the conduction noise suppressing layer 6 having a meter level heterostructure is formed.

粒子エネルギーが５ｅＶ以上である磁性体原子を結合剤２上に物理的に蒸着させると、一度に大量の磁性体を結合剤２中に分散させることができるので好ましい。すなわち、一度の蒸着で磁性体の質量を稼ぐことができることから、伝導ノイズ抑制効率の大きなＥＭＣ対策部材を容易に得ることができる。蒸着速度は、結合剤２の振動および運動の速度が粒子速度と比較して遅いことから、結合剤の緩和のタイミングにあわせるように小さいほうが好ましく、磁性体により異なるがおよそ６０ｎｍ／分に抑えることが好ましい。   It is preferable to physically deposit magnetic substance atoms having a particle energy of 5 eV or more on the binder 2 because a large amount of the magnetic substance can be dispersed in the binder 2 at one time. That is, since the mass of the magnetic material can be obtained by a single vapor deposition, an EMC countermeasure member having a large conduction noise suppression efficiency can be easily obtained. Since the rate of vibration and movement of the binder 2 is slower than the particle velocity, the deposition rate is preferably small so as to match the timing of relaxation of the binder, and should be suppressed to about 60 nm / min depending on the magnetic substance. Is preferred.

蒸着工程において蒸発材料（ターゲット）として用いられる磁性体としては、金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体が主に用いられる。これらは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
磁性体としては、電磁波吸収材３として挙げられたものと同等の磁性体を用いることができる。なお、酸化物系磁性体および窒化物系磁性体のようなセラミックスは、その結晶構造がもたらす結晶異方性が優れた磁気特性をもたらすが、物理的蒸着によって前記結合剤に分散させると、十分な結晶構造をとることができない。また、再結晶化のための加温は、結合剤が有機高分子からなる場合、十分な耐熱温度を有していないため十分に行うことができず、また、加温と同時に結晶の土台となる結合剤の運動が活発化することから適切に結晶成長できないことがある。このため、蒸着工程で用いられる磁性体は、鉄、コバルト、ニッケルのいずれか１つ以上の元素を含む金属系軟磁性体が好ましい。 As the magnetic material used as the evaporation material (target) in the vapor deposition process, a metal-based soft magnetic material, an oxide-based magnetic material, and a nitride-based magnetic material are mainly used. These may be used alone or in combination of two or more.
As the magnetic body, a magnetic body equivalent to that cited as the electromagnetic wave absorbing material 3 can be used. Ceramics such as oxide-based magnetic materials and nitride-based magnetic materials have excellent crystal anisotropy due to their crystal structures. However, when dispersed in the binder by physical vapor deposition, they are sufficient. Cannot take a crystal structure. In addition, when the binder is made of an organic polymer, heating for recrystallization cannot be performed sufficiently because it does not have a sufficient heat-resistant temperature. Since the movement of the binder becomes active, there are cases where the crystal cannot be properly grown. For this reason, the magnetic material used in the vapor deposition step is preferably a metallic soft magnetic material containing one or more elements of iron, cobalt, and nickel.

金属系軟磁性体としては、鉄、カルボニル鉄；Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金；コバルト、ニッケル、またはこれらの合金等が挙げられる。ニッケルは単独で用いた方が、酸化に対して抵抗力があるので好ましい。
なお、結合剤２に磁性体を蒸着させる際には、磁性体はプラズマ化またはイオン化された磁性体原子として結合剤２中に入り込むので、結合剤２中に微分散された磁性体の組成は、蒸着材料として用いた磁性体の組成比と必ずしも同一であるとは限らない。また、結合剤２の一部と反応し、強磁性体が常磁性体または反強磁性体になるなどの変化が生じる場合もある。 Metallic soft magnetic materials include iron, carbonyl iron; Fe—Ni, Fe—Co, Fe—Cr, Fe—Si, Fe—Al, Fe—Cr—Si, Fe—Cr—Al, Fe—Al—Si. , Fe-Pt, and the like; cobalt, nickel, and alloys thereof. It is preferable to use nickel alone because it is resistant to oxidation.
When the magnetic material is vapor-deposited on the binder 2, the magnetic material enters the binder 2 as plasma or ionized magnetic atoms, so the composition of the magnetic material finely dispersed in the binder 2 is as follows. The composition ratio of the magnetic material used as the vapor deposition material is not necessarily the same. Moreover, it may react with a part of the binder 2 to cause a change such that the ferromagnetic material becomes a paramagnetic material or an antiferromagnetic material.

一回の物理的蒸着操作による磁性体の蒸着質量は、磁性体単品の膜厚換算値で２００ｎｍ以下が好ましい。これより厚いと、結合剤２が磁性体を包括する能力に達し、磁性体が結合剤２に分散できずに表面に堆積し、導通性を有する連続したバルクの均質膜が生成してしまう。それゆえ、磁性体の蒸着質量は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。一方、伝導ノイズ抑制効果の点からは、磁性体の蒸着膜厚は０．５ｎｍ以上であることが好ましい。
ここで、蒸着質量は、ガラス、シリコン等の硬質基板上に同条件で磁性体を蒸着し、堆積した厚さを測定することによって求められる。
蒸着工程において用いられる放射ノイズ抑制層５の厚さは、特に限定しないが、コンパクトなＥＭＣ対策部材とするには薄いことが好ましい。 The vapor deposition mass of the magnetic material by one physical vapor deposition operation is preferably 200 nm or less in terms of the thickness of the single magnetic material. If the thickness is larger than this, the binder 2 reaches the ability to include the magnetic substance, and the magnetic substance cannot be dispersed in the binder 2 but is deposited on the surface, and a continuous bulk homogeneous film having conductivity is generated. Therefore, the vapor deposition mass of the magnetic material is preferably 100 nm or less, and more preferably 50 nm or less. On the other hand, from the viewpoint of the conduction noise suppression effect, the vapor deposition film thickness of the magnetic material is preferably 0.5 nm or more.
Here, the vapor deposition mass is obtained by vapor-depositing a magnetic material on a hard substrate such as glass or silicon under the same conditions and measuring the deposited thickness.
Although the thickness of the radiation noise suppression layer 5 used in the vapor deposition process is not particularly limited, it is preferably thin for a compact EMC countermeasure member.

