JP4592457B2 - 赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置 - Google Patents
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Description
Smを0.2mol%添加したボレートガラス蛍光体を作製した。試料組成をxNa2O−(95−x)B2O3−5Al2O3−0.2Sm2O3(x=0〜35)として全量10gになるよう各原料を秤量し、アルミナ乳鉢で混合した。次いでアルミナ坩堝を用い、温度1100℃で1時間溶融し、溶融物をホットプレート上の型に流し込み冷却した。除歪加熱を行った後、ボールミルを用いて粒径1μm程度に粉砕し、赤色蛍光体を得た。
実施例1の赤色蛍光体と同粒径の3.5Mg・0.5MgF2・GeO2:Mn赤色蛍光体を比較例1とした。
実施例1の赤色蛍光体と同粒径のY2O3S:Eu赤色蛍光体を比較例2とした。
励起光源である半導体レーザの発光を、赤色蛍光体を積分球内に設置した場合と設置しない場合でそれぞれ測定し、その比率より赤色蛍光体に吸収されたフォトン数を計算することで測定。
赤色蛍光体を積分球内に設置し、放射された発光を集光して全フォトン数を測定し、吸収率測定によって求めたフォトン数で除することで測定。
赤色蛍光体を積分球内に設置し、放射された発光を集光して全光束量を測定し、これを励起光源である半導体レーザ光の消費電力で除することで測定。
赤色蛍光体の発光スペクトルよりCIEスペクトルの3刺激値を計算し、CIE色度座標上にプロットすることで測定。
基準光にCIE昼光(色温度:5000K)を用い、試験色として赤・黄・黄緑・緑・青緑・青紫・紫・赤紫(明度:6.彩度:7)の8色を用いて、発光装置の演色評価数を
Ri=100−4.6×ΔEi
(ここで、iは上記8つの試験色のいずれかを表す符号で、1〜8の値をとる)
で算出し、各々の演色評価数の総加平均
Ra=Σ(i=1〜8)Ri×1/8
によって評価することによって測定。
ガラス母体の組成を35Na2O−60SiO2−5Al2O3−0.2Sm2O3とした以外は実施例1と同様にして赤色蛍光体を作製した。溶融条件は2000℃で1時間とした。実施例1と同様の特性評価の結果、吸収率50%、内部量子効率50%、エネルギー変換効率50lm/Wであった。本実施例では、ガラス母体の主成分をSiO2としたために、B2O3に比べ内部量子効率が向上した。また、本実施例ではAl2O3を添加したが、添加しない場合には内部量子効率はB2O3と同程度であった。これはSiO2中ではSmの分散が悪く濃度消光が生じているためと考えられ、SiO2を主成分とする場合にはAl2O3を添加した方が好ましいことが分かった。
実施例2の溶融法に換えて、ゾルゲル法でガラス蛍光体の作製を行った。原料は水酸化ナトリウム、テトラエトキシシラン、硝酸アルミニウム、硝酸サマリウムを用い、実施例2と同一組成のゲルができるように仕込み組成を調整した後、溶媒としてもエタノールおよび水を加え、触媒として尿素を加えて、温度30℃で24時間攪拌させた。沈降したゲルを乾燥させた後、温度1000℃で6時間焼成し、ボールミルで粒径1μm程度に粉砕し赤色蛍光体とした。本実施例の蛍光体は、吸収率および内部量子効率は実施例2と同じであったが、第2ピーク強度/第1ピーク強度の比が2以上となり、ピーク強度が逆転した。このことによりエネルギー変換効率は45lm/Wに低下したが、実施例2に比べ演色性に優れた赤色発光が得られた。
図3に示した例の発光装置100を作製した。実施例1で作製した赤色蛍光体103をエポキシ樹脂に均一に分散させて、樹脂層104を形成した。具体的には、ビスフェノールAを含むエポキシ主剤(スタイキャスト1266、エマーソンアンドカミング社製)10gに赤色蛍光体103を20mg添加後、均一に混合分散させ、硬化剤を添加した後ただちに支持基板101上に塗布し、常温にて24時間架橋硬化させる、という手順にて、支持基板101上に樹脂層104を形成した。支持基板101としては、サファイアを用いた。青紫色発光を呈する半導体励起光源102としては、ピーク波長405nmのInGaN半導体レーザ素子であって、300μm角の大きさのものを、50μmの等間隔でアレイ状に配置し、光出射面端面が樹脂層104を向くように実装した。また青紫色発光素子102間は、Alで形成された隔壁105にて仕切るようにした。このように構成された本発明の発光装置100において、InGaN半導体レーザ素子に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光が樹脂層104に入射し、樹脂層104上表面から赤色発光が得られた。発光装置のエネルギー変換効率を、上述のようにして測定したところ、50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
蛍光体103を比較例1の3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mnで構成した以外は実施例4と同様にして、発光装置を作製した。このような比較例3の発光装置は、励起光の吸収率が小さいため、実施例4と同様にして測定したエネルギー変換効率は25lm/Wであった。
