JP4592457B2 - 赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置 - Google Patents

赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置に関し、特に照明用途に用いられる赤色蛍光体およびこれを用いて可視光を呈する発光装置に関する。
従来より、発光装置として固体励起光源により蛍光体を励起し可視光を得る試みがなされている。たとえば、特許文献1には、GaN系半導体を用いたブロードエリアレーザを励起光源とし、蛍光体として希土類元素で付活されたYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)を用いて可視光を得る発光装置が開示されている。
上記特許文献1に記載された白色発光のメカニズムは、励起光源を兼ねる青紫発光およびこれと補色関係にある蛍光体からの黄色発光を混色し、擬似白色発光を得るものである。擬似白色は赤色成分を有しないため演色性(色の見え方に及ぼす光源の性質を意味する)に劣る。そこで、特許文献2には、黄色蛍光体と共に赤色蛍光体を混合し、自然に近い発色を得る発光装置が開示されている。
特開2002−9402号公報 特開2004−115304号公報
ここで、「外部量子効率」は(放射された光子数)/(注入されたキャリア数)と定義され、「内部量子効率」は(放射された光子数)/(吸収された光子数)と定義され、「エネルギー変換効率」は、(放射全光束)/(励起光源駆動電力)と定義される。本明細書中において単に「効率」と記す場合、励起光源に対しては外部量子効率を、蛍光体および発光装置に対してはエネルギー変換効率を指すものとする。
青紫色により効率よく励起される赤色蛍光体の開発は、固体照明の産業利用において重要な技術である。従来の赤色蛍光体には、付活元素として主に希土類元素であるユウロピウム(Eu)あるいは遷移金属であるマンガン(Mn)が用いられている。
Euを付活した蛍光体は、610nm付近に発光の主ピークを有するが、赤色の原刺激波長である700nmに比べ短波長のため、照明光源としては演色性に乏しい。一方、Mnを付活した赤色蛍光体は、650nm付近に発光の主ピークを有し演色性に優れるが、視感度が低いため効率に乏しい。
また、励起光源としてInGaN系半導体発光素子を用いる場合、InGaNの効率が最も高い波長は390〜415nm(以下、400nm帯と称する)であるが、EuおよびMnはいずれもこの波長域に高効率な励起帯を有していない。
このように、従来の赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置は、効率および演色性の点で問題を有していた。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、400nm帯励起において高効率かつ演色性に優れた赤色蛍光体および発光装置を提供することである。
本発明の赤色蛍光体は、第1の発光ピークを590〜610nmに有し、第2の発光ピークを635〜655nmに有し、第3の発光ピークを555〜565nmに有し、前記第1の発光ピーク強度に対する前記第2の発光ピーク強度の比が0.4以上であり、前記第3の発光ピーク強度は前記第1の発光ピーク強度および前記第2の発光ピーク強度のいずれよりも小さいことを特徴とする。
また本発明の赤色蛍光体は、3価イオンとして存在するサマリウムを含み、塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とすることを特徴とする。
ここにおいて、前記塩基性酸化物はアルカリ金属酸化物またはアルカリ土類金属酸化物を含むのが好ましい。
また本発明の赤色蛍光体の母体中における塩基性酸化物の含有率は50mol%以下であるのが好ましい。
本発明の赤色蛍光体において、前記ガラス材料はB23を50mol%以上含むのが好ましい。
また前記ガラス材料はSiO2を含むのが好ましく、Al23をさらに含むのがより好ましい。
本発明の赤色蛍光体におけるガラス材料は多孔質であるのが好ましい。
さらに、本発明の赤色蛍光体は、前記サマリウム濃度が前記ガラス母体に対して0.05〜1mol%の範囲にあるのが好ましい。
本発明はまた、青紫色を呈する半導体励起光源と、3価イオンとして存在するサマリウムが付活された塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とする赤色蛍光体とを含み、前記半導体励起光源からの青紫色発光を赤色に変換することを特徴とする発光装置も提供する。
本発明の発光装置における半導体励起光源は、InGaNを発光層に含み、ピーク波長400〜415nmの青紫色を呈するIII族窒化物半導体発光素子であるのが、好ましい。
また本発明の発光装置における半導体励起光源は、半導体レーザ素子または発光ダイオード素子であるのが、好ましい。