＜ＥＭＣ対策方法＞
図６は、伝導ノイズ抑制層６と、伝導ノイズ抑制効果を測定するマイクロストリップ回路との隔置距離による１ＧＨｚでのロス電力比の影響を示すものである。具体的には、伝導ノイズ抑制層６と、伝導ノイズ抑制効果を測定するマイクロストリップ回路との間に、ポリエチレンテレフタレートフィルムを介在させ、隔置させてＳパラメータ法によるＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を測定した結果である。これによると、伝導ノイズ抑制層６と、伝導ノイズ抑制効果を測定するマイクロストリップ回路との距離が離れるにしたがい、ロス電力比は小さくなり、０．２ｍｍで０．４強、０．４ｍｍで０．３強、０．８ｍｍで０．２強となっている。この結果より、配線回路の導体と伝導ノイズ抑制層６との距離が０．８ｍｍ以下、好ましくは０．４ｍｍ以下、さらに好ましくは０．２ｍｍ以下に接近するように、ＥＭＣ対策部材１を配線回路近傍に配置することが好ましい。伝導ノイズ抑制層６は、配線回路の導体と電磁気的に結合し、配線回路間のクロストークを、または特性インピーダンスの不整合を低減し、不要な輻射を抑え、放射ノイズの発生を抑制することができる。また、漏洩したあるいは遠方からの放射ノイズは、放射ノイズ抑制層５により減衰され、優れたＥＭＣ対策効果が発揮される。ここで、「伝導ノイズ抑制層６が配線回路の導体と電磁気的に結合する」とは、伝導ノイズ抑制層６が配線回路の導体と絶縁隔置されていても、配線回路に流れる電流に基づく磁界と電界は、伝導ノイズ抑制層６に作用し、影響を与えるということを意味する。 <EMC countermeasure method>
FIG. 6 shows the influence of the loss power ratio at 1 GHz depending on the separation distance between the conduction noise suppression layer 6 and the microstrip circuit for measuring the conduction noise suppression effect. More specifically, a polyethylene terephthalate film is interposed between the conduction noise suppression layer 6 and the microstrip circuit for measuring the conduction noise suppression effect, and separated by S 11 (reflection attenuation amount) and S 11 by the S parameter method. It is the result of measuring S 21 (transmission attenuation). According to this, as the distance between the conduction noise suppression layer 6 and the microstrip circuit for measuring the conduction noise suppression effect increases, the loss power ratio becomes smaller, being slightly over 0.4 at 0.2 mm and 0 at 0.4 mm. .3, 0.8mm and 0.2. From this result, the EMC countermeasure member 1 is arranged so that the distance between the conductor of the wiring circuit and the conduction noise suppression layer 6 approaches 0.8 mm or less, preferably 0.4 mm or less, more preferably 0.2 mm or less. It is preferable to arrange in the vicinity. The conduction noise suppression layer 6 is electromagnetically coupled to the conductor of the wiring circuit, reduces crosstalk between the wiring circuits or characteristic impedance mismatch, suppresses unnecessary radiation, and suppresses generation of radiation noise. Can do. In addition, leaked or distant radiation noise is attenuated by the radiation noise suppression layer 5, and an excellent EMC countermeasure effect is exhibited. Here, “the conduction noise suppression layer 6 is electromagnetically coupled to the conductor of the wiring circuit” is based on the current flowing through the wiring circuit even if the conduction noise suppression layer 6 is insulated from the conductor of the wiring circuit. It means that the magnetic field and the electric field act on and affect the conduction noise suppression layer 6.

図７は、半導体パッケージ３２、チップ部品３３等の電子部品、および配線回路３４を搭載したプリント基板３１に、ＥＭＣ対策部材１を配置した一例を示す図である。伝導ノイズ抑制層６が電子部品内部の配線回路（図示せず）の導体およびプリント基板３１上の配線回路３４と電磁気的に結合するように、電子部品および回路基板３４にＥＭＣ対策部材１を密着させて使用する。ＩＣなどはチップ上の配線回路がパッケージにより保護されているが、伝導ノイズ抑制層６を配線回路近傍に近接できるように、必要以上のパッケージ厚みにすることは避ける必要がある。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which the EMC countermeasure member 1 is arranged on the printed circuit board 31 on which the electronic components such as the semiconductor package 32 and the chip component 33 and the wiring circuit 34 are mounted. The EMC countermeasure member 1 is closely attached to the electronic component and the circuit board 34 so that the conduction noise suppression layer 6 is electromagnetically coupled to the conductor of the wiring circuit (not shown) inside the electronic component and the wiring circuit 34 on the printed board 31. Let it be used. In the IC or the like, the wiring circuit on the chip is protected by the package. However, it is necessary to avoid making the package thickness more than necessary so that the conduction noise suppression layer 6 can be close to the wiring circuit.

ＥＭＣ対策部材１を電磁波ノイズ発生源上に配設する場合、放射ノイズ抑制層５側または伝導ノイズ抑制層６側のどちらを電磁波ノイズ発生源に向けても構わない。好ましくは放射ノイズ抑制層６側を電磁波ノイズ発生源に向けた方が、伝導ノイズ抑制効果は変わらぬまま、伝導ノイズ抑制層６の磁性体と電磁波吸収材３との相乗効果により、内部減結合率が増大し、特に放射ノイズ抑制機能に優れ、ＥＭＣ対策を施すことができるため好ましい。この場合は、伝導ノイズ抑制層６と電磁波ノイズ発生源である配線回路との距離は、放射ノイズ抑制層５の厚み分だけ離れるが、放射ノイズ抑制層５と伝導ノイズ抑制層６との結合により、実質的に離れたことにはならず、伝導ノイズ抑制効果は変わらないものと思われる。本発明でいう配線回路の導体と伝導ノイズ抑制層６との距離は、放射ノイズ抑制層５の厚みを含まないものとする。   When the EMC countermeasure member 1 is disposed on the electromagnetic noise generation source, either the radiation noise suppression layer 5 side or the conduction noise suppression layer 6 side may be directed to the electromagnetic noise generation source. Preferably, when the radiation noise suppression layer 6 side is directed to the electromagnetic noise generation source, the internal noise is reduced due to the synergistic effect of the magnetic substance of the conduction noise suppression layer 6 and the electromagnetic wave absorber 3 while the conductive noise suppression effect remains unchanged. This is preferable because the rate is increased, the radiation noise suppressing function is particularly excellent, and EMC measures can be taken. In this case, the distance between the conduction noise suppression layer 6 and the wiring circuit that is an electromagnetic noise generation source is separated by the thickness of the radiation noise suppression layer 5, but due to the coupling between the radiation noise suppression layer 5 and the conduction noise suppression layer 6. It is considered that the effect of suppressing conduction noise is not changed. The distance between the conductor of the wiring circuit and the conduction noise suppression layer 6 referred to in the present invention does not include the thickness of the radiation noise suppression layer 5.

