JP4590225B2 - 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 - Google Patents
分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4590225B2 JP4590225B2 JP2004224039A JP2004224039A JP4590225B2 JP 4590225 B2 JP4590225 B2 JP 4590225B2 JP 2004224039 A JP2004224039 A JP 2004224039A JP 2004224039 A JP2004224039 A JP 2004224039A JP 4590225 B2 JP4590225 B2 JP 4590225B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- excited
- substrate
- single crystal
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
しかし、MBE装置において、立方晶単結晶薄膜の成長速度を速めるには、炭素源であるアセチレンガスの供給量、あるいは、窒素源である励起窒素の供給量を増やす必要があるが、アセチレンガスの供給量や励起窒素原子の供給量を増やすと、成長室内を高真空に保てなくなり、アセチレン等の反応ガスが成長室の内壁やシュラウドに付着する。そして、液体窒素で冷却されたシュラウドに吸着した反応ガスが、そこから再蒸発をするため、反応後に真空度が回復せず、継続して行うべき窒化ガリウム薄膜低温バッファ層作製を行うことに支障が生じる。
しかし、MBE装置において、III族グループ窒化物単結晶薄膜の成長速度を速めるには、窒素源である励起窒素の供給量を増やす必要があるが、励起窒素原子の供給量を増やすと、成長室内を高真空に保てなくなり、高品質の結晶を得ることが難しくなる。
したがって、従来のMBE装置では、大きな基板に高速に結晶薄膜を形成しようとすると、アセチレンガスの供給量や励起窒素原子の供給量に見合う容量の大きい真空ポンプが必要となり、装置が大型化するため、装置コストおよびエネルギーコストの点で問題がある。
前記励起原子セルの放電室内に印加される高周波磁界に加えて磁束密度を可変とするECR(電子サイクロトロン共鳴)用静磁界を印加するように構成した磁界付与手段と、前記励起原子セルの放電室の出口に取り付け可能とするとともに所定のアスペクト比を有する複数のオリフィスを形成した仕切り板とを備え、前記ECR用静磁界の磁束密度を調整するとともに前記仕切り板のオリフィスの設定数およびオリフィスのアスペクト比を調整することにより前記成長室内に射出される前記中性気体の励起原子および基底原子の流量を調整可能に構成したことを特徴としている。
筒状体の形状は、特に限定されないが、円筒が好ましい。
また、ガイド筒部の長さは、長い程、発散が防止でき指向性が向上する。ガイド筒部長は、その半径との兼ね合いにより、反応ガス放射分布を決定づけるが、あまり長いと反応ガスジェットの特性が失われるため、アスペクト比は5〜20程度、ガイド筒部の内径は照射試料基板の外径の1/100〜1/10程度でよい。
前記分子線エピタキシャル成長装置の成長室内に設けた基板固定部材にシリコン基板を固定し、該シリコン基板を加熱するとともに該シリコン基板表面に反応ガスセルから炭素Cを含む反応ガスを照射することによりS i C単結晶ヘテロエピタキシャルバッファ層を形成する工程と、次いで、
励起原子セルの放電室に供給される窒素ガスN 2 を高周波磁界により解離して該励起原子セルから前記S i C単結晶ヘテロエピタキシャルバッファ層に、励起窒素原子N * および基底窒素原子N流束を照射するとともに溶融セルからIII族原子流束を照射することにより、該S i Cヘテロエピタキシャルバッファ層上にIII族窒化物単結晶層を形成する工程とを含むことを特徴としている。