本発明の発光装置はまた、前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長500〜550nmの緑色に変換する蛍光体と、前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長420〜490nmの青色に変換する蛍光体を共に含むのが好ましい。
本発明によれば、400nm帯励起において高効率かつ演色性に優れた赤色蛍光体および発光装置を提供することができる。
図1は、本発明の好ましい一例の赤色蛍光体(後述する実施例1)の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。図1において、縦軸は発光強度および励起強度(任意単位)を示し、横軸は波長(nm)を示している。本発明の赤色蛍光体は、図1に示すように、590〜610nm(以下、「第1の発光ピーク」と称する)、635〜655nm(以下、「第2の発光ピーク」と称する)および555〜565nm(以下、「第3の発光ピーク」と称する)の3つの主発光ピークを有するものである。このような本発明の赤色蛍光体において、第1および第2の発光ピークが赤色発光の主成分となり、赤色原刺激波長に近い第2発光ピークが演色性を向上させる働きを、視感度が高い第1の発光ピークが効率を向上させる働きを有する。故に、第1および第2の発光ピークを混色すると、効率が高く演色性に優れた赤色発光が得られる。また第3の発光ピークは赤色成分を有しないが、視感度のピーク波長近傍に存在し効率を向上させる働きを有する。
本発明の赤色蛍光体において、第1の発光ピーク強度に対する第2の発光ピークの強度の比は0.4以上(好ましくは1〜10)である。第1の発光ピーク強度に対する第2の発光ピークの強度の比が0.4未満であると、演色性に乏しくなり、特に本発明の赤色蛍光体を照明用白色蛍光体として用いた場合には、色再現性が不十分になるという不具合が起こり、本発明の目的を達成することができない。
また本発明の赤色蛍光体において、第3の発光ピーク強度は、第1の発光ピークおよび第2の発光ピークのいずれよりも小さく、好ましくは強い方の発光ピークに対して0.5以下の強度比である。第3の発光ピーク強度が第1の発光ピークおよび第2の発光ピークのいずれと同じかまたは大きい場合には、赤色純度を維持することができず、本発明の目的を達成することができない。
以上のように第1の発光ピークを590〜610nmに有し、第2の発光ピークを635〜655nmに有し、第3の発光ピークを555〜565nmに有し、前記第1の発光ピーク強度に対する前記第2の発光ピーク強度の比が0.4以上であり、前記第3の発光ピーク強度は前記第1の発光ピーク強度および前記第2の発光ピーク強度のいずれよりも小さいことを特徴とする本発明の赤色蛍光体によれば、赤色発光の演色性を劣化させることなく効率を向上させることができる。
上述したような本発明の赤色蛍光体は、3価イオンとして存在するサマリウム(Sm)を含み、塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とすることで実現することができる。Smイオンは400nm帯に光吸収のピークを有するため、青紫色励起光を高い効率で吸収し、かつ前記第1〜第3の発光ピークを呈することができる。また、酸化物を含むガラス材料母体は、その組成によって、前記第1〜第3の発光ピークの波長と強度を任意に制御することができるが、酸化物の中でも塩基性酸化物を含むことにより、通常は0.4未満である第2のピーク強度/第1の発光ピーク強度の比を0.4以上とすることが可能となる。なお、本発明の赤色蛍光体に含有されるSmが3価イオンとして存在するか否かは、たとえばX線光電子分光法により、Sm原子の化学結合状態を解析することで確認することができる。
本発明の赤色蛍光体の母体となるガラス材料に含まれる前記塩基性酸化物は、特に制限されるものではないが、塩基度が高いことから、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる少なくともいずれかであるのが好ましい。アルカリ金属酸化物としては、たとえばNa2O、K2O、Li2O、Rb2O、Cs2Oなどが例示され、またアルカリ土類金属酸化物としては、たとえばBeO、MgO、CaO、SrO、BaOなどが例示される。本発明におけるガラス材料は、低コストで取り扱い性が簡便であることから、上記中でも特にNa2O、K2Oを塩基性酸化物として含むのが好ましい。
