JP4611267B2 - Method for manufacturing light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設
けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及び
その作製方法に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発
光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例え
ばFPC（Flexible printed circuit）もしくはTAB（Tape Automated Bonding）テープもし
くはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先に
プリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG（Chip On Glass）方式に
よりIC（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
The present invention relates to a light-emitting device using a light-emitting element in which fluorescence or phosphorescence is obtained by applying an electric field to an element in which a film containing an organic compound (hereinafter referred to as an “organic compound layer”) is provided between a pair of electrodes. It relates to a manufacturing method thereof. Note that a light-emitting device in this specification refers to an image display device, a light-emitting device, or a light source (including a lighting device). Also, a module in which a connector such as an FPC (Flexible printed circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) tape or TCP (Tape Carrier Package) is attached to the light emitting device, or a module in which a printed wiring board is provided at the end of the TAB tape or TCP In addition, a module in which an IC (integrated circuit) is directly mounted on a light emitting element by a COG (Chip On Glass) method is also included in the light emitting device.
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
In recent years, a technique for forming a thin film transistor (TFT) using a semiconductor thin film (having a thickness of about several to several hundred nm) formed on a substrate having an insulating surface has attracted attention. Thin film transistors are widely applied to electronic devices such as ICs and electro-optical devices, and development of switching devices for image display devices is urgently required.
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として
用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特
に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視
野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
A light-emitting element using an organic compound having characteristics such as thin and light weight, high-speed response, and direct current low-voltage driving as a light emitter is expected to be applied to a next-generation flat panel display. In particular, a display device in which light emitting elements are arranged in a matrix is considered to be superior to a conventional liquid crystal display device in that it has a wide viewing angle and excellent visibility.
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電界を印加することによ
り、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心
で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放
出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光は
どちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
The light-emitting mechanism of the light-emitting element recombines electrons injected from the cathode and holes injected from the anode at the emission center in the organic compound layer by applying an electric field with the organic compound layer sandwiched between a pair of electrodes. Thus, it is said that molecular excitons are formed, and when the molecular excitons return to the ground state, energy is emitted and light is emitted. Singlet excitation and triplet excitation are known as excited states, and light emission is considered to be possible through either excited state.
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマト
リクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型
）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画
素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧
駆動できるので有利であると考えられている。
For a light-emitting device formed by arranging such light-emitting elements in a matrix, driving methods such as passive matrix driving (simple matrix type) and active matrix driving (active matrix type) can be used. However, when the pixel density increases, the active matrix type in which a switch is provided for each pixel (or one dot) is considered to be advantageous because it can be driven at a lower voltage.
また、本出願人は、発光装置の帯電防止の対策として特許文献１に記載の技術を提案し
ている。
アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、絶縁表面を有する基板上にスイッチ
ング素子としてＴＦＴを形成し、該ＴＦＴと電気的に接続する画素電極を陽極または陰極
としたＥＬ素子をマトリクス状に配置する。
In the case of manufacturing an active matrix light-emitting device, a TFT is formed as a switching element over a substrate having an insulating surface, and EL elements having a pixel electrode electrically connected to the TFT as an anode or a cathode are arranged in a matrix. .
なお、絶縁表面を有する基板上にＴＦＴを形成する生産工場、もしくは半導体基板に集
積回路を形成する生産工場においては、工場内を高い清浄度に保ち、不純物が精密な素子
に混入しないように注意を払っている。特に、半導体素子に影響を与えるアルカリ金属元
素は避けられている。
Note that in production factories where TFTs are formed on a substrate having an insulating surface, or production factories where integrated circuits are formed on a semiconductor substrate, care must be taken to keep the inside of the factory clean and to prevent impurities from being mixed into precise elements. Paying. In particular, alkali metal elements that affect semiconductor elements are avoided.
一方、ＥＬ素子を形成するには、陰極として仕事関数の小さい材料、特にアルカリ金属元
素を用いることが好ましく、さらに発光層となる有機化合物を含む層の形成も必要である
。
On the other hand, in order to form an EL element, it is preferable to use a material having a low work function as the cathode, particularly an alkali metal element, and it is also necessary to form a layer containing an organic compound to be a light emitting layer.
従って、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが考えられる。
例えば、装置間に仕切りを設けて別々の清浄機を用いたり、装置が設置されている棟を別
々にしたり、工場自体を別々の場所に設置すればよい。
Therefore, when manufacturing TFTs and EL elements on a substrate, in order to prevent contamination, it is conceivable to separate the installation location of a device for manufacturing TFTs from the installation location of a device for forming EL elements.
For example, a partition may be provided between the devices and different cleaners may be used, the buildings in which the devices are installed may be separated, or the factory itself may be installed in different locations.
隔離した場合には、互いの設置場所の間で基板を搬送する必要性が発生する。そして、互
いの設置場所の間で基板を搬送する際には、静電破壊の恐れやゴミが付着する恐れがある
。
In the case of isolation, it becomes necessary to transport the substrate between the installation locations. And when conveying a board | substrate between mutual installation places, there exists a possibility of electrostatic destruction or a dust adhering.
また、基板や有機絶縁膜や無機絶縁膜などは絶縁体であるので、その表面に静電気が帯
電しやすく、このために帯電した表面にゴミが引きつけられて付着したり、他の物体に触
れると静電放電が生じる恐れもある。
In addition, since the substrate, organic insulating film, inorganic insulating film, etc. are insulators, static electricity tends to be charged on the surface, so if dust is attracted and attached to the charged surface or touches other objects There is a risk of electrostatic discharge.
また、発光層となる有機化合物を含む層は膜厚が薄いため、表面における凹凸の大きさ
、即ち、段差が大きいとカバレッジ不良が生じやすいという問題がある。
In addition, since a layer containing an organic compound that serves as a light-emitting layer is thin, there is a problem that a coverage defect is likely to occur if the size of the unevenness on the surface, that is, a step is large.
本発明は、上記課題を解決するため、新規な構成を有する隔壁を形成するものである。本
発明は図１（Ｂ）にその一例を示すように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁の側壁となる第２の隔壁とを有する
ことを特徴とする発光装置である。
In order to solve the above problems, the present invention forms a partition having a novel structure. In the present invention, as shown in FIG.
A light-emitting device including a light-emitting element having a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
A light-emitting device having a first partition wall covering an end portion of a first electrode and a second partition wall serving as a side wall of the first partition wall.
上記構成とすることで、第１の隔壁の上面形状を縮小しても第２の隔壁によりカバレッ
ジ不良が低減される。アクティブマトリクス型表示装置またはパッシブマトリクス型表示
装置を高精細化するためには隔壁の上面形状も小さくして高精細化を可能にする必要があ
る。第１の隔壁の材料として、無機絶縁膜、または非感光性樹脂を用いてドライエッチン
グを行う場合、高精細なパターン形状を実現できる一方、ドライエッチングを行うと第１
の隔壁の側面が荒れたり、側面が基板平面となす角度（テーパー角度）が大きくなりすぎ
る場合がある。そこで、両方の側面のみを覆う第２の隔壁を形成することによって、第１
の隔壁の両方の側面の荒れを覆い滑らかなものとする。
With the above structure, even if the upper surface shape of the first partition is reduced, coverage defects are reduced by the second partition. In order to increase the definition of an active matrix display device or a passive matrix display device, it is necessary to reduce the shape of the upper surface of the partition wall to enable higher definition. When dry etching is performed using an inorganic insulating film or a non-photosensitive resin as the material of the first partition, a high-definition pattern shape can be realized, and when dry etching is performed, the first
In some cases, the side surface of the partition wall becomes rough, or the angle (taper angle) between the side surface and the substrate plane becomes too large. Therefore, by forming a second partition wall that covers only both side surfaces,
Cover the roughness on both sides of the partition wall and make it smooth.
第１の隔壁および第２の隔壁の材料としては、スパッタ法、ＰＣＶＤ法、または塗布法
により得られる無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜
、ＳｉＯＮＦ膜など）、或いは塗布法により得られる感光性または非感光性の有機材料（
ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブ
テン）、或いは塗布法により得られるＳＯＧ膜（シロキサン構造を有する絶縁膜）、また
はこれらの積層などを適宜用いることができる。また、絶縁物として、感光用の光によっ
てエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となる
ポジ型のいずれも使用することができる。また、第１の隔壁のみでも電極間は絶縁できる
ため、特に絶縁性は低くてもよく、第２の隔壁の他の材料としては、半導体材料（ドーピ
ングされた半導体材料を含む）を用いることもできる。
As a material of the first partition and the second partition, an inorganic material (silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, SiOF film, SiONF film, or the like) obtained by a sputtering method, a PCVD method, or a coating method, or a coating method Photosensitive or non-photosensitive organic materials obtained by
Polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, resist or benzocyclobutene), an SOG film (insulating film having a siloxane structure) obtained by a coating method, or a stacked layer thereof can be used as appropriate. As the insulator, either a negative type that becomes insoluble in an etchant by light for photosensitive use or a positive type that becomes soluble in an etchant by light can be used. In addition, since the electrodes can be insulated only by the first partition wall, the insulating property may be particularly low, and a semiconductor material (including a doped semiconductor material) may be used as another material of the second partition wall. it can.
また、第１の隔壁と第２の隔壁は、同じ材料を用いることもできるが、異なる材料とす
ることが好ましい。蒸着法で有機化合物を含む層を形成する場合、蒸着マスクと第１の隔
壁は接することになり、蒸着の廻り込みを防ぐには第１の隔壁の高さ（膜厚）は１μｍ以
下、（好ましくは０．５μｍ〜１μｍ）とすることが好ましい。薄い膜厚を有機材料で確
保することは困難であるため、無機絶縁材料を用いることが好ましい。露光を用いて感光
性樹脂からなる隔壁を形成した場合には上端部は曲面となり裾状となった領域の幅（片側
の幅）は５μｍ、またはそれ以上となり、合計１０μｍ以上の幅の隔壁となって結果的に
開口率を下げていた。本発明では、幅の狭い隔壁を形成することができ、例えば、第１の
隔壁の幅を１μｍ、第２の隔壁の幅を１μｍとして合計３μｍの幅の隔壁を形成すること
ができる。第２の隔壁の幅は、０．１μｍ、またはそれ以上とすることができるが、第１
の隔壁の高さよりも大きくすることが好ましい。第２の隔壁の幅は、３μｍ程度あれば十
分なカバレッジが確保できる。有機化合物を含む層やその上に形成する膜のカバレッジを
確保することによって発光装置全体としての信頼性が向上する。また、第２の隔壁の上端
部における曲面の曲率半径は、０．５μｍ〜２μｍとすればよい。
The first partition and the second partition can be made of the same material, but are preferably made of different materials. When a layer containing an organic compound is formed by a vapor deposition method, the vapor deposition mask and the first partition are in contact with each other, and the height (film thickness) of the first partition is 1 μm or less in order to prevent the wraparound of the vapor deposition ( Preferably, the thickness is 0.5 μm to 1 μm. Since it is difficult to ensure a thin film thickness with an organic material, it is preferable to use an inorganic insulating material. When a partition made of a photosensitive resin is formed by exposure, the width (one side width) of the region having a curved upper end and a skirt shape is 5 μm or more, and the partition having a total width of 10 μm or more As a result, the aperture ratio was lowered. In the present invention, a narrow partition wall can be formed. For example, a partition wall having a total width of 3 μm can be formed with the first partition wall having a width of 1 μm and the second partition wall having a width of 1 μm. The width of the second partition can be 0.1 μm or more, but the first
It is preferable to make it larger than the height of the partition wall. If the width of the second partition wall is about 3 μm, sufficient coverage can be secured. By ensuring the coverage of the layer containing the organic compound and the film formed thereon, the reliability of the light emitting device as a whole is improved. Moreover, the curvature radius of the curved surface in the upper end part of a 2nd partition should just be 0.5 micrometer-2 micrometers.
また、隔壁の一部に無機材料を用いることで、有機材料のみからなる隔壁と比べて隔壁か
らの脱ガスのトータル量を少なくすることができる。また、プロセスにおいても、有機化
合物膜を蒸着する前に行われる脱ガスのための真空ベークの処理時間を短縮することがで
きる。また、発光装置として封止した後も脱ガス量が少ないため、長期信頼性も向上する
。
In addition, by using an inorganic material for a part of the partition, the total amount of degassing from the partition can be reduced as compared with a partition made of only an organic material. Also in the process, the processing time of vacuum baking for degassing performed before vapor deposition of the organic compound film can be shortened. Further, since the amount of degassing is small even after sealing as a light emitting device, long-term reliability is also improved.
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置またはパッシブマトリクス型表示装置のど
ちらにも適用することができるが、特にＴＦＴやその他の配線によって開口率、即ち、発
光面積が低くなりやすい下方出射型のアクティブマトリクス型表示装置に有用である。
The present invention can be applied to either an active matrix type display device or a passive matrix type display device. In particular, a bottom emission type active matrix in which the aperture ratio, that is, the light emitting area is likely to be lowered by TFTs or other wirings. Useful for type display devices.
また、第１の隔壁で電極間を絶縁しなくとも第２の隔壁で電極間を絶縁してもよい。例え
ば、ＴＦＴの電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、そのＴＦＴの電極と第１の電極とが
重なっている段差部を第２の隔壁で覆う構成としてもよい。
Further, the electrodes may be insulated by the second partition without insulating the electrodes by the first partition. For example, a first partition wall that covers an end portion of the TFT electrode may be formed, and a step portion where the TFT electrode and the first electrode overlap may be covered with the second partition wall.
また、インクジェット法やスピンコート法などの塗布法で有機化合物を含む層を形成す
る場合、図１（Ｂ）にその一例を示すように、第２の隔壁材料は親水性を有する材料（ポ
リアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ＭＳＱ（メチルシル
セシロキサン）、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）など）、
第１の隔壁材料は疎水性を有する材料（ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、窒化珪素、ポリシリコン、アモルファスシリコンなど）とすることで第
１の隔壁上に有機化合物を含む層を形成せず、第１の電極上または第２の隔壁にのみ接す
る有機化合物を含む層を選択的に形成することができる。ただし、ここでは溶媒として水
を用いた材料液として第２の隔壁材料を親水性とし、第１の隔壁材料を疎水性とした例を
示したが、溶媒として水以外のものを用いた材料液の場合は、その材料液に対して親和性
を有する材料を第２の隔壁材料に使用し、非親和性を有する材料を第１の隔壁材料に使用
すればよい。
In addition, when a layer containing an organic compound is formed by a coating method such as an inkjet method or a spin coating method, the second partition wall material is a hydrophilic material (polyacrylamide) as shown in FIG. , Polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, MSQ (methylsilcesiloxane), silicon oxide, aluminum oxide, silicon oxide silicon carbide (SiOC), etc.),
The first partition material is a hydrophobic material (polyvinyl chloride, polyurethane, epoxy resin,
A layer containing an organic compound is not formed on the first partition by using a silicone resin, silicon nitride, polysilicon, amorphous silicon, or the like, and an organic compound in contact with only the first partition or the second partition is included. Layers can be selectively formed. However, here, an example in which the second partition material is hydrophilic and the first partition material is hydrophobic as a material liquid using water as a solvent is shown. However, a material liquid using a solvent other than water as the solvent In this case, a material having affinity for the material liquid may be used for the second partition wall material, and a material having non-affinity may be used for the first partition wall material.
また、疎水性を有する材料表面にＯ2プラズマ処理やＮ2Ｏプラズマ処理を行って親水性
化処理を行ってもよい。また、アルコールなどの水酸基（−ＯＨ）を含む溶液による表面
ディップ処理によっても親水性化処理を行うことができる。ＣＭＰ処理はスラリーを用い
る表面研磨法であり、スラリーはＳｉＯ2などの微粒子をＫＯＨ、ＮＨ4ＯＨなどの化学溶
液に懸濁させて利用するため、ＣＭＰ処理を行うと平坦化と同時に親水性化処理がなされ
る。
Further, the hydrophilicity treatment may be performed by performing O 2 plasma treatment or N 2 O plasma treatment on the hydrophobic material surface. The hydrophilic treatment can also be performed by surface dipping treatment with a solution containing a hydroxyl group (—OH) such as alcohol. The CMP process is a surface polishing method using a slurry, and the slurry is used by suspending fine particles such as SiO 2 in a chemical solution such as KOH and NH 4 OH. Processing is done.
また、親水性を有する材料表面に対してＳｉＨ4、ＳｉＨmＦn、フロロカーボンなどのガ
スを用いたプラズマ処理を行って疎水性化処理を行ってもよい。
Alternatively, the surface of the hydrophilic material may be subjected to a hydrophobic treatment by performing a plasma treatment using a gas such as SiH 4 , SiH m F n , or fluorocarbon.
また、上方に形成する膜（有機化合物を含む層など）のカバレッジを問わない場合、図
１５（Ａ）に示すように第２の隔壁１６１２の側面をテーパー形状としてもよいし、図１
５（Ｂ）に示すように、第２の隔壁１６２２の側面を材料溶液が溜まりやすいように湾曲
した斜面を有する形状としてもよい。
In the case where the coverage of a film (such as a layer containing an organic compound) formed thereover is not a problem, the side surface of the second partition 1612 may have a tapered shape as illustrated in FIG.
As shown in FIG. 5B, the side surface of the second partition 1622 may have a curved slope so that the material solution can easily accumulate.
また、第２の隔壁材料に顔料を含ませて有機化合物を含む層からの発光や外光などの光
を吸収する構造としてもよい。なお、第２の隔壁材料として酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ
）を用いた場合には第２の隔壁は黒色となる。
Alternatively, the second partition wall material may include a pigment to absorb light such as light emitted from the layer containing an organic compound or external light. Note that silicon oxide carbide (SiOC) is used as the second partition wall material.
) Is used, the second partition wall is black.