（作用）
以上説明したＥＭＣ対策部材１にあっては、理論的には完全に明らかになっていないが、結合剤２に原子状態の磁性体が分散して、結合剤２と磁性体とが一体化された伝導ノイズ抑制層６が形成されているので、少ない磁性体であっても、そのナノメーターレベルのヘテロ構造に由来する量子効果、材料固有の磁気異方性・形状異方性、外部磁界による異方性等の影響で、高い共鳴周波数体を持つ。これにより、優れた磁気特性を発揮し、少ない磁性体であっても、高い周波数帯域において、伝導ノイズ抑制効果を発揮することができる。 (Function)
The above-described EMC countermeasure member 1 is not completely clarified theoretically, but the magnetic substance in an atomic state is dispersed in the binder 2 so that the binder 2 and the magnetic substance are integrated. Since the conductive noise suppression layer 6 is formed, even with a small amount of magnetic material, the quantum effect derived from the heterostructure at the nanometer level, the magnetic anisotropy / shape anisotropy inherent to the material, and the external magnetic field It has a high resonance frequency body due to anisotropy and the like. Thereby, excellent magnetic characteristics can be exhibited, and even with a small amount of magnetic material, a conduction noise suppression effect can be exhibited in a high frequency band.

また、放射ノイズ抑制層５の結合剤２に電磁波吸収材３を充填することにより、渦電流による電磁波の反射が抑えられ、優れた放射ノイズ抑制効果を発揮することができる。
また、パッケージに保護されている電子部品内の配線回路またはプリント基板上の配線回路に、伝導ノイズ抑制層６を電磁気的に結合させることにより、輻射する前に伝導ノイズを抑制することができ、さらに物理的蒸着された磁性体と電磁波吸収材３との相乗効果により、内部減結合率が増大し、放射ノイズ抑制機能が向上する。 Further, by filling the binder 2 of the radiation noise suppression layer 5 with the electromagnetic wave absorber 3, reflection of electromagnetic waves due to eddy currents can be suppressed, and an excellent radiation noise suppression effect can be exhibited.
Moreover, by electrically coupling the conduction noise suppression layer 6 to the wiring circuit in the electronic component protected by the package or the wiring circuit on the printed board, the conduction noise can be suppressed before radiating, Furthermore, due to the synergistic effect of the physically vapor-deposited magnetic material and the electromagnetic wave absorbing material 3, the internal decoupling rate is increased and the radiation noise suppressing function is improved.

以下、実施例を示す。
（評価）
断面観察：
（株）日立製作所製、透過型電子顕微鏡Ｈ９０００ＮＡＲを用いた。
せん断弾性率：
せん断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、せん断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した。
伝導ノイズ抑制効果：
キーコム（株）製、近傍界用電磁波吸収材料測定装置を用いて、Ｓパラメーター法によるＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を測定した。また、ロス電力比を評価した。ネットワークアナライザーとしては、アンリツ（株）製、ベクトルネットワークアナライザー３７２４７Ｃを用い、５０Ωのインピーダンスを持つマイクロストリップラインのテストフィクチャーとしては、キーコム（株）製、ＴＦ−３Ａを用いた。 Examples are shown below.
(Evaluation)
Cross-sectional observation:
A transmission electron microscope H9000NAR manufactured by Hitachi, Ltd. was used.
Shear modulus:
The shear modulus was measured using a solid analyzer RSA-II manufactured by Rheometric Scientific as a viscoelastic modulus measuring apparatus in a shear mode under a measurement frequency of 1 Hz.
Conductive noise suppression effect:
S 11 (reflection attenuation amount) and S 21 (transmission attenuation amount) by the S-parameter method were measured using a near-field electromagnetic wave absorption material measuring device manufactured by Keycom Corporation. Moreover, the loss power ratio was evaluated. As a network analyzer, a vector network analyzer 37247C manufactured by Anritsu Co., Ltd. was used, and as a test fixture of a microstrip line having an impedance of 50Ω, TF-3A manufactured by Keycom Co., Ltd. was used.

放射ノイズ抑制効果：
図８に示すように、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１（キーコム（株）製、直径５ｍｍのマイクロループアンテナ）および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２（日本電気真空硝子社製、磁界プローブＣＰ−２Ｓ）を、スペクトラムアナライザ４３（（株）アドバンテスト製、商品名：Ｒ３１３２）に接続し、ＥＭＣ対策部材のテストシート４４を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２をアンテナ間の最小間隔が２ｍｍとなるように配置し、ＥＭＣ対策部材の相互減結合率を測定した。 Radiation noise suppression effect:
As shown in FIG. 8, an electromagnetic wave transmitting micro loop antenna 41 (manufactured by Keycom Corporation, 5 mm diameter micro loop antenna) and an electromagnetic wave receiving micro loop antenna 42 (manufactured by NEC Vacuum Glass, Inc., magnetic field probe CP-2S) Are connected to a spectrum analyzer 43 (trade name: R3132, manufactured by Advantest Co., Ltd.), and the electromagnetic wave transmitting micro loop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving micro loop antenna 42 are connected between the antennas so as to sandwich the test sheet 44 of the EMC countermeasure member. The minimum spacing of 2 mm was disposed, and the mutual decoupling rate of the EMC countermeasure members was measured.

また、図９に示すように、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２をアンテナ間の間隔が１ｍｍとなるようにテストシート４３の表面の同じ側に、テストシート４４から１００μｍの間隔をあけて対向配置し、ＥＭＣ対策部材の内部減結合率を測定した。   Further, as shown in FIG. 9, the electromagnetic wave transmitting micro-loop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving micro-loop antenna 42 are placed on the same side of the surface of the test sheet 43 so that the distance between the antennas is 1 mm. The internal decoupling rate of the EMC countermeasure member was measured with an interval of.