図2は、赤色蛍光体におけるガラス材料中の塩基性酸化物(具体的にはNa2O)の組成比(mol%)と、第1の発光ピーク強度に対する第2の発光ピーク強度との比との関係を示すグラフである。図2に示すように、塩基性酸化物は、母体中の含有率が大きいほど第2の発光ピーク強度を増大させることができるが、一方でガラス化が困難となるため、含有率は50mol%以下であることが好ましく、35mol%以下であることがより好ましい。また、第2の発光ピーク強度を増大させることから、塩基性酸化物は母体中10mol%以上含有されるのが好ましく、15mol%以上含有されるのが好ましい。なお、母体中の塩基性酸化物の含有率は、たとえば誘導結合プラズマ分光(ICP)分析によりNa組成を同定することで、赤色蛍光体および後述する発光装置から測定することができる。このように本発明の赤色蛍光体においては、母体中の塩基性酸化物の含有率を制御することで、視感度と色純度を最適化することが可能である。
本発明の赤色蛍光体におけるガラス材料は、Smイオンを均一に分散させるためにB23を50mol%以上含むことが好ましく、60mol%以上含むことがより好ましい。なお、発光効率が向上されることから、ガラス材料中におけるB23は、90mol%以下であるのが好ましく、70mol%以下であるのがより好ましい。なお、ガラス材料中におけるB23の含有率は、たとえば誘導結合プラズマ分光(ICP)分析によりB組成を同定することで、赤色蛍光体および後述する発光装置から測定することができる。
また、効率を向上させる観点からは、ガラス材料は、SiO2を含むことが好ましい。しかしながら、SiO2はB23に比べSmイオンの分散性に劣り濃度消光を生じる場合があるため、SiO2の分散性を向上させる観点からは、Al23をさらに含むことがより好ましい。ガラス材料中におけるSiO2の含有率は、50mol%以上であるのが好ましく、60mol%以上であるのが好ましい。また、Smイオンの分散性が向上されることから、ガラス材料中におけるSiO2は、90mol%以下であるのが好ましく、70mol%以下であるのがより好ましい。また、ガラス材料中におけるAl23の含有率は、上述したSiO2の分散性向上の観点から、5〜30mol%の範囲内であるのが好ましく、10〜20mol%の範囲内であるのがより好ましい。なお、ガラス材料中におけるSiO2、Al23の含有率は、たとえば蛍光X線分析により組成を同定することで、赤色蛍光体および後述する発光装置から測定することができる。
なお、本発明におけるガラス材料は、B23とSiO2を共に含んでいても勿論よく、またガラス比を促進させるために他の金属酸化物を共に含んでも本発明の効果を有することができる。
また本発明におけるガラス母体は、多孔質構造とすることにより、Smイオンに与える結晶場の影響を大幅に変化させてピーク強度比をさらに大きくすることができるので好ましい。なお、赤色蛍光体におけるガラス母体が多孔質であるか否かは、電子顕微鏡で観察することにより確認することができる。
本発明の赤色蛍光体において、付活するSmの濃度(含有率)は、ガラス母体に対して0.05〜1mol%の範囲内であることが好ましく、0.1〜0.3mol%の範囲内であることがさらに好ましい。Sm濃度がガラス母体に対して0.05mol%未満である場合には、Smイオンが少なすぎるため十分な発光強度が得られない虞があり、またSm濃度がガラス母体に対して1mol%を超える場合には、Smイオンが多すぎるため濃度消光を生じ効率が低下するためである。なお、Sm濃度は、たとえば蛍光X線装置、二次イオン質量分析装置、ICP発光分析装置などを用い、濃度に応じて適切な組成分析を行うことで、赤色蛍光体および後述する発光装置から測定することができる。
本発明の赤色蛍光体の製造方法は、特に制限されるものではないが、たとえば溶融法やゾルゲル法などを用いて製造することができる。ゾルゲル法によると、上述した多孔質のガラス材料を有する赤色蛍光体を好適に製造することが可能となる。
本発明はまた、青紫色を呈する半導体励起光源と、3価イオンとして存在するサマリウムが付活された塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とする蛍光体(上述した本発明の赤色蛍光体)とを含み、前記半導体励起光源からの青紫色発光を赤色に変換することを特徴とする発光装置も提供する。前記赤色蛍光体は、400〜415nmに吸収帯を有するため、青紫色励起光を高い効率で吸収する。このことにより、高い効率で赤色を呈する発光装置を製造することができる。
青紫色発光を呈する半導体励起光源は、Smの吸収スペクトル範囲内に発光スペクトルを有することが好ましく、ピーク波長範囲は400〜415nm、さらに好ましくは405〜410nmであることが好ましい。ピーク波長がこの範囲から大きく外れると、励起光の大部分がSmに吸収されなくなるため、吸収効率が低下する。