本明細書で開示する作製方法に関する本発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に第１の
電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する発光素子を有する発光装置の作製
方法であって、
基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成する工程と、
疎水性の表面を有する第１の隔壁を前記第１の電極の端部を覆って形成する工程と、
親水性の表面を有する第２の隔壁を前記第１の隔壁の側面に形成する工程と、
塗布法により第２の隔壁および第１の電極のみに接して有機化合物を含む層を形成する
工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
The structure of the present invention relating to the manufacturing method disclosed in this specification includes a manufacturing of a light-emitting device including a light-emitting element including a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface. A method,
Forming a TFT and a first electrode on a substrate;
Forming a first partition having a hydrophobic surface over an end of the first electrode;
Forming a second partition wall having a hydrophilic surface on a side surface of the first partition wall;
And a step of forming a layer containing an organic compound in contact with only the second partition and the first electrode by a coating method.
また、第２の隔壁で第１の隔壁を覆う形状としてもよく、図４（Ａ）にその一例を示す
ように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁を覆う第２の隔壁と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記有機化合物を含む層と前記第１の隔壁との間には、前記第２の隔壁が設けられている
ことを特徴とする発光装置である。
Alternatively, the first partition may be covered with the second partition, and as shown in FIG.
A light-emitting device including a light-emitting element having a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
A first partition that covers an end of the first electrode, a second partition that covers the first partition,
A layer containing an organic compound in contact with the first electrode;
A second electrode on the layer containing the organic compound;
The light-emitting device is characterized in that the second partition is provided between the layer containing an organic compound and the first partition.
上記構成において、第１の隔壁は完全に第２の隔壁で覆われており、第１の隔壁の上端
部よりも第２の隔壁の上端部のほうが丸みを帯びた形状とすることを特徴としている。上
記構成とすることで、第１の隔壁の上面形状を縮小しても第２の隔壁によりカバレッジ不
良が低減される。
In the above configuration, the first partition is completely covered with the second partition, and the upper end of the second partition has a rounder shape than the upper end of the first partition. Yes. With the above structure, even if the upper surface shape of the first partition is reduced, coverage defects are reduced by the second partition.
また、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが好ましく、こ
れらの設置場所間を搬送する際には、第１の隔壁となる絶縁膜を全面に形成した段階で、
基板の輸送または搬送を行うことが好ましい。
In addition, when manufacturing TFTs and EL elements on a substrate, in order to prevent contamination, it is preferable to isolate the installation location of a device for manufacturing TFTs from the installation location of a device for forming EL elements. When conveying between, at the stage where the insulating film to be the first partition is formed on the entire surface,
It is preferable to transport or transport the substrate.
本発明の作製方法に関する構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極を覆って全面に有
機樹脂膜または無機絶縁膜を形成する工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチングして隔壁を形成し、且つ、第
１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れることなく該第１の電極上に有機化合物を含
む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発
光装置の作製方法である。
The configuration relating to the manufacturing method of the present invention is as follows.
A method for manufacturing a light-emitting device having a light-emitting element including a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
Forming a TFT and a first electrode on a substrate at a first location, covering the first electrode, and forming an organic resin film or an inorganic insulating film on the entire surface;
Transporting the substrate to a second location;
After the organic resin film or the inorganic insulating film is etched at a second location to form a partition wall and a part of the first electrode is exposed, an organic layer is formed on the first electrode without exposure to the atmosphere. Forming a layer containing the compound;
Forming a second electrode over the layer containing the organic compound. A method for manufacturing a light-emitting device.
さらに、基板を第２の場所に搬送する前に、有機樹脂膜または無機絶縁膜を覆う帯電防止
層を形成することによって静電破壊を防ぐことが好ましい。
Furthermore, it is preferable to prevent electrostatic breakdown by forming an antistatic layer covering the organic resin film or the inorganic insulating film before transporting the substrate to the second place.
また、第１の隔壁を形成した後、第１の電極表面を研磨または洗浄を行ってもよく、本
発明の作製方法に関する他の構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極の端部を覆う第１
の隔壁を形成する工程と、
露呈している第１の電極の表面を研磨する工程と、
前記第１の電極および第１の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜または無機絶縁膜を形成する
工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチングして第２の隔壁を形成し、且
つ、画素電極を露呈させた後、大気に触れることなく、該第１の電極上に有機化合物を含
む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を特徴とする発光装置の作製
方法である。
In addition, after forming the first partition, the surface of the first electrode may be polished or washed, and other configurations relating to the manufacturing method of the present invention are as follows:
A method for manufacturing a light-emitting device having a light-emitting element including a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
A TFT and a first electrode are formed on a substrate at a first location, and a first covering the end of the first electrode
Forming a partition wall;
Polishing the surface of the exposed first electrode;
Forming an organic resin film or an inorganic insulating film over the entire surface covering the first electrode and the first partition;
Transporting the substrate to a second location;
The organic resin film or the inorganic insulating film is etched at a second location to form a second partition, and after exposing the pixel electrode, an organic compound is formed on the first electrode without exposure to the atmosphere. Forming a layer comprising:
Forming a second electrode over the layer containing the organic compound. A method for manufacturing a light-emitting device.
研磨または洗浄を行うことにより、第１の電極の表面において、第１の隔壁に覆われた場
所以外は、平坦、且つ、清浄な表面となる。即ち、上記各構成において、有機化合物を含
む層と接する第１の電極表面は、第１の隔壁で覆われた第１の電極表面よりも凹凸が小さ
いことを特徴としている。そして全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜を異方性エッチング
することによって第２の隔壁を自己整合的に形成するとともに第１の電極表面を露呈させ
る。第２の隔壁を形成する際、マスクを用いてもよいが、マスク数の増加を防ぐには異方
性エッチングを用いて自己整合的に形成することが好ましい。
By polishing or cleaning, the surface of the first electrode becomes a flat and clean surface except for the place covered with the first partition. That is, each of the above structures is characterized in that the first electrode surface in contact with the layer containing an organic compound has smaller irregularities than the first electrode surface covered with the first partition. Then, an insulating film is formed on the entire surface, and the insulating film is anisotropically etched to form the second partition wall in a self-aligning manner and expose the surface of the first electrode. A mask may be used when forming the second partition wall, but it is preferable to form the second partition wall in a self-aligned manner using anisotropic etching in order to prevent an increase in the number of masks.
また、第１の隔壁の形成後に、スラリーなどを用いてＣＭＰで第１の電極表面を研磨す
ると、第１の隔壁の下端部付近はあまり研磨されないが、その部分は後の工程により第２
の隔壁で覆うため問題とならない。また、上記各構成において、第１の電極のうち、第２
の隔壁と接する領域は、第１の隔壁と接する第１の電極表面よりも凹凸が小さいことを特
徴としている。
Further, when the surface of the first electrode is polished by CMP using a slurry or the like after the formation of the first partition, the vicinity of the lower end of the first partition is not so much polished, but this portion is not processed in the second step.
This is not a problem because it is covered with a partition wall. In each of the above configurations, the second of the first electrodes.
The region in contact with the partition wall is characterized in that the unevenness is smaller than the surface of the first electrode in contact with the first partition wall.
また、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが好ましく、こ
れらの設置場所間を搬送する際には、第２の隔壁となる絶縁膜を全面に形成した段階で、
基板の輸送または搬送を行うことが好ましい。第１の電極を露呈させないようにすること
で第１の電極表面にゴミが付着することを防ぐことができる。
In addition, when manufacturing TFTs and EL elements on a substrate, in order to prevent contamination, it is preferable to isolate the installation location of a device for manufacturing TFTs from the installation location of a device for forming EL elements. When transporting the gap, an insulating film to be the second partition is formed on the entire surface,
It is preferable to transport or transport the substrate. By preventing the first electrode from being exposed, dust can be prevented from adhering to the surface of the first electrode.
また、第２の隔壁となる絶縁膜を覆う帯電防止層を形成することによって静電破壊を防
ぐことができ、本発明の作製方法に関する他の構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極を覆って全面に有
機樹脂膜または無機絶縁膜と、帯電防止層とを積層形成する工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記帯電防止層をエッチングし、前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチ
ングして隔壁を形成し、且つ、第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れることなく
該第１の電極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発
光装置の作製方法である。
In addition, electrostatic breakdown can be prevented by forming an antistatic layer covering the insulating film serving as the second partition wall, and other configurations relating to the manufacturing method of the present invention are as follows:
A method for manufacturing a light-emitting device having a light-emitting element including a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
Forming a TFT and a first electrode on a substrate at a first location, covering the first electrode, and laminating an organic resin film or an inorganic insulating film and an antistatic layer over the entire surface;
Transporting the substrate to a second location;
Etching the antistatic layer in a second location, etching the organic resin film or inorganic insulating film to form a partition wall, and exposing a part of the first electrode without exposing to the atmosphere Forming a layer containing an organic compound on the first electrode;
Forming a second electrode over the layer containing the organic compound. A method for manufacturing a light-emitting device.
第２の隔壁となる絶縁膜を覆う帯電防止層を形成することによって静電破壊を防ぐこと
ができる。帯電防止層としては、導電性の被膜、例えば界面活性剤系の塗料が塗布された
もの、塩化リチウムや塩化マグネシウムのような無機塩や、カルボン酸基やスルホン酸基
を含む高分子電解質のようなイオン伝導性物質を合成樹脂やシリケートなどの造膜性物質
に分散させてなる組成物を成膜したもの、または導電性ポリマーを用いればよい。そして
、搬送後は、帯電防止層を除去し、絶縁膜を異方性エッチングして第２の隔壁を形成して
から有機化合物を含む層を形成する。
Electrostatic breakdown can be prevented by forming an antistatic layer that covers the insulating film serving as the second partition. As the antistatic layer, a conductive film, for example, a surfactant-based coating, an inorganic salt such as lithium chloride or magnesium chloride, or a polymer electrolyte containing a carboxylic acid group or a sulfonic acid group is used. What is necessary is just to use what formed into a film the composition formed by disperse | distributing an ion conductive substance in film forming substances, such as a synthetic resin and a silicate, or a conductive polymer. After the conveyance, the antistatic layer is removed, the insulating film is anisotropically etched to form the second partition, and then the layer containing the organic compound is formed.
また、本発明は、発光が第２の電極を透過する上面出射型（トップエミッション型）の
発光装置にも適用することができる。上面出射型の発光装置とする場合、第２の電極は光
を透過する透明導電膜を用いることになるが、第２の電極の膜抵抗が高くなるという問題
が生じる。特に、透明導電膜の膜厚を薄くした場合、さらに膜抵抗が高くなってしまう。
陽極または陰極となる透明導電膜の膜抵抗が高くなると電圧降下により面内電位分布が不
均一になり、発光素子の輝度バラツキといった不具合が生じる。そこで、本発明は、発光
素子における透明電極の膜抵抗を低下させる構造の発光装置を提供する。
The present invention can also be applied to a top emission type (top emission type) light emitting device in which light emission passes through the second electrode. In the case of a top emission type light emitting device, a transparent conductive film that transmits light is used for the second electrode, but there is a problem that the film resistance of the second electrode is increased. In particular, when the film thickness of the transparent conductive film is reduced, the film resistance is further increased.
When the film resistance of the transparent conductive film serving as the anode or the cathode becomes high, the in-plane potential distribution becomes non-uniform due to the voltage drop, causing a problem such as luminance variation of the light emitting element. Therefore, the present invention provides a light emitting device having a structure that reduces the film resistance of a transparent electrode in a light emitting element.
本発明の他の構成は、図１７（Ａ）に一例を示したように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁の側壁となる第２の隔壁とを有し
、
前記第１の隔壁は、金属層を上層とし、絶縁層を下層とする積層構造であることを特徴と
する発光装置である。
Another configuration of the present invention is as shown in FIG.
A light-emitting device including a light-emitting element having a first electrode, a layer containing an organic compound, and a second electrode over a substrate having an insulating surface,
A first partition that covers an end of the first electrode; and a second partition that serves as a side wall of the first partition;
The first partition wall is a light emitting device having a laminated structure in which a metal layer is an upper layer and an insulating layer is a lower layer.
また、上記構成において、前記第２の電極は、透明導電膜を有し、前記発光素子の発光
は、前記第２の電極を透過することを特徴としている。
In the above structure, the second electrode has a transparent conductive film, and light emission of the light-emitting element is transmitted through the second electrode.
また、上記構成において、前記金属層は、前記第２の電極と接して補助電極となること
を特徴としている。
In the above structure, the metal layer is an auxiliary electrode in contact with the second electrode.
図１７（Ａ）に示すように、絶縁膜と金属膜とを積層し、同じマスクでパターニングを
行って上層を金属層とし、下層を絶縁層とする第１の隔壁を作製する。従って、マスク数
に増加はない。第１の隔壁の上層である金属層が補助電極１８００として機能する。
As shown in FIG. 17A, an insulating film and a metal film are stacked, and patterning is performed using the same mask to form a first partition wall having an upper layer as a metal layer and a lower layer as an insulating layer. Therefore, there is no increase in the number of masks. The metal layer that is the upper layer of the first partition functions as the auxiliary electrode 1800.
また、上記構成において、前記金属層は、前記隔壁に設けられたコンタクトホールを介
して下方の配線と接続していることを特徴している。
In the above structure, the metal layer is connected to a lower wiring through a contact hole provided in the partition wall.
また、上記金属層を用いて引き出し配線を形成し、下層に存在する他の配線と接続を行
うことも本発明の特徴としている。この場合、第１の隔壁にコンタクトホールを形成した
後に金属層を形成するため、マスク数が１枚増加する。透明電極と接続電極とを接続する
ための領域を表示領域以外に設けていたが、その接続領域スペースを削減できる。また、
有機化合物を含む膜の形成に塗布法を用いた場合には、全面に膜が形成されるため、接続
電極を露出するために選択的にＯ2プラズマアッシング処理などを蒸着法による有機化合
物を含む膜形成前、或いは陰極形成前に行っていた。本発明により有機化合物を含む膜の
形成に塗布法を用いても連続的に有機化合物を含む層と陰極とを積層形成することができ
る。
Another feature of the present invention is that a lead-out wiring is formed using the metal layer and connected to other wiring existing in the lower layer. In this case, since the metal layer is formed after the contact hole is formed in the first partition, the number of masks is increased by one. Although the area for connecting the transparent electrode and the connection electrode is provided in addition to the display area, the connection area space can be reduced. Also,
When a coating method is used to form a film containing an organic compound, the film is formed on the entire surface. Therefore, in order to expose the connection electrode, an O 2 plasma ashing process or the like is selectively included to contain the organic compound by the vapor deposition method. This was performed before film formation or before cathode formation. According to the present invention, even when a coating method is used for forming a film containing an organic compound, a layer containing an organic compound and a cathode can be continuously formed.
また、ＴＦＴ構造は特に限定されず、ポリシリコンを活性層とするトップゲート型ＴＦ
Ｔやボトムゲート型ＴＦＴであってもよく、図１８に示すように、アモルファスシリコン
ＴＦＴであってもよい。
Further, the TFT structure is not particularly limited, and a top gate type TF having polysilicon as an active layer.
T or a bottom gate TFT may be used, and an amorphous silicon TFT may be used as shown in FIG.
本発明により、第１の隔壁の断面形状における段差が大きくても側面または上面を第２の
隔壁で覆うためカバレッジ不良が低減できる。また、隔壁の上面形状を縮小できるため、
さらなる高精細な表示を実現できる。
According to the present invention, even if a step in the cross-sectional shape of the first partition is large, the side surface or the upper surface is covered with the second partition, so that coverage defects can be reduced. Moreover, since the upper surface shape of the partition wall can be reduced,
Further high-definition display can be realized.
本発明の実施形態について、以下に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
（実施の形態１）
ここではアクティブマトリクス型発光装置の例を用いて本発明を説明する。
(Embodiment 1)
Here, the present invention will be described using an example of an active matrix light emitting device.
図１（Ａ）において、１０は基板、１１は第１の隔壁、１２は第２の隔壁、１３は第１の
電極、１４は有機化合物を含む層、１５は第２の電極、１６はＴＦＴ、１８は絶縁膜であ
る。なお、図１（Ａ）では第１の電極１３は発光素子の陽極として機能させ、第２の電極
は発光素子の陰極として機能させているが、特に限定されず、材料を適宜選択すれば第１
の電極を陰極として機能させ、第２の電極を陽極として機能させることも可能である。
In FIG. 1A, 10 is a substrate, 11 is a first partition, 12 is a second partition, 13 is a first electrode, 14 is a layer containing an organic compound, 15 is a second electrode, and 16 is a TFT. , 18 are insulating films. Note that in FIG. 1A, the first electrode 13 functions as an anode of the light-emitting element and the second electrode functions as a cathode of the light-emitting element; however, there is no particular limitation; 1
It is also possible to make the second electrode function as a cathode and the second electrode as an anode.
また、図１（Ａ）の構造を得るための作製工程の一例を図２に示す。 FIG. 2 shows an example of a manufacturing process for obtaining the structure of FIG.