（実施例１）
シリコーンゴム（ビニル基含有ジメチルポリシロキサン）１００質量部に、扁平状のＦｅ−Ｃｒ系軟磁性金属（平均粒子径：２０μｍ、アスペクト比：１９．６）３００質量部、オルガノハイドロジェンポリシロキサン１．２質量部、白金族系触媒の２質量％アルコール溶液０．２質量部、アセチレンアルコール系反応制御剤０．１質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、電磁波吸収性組成物を得た。電磁波吸収性組成物を１２０℃で１時間、加熱圧縮成形し、表面に平均厚さ０．６３μｍのスキン層を有する厚さ５００μｍの放射ノイズ抑制層（スキン層の結合剤の２５℃におけるせん断弾性率：２．３×１０5 Ｐａ）を得た。この放射ノイズ抑制層のスキン層に膜厚換算値で２０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ伝導ノイズ抑制層を形成し、ＥＭＣ対策部材を得た。この際、放射ノイズ抑制層の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。 Example 1
1. 100 parts by mass of silicone rubber (vinyl group-containing dimethylpolysiloxane), 300 parts by mass of a flat Fe—Cr soft magnetic metal (average particle size: 20 μm, aspect ratio: 19.6), organohydrogenpolysiloxane 2 parts by weight, 0.2 parts by weight of a platinum group catalyst 2% by weight alcohol solution, and 0.1 parts by weight of an acetylene alcohol-based reaction control agent are added and dispersed and mixed with a mixing roll to obtain an electromagnetic wave absorbing composition. It was. The electromagnetic wave absorbing composition was compression-molded at 120 ° C. for 1 hour, and a 500 μm-thick radiation noise suppression layer having a skin layer with an average thickness of 0.63 μm on the surface (shear elasticity of the skin layer binder at 25 ° C. Rate: 2.3 × 10 5 Pa). On the skin layer of the radiation noise suppression layer, a Ni-based soft magnetic metal having a thickness of 20 nm was physically vapor-deposited by a counter target type magnetron sputtering method to form a conduction noise suppression layer, thereby obtaining an EMC countermeasure member. At this time, the temperature of the radiation noise suppression layer was kept at 25 ° C., and a slight negative voltage was applied so that the evaporated particles had a particle energy of 8 eV, and sputtering was performed.

得られたＥＭＣ対策部材の伝導ノイズ抑制層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により伝導ノイズ抑制層の断面を観察した。伝導ノイズ抑制層の厚さは４５ｎｍ（０．０４５μｍ）であった。   A part of the conduction noise suppression layer of the obtained EMC countermeasure member was made into a thin piece with a microtome, an ion beam polisher was applied to the cross section, and the cross section of the conduction noise suppression layer was observed with a high resolution transmission electron microscope. The thickness of the conduction noise suppression layer was 45 nm (0.045 μm).

得られたＥＭＣ対策部材について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、放射ノイズ抑制層側および伝導ノイズ抑制層側からの両方について行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図１０に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１１に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図１２に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図１３に示す。 About the obtained EMC countermeasure member, the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were evaluated. Each measurement was performed on both the radiation noise suppression layer side and the conduction noise suppression layer side. Table 1 shows the evaluation results of the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect at 1 GHz.
Further, the measurement results of S 11 (reflection attenuation amount) and S 21 (transmission attenuation amount) of 0.05 to 3.0 GHz are shown in FIG. 10, the loss power ratio of 0.05 to 3.0 GHz is shown in FIG. 11, and 100 kHz. The measurement result of the mutual decoupling rate of ˜2.0 GHz is shown in FIG. 12, and the measurement result of the internal decoupling rate of 100 kHz to 2.0 GHz is shown in FIG.

図１０において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの放射ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は放射ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１１において、○は放射ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を、◇は伝導ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を示す。
図１２において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図１３において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。 In FIG. 10, ◯ indicates S 11 (reflection loss) measured from the radiation noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ● indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the radiation noise suppression layer side. Amount). ◇ indicates S 11 (reflection attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ◆ indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side. .
In FIG. 11, ◯ indicates the loss power ratio evaluated from the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the loss power ratio evaluated from the conduction noise suppression layer side.
In FIG. 12, ◯ indicates the mutual decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the conduction noise suppression layer side. The □ indicates the measured mutual decoupling ratio, and □ indicates the mutual decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 with the copper foil sandwiched therebetween.
In FIG. 13, ◯ indicates the internal decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 and the electromagnetic wave reception microloop antenna 42 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission on the conduction noise suppression layer side. The internal decoupling ratio measured by arranging the microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 is indicated by □, and the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 are arranged on the same side of the surface of the copper foil. The internal decoupling rate measured by placing is shown.

（実施例２）
シリコーンゴム（２液型）１００質量部に、シラン系カップリング剤で表面処理を施した球状のＦｅ−Ｃｒ系軟磁性体（平均粒子径：２０μｍ）１０００質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、電磁波吸収性組成物を得た。この電磁波吸収性組成物を圧縮成形により厚さ３００μｍとなるようにシート状に成形した後、１５０℃で１時間、シリコーンゴムを加硫させて、表面に平均厚さ０．６７μｍのスキン層を有する厚さ２９０μｍの放射ノイズ抑制層（スキン層の結合剤の２５℃におけるせん断弾性率：１．０×１０4 Ｐａ）を得た。この放射ノイズ抑制層のスキン層に膜厚換算で５０ｎｍのＦｅ−Ｎｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ伝導ノイズ抑制層を形成し、ＥＭＣ対策部材を得た。この際、放射ノイズ抑制層の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。 (Example 2)
To 100 parts by mass of silicone rubber (two-component type), 1000 parts by mass of a spherical Fe-Cr soft magnetic material (average particle size: 20 μm) surface-treated with a silane coupling agent is added and dispersed with a mixing roll To obtain an electromagnetic wave absorbing composition. This electromagnetic wave absorbing composition was molded into a sheet shape by compression molding so as to have a thickness of 300 μm, and then a silicone rubber was vulcanized at 150 ° C. for 1 hour to form a skin layer having an average thickness of 0.67 μm on the surface. A radiation noise suppression layer having a thickness of 290 μm (shear elastic modulus at 25 ° C. of the binder of the skin layer: 1.0 × 10 4 Pa) was obtained. On the skin layer of the radiation noise suppression layer, a conductive noise suppression layer was formed by physically vapor-depositing a 50-nm-thick Fe—Ni-based soft magnetic metal by an opposed target type magnetron sputtering method to obtain an EMC countermeasure member. . At this time, the temperature of the radiation noise suppression layer was kept at 25 ° C., and a slight negative voltage was applied so that the evaporated particles had a particle energy of 8 eV, and sputtering was performed.