蛍光体103のガラス母体の組成を95SiO2−5Al2O3−0.2Sm2O3とした以外は実施例4と同様にして、発光装置を作製した。このような比較例4の発光装置は、第1の発光ピークの強度に対する第2の発光ピークの強度の比が0.4未満であったため、平均演色性評価数Raは65であった。
図4に示した例の発光装置201を作製した。媒質としてアクリル樹脂を用い、これに実施例1で作製した赤色蛍光体204a、SrAl2O4:Eu緑色蛍光体204b、およびSr4Al14O25:Eu青色蛍光体204cを、0.2:1:2.5の比率で均一に分散させた後硬化させ、これを直径3mmに成形するというようにして、線状発光体202を形成した。青紫色発光を呈する半導体励起光源203としては、InGaN窒化物半導体レーザ素子を用い、線状樹脂202の一端より青紫色の励起光を入射可能に配置した。このように構成された本発明の発光装置201において、InGaN窒化物半導体レーザ素子に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光が線状樹脂202の一端より入射し、線状樹脂202の側面およびレーザ光を入射したのと反対側の端面から白色発光が得られた。実施例4と同様にして測定されたエネルギー変換効率は50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
図5に示した例の発光装置301を作製した。コア302およびその外周部を同心円状に被覆したクラッド303よりなる光ファイバにおいて、クラッド303に実施例1で作製した赤色蛍光体304a、SrAl2O4:Eu緑色蛍光体304b、およびCaAl2O4:Eu青色蛍光体304cを、0.2:1:2.5の比率で均一に分散させたものを形成した。光ファイバは、コア(導径:0.2mm)がポリメチルメタクリレート樹脂(PMMA)で形成され、クラッド(導径:0.5mm)がフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体で形成され、クラッド303の屈折率がコア302よりも小さいものを用いた。また、コア302を導光するレーザ光の一部がクラッド303に漏洩するよう、クラッドにおけるフッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンの重合体比を調整した。青紫色発光を呈する半導体励起光源305としてはInGaN窒化物半導体レーザ素子を用い、光ファイバの一端より青紫色の励起光を入射可能に配置した。このように構成された本発明の発光装置301において、InGaN窒化物半導体レーザ素子305に80mAの電流を流したところ、出力30mWで波長405nmのレーザ光がコア302に入射し、クラッド303から白色発光が得られた。実施例4と同様にして測定されたエネルギー変換効率は50lm/Wであった。また、平均演色性評価数Raは85であった。
Claims (9)
- 3価イオンとして存在するサマリウムを含み、15〜35mol%の塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とすることを特徴とする赤色蛍光体であって、ガラス材料が、60〜70mol%のB2O3を含むとともに、SiO 2 、Al 2 O 3 をさらに含み、多孔質である、赤色蛍光体。
- 第1の発光ピークを590〜610nmに有し、第2の発光ピークを635〜655nmに有し、第3の発光ピークを555〜565nmに有し、前記第1の発光ピーク強度に対する前記第2の発光ピーク強度の比が0.4以上であり、前記第3の発光ピーク強度は前記第1の発光ピーク強度および前記第2の発光ピーク強度のいずれよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の赤色蛍光体。
- 前記塩基性酸化物がアルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる少なくともいずれかである、請求項1に記載の赤色蛍光体。
- 前記サマリウム濃度が前記ガラス母体に対して0.05〜1mol%の範囲にある請求項1に記載の赤色蛍光体。
- 青紫色を呈する半導体励起光源と、3価イオンとして存在するサマリウムが付活された15〜35mol%の塩基性酸化物を含むガラス材料を母体とする赤色蛍光体とを含み、前記半導体励起光源からの青紫色発光を赤色に変換することを特徴とする発光装置であって、ガラス材料が、60〜70mol%のB2O3を含むとともに、SiO 2 、Al 2 O 3 をさらに含み、多孔質であり、
前記半導体励起光源は、InGaNを発光層に含み、ピーク波長400〜415nmの青紫色を呈するIII族窒化物半導体発光素子である、発光装置。 - 前記半導体励起光源は、半導体レーザ素子である請求項5に記載の発光装置。
- 半導体レーザ素子のピーク波長が405nmである、請求項6に記載の発光装置。
- 前記半導体励起光源は、発光ダイオード素子である請求項5に記載の発光装置。
- 前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長500〜550nmの緑色に変換する蛍光体と、前記半導体励起光源からの青紫色発光をピーク波長420〜490nmの青色に変換する蛍光体を共に含む請求項5に記載の発光装置。
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