まず、絶縁表面を有する基板１０上にＴＦＴ１６を作製する。ＴＦＴ１６の層間絶縁膜と
しては、スパッタ法、ＰＣＶＤ法、または塗布法により得られる無機材料（酸化シリコン
、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＮＦ膜など）、或いは塗布法に
より得られる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、或いは塗布法により得られるＳ
ＯＧ膜（シロキサン構造を有する絶縁膜）、またはこれらの積層などを適宜用いることが
できる。ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが特に限定されず、ボトムゲート型
ＴＦＴとしてもよい。ＴＦＴ１６は公知の方法でｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型
ＴＦＴを作製すればよい。次いで、陽極となる第１の電極１３をＴＦＴの電極と一部重な
るように形成する。ここでは、第１の電極１３として、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、ウエットエッチングで形成する。第１の電極１３をパタ
ーニングする際、絶縁膜１８と選択比が取れるようにエッチング条件または材料を適宜設
定する。
First, the
An OG film (insulating film having a siloxane structure) or a stack of these films can be used as appropriate. Here, an example of a top gate type TFT is shown, but there is no particular limitation, and a bottom gate type TFT may be used. The
(Indium oxide tin oxide alloy), indium oxide zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO),
It is formed by wet etching using zinc oxide (ZnO) or the like. When patterning the first electrode 13, etching conditions or materials are appropriately set so as to obtain a selection ratio with the insulating
次いで、ＰＣＶＤ法、スパッタ法、または塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、パ
ターニングを行って第１の隔壁１１を形成する。第１の隔壁１１は、第１の電極の端部、
配線、および電極を覆い、各電極間を絶縁する。この第１の隔壁１１の幅が大きいと、開
口率が低下するため、本発明では、できるだけ第１の隔壁の上面形状を小さくして開口率
向上、且つ、高精細化を図る。従って、微細加工が可能なドライエッチングでパターニン
グを行うことが好ましい。第１の隔壁１１をパターニングする際、第１の電極及び絶縁膜
１８と選択比が取れるようにエッチング条件または材料を適宜設定する。
Next, after an insulating film is formed on the entire surface by PCVD, sputtering, or coating, patterning is performed to form the first partition 11. The first partition 11 has an end of the first electrode,
The wiring and electrodes are covered and the electrodes are insulated from each other. When the width of the first partition wall 11 is large, the aperture ratio is lowered. Therefore, in the present invention, the top surface shape of the first partition wall is made as small as possible to improve the aperture ratio and achieve high definition. Therefore, it is preferable to perform patterning by dry etching that allows fine processing. When patterning the first partition wall 11, etching conditions or materials are appropriately set so that a selection ratio can be obtained with respect to the first electrode and the insulating
次いで、露呈している第１の電極１３の表面を研磨または洗浄する。この段階での１つ
の画素における断面図が図２（Ａ）である。第１の電極（陽極）の表面に対して界面活性
剤（弱アルカリ性）を含ませた多孔質なスポンジ（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）製、ナイロン製など）で洗浄して表面のゴミを除去することが好ましい。洗浄機構
として、基板の面に平行な軸線まわりに回動して基板の面に接触するロールブラシ（ＰＶ
Ａ製）を有する洗浄装置を用いてもよいし、基板の面に垂直な軸線まわりに回動しつつ基
板の面に接触するディスクブラシ（ＰＶＡ製）を有する洗浄装置を用いてもよい。例えば
、機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）を用いて研磨する場合、第１の隔壁は硬質である無機
絶縁材料とすることが好ましい。凸部となる第１の隔壁が設けられていても第１の電極表
面を研磨して平坦にすることができる。また、第１の隔壁の高さ（膜厚）が２μｍ以上だ
と、カバレッジ不良が生じやすく、さらに第１の電極と接している第１の隔壁の下端部近
傍が研磨しずらいので、第１の隔壁の高さは低いほうがよい。
Next, the exposed surface of the first electrode 13 is polished or washed. A cross-sectional view of one pixel at this stage is FIG. The surface of the first electrode (anode) is cleaned with a porous sponge (typically made of PVA (polyvinyl alcohol), nylon, etc.) containing a surfactant (weakly alkaline), and the surface dust is cleaned. Is preferably removed. As a cleaning mechanism, a roll brush (PV that rotates around an axis parallel to the surface of the substrate and contacts the surface of the substrate)
A cleaning device having a disc brush (manufactured by PVA) that contacts the surface of the substrate while rotating around an axis perpendicular to the surface of the substrate may be used. For example, in the case where polishing is performed using a mechanical chemical polishing method (CMP method), it is preferable that the first partition be a hard inorganic insulating material. Even if the first partition walls to be convex portions are provided, the surface of the first electrode can be polished and flattened. In addition, if the height (film thickness) of the first partition is 2 μm or more, a coverage defect is likely to occur, and the vicinity of the lower end of the first partition in contact with the first electrode is difficult to polish. The height of the
ＣＭＰ装置を用い、５５０ｎｍの高さを有する凸部（段差）がある状態でＣＭＰ処理を行
ったところ、凸部から３μｍ以上距離が離れている箇所で平坦化が可能であった。図７に
実験結果を示す。ＣＭＰ処理前の図７（Ａ）に比べ、１０ｎｍの高さを有する凸凹がＣＭ
Ｐ処理後の図７（Ｂ）に示すように大幅に減少している。
When CMP processing was performed using a CMP apparatus in a state where there was a convex portion (step) having a height of 550 nm, it was possible to perform planarization at a location separated by 3 μm or more from the convex portion. FIG. 7 shows the experimental results. The unevenness having a height of 10 nm is CM compared to FIG.
As shown in FIG. 7 (B) after the P treatment, it is greatly reduced.
また、研磨後に、他の処理、例えば第１の電極表面の改質を行うための紫外線照射、酸
素プラズマ処理などを行ってもよい。
Further, after the polishing, other treatments such as ultraviolet irradiation or oxygen plasma treatment for modifying the surface of the first electrode may be performed.
次いで、基板全面に絶縁膜を形成する。（図２（Ｂ））この絶縁膜としては、第１の隔
壁の材料とエッチングレートが異なる材料を用いる。また、第１の隔壁によって既に電極
間の絶縁がなされているので絶縁膜ではなく、半導体膜（ポリシリコンやアモルファスシ
リコンなど）であってもよい。また、この絶縁膜は後の工程で第１の隔壁の側面を覆う第
２の隔壁となる。また、第１の電極表面を研磨した直後に絶縁膜を形成することによって
、第１の電極表面にゴミが付着するのを防ぐ。図２（Ａ）の状態で基板を蒸着装置に搬送
または導入するまでの間、第１の電極表面にゴミが付着するとショートが生じる原因にな
る。しかし、図２（Ｂ）の状態であれば、たとえ基板を工場外に搬送してゴミが付着して
も後の工程で絶縁膜表面のゴミをエッチングで除去することができ、第１の電極表面をク
リーンに保つことができる。
Next, an insulating film is formed on the entire surface of the substrate. (FIG. 2B) As this insulating film, a material having an etching rate different from that of the first partition wall is used. Further, since the electrodes are already insulated by the first partition, a semiconductor film (polysilicon, amorphous silicon, etc.) may be used instead of the insulating film. In addition, this insulating film becomes a second partition wall that covers the side surface of the first partition wall in a later step. In addition, by forming an insulating film immediately after polishing the first electrode surface, dust is prevented from adhering to the first electrode surface. If dust adheres to the surface of the first electrode until the substrate is transported or introduced into the vapor deposition apparatus in the state of FIG. 2A, a short circuit occurs. However, in the state shown in FIG. 2B, even if the substrate is transported outside the factory and the dust adheres, the dust on the surface of the insulating film can be removed by etching in a later process, and the first electrode The surface can be kept clean.
次いで、異方性エッチングまたはエッチバックを行って絶縁膜のほとんどを除去して第
１の隔壁の側面のみに接する第２の隔壁１２を形成するとともに、第１の電極表面を露呈
させる。（図２（Ｃ））ここではウエットエッチングまたは反応性イオンを用いたドライ
エッチングを用いて表面を曲面とするとともに、第１の隔壁の形状に沿って自己整合的に
第２の隔壁を形成することが好ましい。ドライエッチングを用いて形成された第１の隔壁
側面は荒れやすいが、その荒れた側面を覆うように第２の隔壁を形成する。こうしてサイ
ドウォール型の隔壁が形成される。また、ＣＭＰなどの平坦化処理で処理しきれていない
部分が第１の電極表面に生じた場合、その部分を第２の隔壁で覆うことができる。第２の
隔壁１２をパターニングする際、第１の隔壁、第１の電極、及び絶縁膜１８と選択比が取
れるようにエッチング条件または材料を適宜設定する。
Next, anisotropic etching or etch back is performed to remove most of the insulating film to form the second partition 12 in contact with only the side surface of the first partition, and to expose the surface of the first electrode. Here, the surface is curved using wet etching or dry etching using reactive ions, and the second partition is formed in a self-aligned manner along the shape of the first partition. It is preferable. The side face of the first partition formed by dry etching is likely to be rough, but the second partition is formed so as to cover the rough side face. In this way, a sidewall type partition is formed. In addition, when a portion that has not been completely processed by the planarization process such as CMP occurs on the surface of the first electrode, the portion can be covered with the second partition. When patterning the second partition 12, etching conditions or materials are appropriately set so as to obtain a selection ratio with the first partition, the first electrode, and the insulating
また、第２の隔壁を形成する際、第１の電極表面をエッチングして薄くしてもよい。予め
ＣＭＰなどで平坦化されているため、多少オーバーエッチングされても平坦な表面を維持
できる。また、第１の電極表面がオーバーエッチングされた場合には、第２の隔壁の端部
と接する箇所にわずかな段差が形成される。
Further, when the second partition is formed, the surface of the first electrode may be etched and thinned. Since the surface is planarized beforehand by CMP or the like, a flat surface can be maintained even if it is somewhat over-etched. In addition, when the surface of the first electrode is over-etched, a slight step is formed at a location in contact with the end of the second partition wall.
さらに、第２の隔壁を形成する際、エッチングレートが異なる材料で形成された第１の隔
壁がエッチングされてもよい。第１の隔壁がオーバーエッチングされた場合、第１の隔壁
の上端部を丸くすることができる。
Furthermore, when forming the second partition, the first partition formed of a material having a different etching rate may be etched. When the first partition is over-etched, the upper end of the first partition can be rounded.
各部位の材料の組み合わせの一例としては、絶縁膜１８を窒化珪素膜、第１の電極１３を
ＩＴＯ、第１の隔壁１１を酸化珪素膜、第２の隔壁１２を有機樹脂膜（アクリル、ポリイ
ミドなど）としてＯ2プラズマアッシングで第２の隔壁を形成する。Ｏ2プラズマアッシン
グで第２の隔壁を形成する場合、そのまま第１の電極１３の表面改質をＯ2プラズマでで
きるため、トータル工程数が増えない。また、上面出射型の表示装置とする場合において
、第１の電極１３として窒化チタン膜を用いた場合、Ｏ2プラズマで第２の隔壁を形成し
た後、塩素ガスにガスを切り替えプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ま
しい。また、本発明により隔壁形成後から大気に触れることなく、真空アニールを行うこ
とができ、さらに有機化合物を含む層を形成することができる。
As an example of a combination of materials in each part, the insulating
また、各部位の材料の組み合わせの他の一例としては絶縁膜１８を窒化珪素膜、第１の電
極１３をＩＴＯ、第１の隔壁１１を酸化珪素膜、第２の隔壁１２をポリシリコン膜として
フッ酸系のエッチャント、或いはＳ2Ｆ2ガス等で第２の隔壁を形成する。また、他の一例
としては絶縁膜１８を窒化酸化珪素膜、第１の電極１３をＩＴＯ、第１の隔壁１１を窒化
珪素膜、第２の隔壁１２を酸化珪素膜(有機シラン、例えばテトラエトキシシランを用い
た酸化珪素膜)としてＲＩＥ（Reactive Ion Etching）による異方性エッチングで第２の
隔壁を形成する。第２の隔壁１２を酸化珪素膜としてウエットエッチングする場合には、
エッチャントとしてフッ素水素アンモニウムを７．１３％含み、且つ、フッ化アンモニウ
ムを１５．４％含む混合溶液（ＬＡＬ５００：ステラケミファ社製）を用いればよい。ま
た、第２の隔壁の上端部に曲面を持たせるためにＣＨＦ3ガスからＣＦ4ガスに徐々に切り
替えることによって酸化珪素膜をエッチングして酸化珪素膜からなる第２の隔壁を形成し
てもよい。
Further, as another example of the combination of materials at each part, the insulating
A mixed solution (LAL500: manufactured by Stella Chemifa Corporation) containing 7.13% ammonium hydrogen fluoride and 15.4% ammonium fluoride may be used as an etchant. Further, even if the silicon oxide film is etched by gradually switching from the CHF 3 gas to the CF 4 gas in order to give a curved surface to the upper end portion of the second partition, the second partition made of the silicon oxide film is formed. Good.
また、窒化珪素膜からなる第２の隔壁を形成する場合には、酸化珪素膜やシリコン膜と
選択性の高いＣＨ3Ｆガスを用いればよい。
In the case of forming the second partition made of a silicon nitride film, a CH 3 F gas having high selectivity with respect to a silicon oxide film or a silicon film may be used.
次いで、有機化合物を含む層１４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極１５と
なる陰極を形成する。図１（Ａ）では、有機化合物を含む層１４は単層として示している
が、正孔注入層（または正孔輸送層）、発光層、電子注入層（または電子輸送層）などが
積層された積層構造である。なお、発光装置の信頼性を向上させるため、有機化合物を含
む層１４の形成直前に真空加熱（１００℃〜２５０℃）を行って脱気を行うことが好まし
い。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下
、好ましくは１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際
、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことに
より基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設
けられた開口部を通って基板に蒸着される。以上の工程で図２（Ｄ）に示す構造を得るこ
とができる。また、有機化合物を含む層１４や第２の電極１５の成膜方法は、ＴＦＴ１６
にダメージを与えない抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども
用いることができる。
Next, a layer 14 containing an organic compound is formed by a vapor deposition method, and a cathode to be the second electrode 15 is further formed thereon. In FIG. 1A, the layer 14 containing an organic compound is shown as a single layer; however, a hole injection layer (or hole transport layer), a light emitting layer, an electron injection layer (or electron transport layer), or the like is stacked. It is a laminated structure. Note that in order to improve the reliability of the light-emitting device, it is preferable to perform deaeration by performing vacuum heating (100 ° C. to 250 ° C.) immediately before the formation of the layer 14 containing an organic compound. For example, in the case of using a vapor deposition method, the vapor deposition is performed in a film formation chamber evacuated to a vacuum degree of 5 × 10 −3 Torr (0.665 Pa) or less, preferably 10 −4 to 10 −6 Torr. At the time of vapor deposition, the organic compound is vaporized by resistance heating in advance, and is scattered in the direction of the substrate by opening the shutter at the time of vapor deposition. The vaporized organic compound scatters upward and is deposited on the substrate through an opening provided in the metal mask. Through the above steps, the structure illustrated in FIG. 2D can be obtained. In addition, a method for forming the layer 14 containing the organic compound and the second electrode 15 is a
A resistance heating method that does not damage the substrate is preferable, and an inkjet method, a spin coating method, or the like can also be used.
また、インクジェット法やスピンコート法によって有機化合物を含む層を形成する場合、
材料液が水溶液であれば、図１（Ｂ）に示すように、第１の隔壁２１（および絶縁膜２８
）を疎水性の材料で形成し、第２の隔壁を親水性の材料で形成することによって、有機化
合物を含む層を選択的に成膜することができる。この場合、第２の隔壁と露呈している第
１の電極表面のみに有機化合物を含む層を形成することができる。もし、第２の隔壁も疎
水性の材料で形成した場合、第１の電極上には周縁の膜厚が薄くなる一方、中央部が厚く
なり膜の均一性が悪くなってしまうが、第２の隔壁を親水性とすることによって第１の電
極上に均一な膜厚を得ることができる。
In addition, when forming a layer containing an organic compound by an inkjet method or a spin coating method,
If the material solution is an aqueous solution, as shown in FIG. 1B, the first partition wall 21 (and the insulating film 28).
) Is formed of a hydrophobic material, and the second partition is formed of a hydrophilic material, whereby a layer containing an organic compound can be selectively formed. In this case, a layer containing an organic compound can be formed only on the surface of the first electrode exposed from the second partition wall. If the second partition wall is also formed of a hydrophobic material, the film thickness of the periphery on the first electrode becomes thin, while the central part becomes thick and the uniformity of the film deteriorates. By making the partition walls hydrophilic, a uniform film thickness can be obtained on the first electrode.
インクジェット法としてはピエゾジェット方式であってもよいし、熱による気泡発生に
より吐出する方式（バブル方式）であってもよい。ピエゾ方式の場合には、使用する溶液
に熱的ストレスを与えない、インクジェットヘッドの駆動波形を変化させることで自由に
液滴の大きさをコントロールしやすい利点がある。
The ink jet method may be a piezo jet method, or may be a method (bubble method) that discharges by generating bubbles due to heat. In the case of the piezo method, there is an advantage that the droplet size can be easily controlled by changing the drive waveform of the inkjet head without applying thermal stress to the solution to be used.
図１（Ｂ）において、２０は基板、２１は第１の隔壁、２２は第２の隔壁、２３は第１の
電極、２４は有機化合物を含む層、２５は第２の電極、２６はＴＦＴ、２８は絶縁膜であ
る。ここでは有機化合物を含む層２４を塗布法で形成した例を示しているが、蒸着法によ
る膜と積層してもよく、例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオ
フェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）、或いはポリアニリン／シ
ョウノウスルホン酸水溶液（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＴＰＤＥＫ、
またはＰＰＢＡなどをスピンコート法で塗布、焼成した後、蒸着法により発光層、電子輸
送層などを積層してもよい。この場合、正孔注入層は自己整合的に所定の箇所に形成され
、発光層、電子輸送層などは蒸着マスクによって形成されることになるので互いの端面は
一致しない。
In FIG. 1B, 20 is a substrate, 21 is a first partition, 22 is a second partition, 23 is a first electrode, 24 is a layer containing an organic compound, 25 is a second electrode, and 26 is a TFT. 28 are insulating films. Here, an example in which the layer 24 containing an organic compound is formed by a coating method is shown, but it may be laminated with a film by a vapor deposition method, for example, poly (ethylenedioxythiophene) / poly (Styrene sulfonic acid) aqueous solution (PEDOT / PSS), or polyaniline / camphor sulfonic acid aqueous solution (PANI / CSA), PTPDES, Et-PTPDK,
Alternatively, after applying and baking PPBA or the like by a spin coat method, a light emitting layer, an electron transport layer, or the like may be stacked by a vapor deposition method. In this case, the hole injection layer is formed in a predetermined location in a self-aligned manner, and the light emitting layer, the electron transport layer, and the like are formed by the vapor deposition mask, so that the end faces of each other do not match.
また、第１の隔壁の材料として疎水性の材料を用いなくとも、フッ素処理などを行って疎
水性の表面としてもよい。
In addition, a hydrophobic surface may be used to form a hydrophobic surface without using a hydrophobic material as the material of the first partition.