得られたＥＭＣ対策部材の伝導ノイズ抑制層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により伝導ノイズ抑制層の断面を観察した。伝導ノイズ抑制層の厚さは９０ｎｍ（０．０９０μｍ）であった。   A part of the conduction noise suppression layer of the obtained EMC countermeasure member was made into a thin piece with a microtome, an ion beam polisher was applied to the cross section, and the cross section of the conduction noise suppression layer was observed with a high resolution transmission electron microscope. The thickness of the conductive noise suppression layer was 90 nm (0.090 μm).

得られたＥＭＣ対策部材について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図１４に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１５に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図１６に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図１７に示す。 About the obtained EMC countermeasure member, the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were evaluated. Each measurement was performed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the evaluation results of the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect at 1 GHz.
Further, the measurement results of S 11 (reflection attenuation amount) and S 21 (transmission attenuation amount) of 0.05 to 3.0 GHz are shown in FIG. 14, the loss power ratio of 0.05 to 3.0 GHz is shown in FIG. The measurement result of the mutual decoupling rate of ˜2.0 GHz is shown in FIG. 16, and the measurement result of the internal decoupling rate of 100 kHz to 2.0 GHz is shown in FIG.

図１４において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの放射ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は放射ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１５において、○は放射ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を、◇は伝導ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を示す。
図１６において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図１７において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。 In FIG. 14, ◯ indicates S 11 (reflection loss) measured from the radiation noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ● indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the radiation noise suppression layer side. Amount). ◇ indicates S 11 (reflection attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ◆ indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side. .
In FIG. 15, ◯ indicates the loss power ratio evaluated from the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the loss power ratio evaluated from the conduction noise suppression layer side.
In FIG. 16, ◯ indicates the mutual decoupling ratio measured by arranging the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the conduction noise suppression layer side. The □ indicates the measured mutual decoupling ratio, and □ indicates the mutual decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 with the copper foil sandwiched therebetween.
In FIG. 17, ◯ indicates the internal decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 and the electromagnetic wave reception microloop antenna 42 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission on the conduction noise suppression layer side. The internal decoupling ratio measured by arranging the microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 is indicated by □, and the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 are arranged on the same side of the surface of the copper foil. The internal decoupling rate measured by placing is shown.

（実施例３）
ウレタン樹脂１００質量部および硬化剤としてイソシアネート化合物２０質量部に、チタネート系カップリング剤で表面処理を施した扁平状のＦｅ−Ｎｉ系軟磁性体１６００質量部（平均粒子径：１５μｍ、アスペクト比：６５）、溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの１：１混合物）７００質量部を加えたぺーストを、乾燥後の厚さが１．１ｍｍとなるように、バーコート法で塗工用支持体に塗布して膜を形成し、十分乾燥させた後、真空加熱プレスし、８５℃、２４時間キュアリングし、膜を塗工用支持体から剥がして、表面に平均厚さ０．７４μｍのスキン層を有する厚さ１．０ｍｍの放射ノイズ抑制層（スキン層の結合剤の２５℃におけるせん断弾性率：１．７×１０6 Ｐａ）を得た。この放射ノイズ抑制層のスキン層に膜厚換算値で１０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合体層を形成し、ＥＭＣ対策部材を得た。この際、放射ノイズ抑制層の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。 (Example 3)
100 parts by mass of urethane resin and 20 parts by mass of an isocyanate compound as a curing agent, and 1600 parts by mass of a flat Fe-Ni soft magnetic material (average particle size: 15 μm, aspect ratio: surface treatment with a titanate coupling agent) 65) and paste with 700 parts by mass of a solvent (a 1: 1 mixture of cyclohexanone and toluene) applied to the coating support by the bar coating method so that the thickness after drying is 1.1 mm. After the film is formed and sufficiently dried, it is vacuum heated and pressed, cured at 85 ° C. for 24 hours, peeled off from the coating support, and has a skin layer with an average thickness of 0.74 μm on the surface. A radiation noise suppression layer having a thickness of 1.0 mm (shear elastic modulus at 25 ° C. of the skin layer binder: 1.7 × 10 6 Pa) was obtained. On the skin layer of the radiation noise suppression layer, a Ni-based soft magnetic metal having a thickness of 10 nm was physically vapor-deposited by an opposed target type magnetron sputtering method to form a composite layer, thereby obtaining an EMC countermeasure member. At this time, the temperature of the radiation noise suppression layer was kept at 25 ° C., and a slight negative voltage was applied so that the evaporated particles had a particle energy of 8 eV, and sputtering was performed.

得られたＥＭＣ対策部材の伝導ノイズ抑制層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により伝導ノイズ抑制層の断面を観察した。伝導ノイズ抑制層の厚さは２５ｎｍ（０．０２５μｍ）であった。   A part of the conduction noise suppression layer of the obtained EMC countermeasure member was made into a thin piece with a microtome, an ion beam polisher was applied to the cross section, and the cross section of the conduction noise suppression layer was observed with a high resolution transmission electron microscope. The thickness of the conductive noise suppression layer was 25 nm (0.025 μm).

得られたＥＭＣ対策部材について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図１８に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１９に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図２０に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図２１に示す。 About the obtained EMC countermeasure member, the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were evaluated. Each measurement was performed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the evaluation results of the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect at 1 GHz.
Further, the measurement results of S 11 (reflection attenuation amount) and S 21 (transmission attenuation amount) of 0.05 to 3.0 GHz are shown in FIG. 18, the loss power ratio of 0.05 to 3.0 GHz is shown in FIG. The measurement result of the mutual decoupling rate of ˜2.0 GHz is shown in FIG. 20, and the measurement result of the internal decoupling rate of 100 kHz to 2.0 GHz is shown in FIG.