上記ピーク波長を実現できる半導体発光素子の構成材料としては、窒化物であるGaN系半導体、酸化物であるZnO系半導体、あるいはII−V族化合物半導体であるZnSSe系半導体などを用いることができる。中でも特に、InGaNを発光層に含みピーク波長400〜415nmの青紫色を呈するIII族窒化物半導体発光素子を半導体励起光源として用いるのが好ましい。III族窒化物を用いた発光素子は、青紫色発光を高い外部量子効率で呈することができる半導体発光材料であり、特に発光層をInGaN混晶とすることによって、発光波長を外部量子効率が最も高い400〜415nmに制御することができる。このことにより、発光波長がSmの吸収帯の範囲内にあるため、Smが励起光を効率よく吸収することができる。
また本発明の発光装置における半導体励起光源は、半導体レーザ素子または発光ダイオード素子であるのが好ましい。
上記半導体励起光源が半導体レーザ素子であれば、発振光のスペクトル幅が狭いため、Smの吸収ピークを効率的に励起することができる。このことにより、エネルギー変換効率の高い発光装置を製造することができる。また、半導体レーザ素子は光ファイバなど線状導波路の伝搬性に優れているので、これを利用して高効率な線状発光装置を製造することができる。特に、発光素子として高い外部量子効率を有するInGaN系半導体レーザ素子は、外部量子効率の最大値を405nmに有し、発振スペクトルをSmの吸収スペクトルにほぼ一致させることができるため、最も好ましい。なお、半導体レーザ素子は、端面発光型、面発光型のいずれであってもよい。
上記半導体励起光源が発光ダイオード素子であれば、発光スペクトル幅は半導体レーザ素子に比べて広いため、励起効率は低下する。しかし、本発明の蛍光体は、発光ダイオード素子のばらつきや温度変化に起因する励起波長ゆらぎが生じても、効率が変化しにくい。このため、発光ダイオード素子を半導体励起光源として用いることで、安定性に優れた発光装置を製造することができる。
本発明の発光装置において、赤色蛍光体(ならびに、場合によっては青色蛍光体および緑色蛍光体(後述))は、通常、適宜の媒質中に均一に分散された状態で固形化され、発光体を形成する。媒質としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂のうちから選ばれる少なくともいずれかを含む有機樹脂が挙げられる。媒質として有機樹脂を用いることによって、上記赤色蛍光体(ならびに、場合によっては青色蛍光体および緑色蛍光体)の分散性に優れ、かつ加工性に優れた発光体を得ることができるという利点がある。中でも、またエポキシ樹脂を用いると、吸湿性が低く寸法安定性に優れた媒質とすることができる利点があり、アクリル樹脂を用いると、可視光の透過性が高い媒質とすることができる利点がある。さらに、シリコン樹脂またはポリカーボネート樹脂を用いると、青紫色発光に対する耐久性に優れた媒質とすることができる利点がある。勿論、媒質は上述した有機樹脂を組み合わせて用いてもよい。
また、上記媒質としてガラスを用いてもよい。ガラスは有機樹脂と比較して光透過性と耐久性が格段に優れるという利点があり、また、上記赤色蛍光体(ならびに、場合によっては上記青色蛍光体および緑色蛍光体)の分散性にも優れ安価であるので、信頼性に優れた発光装置を低コストで製造することができるという利点がある。
本発明の発光装置において、上記媒質中に分散された赤色蛍光体の含有量は、媒質に対し0.1〜20重量%の範囲内であるのが好ましく、0.2〜5重量%の範囲内であるのがより好ましい。上記含有量が0.1重量%未満であると、白色発光を得たときに赤色成分が乏しく、演色性に劣る傾向にあるためであり、また20重量%を超えると、白色発光を得たときに青緑色成分とのバランスが取れず、演色性に劣る傾向にあるためである。
本発明の発光装置は、Sm含有赤色蛍光体に加え青色蛍光体および緑色蛍光体を含むことにより、高効率な白色発光を得ることができる。特に、半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長500〜550nmの緑色に変換する蛍光体と、上記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長420〜490nmの青色に変換する蛍光体をさらに含むことにより、色温度が高く演色性に優れた白色発光を得ることができるとともに、各蛍光体の充填量を調整することにより、微妙な発光を得ることが可能になる。
ここで、青色蛍光体および緑色蛍光体は、それぞれ上記範囲内のピーク波長を有するような従来公知の適宜の蛍光体を好適に用いることができる。青色蛍光体としては、CaAl24:Eu、Sr4Al1425:Eu、GaN:Zn,AlN:Tb,La2Si8114:Ce,BaMgAl1017:Eu、緑色蛍光体としてはSrAl24:Eu,Ca3Sc2Si312:Ce,α−SiAlONなどを用いることができる。
青色蛍光体および緑色蛍光体の含有量は、それぞれ媒質に対し0.5〜30重量%の範囲内であるのが好ましく、1〜10重量%の範囲内であるのがより好ましい。上記含有量が0.5重量%未満であると、白色発光を得たときに青および緑色成分が乏しく、演色性に劣る傾向にあるためであり、また30重量%を超えると、白色発光を得たときに青赤色成分とのバランスが取れず、演色性に劣る傾向にあるためである。