また、ここでは水溶液の例を示したが、有機化合物を含む材料液の溶媒（アルコールな
ど）に親和性の材料を第１の隔壁の材料として用い、非親和性の材料を第２の隔壁として
用いればよい。
Although an example of an aqueous solution is shown here, a material having an affinity for a solvent (such as alcohol) of a material solution containing an organic compound is used as the material for the first partition, and a non-affinity material is used as the second partition. Use it.
（実施の形態２）
ここでは、アクティブマトリクス型表示装置の作製工程中に帯電防止層を設けることに
よってＴＦＴの静電破壊を防ぐ例を図３に示す。なお、図３において、図１（Ａ）と同じ
箇所には同一の符号を用いることとする。
(Embodiment 2)
Here, FIG. 3 shows an example in which electrostatic breakdown of a TFT is prevented by providing an antistatic layer during the manufacturing process of the active matrix display device. In FIG. 3, the same reference numerals are used for the same portions as those in FIG.
基板１０上にＴＦＴ１６と、第１の電極１３とを形成する。次いで、第１の電極の端部
を覆う第１の隔壁１１を形成する。（図３（Ａ））
A
次いで、基板全面に絶縁膜を形成し、さらにその上に帯電防止層３０を形成する。（図
３（Ｂ））帯電防止層３０を形成することによって静電破壊を防ぐことができる。絶縁表
面には静電気が帯電しやすく、このために帯電した表面にゴミが引きつけられて付着した
り、他の物体に触れると静電放電が生じる恐れがあった。
Next, an insulating film is formed on the entire surface of the substrate, and an
帯電防止層３０として導電性ポリマー、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／
ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）、ポリアニリン／ショウノウスルホン
酸水溶液（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＴＰＤＥＫ、またはＰＰＢＡな
どを塗布、焼成したものを用いればよい。この帯電防止層３０は後の工程で除去する。ま
た、帯電防止層３０としては、銀、ニッケル、銅、錫などの金属またはその酸化物の微粒
子をアクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、テトラエトキシシランなどに分散させた層、
例えばアンチモン含有酸化錫からなる粒径が０．２μｍ以下の導電性微粒子をアクリルに
５０〜７０重量％含む層を形成してもよい。
As the
A poly (styrene sulfonic acid) aqueous solution (PEDOT / PSS), polyaniline / camphor sulfonic acid aqueous solution (PANI / CSA), PTPDES, Et-PTPDK, PPBA, or the like may be used. This
For example, a layer containing 50 to 70% by weight of conductive fine particles made of antimony-containing tin oxide and having a particle size of 0.2 μm or less may be formed.
次いで、帯電防止層３０を除去した後、異方性エッチングを行って第２の隔壁１２を形
成する。（図３（Ｃ））また、工程数短縮のため、帯電防止層３０と絶縁膜とを同じエッ
チング方法でエッチングして第２の隔壁１２を形成してもよい。
Next, after removing the
また、帯電防止層３０と第１の電極とを接して形成した場合、帯電防止層３０に含まれ
る材料と反応して第１の電極の表面状態または仕事関数を変化させてしまう恐れがある。
そこで、本発明では帯電防止層と第１の電極の間にバッファ層となる絶縁膜を設けており
、さらにその絶縁膜をエッチングして隔壁の一部、ここでは第２の隔壁１２としている。
Further, when the
Therefore, in the present invention, an insulating film serving as a buffer layer is provided between the antistatic layer and the first electrode, and the insulating film is further etched to form a part of the partition wall, here the second partition wall 12.
次いで、有機化合物を含む層１４、第２の電極１５となる陰極を蒸着法または塗布法に
より積層形成する。以上の工程で図３（Ｄ）に示す構造を得ることができる。
Next, a layer 14 containing an organic compound and a cathode to be the second electrode 15 are stacked by vapor deposition or coating. Through the above steps, the structure illustrated in FIG. 3D can be obtained.
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態３）
実施の形態１では第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁を形成した例を示したが、ここでは
第１の隔壁を全て覆う第２の隔壁を形成した例を図４（Ａ）に示す。
(Embodiment 3)
In
図４（Ａ）において、４０は基板、４１は第１の隔壁、４２は第２の隔壁、４３は第１の
電極、４４は有機化合物を含む層、４５は第２の電極、４６はＴＦＴ、４７は電源供給線
、４８ａ〜４８ｃは絶縁膜である。
4A, 40 is a substrate, 41 is a first partition, 42 is a second partition, 43 is a first electrode, 44 is a layer containing an organic compound, 45 is a second electrode, and 46 is a TFT. , 47 are power supply lines, and 48a to 48c are insulating films.
また、図４（Ａ）の構造を得るための作製工程の一例を図５に示す。 FIG. 5 shows an example of a manufacturing process for obtaining the structure of FIG.
まず、絶縁表面を有する基板４０上にＴＦＴ４６を作製する。ＴＦＴ４６は公知の方法で
ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを作製すればよい。なお、４６ａはチャネ
ル形成領域、４６ｂ、４６ｃはソース領域またはドレイン領域、４６ｄはゲート電極、４
６ｅ、４６ｆはソース電極またはドレイン電極、４６ｇはゲート絶縁膜である。ここでは
トップゲート型ＴＦＴの例を示したが特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴとしてもよ
い。
First, the
次いで、陽極となる第１の電極４３をＴＦＴの電極４６ｆと一部重なるように形成する。
Next, a first electrode 43 serving as an anode is formed so as to partially overlap the
次いで、ＰＣＶＤ法、スパッタ法、または塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、フ
ォトリソ技術によるパターニングを行って第１の隔壁４１を形成する。第１の隔壁４１は
、第１の電極４３の端部、電源供給線４７、および電極４６ｅ、４６ｆを覆い、各電極間
を絶縁する。ここでは塗布法により無機絶縁膜（酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜など）で第
１の隔壁４１を形成する例を示している。
Next, after an insulating film is formed on the entire surface by a PCVD method, a sputtering method, or a coating method, patterning by a photolithography technique is performed to form the
次いで、露呈している第１の電極４３の表面を研磨または洗浄する。この段階での１つ
の画素における断面図が図５（Ａ）である。
Next, the exposed surface of the first electrode 43 is polished or cleaned. A cross-sectional view of one pixel at this stage is FIG.
次いで、基板全面に絶縁膜を形成する。（図５（Ｂ））この絶縁膜としては、第１の隔
壁の材料とエッチングレートが同じ材料を用いる。また、絶縁膜として第１の隔壁の材料
とエッチングレートが異なる材料を用いてもよい。
Next, an insulating film is formed on the entire surface of the substrate. (FIG. 5B) As this insulating film, a material having the same etching rate as that of the first partition wall is used. Further, a material having an etching rate different from that of the first partition wall may be used for the insulating film.
次いで、エッチバックまたは異方性エッチングを行って第１の隔壁４１を覆う第２の隔
壁４２を形成するするとともに、第１の電極表面を露呈させる。（図５（Ｃ））エッチバ
ックを行えば、絶縁膜表面の凹凸を反映して第２の隔壁４２が形成される。また、第２の
隔壁４２の上端部は、第１の隔壁４１の上端部よりも滑らかなものとすることができる。
Next, etch back or anisotropic etching is performed to form a second partition 42 that covers the
次いで、有機化合物を含む層４４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極４５と
なる陰極を形成する。以上の工程で図５（Ｄ）に示す構造を得ることができる。また、有
機化合物を含む層４４や第２の電極４５の成膜方法は、ＴＦＴ４６にダメージを与えない
抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども用いることができる。
Next, a layer 44 containing an organic compound is formed by an evaporation method, and a cathode to be the second electrode 45 is formed thereon. Through the above steps, the structure illustrated in FIG. 5D can be obtained. The film formation method of the layer 44 containing the organic compound and the second electrode 45 is preferably a resistance heating method that does not damage the
また、本実施の形態は実施の形態１、または実施の形態２と自由に組み合わせることが
できる。
Further, this embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態４）
実施の形態１では第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁を形成した例を示したが、ここでは
電極のみを覆う第１の隔壁を形成した例を図４（Ｂ）に示す。本実施の形態によりサブミ
クロンサイズの隔壁を形成することができる。
(Embodiment 4)
In
図４（Ｂ）において、５０は基板、５１は第１の隔壁、５２は第２の隔壁、５３は第１の
電極、５４は有機化合物を含む層、５５は第２の電極、５６はＴＦＴ、５８は絶縁膜であ
る。
4B, 50 is a substrate, 51 is a first partition, 52 is a second partition, 53 is a first electrode, 54 is a layer containing an organic compound, 55 is a second electrode, and 56 is a TFT. , 58 are insulating films.
ここでは、第１の隔壁５１は金属電極（アルミニウムを主成分とする電極）を熱酸化また
は陽極酸化などの酸化処理を行うことによって得られる酸化物（アルミナ）で形成する。
従って、第１の隔壁も自己整合的に形成されるため、マスク数を削減することができる。
また、酸化により得られる第１の隔壁は上面形状をさらに小さくすることができ、高精細
化することができる。また、隔壁サイズを極小なものとすることができるため、画素領域
全体に占める隔壁面積が小さくなるので開口率が向上する。
Here, the first partition 51 is formed of an oxide (alumina) obtained by performing oxidation treatment such as thermal oxidation or anodic oxidation on a metal electrode (an electrode containing aluminum as a main component).
Therefore, since the first partition is also formed in a self-aligned manner, the number of masks can be reduced.
In addition, the first partition wall obtained by oxidation can further reduce the shape of the top surface, and can have high definition. In addition, since the partition wall size can be made extremely small, the partition wall area occupying the entire pixel region is reduced, so that the aperture ratio is improved.
第１の電極５３を絶縁膜５８上に形成した後、ＴＦＴの電極（ソース電極またはドレイ
ン電極）を形成する。その後、ＴＦＴの電極を酸化させて表面に酸化膜を形成する。第１
の隔壁５１を電極の酸化膜とすることで、０．１μｍ以下のサイズが形成可能となる。
After the first electrode 53 is formed on the insulating
By using the partition wall 51 as an oxide film of an electrode, a size of 0.1 μm or less can be formed.
次いで、露呈している第１の電極５３の表面を研磨または洗浄する。次いで、基板全面
に絶縁膜を形成する。この絶縁膜としては、第１の隔壁の材料とエッチングレートが異な
る材料を用いる。また、第１の隔壁によって既に電極間の絶縁がなされているので絶縁膜
ではなく、半導体膜（ポリシリコンやアモルファスシリコンなど）であってもよい。また
、この絶縁膜は後の工程で第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁となる。
Next, the exposed surface of the first electrode 53 is polished or washed. Next, an insulating film is formed on the entire surface of the substrate. As this insulating film, a material having an etching rate different from that of the first partition wall is used. Further, since the electrodes are already insulated by the first partition, a semiconductor film (polysilicon, amorphous silicon, etc.) may be used instead of the insulating film. In addition, this insulating film becomes a second partition wall that covers the side surface of the first partition wall in a later step.
次いで、異方性エッチングまたはエッチバックを行って絶縁膜のほとんどを除去して第
１の隔壁の側面のみに接する第２の隔壁５２を形成するとともに、第１の電極表面を露呈
させる。ここではウエットエッチングを用いて表面を曲面とするとともに、自己整合的に
形成することが好ましい。こうしてサイドウォール型の隔壁が形成される。第１の隔壁の
みでも画素間の絶縁を行うことは可能であるが、第１の隔壁を金属酸化物とした場合、第
１の隔壁の上端部における厚さと下端部における厚さが不均一、即ち、逆テーパ形状とな
りやすく、カバレッジ不良を生じやすくなる。本実施の形態においては、不均一になりや
すい第１の隔壁の側面を第２の隔壁で覆うことによって、後に形成する膜厚の薄い有機化
合物を含む層のカバレッジ不良をなくし、信頼性を向上させる。
Next, anisotropic etching or etch back is performed to remove most of the insulating film to form a second partition 52 that contacts only the side surface of the first partition, and to expose the surface of the first electrode. Here, it is preferable to use wet etching to make the surface curved and to form in a self-aligning manner. In this way, a sidewall type partition is formed. Although it is possible to insulate between the pixels only with the first partition, when the first partition is made of metal oxide, the thickness at the upper end and the thickness at the lower end of the first partition are not uniform. That is, it becomes easy to become a reverse taper shape, and it becomes easy to produce poor coverage. In this embodiment, by covering the side surface of the first partition, which tends to be non-uniform, with the second partition, the coverage defect of the layer containing a thin organic compound formed later is eliminated and the reliability is improved. Let
また、実施の形態４に示したように第１の隔壁５１を全て覆う第２の隔壁を形成しても
よい。
Further, as shown in Embodiment Mode 4, a second partition wall that covers all the first partition walls 51 may be formed.
次いで、有機化合物を含む層５４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極５５と
なる陰極を形成する。以上の工程で図４（Ｂ）に示す構造を得ることができる。また、有
機化合物を含む層５４や第２の電極５５の成膜方法は、ＴＦＴ５６にダメージを与えない
抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども用いることができる。
Next, a layer 54 containing an organic compound is formed by an evaporation method, and a cathode to be the second electrode 55 is formed thereon. Through the above process, the structure illustrated in FIG. 4B can be obtained. The film formation method of the layer 54 containing an organic compound and the second electrode 55 is preferably a resistance heating method that does not damage the
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み
合わせることができる。
Further, this embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態５）
基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製する装置の
設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが考えられる。例えば、
装置が設置されている棟を別々にしたり、工場自体を別々の場所に設置する。
(Embodiment 5)
In the case where a TFT and an EL element are manufactured over a substrate, in order to prevent contamination, it is conceivable to separate the installation location of a device for manufacturing a TFT from the installation location of a device for forming an EL element. For example,
Separate buildings with equipment, or install factories in different locations.
隔離した場合には、互いの設置場所の間で基板を搬送する必要性が発生する。そして、互
いの設置場所の間で基板を搬送する際には、静電破壊の恐れやゴミが付着する恐れがある
。ＴＦＴは静電気などに非常に弱く、静電破壊や静電気によってＴＦＴ特性が変動する。
In the case of isolation, it becomes necessary to transport the substrate between the installation locations. And when conveying a board | substrate between mutual installation places, there exists a possibility of electrostatic destruction or a dust adhering. TFTs are very sensitive to static electricity and the like, and TFT characteristics fluctuate due to electrostatic breakdown and static electricity.
ここでは、ＴＦＴを作製する装置の設置場所（第１の場所）と、ＥＬ素子を形成する装
置の設置場所（第２の場所）を隔離した場合に適した発光装置の製造システムの例を図６
に示す。
Here, an example of a light-emitting device manufacturing system suitable for a case where an installation place (first place) of a device for manufacturing a TFT and an installation place (second place) of an apparatus for forming an EL element are separated from each other is illustrated. 6
Shown in
図６（Ａ）に本発明のフローの一例を示す。 FIG. 6A shows an example of the flow of the present invention.
まず、第１の場所に基板を搬入して基板上にＴＦＴを形成する。次いで、発光素子の陽
極を形成する。次いで、陽極表面を保護するため保護膜を形成する。この保護膜は、絶縁
材料または帯電防止材料からなる単層、またはこれらの積層を用いる。
First, a substrate is carried into a first place and a TFT is formed on the substrate. Next, an anode of the light emitting element is formed. Next, a protective film is formed to protect the anode surface. As the protective film, a single layer made of an insulating material or an antistatic material, or a laminate thereof is used.
次いで、第１の場所から基板の搬出または搬送を行う。 Next, the substrate is carried out or transferred from the first place.
次いで、第２の場所に基板を搬入して陽極間を絶縁するための隔壁を形成する。なお、
隔壁を形成すると同時に陽極の表面一部を露呈させる。この隔壁は、第１の場所で形成し
た保護膜をエッチングすることによって形成すると工程短縮が図れる。
Next, a substrate is carried into the second place to form a partition for insulating between the anodes. In addition,
A part of the surface of the anode is exposed simultaneously with the formation of the partition walls. If this partition wall is formed by etching the protective film formed at the first location, the process can be shortened.
次いで、有機化合物層の形成、陰極の形成を順次行い、封止を行う。そして、完成した
発光装置を第２の場所から搬出する。
Next, the organic compound layer and the cathode are sequentially formed and sealed. Then, the completed light emitting device is carried out from the second place.
このような工程の流れを有するシステムとすることで、陽極の形成から有機化合物を含む
層の形成までに費やされる時間が長くなっても搬送時にゴミが付着するのは保護膜表面で
あるので、歩留まりが向上する。陽極表面が露呈した状態で時間が経てば経つほどゴミが
付着する数が増えると考えられるため、陽極表面が露呈する時間を如何に短くして有機化
合物層を形成することが重要である。
By adopting a system having such a process flow, even if the time spent from the formation of the anode to the formation of the layer containing the organic compound becomes longer, it is the surface of the protective film where dust adheres during transportation, Yield is improved. Since it is considered that as the time passes with the anode surface exposed, the number of dust attached increases, so it is important to form the organic compound layer by shortening the exposure time of the anode surface.
即ち、図６（Ａ）に示すフローとすることで隔壁を形成する前に基板を搬送し、隔壁形
成後、直ちに蒸着を行うことが可能となる。
That is, with the flow shown in FIG. 6A, the substrate can be transported before the partition walls are formed, and vapor deposition can be performed immediately after the partition walls are formed.
また、保護膜を形成した段階でストックすることも可能となる。 It is also possible to stock stock at the stage where the protective film is formed.
また、別々の場所とすることで、第１の場所の清浄度を高めることができ、ＴＦＴの電
気特性を左右するアルカリ金属元素が工程中に混入することなく電気特性の優れたＴＦＴ
を作製することができる。また、第１の場所と隔離された第２の場所でアルカリ金属元素
を含む発光素子を形成することができる。
In addition, by using different locations, the cleanliness of the first location can be increased, and an alkali metal element that influences the electrical properties of the TFT is not mixed in the process and has excellent electrical properties.
Can be produced. In addition, a light-emitting element containing an alkali metal element can be formed in a second place isolated from the first place.
また、他のフローの例を図６（Ｂ）に示す。 An example of another flow is shown in FIG.