図１８において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの放射ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は放射ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１９において、○は放射ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を、◇は伝導ノイズ抑制層側から評価したロス電力比を示す。
図２０において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図２１において、○は放射ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。 In FIG. 18, ◯ indicates S 11 (reflection loss) measured from the radiation noise suppression layer side when the amount of incident electromagnetic waves is set as a reference (0), and ● indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the radiation noise suppression layer side. Amount). ◇ indicates S 11 (reflection attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ◆ indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side. .
In FIG. 19, ◯ indicates the loss power ratio evaluated from the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the loss power ratio evaluated from the conduction noise suppression layer side.
In FIG. 20, ◯ indicates the mutual decoupling ratio measured by arranging the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the conduction noise suppression layer side. The □ indicates the measured mutual decoupling ratio, and □ indicates the mutual decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 with the copper foil sandwiched therebetween.
In FIG. 21, ◯ indicates the internal decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 and the electromagnetic wave reception microloop antenna 42 on the radiation noise suppression layer side, and ◇ indicates the electromagnetic wave transmission on the conduction noise suppression layer side. The internal decoupling ratio measured by arranging the microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 is indicated by □, and the electromagnetic wave transmitting microloop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 are arranged on the same side of the surface of the copper foil. The internal decoupling rate measured by placing is shown.

（比較例１）
実施例１における、伝導ノイズ抑制層を形成する前の放射ノイズ抑制層について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果を測定した。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図２２に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図２３に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率を測定結果を図２４に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図２５に示す。 (Comparative Example 1)
For the radiation noise suppression layer before forming the conduction noise suppression layer in Example 1, the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were measured. Each measurement was performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the evaluation results of the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect at 1 GHz.
Further, the measurement results of S 11 (reflection attenuation amount) and S 21 (transmission attenuation amount) of 0.05 to 3.0 GHz are shown in FIG. 22, the loss power ratio of 0.05 to 3.0 GHz is shown in FIG. 23, and 100 kHz. FIG. 24 shows the measurement result of the mutual decoupling rate of ˜2.0 GHz, and FIG. 25 shows the measurement result of the internal decoupling rate of 100 kHz to 2.0 GHz.

図２２において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの反射減衰量を、●は透過減衰量を示す。
図２４において、○は比較例１の相互減結合率を、□は銅箔の相互減結合率を示す。
図２５において、○は比較例１の内部減結合率を、□は銅箔の内部減結合率を示す。 In FIG. 22, ◯ indicates the return loss when the amount of incident electromagnetic waves is the reference (0), and ● indicates the transmission loss.
In FIG. 24, ◯ indicates the mutual decoupling rate of Comparative Example 1, and □ indicates the mutual decoupling rate of the copper foil.
In FIG. 25, ◯ indicates the internal decoupling rate of Comparative Example 1, and □ indicates the internal decoupling rate of the copper foil.

（比較例２）
シリコーンゴム（ビニル基含有ジメチルポリシロキサン）１００質量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン１．２質量部、白金族系触媒の２％アルコール溶液０．２質量部、アセチレンアルコール系反応制御剤０．１質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、シリコーン組成物を得た。このシリコーン組成物をトルエン溶液（濃度：２０質量％）とし、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ：５０μｍ）上に加熱乾燥・加硫後のシリコーンゴムの厚さが２０μｍとなるように塗布した。１２０℃で、１時間加熱し、硬化させて、シリコーンゴム−ポリエチレンテレフタレート複層フィルム（スキン層の２５℃におけるせん断弾性率：２０×１０5 Ｐａ）を得た。得られた複層フィルムのシリコーンゴム上に、膜厚換算値で２０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ伝導ノイズ抑制層を形成し、ＥＭＣ対策部材を得た。この際、シリコーンゴムの温度を２５℃に保ち、８ｅＶのエネルギーを持つようわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。 (Comparative Example 2)
100 parts by mass of silicone rubber (vinyl group-containing dimethylpolysiloxane), 1.2 parts by mass of organohydrogenpolysiloxane, 0.2 parts by mass of a 2% alcohol solution of a platinum group catalyst, 0.1% of acetylene alcohol-based reaction control agent A part by mass was added and dispersed and mixed with a mixing roll to obtain a silicone composition. This silicone composition was made into a toluene solution (concentration: 20% by mass) and coated on a polyethylene terephthalate film (thickness: 50 μm) so that the thickness of the silicone rubber after heat drying and vulcanization was 20 μm. It was heated at 120 ° C. for 1 hour and cured to obtain a silicone rubber-polyethylene terephthalate multilayer film (shear elastic modulus at 25 ° C. of the skin layer: 20 × 10 5 Pa). A conductive noise suppression layer is formed by physically vapor-depositing Ni-based soft magnetic metal having a thickness of 20 nm on the obtained multilayer film silicone rubber by a counter-target magnetron sputtering method, and an EMC countermeasure member is formed. Obtained. At this time, the temperature of the silicone rubber was kept at 25 ° C., and a slight negative voltage was applied so as to have an energy of 8 eV, and sputtering was performed.

得られたＥＭＣ対策部材の伝導ノイズ抑制層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により伝導ノイズ抑制層の断面を観察した。伝導ノイズ抑制層の厚さは５０ｎｍ（０．０５０μｍ）であった。   A part of the conduction noise suppression layer of the obtained EMC countermeasure member was made into a thin piece with a microtome, an ion beam polisher was applied to the cross section, and the cross section of the conduction noise suppression layer was observed with a high resolution transmission electron microscope. The thickness of the conductive noise suppression layer was 50 nm (0.050 μm).

得られたＥＭＣ対策部材について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図２６に、０．０５〜３．０ＧＨｚの伝導ノイズ抑制層側のロス電力比を図２７に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図２８に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚ内部減結合率の測定結果を図２９に示す。 About the obtained EMC countermeasure member, the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were evaluated. Each measurement was performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the evaluation results of the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect at 1 GHz.
Further, S 11 (return loss) of 0.05~3.0GHz and S 21 the measurement results of (transmission attenuation) in FIG. 26, the loss power ratio transmission noise suppressing layer side 0.05~3.0GHz 27 shows the measurement results of the mutual decoupling rate from 100 kHz to 2.0 GHz. FIG. 28 shows the measurement results of the 100 kHz to 2.0 GHz internal decoupling rate.