なお、本発明の発光装置は、いずれか1あるいは2色のみの蛍光体を用いて任意に可視発光を得る発光装置としても勿論よい。
以下、本発明の発光装置の具体例について説明する。
図3は、本発明の好ましい第一の例の発光装置100を模式的に示す図である。図3に示す発光装置100においては、支持基板101上に、InGaN半導体で構成された青紫色発光を呈する半導体励起光源102が配置され、その上に本発明の赤色蛍光体を均一に分散させた樹脂層104が配置される。青紫色発光を呈する半導体励起光源102として、図3には、たとえば300μm角の大きさの半導体レーザ素子を用い、50μmの等間隔でアレイ状に配置されてなる青紫色半導体レーザ素子を用いている。支持基板101としては、半導体励起光源102および樹脂層104を支持することができるならば、その材質は任意のものを用いることができ、たとえばガラス、プラスチック、セラミックスなどを用いてよい。また、サファイアなどIII族窒化物半導体のエピタキシャル成長用基板を支持基板101に用いることもでき、半導体励起光源102をアレイ状に作り付けた基板をそのまま支持基板として用いれば、半導体励起光源102の配置および配線の手間を大幅に省くことができる。また図3に示す例においては、青紫色半導体レーザ素子を仕切る隔壁105が設けられる。隔壁105は、当該隔壁105に入射した光が赤色蛍光体に向けて高効率に反射されるように、その表面がたとえばAl、Pt、Agなどの光反射率の高い材料にて形成されるのが好ましい。
なお、図3においては、樹脂層104中に赤色蛍光体のみを分散させた例を示しているが、上述したように半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長500〜550nmの緑色に変換する蛍光体と、上記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長420〜490nmの青色に変換する蛍光体をさらに分散させて実現しても勿論よい。これにより、色温度が高く演色性に優れた白色発光を得ることができると共に、各蛍光体の充填量を調整することにより、微妙な発色を得ることが可能となる。
図4は、本発明の好ましい第二の例の発光装置201を模式的に示す図である。図4に示す例の発光装置201においては、たとえば本発明の赤色蛍光体204a、緑色蛍光体204bおよび青色蛍光体204cを均一に分散させ、線状に形成した線状樹脂202と、青紫色発光を呈する半導体励起光源203とを、基本的に備える。図4に示す例において、半導体励起光源203としてはInGaN窒化物半導体レーザ素子が用いられ、このInGaN窒化物半導体レーザ素子は線状樹脂202の一端より青紫色の励起光を入射可能なように配置されてなる。図4に示した例の発光装置201は、線状白色光源として用いることができる。
図5は、本発明の好ましい第三の例の発光装置301を模式的に示す図である。図5に示す例の発光装置301においては、波長変換部としてコア302とクラッド303を有する光ファイバを用い、コア302を導波する励起光の一部がクラッド303側へ漏曳する構造を有する(側面偏光式)と共に、本発明の赤色蛍光体304a、緑色蛍光体304bおよび青色蛍光体304cをクラッド303に均一に分散させてなる。このような構成の発光装置301も本発明の発光装置に包含される。光ファイバとしては、従来公知の適宜のものを用いることができ、特に制限はされないが、Smおよび蛍光体を簡便に分散させることができるなどの理由から、コア302がPMMA(ポリメチルメタアクリレート)などのアクリル系樹脂にて形成され、クラッド303がフッ化ビニリデンやPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などのフッ素系樹脂にて形成された光ファイバ304を用いるのが好ましい。また、フッ化物ガラスやボロンガラス、シリカなどのガラスファイバを用いても本発明の効果を得ることができる。クラッド303には、光拡散材がさらに含有されていてもよい。
図5に示す例の発光装置301は青紫色発光を呈する半導体励起光源305をさらに備え、この半導体励起光源305としては、たとえば光ファイバの一端より青紫色の励起光を入射可能に配置されたInGaN窒化物半導体レーザ素子が用いられる。かかる構成を備える発光装置301は、図4に示した例の発光装置201と同様の形状ではあるが、励起光はコア部302を導波して徐々にクラッド部303に浸透して吸収および発光に寄与するため、図4に示した例の発光装置201と比較して長手の発光装置を構成して均一に発光させることができる。図5に示した例の発光装置301は、線状白色光源として用いることができ、従来の蛍光灯に代わる照明光源や、あるいはこれを編み込んでフレキシブルな面状光源としても用いることができる。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例1>