まず、第１の場所に基板を搬入して基板上にＴＦＴを形成する。次いで、発光素子の陽
極を形成する。次いで、陽極間を絶縁するための隔壁を形成する。なお、隔壁を形成する
と同時に陽極の表面一部を露呈させる。次いで、陽極表面を保護するため保護膜を形成す
る。この保護膜は、絶縁材料または帯電防止材料からなる単層、またはこれらの積層を用
いる。
First, a substrate is carried into a first place and a TFT is formed on the substrate. Next, an anode of the light emitting element is formed. Next, a partition for insulating between the anodes is formed. Note that a part of the surface of the anode is exposed simultaneously with the formation of the partition walls. Next, a protective film is formed to protect the anode surface. As the protective film, a single layer made of an insulating material or an antistatic material, or a laminate thereof is used.
次いで、第１の場所から基板の搬出または搬送を行う。 Next, the substrate is carried out or transferred from the first place.
次いで、第２の場所に基板を搬入して保護膜を除去する。或いは、保護膜を異方性エッ
チングして実施の形態１乃至４に示したような第２の隔壁を形成してもよい。
Next, the substrate is carried into the second place and the protective film is removed. Alternatively, the second partition wall as shown in
次いで、有機化合物層の形成、陰極の形成を順次行い、封止を行う。そして、完成した
発光装置を第２の場所から搬出する。
Next, the organic compound layer and the cathode are sequentially formed and sealed. Then, the completed light emitting device is carried out from the second place.
また、本実施の形態は、第１の場所を第１の工場とし、第２の場所を第２の工場とした場
合にも適用することができる。
The present embodiment can also be applied to a case where the first place is the first factory and the second place is the second factory.
本発明により、発光装置の作製プロセス途中での静電破壊やゴミの付着を効果的に防ぐ
ことができる。
According to the present invention, electrostatic breakdown and dust adhesion during the manufacturing process of a light-emitting device can be effectively prevented.
（実施の形態６）
ここでは、上記実施の形態１と第２の隔壁の形状が異なる例を図１５に示す。
(Embodiment 6)
Here, an example in which the shape of the second partition is different from that of the first embodiment is shown in FIG.
図１５（Ａ）において、１６１０は基板、１６１１は第１の隔壁、１６１２は第２の隔壁
、１６１３は第１の電極、１６１４は有機化合物を含む層、１６１５は第２の電極、１６
１６はＴＦＴ、１６１８は絶縁膜である。
15A, reference numeral 1610 denotes a substrate, 1611 denotes a first partition, 1612 denotes a second partition, 1613 denotes a first electrode, 1614 denotes a layer containing an organic compound, 1615 denotes a second electrode,
図１５（Ａ）において、第２の隔壁１６１２はテーパー状の斜面を有している。第１の隔
壁１６１１を形成した後、ＣＭＰ処理などを行い、その後に第２の隔壁１６１２を形成す
る。エッチング条件を適宜調節することによって第２の隔壁１６１２を得ることができる
。第２の隔壁１６１２のテーパー角は、第１の隔壁１６１１のテーパー角よりも小さくす
る。また、第１の隔壁１６１１、第２の隔壁１６１２の材料は絶縁材料であれば特に限定
されず、適宜選択すればよい。第１の隔壁の下端部付近を覆うことによって、第１の電極
１６１３への表面研磨不足の領域を覆うことができる。
In FIG. 15A, the second partition 1612 has a tapered slope. After the first partition 1611 is formed, CMP treatment or the like is performed, and then the second partition 1612 is formed. The second partition 1612 can be obtained by appropriately adjusting the etching conditions. The taper angle of the second partition wall 1612 is made smaller than the taper angle of the first partition wall 1611. The material of the first partition wall 1611 and the second partition wall 1612 is not particularly limited as long as it is an insulating material, and may be appropriately selected. By covering the vicinity of the lower end portion of the first partition, a region where surface polishing is insufficient for the first electrode 1613 can be covered.
また、図１５（Ｂ）において、１６２０は基板、１６２１は第１の隔壁、１６２２は第
２の隔壁、１６２３は第１の電極、１６２４は有機化合物を含む層、１６２５は第２の電
極、１６２６はＴＦＴ、１６２８は絶縁膜である。
In FIG. 15B, reference numeral 1620 denotes a substrate, 1621 denotes a first partition, 1622 denotes a second partition, 1623 denotes a first electrode, 1624 denotes a layer containing an organic compound, 1625 denotes a second electrode, and 1626. Is a TFT, and 1628 is an insulating film.
図１５（Ｂ）において、第２の隔壁１６２２は湾曲した斜面（図１（曲面における曲率
半径の中心が陽極側）とは異なる曲面）を有する。エッチング条件を適宜調節することに
よって第２の隔壁１６２２を得ることができる。図１５（Ｂ）においては、曲面における
曲率半径の中心が陰極側に存在する。発光領域全域において、有機化合物を含む層の膜厚
を均一とすることができる。他の構造である場合、隔壁端部の影響を受けるため、有機化
合物を含む層において中央部の膜厚よりも隔壁の端部付近のほうが厚くなりやすい。
In FIG. 15B, the second partition 1622 has a curved slope (a curved surface different from that in FIG. 1 (the center of the radius of curvature of the curved surface is the anode side)). The second partition 1622 can be obtained by appropriately adjusting the etching conditions. In FIG. 15B, the center of the radius of curvature on the curved surface is on the cathode side. The film thickness of the layer containing the organic compound can be made uniform over the entire light emitting region. In the case of another structure, since it is affected by the end of the partition wall, in the layer containing the organic compound, the vicinity of the end of the partition wall tends to be thicker than the thickness of the central part.
なお、図１５（Ｂ）において、第２の隔壁１６２２は有機化合物を含む層の材料液に親
和性の材料とすることが好ましい。また、第１の隔壁１６２１を非親和性の材料とするこ
とによって、超音波振動を与えながらインクジェットヘッドから発光材料を含んだ溶液を
基板に吐出して有機化合物を含む層を形成する場合、各画素を区切る第１の隔壁（非親和
性）に弾着した溶液の動的接触角を大きくして第２の隔壁（親和性）および第１の電極表
面に移動させることができる。
Note that in FIG. 15B, the second partition 1622 is preferably a material having an affinity for a material liquid of a layer containing an organic compound. In addition, when the first partition 1621 is made of a non-affinity material, a layer containing an organic compound is formed by discharging a solution containing a light emitting material from an inkjet head to a substrate while applying ultrasonic vibration. The dynamic contact angle of the solution that has landed on the first partition wall (non-affinity) that separates the pixels can be increased and moved to the second partition wall (affinity) and the first electrode surface.
また、図１（Ａ）や図１５（Ａ）に比べて第２の隔壁の形状および体積が小さいので、第
１の隔壁材料として無機材料を用い、第２の隔壁材料として有機材料を用いる場合、第２
の隔壁からの脱ガスのトータル量を少なくすることができる。また、プロセスにおいても
、有機化合物膜を蒸着する前に行われる脱ガスのための真空ベーク処理時間を短縮するこ
とができる。また、発光装置として封止した後も脱ガス量が少ないため、長期信頼性も向
上する。
In addition, since the shape and volume of the second partition wall are smaller than those in FIGS. 1A and 15A, an inorganic material is used as the first partition material and an organic material is used as the second partition material. The second
The total amount of degassing from the partition walls can be reduced. Also in the process, the vacuum baking time for degassing performed before the organic compound film is deposited can be shortened. Further, since the amount of degassing is small after sealing as a light emitting device, long-term reliability is also improved.
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
Further, this embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態７）
また、図１６（Ａ）は、第１の隔壁１７１１の表面に疎水性処理を行った例を示している
。
(Embodiment 7)
FIG. 16A illustrates an example in which the surface of the first partition wall 1711 is subjected to a hydrophobic treatment.
また、図１６（Ａ）において、１７１０は基板、１７１１は第１の隔壁、１７１２は第
２の隔壁、１７１３は第１の電極、１７１４は有機化合物を含む層、１７１５は第２の電
極、１７１６はＴＦＴ、１７１８は絶縁膜である。
In FIG. 16A, 1710 is a substrate, 1711 is a first partition, 1712 is a second partition, 1713 is a first electrode, 1714 is a layer containing an organic compound, 1715 is a second electrode, 1716 Is a TFT, and 1718 is an insulating film.
透明導電膜（ＩＴＯなど）からなる第１の電極１７１３をパターニング形成した後、基板
全面に酸化珪素膜を形成する。次いで、ＳｉＨmＦnガスを用いたプラズマ処理を行って疎
水性処理された表面１７００を得る。次いで、ハ゜ターニンク゛を行って第１の隔壁１７
１１を形成する。
After the first electrode 1713 made of a transparent conductive film (ITO or the like) is formed by patterning, a silicon oxide film is formed on the entire surface of the substrate. Next, plasma treatment using SiH m F n gas is performed to obtain a hydrophobic treated surface 1700. Next, turning is performed to form the first partition wall 17.
11 is formed.
次いで、ポリビニルピロリドンからなる樹脂膜を成膜し、パターニングを行って第２の隔
壁１７１２を形成する。次いで、有機化合物を含む層１７１４、第２の電極１７１５を順
次形成する。なお、有機化合物を含む層１７１４の形成方法を塗布法またはインクジェッ
ト法を用いた場合、各画素を区切る第１の隔壁（疎水性）に弾着した水溶液の動的接触角
を大きくして第２の隔壁（親水性）および第１の電極表面に移動させることができる。
Next, a resin film made of polyvinylpyrrolidone is formed and patterned to form second partition walls 1712. Next, a layer 1714 containing an organic compound and a second electrode 1715 are sequentially formed. Note that in the case where a coating method or an ink jet method is used as a method for forming the layer 1714 containing an organic compound, the dynamic contact angle of the aqueous solution that has landed on the first partition wall (hydrophobic) that divides each pixel is increased. To the partition wall (hydrophilic) and the surface of the first electrode.
また、第２の電極１７１５として、薄い金属膜（ＡｇまたはＡｌ）と透明導電膜（ＩＴ
Ｏなど）とを積層した陰極を用いて、有機化合物を含む層１７１４からの発光を透過させ
ている。また、第１の電極１７１３も有機化合物を含む層１７１４からの発光を透過させ
ている。従って、基板１７１０の上方に透過する発光と、基板１７１０の下方に透過する
発光とが得られる発光装置となる。また、発光を取り出す方向は、特に限定されず、どち
らか一方であってもよい。
As the second electrode 1715, a thin metal film (Ag or Al) and a transparent conductive film (IT
Light emitted from the layer 1714 containing an organic compound is transmitted using a cathode in which O and the like are stacked. The first electrode 1713 also transmits light emitted from the layer 1714 containing an organic compound. Accordingly, the light-emitting device can obtain light emitted through the substrate 1710 and light transmitted through the substrate 1710. Moreover, the direction in which the emitted light is extracted is not particularly limited, and may be either one.
また、図１６（Ｂ）は、第１の隔壁１７２１と第２の隔壁１７２２との両方を疎水性を有
する材料とした例を示している。第１の電極１７２３上にＰＣＶＤ法により窒化珪素膜を
得た後、パターニングを行って第１の隔壁を得て、さらに塗布法によりエポキシ樹脂を形
成した後、エッチバックによって第２の隔壁を得る。有機化合物を含む層１７２４の形成
方法を塗布法またはインクジェット法を用いた場合、各画素を区切る第１の隔壁（疎水性
）および第２の隔壁（疎水性）に弾着した水溶液の動的接触角を大きくして第１の電極表
面のみに移動させることができる。
FIG. 16B illustrates an example in which both the first partition wall 1721 and the second partition wall 1722 are made of a hydrophobic material. After a silicon nitride film is obtained on the first electrode 1723 by the PCVD method, patterning is performed to obtain a first partition, and after an epoxy resin is further formed by a coating method, a second partition is obtained by etch back. . When a coating method or an ink jet method is used as a method for forming the layer 1724 containing an organic compound, dynamic contact of an aqueous solution that has landed on the first partition wall (hydrophobic) and the second partition wall (hydrophobic) separating each pixel The angle can be increased and moved only to the first electrode surface.
また、図１６（Ｂ）において、１７２０は基板、１７２１は第１の隔壁、１７２２は第
２の隔壁、１７２３は第１の電極、１７２４は有機化合物を含む層、１７２５は第２の電
極、１７２６はＴＦＴ、１７２８は絶縁膜である。
In FIG. 16B, reference numeral 1720 denotes a substrate, 1721 denotes a first partition, 1722 denotes a second partition, 1723 denotes a first electrode, 1724 denotes a layer containing an organic compound, 1725 denotes a second electrode, and 1726. Is a TFT, and 1728 is an insulating film.
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、または実施の形態６と自由に組み合わせることができる。
This embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態８）
ここでは、トップエミッション型とした場合、透明電極の電気抵抗を下げるため低抵抗
金属材料からなる補助電極を設ける例を示す。
(Embodiment 8)
Here, in the case of the top emission type, an example in which an auxiliary electrode made of a low-resistance metal material is provided in order to reduce the electric resistance of the transparent electrode is shown.
図１７（Ａ）において、１８００は補助電極、１８１０は基板、１８１１ａは第１の隔
壁、１８１２は第２の隔壁、１８１３は第１の電極、１８１４は有機化合物を含む層、１
８１５は第２の電極、１８１６はＴＦＴ、１８１８は絶縁膜である。
In FIG. 17A, 1800 is an auxiliary electrode, 1810 is a substrate, 1811a is a first partition, 1812 is a second partition, 1813 is a first electrode, 1814 is a layer containing an organic compound, 1
Reference numeral 815 denotes a second electrode, 1816 denotes a TFT, and 1818 denotes an insulating film.
図１７（Ａ）に示す構造を得るには、まず、基板１８１０上にＴＦＴ１８１６を作製し
、第１の電極１８１３を形成する。
In order to obtain the structure shown in FIG. 17A, first, a
第１の電極１８１３は、陽極として機能させるため、仕事関数の大きい、具体的には白金
（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、もしくはニッケル(Ｎｉ)といった金属
材料を用いる。第１の電極１８１３として透明導電膜（ＩＴＯなど）を用いてもよいが、
その場合、基板１８１０の上方に透過する発光と、基板１８１０の下方に透過する発光と
が得られる発光装置とすることもできる。
The first electrode 1813 is made of a metal material having a high work function, specifically, platinum (Pt), chromium (Cr), tungsten (W), or nickel (Ni) in order to function as an anode. A transparent conductive film (ITO or the like) may be used as the first electrode 1813,
In that case, a light-emitting device which can obtain light emitted through the substrate 1810 and light emitted through the substrate 1810 can be obtained.
次いで、基板全面に絶縁膜を形成し、さらにその上にスパッタ法などにより低抵抗金属
材料（導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉX、Ａｌ
、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素
を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜）か
らなる金属膜を連続的に形成する。次いで、マスクを用いて選択的にエッチング（金属膜
および絶縁膜のエッチング）を行って、補助電極１８００、第１の隔壁１８１１を形成す
る。同一のマスクを用いてエッチングすることができ、その場合、補助電極１８００と第
１の隔壁１８１１のパターン形状が同一となる。また、同一のマスクを用いてエッチング
する場合、マスク数を増加させることなく補助電極の形成が可能である。
Next, an insulating film is formed on the entire surface of the substrate, and a low-resistance metal material (poly-Si, W, WSi x , Al doped with an impurity element imparting conductivity type) is formed thereon by sputtering or the like.
, Ti, Mo, Cu, Ag, Ta, Cr, or Mo, or a metal film made of an alloy material or compound material containing the element as a main component or a laminated film thereof. Are formed continuously. Next, etching is performed selectively using the mask (etching of the metal film and the insulating film), so that the auxiliary electrode 1800 and the first partition wall 1811 are formed. Etching can be performed using the same mask, in which case the pattern shapes of the auxiliary electrode 1800 and the first partition 1811 are the same. In the case of etching using the same mask, the auxiliary electrode can be formed without increasing the number of masks.
次いで、第１の電極１８１３の表面研磨などを行い、その後に塗布法により絶縁膜を形成
した後、エッチバックを行って第２の隔壁１８１２を形成する。
Next, surface polishing of the first electrode 1813 is performed, and after that, an insulating film is formed by a coating method, and then etch back is performed to form the second partition wall 1812.
次いで、有機化合物を含む層１８１４を蒸着法、インクジェット法、または塗布法によっ
て形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により金属薄膜（１０ｎｍ以下の膜厚）と
透明導電膜との積層からなる第２の電極１８１５を形成する。
Next, a layer 1814 containing an organic compound is formed by an evaporation method, an inkjet method, or a coating method. Next, a second electrode 1815 made of a laminate of a metal thin film (film thickness of 10 nm or less) and a transparent conductive film is formed by an evaporation method or a sputtering method.
第２の電極１８１５としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金からなる金属薄
膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合
金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層膜とし、発光素子の陰極とし
て機能させ、且つ、各発光素子からの光を通過させている。
As the second electrode 1815, a metal thin film made of an alloy such as MgAg, MgIn, or AlLi, a transparent conductive film (ITO (indium tin oxide alloy), indium oxide zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO), oxidation, etc. It is a laminated film with zinc (ZnO) or the like, functions as a cathode of the light emitting element, and allows light from each light emitting element to pass therethrough.
以上の工程で図１７（Ａ）に示した構造が得られる。 Through the above steps, the structure shown in FIG.
上記に示した透明導電膜の抵抗値は、比較的に高いため、大画面化することが困難である
が、補助電極１８００を設けることによって、陰極全体として低抵抗化を実現し、大画面
化を可能とすることができる。加えて、透明導電膜の薄膜化も可能とすることができる。
Since the resistance value of the transparent conductive film shown above is relatively high, it is difficult to increase the screen size. However, by providing the auxiliary electrode 1800, the resistance of the entire cathode is reduced and the screen size is increased. Can be made possible. In addition, the transparent conductive film can be made thin.
また、マスクを１枚増やして下層の配線とのコンタクトホールを形成することができる
。陰極と引き出し配線との接続を補助電極を介して行う例を図１７（Ｂ）に示す。
Further, the contact hole with the lower layer wiring can be formed by increasing the number of masks by one. FIG. 17B shows an example in which the cathode and the lead-out wiring are connected via the auxiliary electrode.