図２６において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は伝導ノイズ抑制層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図２８において、○は比較例２の伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図２９において、○は比較例２の伝導ノイズ抑制層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を示し、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。 In FIG. 26, ◯ indicates S 11 (reflection loss) measured from the conduction noise suppression layer side when the incident electromagnetic wave amount is set as a reference (0), and ● indicates S 21 (transmission attenuation) measured from the conduction noise suppression layer side. Amount).
In FIG. 28, ◯ indicates the mutual decoupling rate measured by placing the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 on the conductive noise suppression layer side of Comparative Example 2, and □ indicates the electromagnetic wave transmission microloop antenna 41 with the copper foil sandwiched therebetween. And the mutual decoupling rate measured by arranging the electromagnetic wave receiving microloop antenna 42 is shown.
In FIG. 29, ◯ indicates the internal decoupling ratio measured by placing the electromagnetic wave transmission micro loop antenna 41 and the electromagnetic wave reception micro loop antenna 42 on the conductive noise suppression layer side of Comparative Example 2, and □ indicates the electromagnetic wave transmission micro loop. The internal decoupling rate measured by arranging the loop antenna 41 and the electromagnetic wave receiving micro loop antenna 42 on the same side of the surface of the copper foil is shown.

（比較例３）
銅箔（厚さ：１５μｍ）について、放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。 (Comparative Example 3)
The copper foil (thickness: 15 μm) was evaluated for radiation noise suppression effect. Each measurement was performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the evaluation results of the radiation noise suppression effect at 1 GHz.

Figure 0004611698
Figure 0004611698

Figure 0004611698
Figure 0004611698

表１〜２および図１０〜２９に示すように、実施例１〜３で得られたＥＭＣ対策部材は、いずれも周波数１ＧＨｚのときロス電力比が０．３以上であり、相互減結合率が−１ｄＢ以上であり、内部減結合率が−１ｄＢ以上であり、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果に優れていることが確認された。また、放射ノイズ抑制層側から内部減結合率を測定した場合、伝導ノイズ抑制層側から内部減結合率を測定した場合と比較して、内部減結合率は、伝導ノイズ抑制層の磁性体と電磁波吸収材との相乗効果により、放射ノイズ抑制層側の方が伝導ノイズ抑制層側より１０％以上優れていた。   As shown in Tables 1-2 and FIGS. 10-29, the EMC countermeasure members obtained in Examples 1 to 3 each have a loss power ratio of 0.3 or more when the frequency is 1 GHz, and the mutual decoupling rate is It was −1 dB or more, the internal decoupling rate was −1 dB or more, and it was confirmed that the conduction noise suppression effect and the radiation noise suppression effect were excellent. Also, when the internal decoupling rate is measured from the radiation noise suppression layer side, the internal decoupling rate is compared with the magnetic material of the conduction noise suppression layer compared to the case where the internal decoupling rate is measured from the conduction noise suppression layer side. Due to the synergistic effect with the electromagnetic wave absorbing material, the radiation noise suppression layer side was 10% or more superior to the conduction noise suppression layer side.

一方、比較例１は、電磁波吸収材を結合剤中に単に分散、混合しているだけであるため、１ＧＨｚにおける相互減結合率および内部減結合率とも−１ｄＢ以上であったが、ロス電力比は０．１以下であり、伝導ノイズ抑制効果が低かった。
また、比較例２は、結合剤上に対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法でＮｉ系軟磁性体金属を蒸着して伝導ノイズ抑制層を形成したものであり、１ＧＨｚにおけるロス電力比は０．３以上であり、良好な伝導ノイズ抑制効果を有していたが、相互減結合率が−１ｄＢ以下であり、内部減結合率は、銅箔と同様にプラス側であり二次放射ノイズが発生した。 On the other hand, in Comparative Example 1, since the electromagnetic wave absorbing material was simply dispersed and mixed in the binder, both the mutual decoupling rate and the internal decoupling rate at 1 GHz were −1 dB or more. Was 0.1 or less, and the effect of suppressing conduction noise was low.
In Comparative Example 2, a Ni-based soft magnetic metal was deposited on the binder by a counter target magnetron sputtering method to form a conduction noise suppression layer, and the loss power ratio at 1 GHz was 0.3 or more. Yes, it had a good conduction noise suppression effect, but the mutual decoupling rate was -1 dB or less, and the internal decoupling rate was on the plus side like the copper foil, and secondary radiation noise was generated.

本発明のＥＭＣ対策部材は、伝導ノイズ抑制機能および放射ノイズ抑制機能の二つの優れた電磁波ノイズ抑制機能を有する薄型で軽量なＥＭＣ対策部材であるので、近年の電子部品、電気機器の小型化、軽量化、多機能化に対応することが可能となる。   The EMC countermeasure member of the present invention is a thin and lightweight EMC countermeasure member having two excellent electromagnetic noise suppression functions, namely, a conduction noise suppression function and a radiation noise suppression function. It becomes possible to cope with weight reduction and multi-function.