なお、炭素原子を含む反応ガスとしては、特に限定されないが、たとえば、アセチレンガスが挙げられる。
さらにまた、前記励起原子セルから基板固定部材に固定されたシリコン基板に向けて照射される解離粒子流を阻害しない位置に解離粒子流量を検出する検出電極を設け、励起窒素原子量をモニタリングしながら単結晶薄膜を成長させるので、より良質なIII族窒化物単結晶膜を容易に得ることができる。
図1〜図3は、本発明にかかる分子線エピタキシャル成長装置の第1の実施の形態をあらわしている。
ガス供給管46に、窒素源となる液体窒素ボンベ(図示せず)が接続されている。
図4に示すように、このMBE装置1bは、高周波放電励起原子セル4bが、以下のようになっている以外は、上記MBE装置1aと同様になっている。
図5に示すように、このMBE装置1cは、高周波放電励起原子セル4cが、以下のようになっている以外は、上記MBE装置1aと同様になっている。
図7に示すように、このMBE装置1dは、荷電粒子除去用電界発生手段100と、励起原子検出電極200とを備える以外は、上記MBE装置1aと同様になっている。
給電装置120は、直流電源121と、電界発生電極110への給電線122と、切り替えスイッチ123とを備え、切り替えスイッチ123を切り替えることによって、電界発生電極110の筒内にプラス電荷のイオン粒子を阻止する電界あるいはマイナス電荷の電子を阻止する電界が形成される。
検出回路210は、直流電源211と、励起原子検出電極200への給電線212と、切り替えスイッチ213と、電流計214とを備え、切り替えスイッチ213を切り替えることによって励起原子検出電極200をアースに対してプラスあるいはマイナスの電位を与えることができるようになっている。
しかも、検出回路200の電流計214の電流値をモニタリングしながら窒化ガリウムの単結晶(立方晶)薄膜を成長させることができるので、電流計214でモニタリングした予め求めてある検量線等と照合させながら、励起原子セルへの窒素の供給量をコントロールして単結晶膜の膜厚を自由に制御できる。
図10に示すように、このMBE装置1eは、上記MBE装置1aのように磁界付与コイル45を設ける代わりに、高周波放電励起原子セル4aの高周波コイル42への高周波回路400にフィルター510を備えた直流回路500を並列に接続し、RFコイルに交流電流と直流電流とを同時に流すことによって高周波を発生させると同時に磁界を発生させるようにした以外は、上記MBE装置1aと同様になっている。なお、図10中、420は、マッチングボックスである。
また、本発明の荷電粒子除去用電界発生手段および励起原子検出電極は、磁界発生手段が設けられていない従来のMBE装置に採用しても、同様の効果を得ることができる。
本実施例において、図1に示すようなMBE装置が使用された。このMBE装置には、従来のGaAs用MBE装置( V.G. Semicon社製80H)のKセルポートに、励起窒素源として高周波放電励起原子セル(アリオス社製IRFS−501RF;13.56MHz)が装着され、この励起原子セルの放電室の原子線出口に、厚み(オリフィス長さ)2mm、オリフィス径(直径)0.5mm、オリフィス数185を形成したPBN製仕切り板が装着されるとともに、図5に示すような電磁石45cが装着されている。さらに、図3に示すように、ガス供給ノズルの先端に、一端に内径1/4インチ、長さ20cmのガイド筒部を備え、他端に穴径1mm、穴長さ0.5mmの単一のオリフィスを形成したアタッチメントを備えた反応ガスセルが装着されている。
放電室の出口のオリフィスを、厚み0.5mm,穴径2mm、穴数1穴とするとともに、光路に異なる減衰フィルターを介在させた以外は、実施例1と同様の測定を行い、その結果を図12に示した。
放電室の原子線出口に厚み(穴長さ)2mm、穴径(直径)0.2mm、穴数185穴のオリフィスをセットするとともに、光路に異なる減衰フィルターを介在させた以外は、実施例1と同様の測定を行い、その結果を図13に示した。