まず、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして第１の電極を形成した後、基板全面に絶
縁膜を形成する。
First, after the first electrode is formed in the same manner as the manufacturing procedure of FIG. 17A, an insulating film is formed over the entire surface of the substrate.
次いで、マスクを用い、図１７（Ｂ）に示す下層の電極１８２１に達するコンタクトホ
ールを空けるためのエッチングを行う。次いで金属膜を成膜する。
Next, using a mask, etching is performed to open a contact hole reaching the lower layer electrode 1821 shown in FIG. Next, a metal film is formed.
次いで、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして同一マスクを用いて金属膜と絶縁膜と
をエッチングして第１の隔壁１８１１ｂ、１８１１ａと補助電極１８００を形成する。
Next, in the same manner as the manufacturing procedure of FIG. 17A, the metal film and the insulating film are etched using the same mask to form the first partition walls 1811b and 1811a and the auxiliary electrode 1800.
以降の工程は、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして有機化合物を含む層１８１４、
金属薄膜（１０ｎｍ以下の膜厚）と透明導電膜との積層からなる第２の電極１８１５を形
成する。
In the subsequent steps, a layer 1814 containing an organic compound is formed in the same manner as the manufacturing procedure of FIG.
A second electrode 1815 made of a laminate of a metal thin film (film thickness of 10 nm or less) and a transparent conductive film is formed.
以上の工程で図１７（Ｂ）に示した構造が得られる。補助電極１８００は、第２の電極１
８１５や電極１８２１と同電位であり、電極１８２１は、さらに電極１８２０と電気的に
接続されている。図示しないが、この電極１８２０は引き回し配線（接続配線）となって
おり、端子部まで延在している。
Through the above steps, the structure shown in FIG. The auxiliary electrode 1800 is a
815 and the electrode 1821 have the same potential, and the electrode 1821 is further electrically connected to the electrode 1820. Although not shown, the electrode 1820 is a lead wiring (connection wiring) and extends to the terminal portion.
図８（Ａ）に示す図では、ソース側駆動回路と画素部との間に、陰極と接続配線との導通
のための接続領域を設けているのに対して、画素部において陰極と接続配線との導通が補
助電極１８００により可能であるため、接続領域が占める面積を削減することができる。
In FIG. 8A, a connection region for conduction between the cathode and the connection wiring is provided between the source side driver circuit and the pixel portion, whereas the cathode and the connection wiring in the pixel portion. Can be conducted by the auxiliary electrode 1800, the area occupied by the connection region can be reduced.
各画素毎に陰極と下層の引き回し配線とを接続することも可能であるが、開口率を優先
する場合には、表示部周縁部の隔壁に数個設ける構成とすることが好ましい。図１７（Ｃ
）にパネル上面図の一例を示す。
Although it is possible to connect the cathode and the lower routing wiring for each pixel, when priority is given to the aperture ratio, it is preferable to provide several on the partition wall at the periphery of the display portion. FIG.
) Shows an example of a panel top view.
図１７（Ｃ）に示すように、画素部１８０２の周縁部で陰極と接続配線との導通を行う
。図１７（Ｃ）では１４個のコンタクトホールを設けたコンタクト部１８２５を形成して
いる。コンタクト部１８２５は、図１７（Ｂ）に示す構造として第１の隔壁１８１１ｂを
形成し、それ以外の画素部１８０２では図１７（Ａ）に示す構造として第１の隔壁１８１
１ａを形成している。図１７（Ｃ）では、画素部以外の配線および回路が占める面積の削
減を実現できる。
As shown in FIG. 17C, conduction between the cathode and the connection wiring is performed at the periphery of the pixel portion 1802. In FIG. 17C, a contact portion 1825 provided with 14 contact holes is formed. The contact portion 1825 forms the first partition wall 1811b as the structure shown in FIG. 17B, and the other partition portion 182 has the first partition wall 181 as the structure shown in FIG. 17A.
1a is formed. In FIG. 17C, the area occupied by wirings and circuits other than the pixel portion can be reduced.
また、図１７（Ｃ）において、点線で示された１８０１はソース信号線駆動回路、１８０
２は画素部、１８０３はゲート信号線駆動回路、１８１０は基板である。また、１８０４
は透明な封止基板、１８０５は第１のシール材であり、第１のシール材１８０５で囲まれ
た内側は、透明な第２のシール材１８０７で充填されている。なお、第１のシール材１８
０５には基板間隔を保持するためのギャップ材が含有されている。
In FIG. 17C, 1801 indicated by a dotted line is a source signal line driver circuit, 180
Reference numeral 2 denotes a pixel portion, 1803 denotes a gate signal line driving circuit, and 1810 denotes a substrate. 1804
Is a transparent sealing substrate, 1805 is a first sealing material, and the inside surrounded by the first sealing material 1805 is filled with a transparent second sealing material 1807. The
05 contains a gap material for maintaining the distance between the substrates.
なお、接続配線（図示しない）はソース信号線駆動回路１８０１及びゲート信号線駆動
回路１８０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ
（フレキシブルプリントサーキット）１８０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る
。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（Ｐ
ＷＢ）が取り付けられていても良い。
Note that connection wiring (not shown) is a wiring for transmitting a signal input to the source signal line driver circuit 1801 and the gate signal line driver circuit 1803 and is an FPC serving as an external input terminal.
(Flexible printed circuit) 1809 receives a video signal and a clock signal. Although only the FPC is shown here, this FPC has a printed wiring board (P
WB) may be attached.
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、または実施の形態７と自由に組み合わせることができる。
This embodiment mode can be freely combined with
（実施の形態９）
ここでは、ポリシリコンを活性層とするＴＦＴに代えて、アモルファスシリコンを活性層
とするＴＦＴの例を図１８に示す。
(Embodiment 9)
Here, FIG. 18 shows an example of a TFT using amorphous silicon as an active layer instead of a TFT using polysilicon as an active layer.
図１８（Ａ）において、１９１０は基板、１９１１は第１の隔壁、１９１２は第２の隔
壁、１９１３は第１の電極、１９１４は有機化合物を含む層、１９１５は第２の電極、１
９１６はアモルファスシリコンＴＦＴ、１９１７、１９１８は絶縁膜である。
In FIG. 18A, 1910 is a substrate, 1911 is a first partition, 1912 is a second partition, 1913 is a first electrode, 1914 is a layer containing an organic compound, 1915 is a second electrode,
916 is an amorphous silicon TFT, and 1917 and 1918 are insulating films.
アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６の作製手順は、公知の技術を用いればよく、まず
、基板１９１０上に下地絶縁膜を形成し、ゲート電極をパターニングした後、ゲート絶縁
膜を形成する。次いで、アモルファスシリコン膜（活性層）、リンを含むアモルファスシ
リコン膜（ｎ＋層）、金属膜を順次積層する。次いで、アモルファスシリコンを所望の素
子形状にパターニングした後、ゲート電極と重なる領域において、アモルファスシリコン
が一部露呈するように選択的にエッチングを行ってチャネルを形成する。次いで、全面を
絶縁膜１９１７、１９１８で覆った後、コンタクトホールの形成、ソース配線、ドレイン
配線の形成を行う。
A known technique may be used for manufacturing the
なお、アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６はチャネルエッチ型ＴＦＴを示しているが
、チャネルストップ型ＴＦＴとしてもよい。
Note that the
アモルファスシリコンＴＦＴ作製以降の工程は、実施の形態１と同様に、第１の電極１
９１３の形成、第１の隔壁１９１１の形成、第１の電極１９１３の表面研磨などを行い、
その後に塗布法により絶縁膜を形成した後、エッチバックを行って第２の隔壁１９１２を
形成する。
The steps after the fabrication of the amorphous silicon TFT are the same as those in the first embodiment, the
Forming 913, forming the first partition wall 1911, polishing the surface of the first electrode 1913, etc.
After that, after an insulating film is formed by a coating method, etch back is performed to form second partition walls 1912.
次いで、有機化合物を含む層１９１４を蒸着法、インクジェット法、または塗布法によっ
て形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により第２の電極１９１５を形成する。
Next, a layer 1914 containing an organic compound is formed by an evaporation method, an inkjet method, or a coating method. Next, a second electrode 1915 is formed by an evaporation method or a sputtering method.
アモルファスシリコンＴＦＴは高熱でのプロセスが少なく、量産に適したプロセスであ
り、発光装置の作製におけるコスト削減することができる。
Amorphous silicon TFT has few processes at high heat and is suitable for mass production, and can reduce the cost for manufacturing a light emitting device.
また、本実施例においては、アモルファスシリコンＴＦＴを用いる例であるので、同一
基板上に画素部と駆動回路とを作製せずに、画素部のみを基板上に形成し、駆動回路をＩ
Ｃで構成する。
In this embodiment, since an amorphous silicon TFT is used, only the pixel portion is formed on the substrate without forming the pixel portion and the drive circuit on the same substrate, and the drive circuit is formed as I
C.
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、実施の形態７、または実施の形態８と自由に組み合わせるこ
とができる。
In addition, this embodiment mode can be freely combined with the first embodiment, the second embodiment, the third embodiment, the fourth embodiment, the fifth embodiment, the sixth embodiment, the seventh embodiment, or the eighth embodiment. Can be combined.
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
The present invention having the above-described configuration will be described in more detail with the following examples.
本実施例では、絶縁表面を有する基板上に、有機化合物層を発光層とする発光素子を
備えた発光装置（上面出射構造）を作製する例を図８に示す。
In this embodiment, an example of manufacturing a light-emitting device (a top emission structure) including a light-emitting element having an organic compound layer as a light-emitting layer over a substrate having an insulating surface is shown in FIG.
なお、図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断
した断面図である。点線で示された１１０１はソース信号線駆動回路、１１０２は画素部
、１１０３はゲート信号線駆動回路である。また、１１０４は透明な封止基板、１１０５
は第１のシール材であり、第１のシール材１１０５で囲まれた内側は、透明な第２のシー
ル材１１０７で充填されている。なお、第１のシール材１１０５には基板間隔を保持する
ためのギャップ材が含有されている。
8A is a top view illustrating the light-emitting device, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 8A. Reference numeral 1101 indicated by a dotted line denotes a source signal line driver circuit, 1102 denotes a pixel portion, and 1103 denotes a gate signal line driver circuit. Reference numeral 1104 denotes a transparent sealing substrate.
Is a first sealing material, and the inside surrounded by the first sealing material 1105 is filled with a transparent second sealing material 1107. Note that the first sealing material 1105 contains a gap material for maintaining the distance between the substrates.
なお、１１０８はソース信号線駆動回路１１０１及びゲート信号線駆動回路１１０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブル
プリントサーキット）１１０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここで
はＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付
けられていても良い。
Reference numeral 1108 denotes a wiring for transmitting signals input to the source signal line driver circuit 1101 and the gate signal line driver circuit 1103. A video signal and a clock signal are received from an FPC (flexible printed circuit) 1109 serving as an external input terminal. receive. Although only the FPC is shown here, a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC.
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には駆動回路及
び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１１０１
と画素部１１０２が示されている。
Next, a cross-sectional structure is described with reference to FIG. A driver circuit and a pixel portion are formed over the substrate 1110. Here, a source signal line driver circuit 1101 is used as the driver circuit.
A pixel portion 1102 is shown.
なお、ソース信号線駆動回路１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型Ｔ
ＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴ
ＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。ま
た、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもそ
の必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。また、ポリシリコン膜を活
性層とするＴＦＴの構造は特に限定されず、トップゲート型ＴＦＴであってもよいし、ボ
トムゲート型ＴＦＴであってもよい。
Note that the source signal line driver circuit 1101 includes an n-channel TFT 1123 and a p-channel T
A CMOS circuit combined with FT1124 is formed. Also, T forming the drive circuit
The FT may be formed by a known CMOS circuit, PMOS circuit or NMOS circuit. Further, in this embodiment, a driver integrated type in which a drive circuit is formed on a substrate is shown, but this is not always necessary, and it can be formed outside the substrate. Further, the structure of a TFT having a polysilicon film as an active layer is not particularly limited, and may be a top gate type TFT or a bottom gate type TFT.
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２
とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１１１３を含む複数の画素によ
り形成される。電流制御用ＴＦＴ１１１２としてはｎチャネル型ＴＦＴであってもよいし
、ｐチャネル型ＴＦＴであってもよいが、陽極と接続させる場合、ｐチャネル型ＴＦＴと
することが好ましい。また、保持容量（図示しない）を適宜設けることが好ましい。なお
、ここでは無数に配置された画素のうち、一つの画素の断面構造のみを示し、その一つの
画素に２つのＴＦＴを用いた例を示したが、３つ、またはそれ以上のＴＦＴを適宜、用い
てもよい。
The pixel portion 1102 includes a
And a first electrode (anode) 1113 electrically connected to the drain thereof. The current control TFT 1112 may be an n-channel TFT or a p-channel TFT, but when connected to the anode, it is preferably a p-channel TFT. In addition, it is preferable to appropriately provide a storage capacitor (not shown). Note that here, only a cross-sectional structure of one pixel among the infinitely arranged pixels is shown, and an example in which two TFTs are used for the one pixel is shown. However, three or more TFTs are appropriately used. , May be used.
ここでは第１の電極１１１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているた
め、第１の電極１１１３の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのと
れる材料層とし、有機化合物を含む層と接する最上層を仕事関数の大きい材料層とするこ
とが望ましい。例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜と
の３層構造とすると、配線としての抵抗も低く、且つ、良好なオーミックコンタクトがと
れ、且つ、陽極として機能させることができる。また、第１の電極１１１３は、窒化チタ
ン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層としてもよいし、３層以上
の積層を用いてもよい。
Here, since the first electrode 1113 is in direct contact with the drain of the TFT, the lower layer of the first electrode 1113 is a material layer that can be in ohmic contact with the drain made of silicon, and a layer containing an organic compound. It is desirable that the uppermost layer in contact is a material layer having a large work function. For example, when a three-layer structure of a titanium nitride film, a film containing aluminum as a main component, and a titanium nitride film is used, the resistance as a wiring is low, a good ohmic contact can be obtained, and the film can function as an anode. . The first electrode 1113 may be a single layer such as a titanium nitride film, a chromium film, a tungsten film, a Zn film, or a Pt film, or a stack of three or more layers may be used.
また、第１の電極（陽極）１１１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと
呼ばれる）１１１４ａ、１１１４ｂが形成される。絶縁物１１１４ａ、１１１４ｂは有機
樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。絶縁物１１１４ａ、１１１４ｂは上
記実施の形態３に従って、形成すればよい。ここでは、絶縁物１１１４ａとして酸化シリ
コン膜、１１１４ｂとしてポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図８に示す形状の絶縁
物を形成する。
In addition, insulators (referred to as banks, partition walls, barriers, banks, or the like) 1114a and 1114b are formed at both ends of the first electrode (anode) 1113. The
カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１１１４ｂの上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１１１４ｂの材料としてポジ型の感光
性アクリルを用いた場合、絶縁物１１１４ｂの上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μ
ｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１１１４ｂとして、感光用の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
In order to improve the coverage, a curved surface having a curvature is formed at the upper end portion or the lower end portion of the
It is preferable to have a curved surface having m). As the
また、第１の電極（陽極）１１１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジ
ェット法によって有機化合物を含む層１１１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物
を含む層１１１５上には第２の電極（陰極）１１１６が形成される。陰極としては、仕事
関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、
ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。ここでは、発光が透過するように
、第２の電極（陰極）１１１６として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる。こうして、第１の電極（陽極）１１１３、有
機化合物を含む層１１１５、及び第２の電極（陰極）１１１６からなる発光素子１１１８
が形成される。ここでは発光素子１１１８は白色発光とする例であるので着色層１１３１
と遮光層（ＢＭ）１１３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバー
コート層は図示しない）を設けている。
Further, a layer 1115 containing an organic compound is selectively formed over the first electrode (anode) 1113 by an evaporation method using an evaporation mask or an inkjet method. Further, a second electrode (cathode) 1116 is formed over the layer 1115 containing an organic compound. As the cathode, a material having a small work function (Al, Ag, Li, Ca, or an alloy thereof such as MgAg, MgIn,
AlLi, CaF 2 , or CaN) may be used. Here, a thin metal film and a transparent conductive film (ITO) are used as the second electrode (cathode) 1116 so that light is transmitted.
(Indium oxide tin oxide alloy), indium oxide zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO),
A stack with zinc oxide (ZnO) or the like is used. Thus, the light-emitting element 1118 including the first electrode (anode) 1113, the layer 1115 containing an organic compound, and the second electrode (cathode) 1116.
Is formed. Here, since the light-emitting element 1118 is an example of white light emission, the colored layer 1131 is used.
And a light-shielding layer (BM) 1132 (for the sake of simplicity, an overcoat layer is not shown here).
また、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成すれば
、カラーフィルターを用いなくともフルカラーの表示を得ることができる。
Further, if each layer containing an organic compound capable of emitting R, G, and B is selectively formed, a full color display can be obtained without using a color filter.
また、発光素子１１１８を封止するために透明保護層１１１７を形成する。透明保護積層
は、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とす
る薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。本実施例では、シリコンター
ゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で成膜した膜、即ち、水分やアルカリ金属な
どの不純物に対してブロッキング効果の高い窒化珪素膜を透明保護層１１１７に用いる。
また、透明保護積層に発光を通過させるため、透明保護積層のトータル膜厚は、可能な限
り薄くすることが好ましい。
In addition, a transparent protective layer 1117 is formed to seal the light emitting element 1118. The transparent protective layer is mainly composed of a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film (SiNO film (composition ratio N> O) or SiON film (composition ratio N <O)) obtained by sputtering or CVD, and carbon. A thin film (for example, a DLC film or a CN film) as a component can be used. In this embodiment, a film formed in an atmosphere containing nitrogen and argon using a silicon target, that is, a silicon nitride film having a high blocking effect against impurities such as moisture and alkali metal is used for the transparent protective layer 1117.