Smを0.2mol%添加したボレートガラス蛍光体を作製した。試料組成をxNa2O−(95−x)B23−5Al23−0.2Sm23(x=0〜35)として全量10gになるよう各原料を秤量し、アルミナ乳鉢で混合した。次いでアルミナ坩堝を用い、温度1100℃で1時間溶融し、溶融物をホットプレート上の型に流し込み冷却した。除歪加熱を行った後、ボールミルを用いて粒径1μm程度に粉砕し、赤色蛍光体を得た。
<比較例1>
実施例1の赤色蛍光体と同粒径の3.5Mg・0.5MgF2・GeO2:Mn赤色蛍光体を比較例1とした。
<比較例2>
実施例1の赤色蛍光体と同粒径のY23S:Eu赤色蛍光体を比較例2とした。
実施例1、比較例1、2で作製した赤色蛍光体について、ピーク波長405nmの半導体レーザ光を用いて発光特性を評価した結果を表1に示す。
Figure 0004592457
なお、各発光特性は、以下のようにして測定した。
1.吸収率
励起光源である半導体レーザの発光を、赤色蛍光体を積分球内に設置した場合と設置しない場合でそれぞれ測定し、その比率より赤色蛍光体に吸収されたフォトン数を計算することで測定。
2.内部量子効率
赤色蛍光体を積分球内に設置し、放射された発光を集光して全フォトン数を測定し、吸収率測定によって求めたフォトン数で除することで測定。
3.エネルギー変換効率
赤色蛍光体を積分球内に設置し、放射された発光を集光して全光束量を測定し、これを励起光源である半導体レーザ光の消費電力で除することで測定。
4.色度座標
赤色蛍光体の発光スペクトルよりCIEスペクトルの3刺激値を計算し、CIE色度座標上にプロットすることで測定。
5.演色性
基準光にCIE昼光(色温度:5000K)を用い、試験色として赤・黄・黄緑・緑・青緑・青紫・紫・赤紫(明度:6.彩度:7)の8色を用いて、発光装置の演色評価数を
i=100−4.6×ΔEi
(ここで、iは上記8つの試験色のいずれかを表す符号で、1〜8の値をとる)
で算出し、各々の演色評価数の総加平均
Ra=Σ(i=1〜8)Ri×1/8
によって評価することによって測定。
また、実施例1の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを図1に、比較例1の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを図6に、比較例2の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを図7にそれぞれ示す。
結果、比較例1の赤色蛍光体はいずれも内部量子効率に優れるが、励起光の吸収率が低かった。また比較例1の赤色蛍光体は視感度が低く、比較例2の赤色蛍光体は演色性(ここでは色度座標で評価した)に劣るという問題を有していた。これは、比較例1の赤色蛍光体が650nm近傍(図6を参照)、比較例2の赤色蛍光体が610nm近傍(図7を参照)にのみ発光ピークが見られるためである。一方、実施例1の本発明の赤色蛍光体は、図1に示すように赤色主成分の第1の発光ピークを600nmに、色純度に優れた第2および視感度に優れた第3の発光ピークをそれぞれ645nmおよび562nmに有しているため、エネルギー変換効率において優れていることが分かった。
<実施例2>
ガラス母体の組成を35Na2O−60SiO2−5Al23−0.2Sm23とした以外は実施例1と同様にして赤色蛍光体を作製した。溶融条件は2000℃で1時間とした。実施例1と同様の特性評価の結果、吸収率50%、内部量子効率50%、エネルギー変換効率50lm/Wであった。本実施例では、ガラス母体の主成分をSiO2としたために、B23に比べ内部量子効率が向上した。また、本実施例ではAl23を添加したが、添加しない場合には内部量子効率はB23と同程度であった。これはSiO2中ではSmの分散が悪く濃度消光が生じているためと考えられ、SiO2を主成分とする場合にはAl23を添加した方が好ましいことが分かった。
<実施例3>
実施例2の溶融法に換えて、ゾルゲル法でガラス蛍光体の作製を行った。原料は水酸化ナトリウム、テトラエトキシシラン、硝酸アルミニウム、硝酸サマリウムを用い、実施例2と同一組成のゲルができるように仕込み組成を調整した後、溶媒としてもエタノールおよび水を加え、触媒として尿素を加えて、温度30℃で24時間攪拌させた。沈降したゲルを乾燥させた後、温度1000℃で6時間焼成し、ボールミルで粒径1μm程度に粉砕し赤色蛍光体とした。本実施例の蛍光体は、吸収率および内部量子効率は実施例2と同じであったが、第2ピーク強度/第1ピーク強度の比が2以上となり、ピーク強度が逆転した。このことによりエネルギー変換効率は45lm/Wに低下したが、実施例2に比べ演色性に優れた赤色発光が得られた。