本発明のＥＭＣ対策部材の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the EMC countermeasure member of this invention. 本発明のＥＭＣ対策部材の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the EMC countermeasure member of this invention. 本発明のＥＭＣ対策部材の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the EMC countermeasure member of this invention. 本発明のＥＭＣ対策部材における伝導ノイズ抑制層の高分解能透過型電子顕微鏡像である。It is a high-resolution transmission electron microscope image of the conduction noise suppression layer in the EMC countermeasure member of the present invention. 伝導ノイズ抑制層の近傍の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the vicinity of a conduction noise suppression layer. 伝導ノイズ抑制層と伝導ノイズ抑制効果を測定するマイクロストリップ回路との隔置距離と、１ＧＨｚでのロス電力比との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the separation distance of the conduction noise suppression layer and the microstrip circuit which measures the conduction noise suppression effect, and the loss power ratio in 1 GHz. 本発明のＥＭＣ対策部材と電子部品を搭載したプリント基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the printed circuit board carrying the EMC countermeasure member and electronic component of this invention. 相互減結合率の測定装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the measuring apparatus of a mutual decoupling rate. 内部減結合率の測定装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the measuring apparatus of an internal decoupling rate. 実施例１のＥＭＣ対策部材のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。EMC countermeasure member S 11 of Example 1 is a graph showing the (return loss) and S 21 (transmission attenuation). 実施例１のＥＭＣ対策部材のロス電力比を示すグラフである。6 is a graph showing a loss power ratio of an EMC countermeasure member of Example 1. 実施例１のＥＭＣ対策部材および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the mutual decoupling rate of the EMC countermeasure member of Example 1, and copper foil. 実施例１のＥＭＣ対策部材および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the EMC countermeasure member of Example 1, and the internal decoupling rate of copper foil. 実施例２のＥＭＣ対策部材のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。EMC countermeasure member S 11 of Example 2 is a graph showing the (return loss) and S 21 (transmission attenuation). 実施例２のＥＭＣ対策部材のロス電力比を示すグラフである。It is a graph which shows the loss power ratio of the EMC countermeasure member of Example 2. 実施例２のＥＭＣ対策部材および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the mutual decoupling rate of the EMC countermeasure member of Example 2, and copper foil. 実施例２のＥＭＣ対策部材および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the EMC countermeasure member of Example 2, and the internal decoupling rate of copper foil. 実施例３のＥＭＣ対策部材のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。EMC countermeasure member S 11 of Example 3 is a graph showing the (return loss) and S 21 (transmission attenuation). 実施例３のＥＭＣ対策部材のロス電力比を示すグラフである。6 is a graph showing a loss power ratio of an EMC countermeasure member of Example 3. 実施例３のＥＭＣ対策部材および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the mutual decoupling rate of the EMC countermeasure member of Example 3, and copper foil. 実施例３のＥＭＣ対策部材および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the EMC countermeasure member of Example 3, and the internal decoupling rate of copper foil. 比較例１の放射ノイズ抑制層のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。Radiation noise suppressing layer of S 11 of Comparative Example 1 is a graph showing the (return loss) and S 21 (transmission attenuation). 比較例１の放射ノイズ抑制層のロス電力比を示すグラフである。5 is a graph showing a loss power ratio of a radiation noise suppression layer of Comparative Example 1. 比較例１の放射ノイズ抑制層および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the mutual decoupling rate of the radiation noise suppression layer of comparative example 1, and copper foil. 比較例１の放射ノイズ抑制層および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the radiation noise suppression layer of the comparative example 1, and the internal decoupling rate of copper foil. 比較例２のＥＭＣ対策部材のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。EMC countermeasure member S 11 of Comparative Example 2 is a graph showing the (return loss) and S 21 (transmission attenuation). 比較例２のＥＭＣ対策部材のロス電力比を示すグラフである。6 is a graph showing a loss power ratio of an EMC countermeasure member of Comparative Example 2. 比較例２のＥＭＣ対策部材および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the mutual decoupling rate of the EMC countermeasure member of Comparative Example 2, and copper foil. 比較例２のＥＭＣ対策部材および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。It is a graph which shows the EMC countermeasure member of the comparative example 2, and the internal decoupling rate of copper foil.

符号の説明Explanation of symbols

１ ＥＭＣ対策部材
２ 結合剤
３ 電磁波吸収材
４ スキン層
５ 放射ノイズ抑制層
６ 伝導ノイズ抑制層
１０ ＥＭＣ対策部材
２０ ＥＭＣ対策部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 EMC countermeasure member 2 Binder 3 Electromagnetic wave absorber 4 Skin layer 5 Radiation noise suppression layer 6 Conduction noise suppression layer 10 EMC countermeasure member 20 EMC countermeasure member

Claims (5)

物理的蒸着法により、物理的蒸着時におけるせん断弾性率が１×１０3 〜１×１０7 Ｐａである結合剤に、磁性体を蒸着させることによって、磁性体を結合剤中に分散させた伝導ノイズ抑制層と、
結合剤および電磁波吸収材を含有する放射ノイズ抑制層と
を有し、前記伝導ノイズ抑制層の厚さが、０．００５〜０．３μｍであることを特徴とするＥＭＣ対策部材。 By physical vapor deposition, shear modulus during physical vapor deposition is a binding agent is 1 × 10 3 ~1 × 10 7 Pa, by depositing a magnetic material was dispersed the magnetic material in the sintered material mixture A conduction noise suppression layer;
Binder and containing an electromagnetic absorbing material possess a radiation noise suppressing layer, the thickness of the conductive noise suppressing layer, EMC countermeasure member, wherein 0.005~0.3μm der Rukoto. 前記磁性体が、鉄、コバルトおよびニッケルからなる群から選ばれる１つ以上の元素を含有する金属系軟磁性体であることを特徴とする請求項１記載のＥＭＣ対策部材。   2. The EMC countermeasure member according to claim 1, wherein the magnetic body is a metallic soft magnetic body containing one or more elements selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel. 前記結合剤が、有機高分子であることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＭＣ対策部材。 Wherein the binder is, EMC countermeasure member according to claim 1 or 2, characterized in that an organic polymer. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＥＭＣ対策部材を、電子部品内の配線回路またはプリント基板上の配線回路の近くに、伝導ノイズ抑制層が電子部品内の配線回路の導体またはプリント基板上の配線回路の導体と電磁気的に結合するように配置することを特徴とするＥＭＣ対策方法。 The EMC countermeasure member according to any one of claims 1 to 3 is disposed near a wiring circuit in an electronic component or a wiring circuit on a printed circuit board, and a conductive noise suppression layer is a conductor or printed circuit of the wiring circuit in the electronic component. An EMC countermeasure method, characterized by being arranged so as to be electromagnetically coupled to a conductor of a wiring circuit on a substrate. 電子部品内の配線回路の導体または基板上の配線回路の導体と、伝導ノイズ抑制層との距離を０．８ｍｍ以下にすることを特徴とする請求項４記載のＥＭＣ対策方法。 5. The EMC countermeasure method according to claim 4 , wherein a distance between the conductor of the wiring circuit in the electronic component or the conductor of the wiring circuit on the substrate and the conduction noise suppression layer is 0.8 mm or less.
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