Moreover, in order to allow light emission to pass through the transparent protective laminate, it is preferable to make the total thickness of the transparent protective laminate as thin as possible.
また、発光素子１１１８を封止するために不活性気体雰囲気下で第１シール材１１０５
、第２シール材１１０７により封止基板１１０４を貼り合わせる。なお、第１シール材１
１０５、第２シール材１１０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第
１シール材１１０５、第２シール材１１０７はできるだけ水分や酸素を透過しない材料で
あることが望ましい。
Further, the first sealant 1105 is sealed in an inert gas atmosphere in order to seal the light emitting element 1118.
Then, the sealing substrate 1104 is bonded to the second sealing material 1107. First sealing
As the second sealing material 1107, it is preferable to use an epoxy resin. The first sealing material 1105 and the second sealing material 1107 are preferably materials that do not transmit moisture and oxygen as much as possible.
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他
、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイ
ラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
また、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７を用いて封止基板１１０４を接着し
た後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール材で封止することも可能である。
Further, in this embodiment, a plastic substrate made of FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF (polyvinyl fluoride), Mylar, polyester, acrylic, or the like is used as a material constituting the sealing substrate 1104 in addition to a glass substrate or a quartz substrate. be able to.
Further, after the sealing substrate 1104 is bonded using the first sealing material 1105 and the second sealing material 1107, it is also possible to seal with a third sealing material so as to cover the side surface (exposed surface).
以上のようにして発光素子を封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断する
ことができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入すること
を防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
By encapsulating the light-emitting element as described above, the light-emitting element can be completely blocked from the outside, and a substance that promotes deterioration of the organic compound layer such as moisture and oxygen can be prevented from entering from the outside. Therefore, a highly reliable light-emitting device can be obtained.
また、第１の電極１１１３として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製す
ることができる。
In addition, when a transparent conductive film is used for the first electrode 1113, a double-sided light-emitting device can be manufactured.
また、本実施例では陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透
明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）とした例を示した
が、陽極上に有機化合物を含む層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素
子を有し、有機化合物を含む層において生じた発光を透明電極である陽極からＴＦＴの方
へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）という構造としてもよい。
In this embodiment, an example in which a layer containing an organic compound is formed on the anode and a cathode that is a transparent electrode is formed on the layer containing the organic compound (hereinafter referred to as a top emission structure) is shown. However, it has a light emitting element in which a layer containing an organic compound is formed on the anode and a cathode is formed on the organic compound layer, and the light emitted in the layer containing the organic compound is transferred from the transparent electrode anode to the TFT. A structure of taking out (hereinafter referred to as a bottom emission structure) may be employed.
ここで、下面出射構造の発光装置の一例を図９に示す。 Here, an example of a light emitting device having a bottom emission structure is shown in FIG.
なお、図９（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切断
した断面図である。点線で示された１２０１はソース信号線駆動回路、１２０２は画素部
、１２０３はゲート信号線駆動回路である。また、１２０４は封止基板、１２０５は密閉
空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されているシール材であり、シール材１２
０５で囲まれた内側は、不活性気体（代表的には窒素）で充填されている。シール材１２
０５で囲まれた内側の空間は乾燥剤１２０７によって微量な水分が除去され、十分乾燥し
ている。
9A is a top view illustrating the light-emitting device, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 9A. Reference numeral 1201 indicated by a dotted line denotes a source signal line driver circuit, 1202 denotes a pixel portion, and 1203 denotes a gate signal line driver circuit. Reference numeral 1204 denotes a sealing substrate, and 1205 denotes a sealing material containing a gap material for maintaining the space between the sealed spaces.
The inside surrounded by 05 is filled with an inert gas (typically nitrogen). Seal material 12
A small amount of moisture is removed from the inner space surrounded by 05 by the desiccant 1207 and the interior space is sufficiently dry.
なお、１２０８はソース信号線駆動回路１２０１及びゲート信号線駆動回路１２０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブル
プリントサーキット）１２０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
Reference numeral 1208 denotes a wiring for transmitting signals input to the source signal line driver circuit 1201 and the gate signal line driver circuit 1203, and a video signal and a clock signal are received from an FPC (flexible printed circuit) 1209 as an external input terminal. receive.
次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。基板１２１０上には駆動回路及
び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１２０１
と画素部１２０２が示されている。なお、ソース信号線駆動回路１２０１はｎチャネル型
ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成され
る。
Next, a cross-sectional structure is described with reference to FIG. A driver circuit and a pixel portion are formed over the substrate 1210. Here, a source signal line driver circuit 1201 is used as the driver circuit.
A pixel portion 1202 is shown. Note that as the source signal line driver circuit 1201, a CMOS circuit in which an n-
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、電流制御用ＴＦＴ１２１２
とそのドレインに電気的に接続された透明な導電膜からなる第１の電極（陽極）１２１３
を含む複数の画素により形成される。
The pixel portion 1202 includes a switching TFT 1211 and a current control TFT 1212.
And a first electrode (anode) 1213 made of a transparent conductive film electrically connected to the drain thereof
Are formed by a plurality of pixels.
ここでは第１の電極１２１３が接続電極と一部重なるように形成され、第１の電極１２
１３はＴＦＴ１２１２のドレイン領域と接続電極を介して電気的に接続している構成とな
っている。第１の電極１２１３は透明性を有し、且つ、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いることが望ましい。
Here, the first electrode 1213 is formed so as to partially overlap with the connection electrode.
13 is configured to be electrically connected to the drain region of the TFT 1212 via a connection electrode. The first electrode 1213 is transparent and has a high work function conductive film (ITO
(Indium oxide tin oxide alloy), indium oxide zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO),
It is desirable to use zinc oxide (ZnO) or the like.
また、第１の電極（陽極）１２１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと
呼ばれる）１２１４ａ、１２１４ｂを形成する。カバレッジを良好なものとするため、絶
縁物１２１４ｂの上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。絶縁
物１２１４ａ、１２１４ｂは実施の形態１に従って形成すればサイドウォール型の絶縁物
が形成できる。
In addition, insulators (referred to as banks, partition walls, barriers, banks, or the like) 1214 a and 1214 b are formed on both ends of the first electrode (anode) 1213. In order to improve the coverage, a curved surface having a curvature is formed at the upper end portion or the lower end portion of the insulator 1214b. If the insulators 1214a and 1214b are formed in accordance with
また、第１の電極（陽極）１２１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインク
ジェット法によって有機化合物を含む層１２１５を選択的に形成する。さらに、有機化合
物を含む層１２１５上には第２の電極（陰極）１２１６が形成される。陰極としては、仕
事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ
、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。こうして、第１の電極（陽極）
１２１３、有機化合物を含む層１２１５、及び第２の電極（陰極）１２１６からなる発光
素子１２１８が形成される。発光素子１２１８は、図９中に示した矢印方向に発光する。
ここでは発光素子１２１８はＲ、Ｇ、或いはＢの単色発光が得られる発光素子の一つであ
り、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成した３つの
発光素子でフルカラーとする。
A layer 1215 containing an organic compound is selectively formed over the first electrode (anode) 1213 by an evaporation method using an evaporation mask or an inkjet method. Further, a second electrode (cathode) 1216 is formed over the layer 1215 containing an organic compound. As the cathode, a material having a small work function (Al, Ag, Li, Ca, or alloys thereof, MgAg, MgIn
AlLi, CaF 2 , or CaN) may be used. Thus, the first electrode (anode)
A light emitting element 1218 including a layer 1215 including an organic compound 1213, and a second electrode (cathode) 1216 is formed. The light emitting element 1218 emits light in the arrow direction shown in FIG.
Here, the light-emitting element 1218 is one of light-emitting elements that can obtain R, G, or B monochromatic light emission, and includes three layers each including an organic compound that selectively emits R, G, and B light-emitting elements. Full color with light emitting elements.
また、発光素子１２１８を封止するために保護層１２１７を形成する。 In addition, a protective layer 1217 is formed to seal the light emitting element 1218.
また、発光素子１２１８を封止するために不活性気体雰囲気下でシール材１２０５によ
り封止基板１２０４を貼り合わせる。封止基板１２０４には予めサンドブラスト法などに
よって形成した凹部が形成されており、その凹部に乾燥剤１２０７を貼り付けている。な
お、シール材１２０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール材１
２０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
In addition, in order to seal the light emitting element 1218, a sealing substrate 1204 is attached with a
205 is desirably a material that does not transmit moisture and oxygen as much as possible.
また、本実施例では凹部を有する封止基板１２０４を構成する材料として金属基板、ガ
ラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビ
ニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板
を用いることができる。また、内側に乾燥剤を貼りつけた金属缶で封止することも可能で
ある。
Further, in this embodiment, as a material constituting the sealing substrate 1204 having the recess, in addition to a metal substrate, a glass substrate, and a quartz substrate, FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF (polyvinyl fluoride), Mylar, polyester, acrylic, or the like A plastic substrate made of can be used. It is also possible to seal with a metal can with a desiccant attached inside.
また、本実施例は実施の形態１乃至９のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
This embodiment can be freely combined with any one of
本実施例では、有機化合物膜中に存在するエネルギー障壁を緩和してキャリアの移動性を
高めると同時に、なおかつ積層構造の機能分離と各種複数の材料の機能を有する素子を作
製する例を示す。
In this embodiment, an example is shown in which an energy barrier existing in an organic compound film is relaxed to improve carrier mobility, and at the same time, an element having a function separation of a stacked structure and a function of various materials is manufactured.
積層構造におけるエネルギー障壁の緩和に関しては、キャリア注入層の挿入という技術に
顕著に見られる。つまり、エネルギー障壁の大きい積層構造の界面において、そのエネル
ギー障壁を緩和する材料を挿入することにより、エネルギー障壁を階段状に設計すること
ができる。これにより電極からのキャリア注入性を高め、確かに駆動電圧をある程度まで
は下げることができる。しかしながら問題点は、層の数を増やすことによって、有機界面
の数は逆に増加することである。このことが、単層構造の方が駆動電圧・パワー効率のト
ップデータを保持している原因であると考えられる。逆に言えば、この点を克服すること
により、積層構造のメリット（様々な材料を組み合わせることができ、複雑な分子設計が
必要ない）を活かしつつ、なおかつ単層構造の駆動電圧・パワー効率に追いつくことがで
きる。
Regarding the relaxation of the energy barrier in the laminated structure, it is noticeable in the technique of inserting the carrier injection layer. That is, the energy barrier can be designed in a step shape by inserting a material that relaxes the energy barrier at the interface of the stacked structure having a large energy barrier. As a result, the carrier injection property from the electrode can be improved and the drive voltage can be lowered to some extent. However, the problem is that by increasing the number of layers, the number of organic interfaces increases conversely. This is considered to be the reason why the single layer structure holds the top data of the driving voltage and power efficiency. In other words, by overcoming this point, while taking advantage of the laminated structure (various materials can be combined and no complicated molecular design is required), the driving voltage and power efficiency of the single layer structure can be achieved. I can catch up.
そこで本実施例において、発光素子の陽極と陰極の間に複数の機能領域からなる有機化合
物膜が形成される場合、従来の明確な界面が存在する積層構造ではなく、第一の機能領域
と第二の機能領域との間に、第一の機能領域を構成する材料および第二の機能領域を構成
する材料の両方からなる混合領域を有する構造を形成する。
Therefore, in this example, when an organic compound film composed of a plurality of functional regions is formed between the anode and the cathode of the light emitting element, the first functional region and the first functional region are not the conventional laminated structure in which a clear interface exists. A structure having a mixed region made of both the material constituting the first functional region and the material constituting the second functional region is formed between the two functional regions.
また、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料をドーパントとして混合領域に添加
した場合も含める。また、混合領域の形成においては、混合領域に濃度勾配をもたせても
よい。
In addition, a case where a material capable of converting triplet excitation energy into light emission is added to the mixed region as a dopant is also included. In forming the mixed region, a concentration gradient may be provided in the mixed region.
このような構造を適用することで、機能領域間に存在するエネルギー障壁は従来の構造
に比較して低減され、キャリアの注入性が向上すると考えられる。すなわち機能領域間に
おけるエネルギー障壁は、混合領域を形成することにより緩和される。したがって、駆動
電圧の低減、および輝度低下の防止が可能となる。
By applying such a structure, it is considered that the energy barrier existing between the functional regions is reduced as compared with the conventional structure, and the carrier injection property is improved. That is, the energy barrier between the functional regions is relaxed by forming a mixed region. Therefore, it is possible to reduce the drive voltage and prevent the luminance from being lowered.
以上のことから、本実施例では第一の有機化合物が機能を発現できる領域（第一の機能
領域）と、前記第一の機能領域を構成する物質とは異なる第二の有機化合物が機能を発現
できる領域（第二の機能領域）と、を少なくとも含む発光素子、及びこれを有する発光装
置の作製において、前記第一の機能領域と前記第二の機能領域との間に、前記第一の機能
領域を構成する有機化合物と前記第二の機能領域を構成する有機化合物、とからなる混合
領域を作製する。
From the above, in this example, the region in which the first organic compound can function (the first functional region) and the second organic compound different from the substance constituting the first functional region function. In the manufacture of a light-emitting element including at least a region that can be expressed (second functional region) and a light-emitting device including the light-emitting element, the first functional region and the second functional region may A mixed region comprising an organic compound constituting the functional region and an organic compound constituting the second functional region is prepared.
成膜装置において、一つの成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜が形成
されるようになっており、蒸着源もそれに応じて複数設けられている。
In a film forming apparatus, an organic compound film having a plurality of functional regions is formed in one film forming chamber, and a plurality of vapor deposition sources are provided accordingly.
はじめに、第一の有機化合物が蒸着される。なお、第一の有機化合物は予め抵抗加熱に
より気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。これ
により、図１０（Ａ）に示す第一の機能領域６１０を形成することができる。
First, a first organic compound is deposited. Note that the first organic compound is previously vaporized by resistance heating, and is scattered in the direction of the substrate when the shutter is opened during vapor deposition. Accordingly, the first functional region 610 illustrated in FIG. 10A can be formed.
そして、第一の有機化合物を蒸着したまま、第１シャッターを開け、第二の有機化合物
を蒸着する。なお、第二の有機化合物も予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時に第
２シャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。ここで、第一の有機化合物と第二
の有機化合物とからなる第一の混合領域６１１を形成することができる。
Then, with the first organic compound deposited, the first shutter is opened and the second organic compound is deposited. Note that the second organic compound is also vaporized in advance by resistance heating, and is scattered in the direction of the substrate when the second shutter is opened during vapor deposition. Here, the first mixed region 611 composed of the first organic compound and the second organic compound can be formed.
そして、しばらくしてから第１シャッターのみを閉じ、第二の有機化合物を蒸着する。
これにより、第二の機能領域６１２を形成することができる。
Then, after a while, only the first shutter is closed and the second organic compound is deposited.
Thereby, the second functional region 612 can be formed.
なお、本実施例では、二種類の有機化合物を同時に蒸着することにより、混合領域を形
成する方法を示したが、第一の有機化合物を蒸着した後、その蒸着雰囲気下で第二の有機
化合物を蒸着することにより、第一の機能領域と第二の機能領域との間に混合領域を形成
することもできる。
In this example, a method of forming a mixed region by simultaneously depositing two kinds of organic compounds was shown. However, after depositing the first organic compound, the second organic compound was deposited in the deposition atmosphere. By vapor-depositing, a mixed region can be formed between the first functional region and the second functional region.
次に、第二の有機化合物を蒸着したまま、第３シャッターを開け、第三の有機化合物を
蒸着する。なお、第三の有機化合物も予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時にシャ
ッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。ここで、第二の有機化合物と第三の有機
化合物とからなる第二の混合領域６１３を形成することができる。
Next, with the second organic compound deposited, the third shutter is opened and the third organic compound is deposited. Note that the third organic compound is also vaporized in advance by resistance heating, and is scattered in the direction of the substrate when the shutter is opened during vapor deposition. Here, the second mixed region 613 composed of the second organic compound and the third organic compound can be formed.
そして、しばらくしてから第２シャッターのみを閉じ、第三の有機化合物を蒸着する。
これにより、第三の機能領域６１４を形成することができる。
Then, after a while, only the second shutter is closed, and a third organic compound is deposited.
Thereby, the third functional region 614 can be formed.
最後に、陰極を形成することにより発光素子が完成する。 Finally, a light emitting element is completed by forming a cathode.
さらに、その他の有機化合物膜としては、図１０（Ｂ）に示すように、第一の有機化合
物を用いて第一の機能領域６２０を形成した後、第一の有機化合物と第二の有機化合物と
からなる第一の混合領域６２１を形成し、さらに、第二の有機化合物を用いて第二の機能
領域６２２を形成する。そして、第二の機能領域６２２を形成する途中で、一時的に第３
シャッターを開いて第三の有機化合物の蒸着を同時に行うことにより、第二の混合領域６
２３を形成する。
Furthermore, as another organic compound film, as shown in FIG. 10B, after the first functional region 620 is formed using the first organic compound, the first organic compound and the second organic compound are formed. The first mixed region 621 is formed, and the second functional region 622 is formed using the second organic compound. In the middle of forming the second functional area 622, the third functional area 622 is temporarily
By opening the shutter and simultaneously depositing the third organic compound, the second mixing region 6
23 is formed.
しばらくして、第３シャッターを閉じることにより、再び第二の機能領域６２２を形成
する。そして、陰極を形成することにより発光素子が形成される。
After a while, the second functional region 622 is formed again by closing the third shutter. And a light emitting element is formed by forming a cathode.
同一の成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜を形成することができるの
で、機能領域界面が不純物により汚染されることなく、また、機能領域界面に混合領域を
形成することができる。以上により、明瞭な積層構造を示すことなく（すなわち、明確な
有機界面がなく）、かつ、複数の機能を備えた発光素子を作製することができる。
Since an organic compound film having a plurality of functional regions can be formed in the same film formation chamber, the functional region interface is not contaminated by impurities, and a mixed region can be formed at the functional region interface. As described above, a light-emitting element having a plurality of functions can be manufactured without showing a clear stacked structure (that is, without a clear organic interface).