実施例2、3で作製した赤色蛍光体を電子顕微鏡で観察した結果、実施例2の赤色蛍光体は緻密なガラス母体であったのに対し、実施例3の赤色蛍光体のガラス母体は多孔質となっていた。このことが、Smイオンの結晶場に影響を及ぼし、ピーク強度比の逆転を生じて演色性が向上したものと考えられる。
<実施例4>
図3に示した例の発光装置100を作製した。実施例1で作製した赤色蛍光体103をエポキシ樹脂に均一に分散させて、樹脂層104を形成した。具体的には、ビスフェノールAを含むエポキシ主剤(スタイキャスト1266、エマーソンアンドカミング社製)10gに赤色蛍光体103を20mg添加後、均一に混合分散させ、硬化剤を添加した後ただちに支持基板101上に塗布し、常温にて24時間架橋硬化させる、という手順にて、支持基板101上に樹脂層104を形成した。支持基板101としては、サファイアを用いた。青紫色発光を呈する半導体励起光源102としては、ピーク波長405nmのInGaN半導体レーザ素子であって、300μm角の大きさのものを、50μmの等間隔でアレイ状に配置し、光出射面端面が樹脂層104を向くように実装した。また青紫色発光素子102間は、Alで形成された隔壁105にて仕切るようにした。このように構成された本発明の発光装置100において、InGaN半導体レーザ素子に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光が樹脂層104に入射し、樹脂層104上表面から赤色発光が得られた。発光装置のエネルギー変換効率を、上述のようにして測定したところ、50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
<比較例3>
蛍光体103を比較例1の3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mnで構成した以外は実施例4と同様にして、発光装置を作製した。このような比較例3の発光装置は、励起光の吸収率が小さいため、実施例4と同様にして測定したエネルギー変換効率は25lm/Wであった。
<比較例4>
蛍光体103のガラス母体の組成を95SiO2−5Al23−0.2Sm23とした以外は実施例4と同様にして、発光装置を作製した。このような比較例4の発光装置は、第1の発光ピークの強度に対する第2の発光ピークの強度の比が0.4未満であったため、平均演色性評価数Raは65であった。
<実施例5>
図4に示した例の発光装置201を作製した。媒質としてアクリル樹脂を用い、これに実施例1で作製した赤色蛍光体204a、SrAl24:Eu緑色蛍光体204b、およびSr4Al1425:Eu青色蛍光体204cを、0.2:1:2.5の比率で均一に分散させた後硬化させ、これを直径3mmに成形するというようにして、線状発光体202を形成した。青紫色発光を呈する半導体励起光源203としては、InGaN窒化物半導体レーザ素子を用い、線状樹脂202の一端より青紫色の励起光を入射可能に配置した。このように構成された本発明の発光装置201において、InGaN窒化物半導体レーザ素子に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光が線状樹脂202の一端より入射し、線状樹脂202の側面およびレーザ光を入射したのと反対側の端面から白色発光が得られた。実施例4と同様にして測定されたエネルギー変換効率は50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
<実施例6>
図5に示した例の発光装置301を作製した。コア302およびその外周部を同心円状に被覆したクラッド303よりなる光ファイバにおいて、クラッド303に実施例1で作製した赤色蛍光体304a、SrAl24:Eu緑色蛍光体304b、およびCaAl24:Eu青色蛍光体304cを、0.2:1:2.5の比率で均一に分散させたものを形成した。光ファイバは、コア(導径:0.2mm)がポリメチルメタクリレート樹脂(PMMA)で形成され、クラッド(導径:0.5mm)がフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体で形成され、クラッド303の屈折率がコア302よりも小さいものを用いた。また、コア302を導光するレーザ光の一部がクラッド303に漏洩するよう、クラッドにおけるフッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンの重合体比を調整した。青紫色発光を呈する半導体励起光源305としてはInGaN窒化物半導体レーザ素子を用い、光ファイバの一端より青紫色の励起光を入射可能に配置した。