また、成膜前、成膜中、または成膜後に真空アニールを行うことが可能な成膜
装置を用いれば、成膜中に真空アニールを行うことによって、混合領域における分子間を
よりフィットさせることができる。したがって、さらに駆動電圧の低減、および輝度低下
の防止が可能となる。また、成膜後のアニール（脱気）によって基板上に形成した有機化
合物層中の酸素や水分などの不純物をさらに除去し、高密度、且つ、高純度な有機化合物
層を形成することができる。
In addition, if a film-forming apparatus capable of performing vacuum annealing before, during, or after film formation, the molecules in the mixed region can be more fitted by performing vacuum annealing during film formation. Can do. Therefore, it is possible to further reduce the driving voltage and prevent the luminance from being lowered. In addition, impurities such as oxygen and moisture in the organic compound layer formed on the substrate can be further removed by annealing (deaeration) after film formation, so that a high-density and high-purity organic compound layer can be formed. .
また、本実施例は実施の形態１乃至９、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせるこ
とができる。
In addition, this embodiment can be freely combined with any one of
本発明を実施して様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティ
ブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）を完成させる
ことができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機
器が完成される。
By implementing the present invention, various modules (active matrix liquid crystal module, active matrix EL module, active matrix EC module) can be completed. That is, by implementing the present invention, all electronic devices incorporating them are completed.
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプ
レイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書
籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１１、図１２に示す。
Such electronic devices include video cameras, digital cameras, head mounted displays (goggles type displays), car navigation systems, projectors, car stereos,
A personal computer, a portable information terminal (such as a mobile computer, a mobile phone, or an electronic book) can be used. Examples of these are shown in FIGS.
図１１（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表
示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明により隔壁の上面形状を縮小できる
ため、開口率が向上し、高精細な表示を実現できる。
FIG. 11A illustrates a personal computer, which includes a main body 2001, an image input portion 2002, a display portion 2003, a
図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
FIG. 11B illustrates a video camera, which includes a main body 2101, a display portion 2102, and an audio input portion 210.
3, an
図１１（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、
カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
FIG. 11C illustrates a mobile computer (mobile computer).
A camera unit 2202, an
図１１（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレー
ヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、
操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。
FIG. 11D shows a player using a recording medium (hereinafter referred to as a recording medium) on which a program is recorded, and includes a main body 2401, a
It is possible to perform music appreciation, movie appreciation, games, and the Internet using an ital Versatile Disc), CD, or the like.
図１１（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０
３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
FIG. 11E illustrates a digital camera, which includes a main body 2501, a
3, an
図１２（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９
０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ
、イメージセンサ等）２９０７等を含む。本発明により隔壁の上面形状を縮小できるため
、開口率が向上し、高精細な表示を実現できる。
FIG. 12A shows a mobile phone, which includes a
03,
2907 and the like. According to the present invention, the shape of the upper surface of the partition wall can be reduced, so that the aperture ratio is improved and high-definition display can be realized.
図１２（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００
３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
FIG. 12B illustrates a portable book (electronic book), which includes a
3, a
図１２（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３
等を含む。
FIG. 12C illustrates a display, which includes a
Etc.
ちなみに図１２（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
Incidentally, the display shown in FIG. 12C is a medium or small size display, for example, 5-20.
Inch screen size. Further, in order to form a display portion having such a size, it is preferable to use a substrate having a side of 1 m and perform mass production by performing multiple chamfering.
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至９、実施例１、
または実施例２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
As described above, the applicable range of the present invention is so wide that the present invention can be applied to methods for manufacturing electronic devices in various fields. In addition, the electronic devices of this example are
Alternatively, it can be realized by using any combination of the second embodiment.
実施例３において示した電子機器には、発光素子が封止された状態にあるパネルに、コン
トローラ、電源回路等を含むＩＣが実装された状態にあるモジュールが搭載されている。
モジュールとパネルは、共に発光装置の一形態に相当する。本実施例では、モジュールの
具体的な構成について説明する。
In the electronic device shown in Embodiment 3, a module in which an IC including a controller, a power supply circuit, and the like is mounted on a panel in which a light emitting element is sealed is mounted.
Both the module and the panel correspond to one form of the light emitting device. In this embodiment, a specific configuration of the module will be described.
図１３（Ａ）に、コントローラ８０１及び電源回路８０２がパネル８００に実装された
モジュールの外観図を示す。パネル８００には、発光素子が各画素に設けられた画素部８
０３と、前記画素部８０３が有する画素を選択する走査線駆動回路８０４と、選択された
画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路８０５とが設けられている。
FIG. 13A shows an external view of a module in which a controller 801 and a
03, a scanning line driver circuit 804 that selects a pixel included in the pixel portion 803, and a signal line driver circuit 805 that supplies a video signal to the selected pixel.
またプリント基板８０６にはコントローラ８０１、電源回路８０２が設けられており、
コントローラ８０１または電源回路８０２から出力された各種信号及び電源電圧は、ＦＰ
Ｃ８０７を介してパネル８００の画素部８０３、走査線駆動回路８０４、信号線駆動回路
８０５に供給される。
The printed
Various signals and power supply voltage output from the controller 801 or the
The signal is supplied to the pixel portion 803, the scan line driver circuit 804, and the signal line driver circuit 805 of the
プリント基板８０６への電源電圧及び各種信号は、複数の入力端子が配置されたインタ
ーフェース（I/F）部８０８を介して供給される。
The power supply voltage and various signals to the printed
なお、本実施例ではパネル８００にプリント基板８０６がＦＰＣを用いて実装されてい
るが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ(Chip on Glass)方式を用い、コントロ
ーラ８０１、電源回路８０２をパネル８００に直接実装させるようにしても良い。
In this embodiment, the printed
また、プリント基板８０６において、引きまわしの配線間に形成される容量や配線自体
が有する抵抗等によって、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍っ
たりすることがある。そこで、プリント基板８０６にコンデンサ、バッファ等の各種素子
を設けて、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりするのを防
ぐようにしても良い。
Further, in the printed
図１３（Ｂ）に、プリント基板８０６の構成をブロック図で示す。インターフェース８
０８に供給された各種信号と電源電圧は、コントローラ８０１と、電源電圧８０２に供給
される。
FIG. 13B is a block diagram illustrating the structure of the printed
Various signals and the power supply voltage supplied to 08 are supplied to the controller 801 and the
コントローラ８０１は、Ａ／Ｄコンバータ８０９と、位相ロックドループ（PLL：Phase
Locked Loop）８１０と、制御信号生成部８１１と、ＳＲＡＭ（Static Random Access M
emory）８１２、８１３とを有している。なお本実施例ではＳＲＡＭを用いているが、Ｓ
ＲＡＭの代わりに、ＳＤＲＡＭや、高速でデータの書き込みや読み出しが可能であるなら
ばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）も用いることが可能である。
The controller 801 includes an A /
Locked Loop) 810,
emory) 812, 813. In this embodiment, SRAM is used.
Instead of RAM, SDRAM or DRAM (Dynamic Random Access Memory) can be used if data can be written and read at high speed.
インターフェース８０８を介して供給されたビデオ信号は、Ａ／Ｄコンバータ８０９に
おいてパラレル−シリアル変換され、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するビデオ信号として制御
信号生成部８１１に入力される。また、インターフェース８０８を介して供給された各種
信号をもとに、Ａ／Ｄコンバータ８０９においてＨｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロ
ック信号ＣＬＫ、交流電圧（AC Cont）が生成され、制御信号生成部８１１に入力される
The video signal supplied via the
位相ロックドループ８１０では、インターフェース８０８を介して供給される各種信号
の周波数と、制御信号生成部８１１の動作周波数の位相とを合わせる機能を有している。
制御信号生成部８１１の動作周波数は、インターフェース８０８を介して供給された各種
信号の周波数と必ずしも同じではないが、互いに同期するように制御信号生成部８１１の
動作周波数を位相ロックドループ８１０において調整する。
The phase locked
The operating frequency of the
制御信号生成部８１１に入力されたビデオ信号は、一旦ＳＲＡＭ８１２、８１３に書き
込まれ、保持される。制御信号生成部８１１では、ＳＲＡＭ８１２に保持されている全ビ
ットのビデオ信号のうち、全画素に対応するビデオ信号を１ビット分づつ読み出し、パネ
ル８００の信号線駆動回路８０５に供給する。
The video signal input to the control
また制御信号生成部８１１では、各ビット毎の、発光素子が発光する期間に関する情報
を、パネル８００の走査線駆動回路８０４に供給する。
In addition, the control
また電源回路８０２は所定の電源電圧を、パネル８００の信号線駆動回路８０５、走査
線駆動回路８０４及び画素部８０３に供給する。
The
次に電源回路８０２の詳しい構成について、図１４を用いて説明する。本実施例の電源
回路８０２は、４つのスイッチングレギュレータコントロール８６０を用いたスイッチン
グレギュレータ８５４と、シリーズレギュレータ８５５とからなる。
Next, a detailed configuration of the
一般的にスイッチングレギュレータは、シリーズレギュレータに比べて小型、軽量であ
り、降圧だけでなく昇圧や正負反転することも可能である。一方シリーズレギュレータは
、降圧のみに用いられるが、スイッチングレギュレータに比べて出力電圧の精度は良く、
リプルやノイズはほとんど発生しない。本実施例の電源回路８０２では、両者を組み合わ
せて用いる。
In general, a switching regulator is smaller and lighter than a series regulator, and can perform step-up and positive / negative inversion as well as step-down. On the other hand, the series regulator is used only for step-down, but the accuracy of the output voltage is better than the switching regulator,
Ripple and noise hardly occur. In the
図１４に示すスイッチングレギュレータ８５４は、スイッチングレギュレータコントロ
ール（ＳＷＲ）８６０と、アテニュエイター（減衰器：ＡＴＴ）８６１と、トランス（Ｔ
）８６２と、インダクター（Ｌ）８６３と、基準電源（Ｖｒｅｆ）８６４と、発振回路（
ＯＳＣ）８６５、ダイオード８６６と、バイポーラトランジスタ８６７と、可変抵抗８６
８と、容量８６９とを有している。
The switching regulator 854 shown in FIG. 14 includes a switching regulator control (SWR) 860, an attenuator (attenuator: ATT) 861, and a transformer (T
) 862, an inductor (L) 863, a reference power supply (Vref) 864, an oscillation circuit (
OSC) 865,
8 and a
スイッチングレギュレータ８５４において外部のＬｉイオン電池（３．６Ｖ）等の電圧
が変換されることで、陰極に与えられる電源電圧と、スイッチングレギュレータ８５４に
供給される電源電圧が生成される。
The switching regulator 854 converts a voltage of an external Li ion battery (3.6 V) or the like, thereby generating a power supply voltage supplied to the cathode and a power supply voltage supplied to the switching regulator 854.
またシリーズレギュレータ８５５は、バンドギャップ回路（ＢＧ）８７０と、アンプ８
７１と、オペアンプ８７２と、電流源８７３と、可変抵抗８７４と、バイポーラトランジ
スタ８７５とを有し、スイッチングレギュレータ８５４において生成された電源電圧が供
給されている。
The series regulator 855 includes a band gap circuit (BG) 870 and an amplifier 8.
71, an
シリーズレギュレータ８５５では、スイッチングレギュレータ８５４において生成され
た電源電圧を用い、バンドギャップ回路８７０において生成された一定の電圧に基ずいて
、各色の発光素子の陽極に電流を供給するための配線（電流供給線）に与える直流の電源
電圧を、生成する。
The series regulator 855 uses the power supply voltage generated in the switching regulator 854 and based on the constant voltage generated in the
なお電流源８７３は、ビデオ信号の電流が画素に書き込まれる駆動方式の場合に用いる
。この場合、電流源８７３において生成された電流は、パネル８００の信号線駆動回路８
０５に供給される。なお、ビデオ信号の電圧が画素に書き込まれる駆動方式の場合には、
電流源８７３は必ずしも設ける必要はない。
Note that the
05. In the case of a driving method in which the voltage of the video signal is written to the pixel,
The
なお、スイッチングレギュレータ、ＯＳＣ、アンプ、オペアンプは、ＴＦＴを用いて形
成することが可能である。
Note that the switching regulator, the OSC, the amplifier, and the operational amplifier can be formed using TFTs.
また、本実施例は実施の形態１乃至８、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組みあわ
せることができる。
In addition, this embodiment can be freely combined with any one of
本発明により、製造装置間、或いは装置の設置場所間で基板を搬送する際に生じやすい静
電破壊やゴミが付着することを防ぐことができる。
According to the present invention, it is possible to prevent electrostatic breakdown and adhesion of dust that are likely to occur when a substrate is transported between manufacturing apparatuses or between installation locations of apparatuses.
１０：基板
１１：第１の隔壁
１２：第２の隔壁
１３：第１の電極（陽極）
１４：有機化合物を含む層
１５：第２の電極（陰極）
10: Substrate 11: First partition 12: Second partition 13: First electrode (anode)
14: Layer containing organic compound 15: Second electrode (cathode)
Claims (10)
第１の場所で前記基板上にＴＦＴおよび前記第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、
露呈している前記第１の電極の表面を研磨し、
前記第１の電極および第１の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜を形成し、
第２の場所で前記有機樹脂膜をエッチングして前記第１の隔壁の側面のみを覆う第２の隔壁を形成し、且つ、前記第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れさせることなく、前記第１の電極上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light-emitting element having a first electrode over a substrate having an insulating surface; a light-emitting layer provided in contact with the first electrode; and a second electrode provided over the light-emitting layer. A light emitting device,
Forming a TFT and the first electrode on the substrate at a first location, forming a first partition wall covering an end of the first electrode;
Polishing the exposed surface of the first electrode,
Forming an organic resin film over the entire surface covering the first electrode and the first partition;
The organic resin film is etched at a second location to form a second partition that covers only the side surface of the first partition, and after exposing a part of the first electrode, it is exposed to the atmosphere. Without forming the light emitting layer on the first electrode,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein the second electrode is formed over the light-emitting layer.
第１の場所で前記基板上にＴＦＴおよび前記第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、
露呈している前記第１の電極の表面を研磨し、
前記第１の電極および第１の隔壁を覆って全面に無機絶縁膜を形成し、
第２の場所で前記無機絶縁膜をエッチングして前記第１の隔壁の側面のみを覆う第２の隔壁を形成し、且つ、前記第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れさせることなく、前記第１の電極上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light-emitting element having a first electrode over a substrate having an insulating surface; a light-emitting layer provided in contact with the first electrode; and a second electrode provided over the light-emitting layer. A light emitting device,
Forming a TFT and the first electrode on the substrate at a first location, forming a first partition wall covering an end of the first electrode;
Polishing the exposed surface of the first electrode,
Forming an inorganic insulating film over the entire surface covering the first electrode and the first partition;
Etching the inorganic insulating film at a second location to form a second partition wall that covers only the side surface of the first partition wall, and exposing part of the first electrode , and then touching the atmosphere Without forming the light emitting layer on the first electrode,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein the second electrode is formed over the light-emitting layer.
第１の場所で前記基板上にＴＦＴおよび前記第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、
前記第１の電極および前記第１の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜と、帯電防止層とを積層形成し、
第２の場所で前記帯電防止層をエッチング除去し、前記有機樹脂膜をエッチングして前記第１の隔壁の側面のみを覆う第２の隔壁を形成し、且つ、前記第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れさせることなく前記第１の電極上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light-emitting element having a first electrode over a substrate having an insulating surface; a light-emitting layer provided in contact with the first electrode; and a second electrode provided over the light-emitting layer. A light emitting device,
Forming a TFT and the first electrode on the substrate at a first location, forming a first partition wall covering an end of the first electrode;
An organic resin film and an antistatic layer are laminated on the entire surface covering the first electrode and the first partition;
The antistatic layer is removed by etching at a second location, the organic resin film is etched to form a second partition that covers only the side surface of the first partition, and a part of the first electrode After exposing, forming the light emitting layer on the first electrode without exposure to the atmosphere,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein the second electrode is formed over the light-emitting layer.
第１の場所で前記基板上にＴＦＴおよび前記第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、
前記第１の電極および前記第１の隔壁を覆って全面に無機絶縁膜と、帯電防止層とを積層形成し、
第２の場所で前記帯電防止層をエッチング除去し、前記無機絶縁膜をエッチングして前記第１の隔壁の側面のみを覆う第２の隔壁を形成し、且つ、前記第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れさせることなく前記第１の電極上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light-emitting element having a first electrode over a substrate having an insulating surface; a light-emitting layer provided in contact with the first electrode; and a second electrode provided over the light-emitting layer. A light emitting device,
Forming a TFT and the first electrode on the substrate at a first location, forming a first partition wall covering an end of the first electrode;
An inorganic insulating film and an antistatic layer are laminated over the entire surface covering the first electrode and the first partition;
The antistatic layer is removed by etching at a second location, the inorganic insulating film is etched to form a second partition that covers only the side surface of the first partition, and a part of the first electrode After exposing, forming the light emitting layer on the first electrode without exposure to the atmosphere,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein the second electrode is formed over the light-emitting layer.
前記基板上にＴＦＴおよび前記第１の電極を形成し、
疎水性の表面を有する第１の隔壁を前記第１の電極の端部を覆って形成し、
親水性の表面を有する第２の隔壁を前記第１の隔壁の側面のみに形成し、
塗布法により前記第２の隔壁および前記第１の電極のみに接して前記発光層を形成し、 前記発光層及び前記第１の隔壁上に前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light-emitting element having a first electrode over a substrate having an insulating surface; a light-emitting layer provided in contact with the first electrode; and a second electrode provided over the light-emitting layer. A light emitting device,
Forming the TFT and the first electrode on the substrate;
Forming a first partition having a hydrophobic surface over an end of the first electrode;
Forming a second partition wall having a hydrophilic surface only on a side surface of the first partition wall;
The light emitting layer is formed in contact with only the second partition and the first electrode by a coating method, and the second electrode is formed on the light emitting layer and the first partition. Device fabrication method.
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