このように構成された本発明の発光装置301において、InGaN窒化物半導体レーザ素子305に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光がコア302に入射し、クラッド303から白色発光が得られた。実施例4と同様にして測定されたエネルギー変換効率は50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の好ましい一例の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。 赤色蛍光体におけるガラス材料中の塩基性酸化物の組成比(mol%)と、第1の発光ピーク強度に対する第2の発光ピーク強度との比との関係を示すグラフである。 本発明の好ましい第一の例の発光装置100を模式的に示す図である。 本発明の好ましい第二の例の発光装置201を模式的に示す図である。 本発明の好ましい第三の例の発光装置301を模式的に示す図である。 比較例1の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。 比較例2の赤色蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
符号の説明
100,201,301 発光装置、101 支持基板、102,203,305 励起光源、104 樹脂層、202 線状樹脂、302 コア、303 クラッド、103,204a,304a 赤色蛍光体、204b,304c 青色蛍光体、204b,304c 緑色蛍光体。

Claims (9)

  1. 3価イオンとして存在するサマリウムを含み、15〜35mol%の塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とすることを特徴とする赤色蛍光体であって、ガラス材料が、60〜70mol%のB23含むとともに、SiO 2 、Al 2 3 をさらに含み、多孔質である、赤色蛍光体。
  2. 第1の発光ピークを590〜610nmに有し、第2の発光ピークを635〜655nmに有し、第3の発光ピークを555〜565nmに有し、前記第1の発光ピーク強度に対する前記第2の発光ピーク強度の比が0.4以上であり、前記第3の発光ピーク強度は前記第1の発光ピーク強度および前記第2の発光ピーク強度のいずれよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の赤色蛍光体。
  3. 前記塩基性酸化物がアルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる少なくともいずれかである、請求項1に記載の赤色蛍光体。
  4. 前記サマリウム濃度が前記ガラス母体に対して0.05〜1mol%の範囲にある請求項1に記載の赤色蛍光体。
  5. 青紫色を呈する半導体励起光源と、3価イオンとして存在するサマリウムが付活された15〜35mol%の塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とする赤色蛍光体とを含み、前記半導体励起光源からの青紫色発光を赤色に変換することを特徴とする発光装置であって、ガラス材料が、60〜70mol%のB23含むとともに、SiO 2 、Al 2 3 をさらに含み、多孔質であり、
    前記半導体励起光源は、InGaNを発光層に含み、ピーク波長400〜415nmの青紫色を呈するIII族窒化物半導体発光素子である、発光装置。
  6. 前記半導体励起光源は、半導体レーザ素子である請求項5に記載の発光装置。
  7. 半導体レーザ素子のピーク波長が405nmである、請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記半導体励起光源は、発光ダイオード素子である請求項5に記載の発光装置。
  9. 前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長500〜550nmの緑色に変換する蛍光体と、前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長420〜490nmの青色に変換する蛍光体を共に含む請求項5に記載の発光装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5052362A (ja) * 1973-09-12 1975-05-09
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5052362A (ja) * 1973-09-12 1975-05-09
JP2000086283A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ohara Inc 発光性ガラス

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