すなわち、最適なオリフィスの形状(穴数、穴長さ、穴径)および磁界付与手段により発生される磁束密度を予め設定しておけば、最少の流量で、超高真空を保ったまま効率よくIII族窒化物単結晶膜を製造できることがよくわかる。
アセチレンガスとともに、シリコン用分子線セルからシリコン原子を基板表面に照射した以外は、実施例1と同様にして立方晶炭化珪素層をシリコン基板表面に形成し、得られた立方晶炭化珪素層表面を原子間力走査顕微鏡(「AFM」とも記す)によって観察した結果、シリコン原子を照射しない場合に観測されるピットが1ミクロン平方メートルあたり1〜8個存在していた物が消失し、表面荒さを示すラフネスは照射することにより0.29nmに減少していた。したがって、立方晶炭化珪素層を形成する場合、炭素を含む反応ガスとともにシリコン原子を同時にシリコン基板表面に照射すれば、続くIII族グループ窒化物単結晶薄膜成長により有効であることがわかった。
実施例1と同様のMBE装置と試料準備条件を用い、立方晶炭化珪素層形成工程を経て得られた立方晶炭化珪素層の表面に立方晶炭化珪素層形成工程に引き続いて低温バッファ層を基板温度500℃で成長させたのち、基板を800℃、ガリウム用分子線セル温度を965℃、窒素流量0.5sccmで、3時間かけて窒化ガリウム膜を成長させた。
図14に示すように、実施例5の条件では、立方晶窒化ガリウムと六方晶窒化ガリウムのバンド端付近の発光が観測され、その他に2.8eV付近の発光も観測された。この2.8eV付近の発光は、欠陥が形成する深い準位を介した発光と思われる。
窒化ガリウム膜の成長工程において、同時にシリコン用分子線セルからセル温度1300℃でシリコン原子を供給した以外は、上記実施例4と同様にして窒化ガリウム薄膜をシリコン基板上に形成し、得られた窒化ガリウム膜の16Kで測定したPL(フォトルミネッセンス)測定結果を図15に示した。
上記実施例4および実施例5の結果からガリウムと同時にシリコンを照射することによってより立方晶窒化ガリウム単結晶薄膜の結晶性が向上することがわかる。
実施例1のMBE装置の高周波放電励起原子セルに図7に示すMBE装置1dのように荷電粒子除去用電界発生手段100および励起原子検出電極200を取り付けるとともに、励起原子検出電極200に−100Vをかけ、高周波放電励起原子セルを用いて窒素ガス流量0.5sccm、RF入力電力500Wの窒素活性条件で窒素を励起させて成長室内に噴射し、荷電粒子除去用電界発生手段の電界発生電極にかける印加電圧を−1000V〜1000Vまで変化させ、印加電圧と励起原子検出電極200によって測定される電流値(窒素イオンの荷電粒子密度)の変化を調べ、その結果を図16に示した。
2 成長室
3a Al用分子線セル
3b Ga用分子線セル
3c In用分子線セル
3d シリコン用分子線セル
4a,4b,4c 高周波放電励起原子セル
41 放電室
43 オリフィス
45a 磁界付与コイル(磁界付与手段)
45b コイル(磁界付与手段)
45c 電磁石(磁界付与手段)
45e 磁界付与手段
5 反応ガス導入セル
51 ガス供給ノズル
52 オリフィス
53 ガイド筒部
6 基板
100 荷電粒子除去用電界発生手段
200 励起原子検出電極
Claims (5)
- 高真空状態に設定される成長室と、前記成長室に配置された基板固定部材と、放電室内に供給する中性気体をRF(高周波)放電により解離して前記成長室内に解離粒子流束を前記基板固定部材に固定された基板に向けて射出可能とした励起原子セルと、前記基板に向けて原子線を照射する少なくとも1以上の溶融セルとを具備する分子線エピタキシャル成長装置において、
前記励起原子セルの放電室内に印加される高周波電磁界に加えて磁束密度を可変とするECR(電子サイクロトロン共鳴)用静磁界を印加するように構成した磁界付与手段と、前記励起原子セルの放電室の出口に取り付け可能とするとともに所定のアスペクト比を有する複数のオリフィスを形成した仕切り板とを備え、前記ECR用静磁界の磁束密度を調整するとともに前記仕切り板のオリフィスの設定数およびオリフィスのアスペクト比を調整することにより前記成長室内に射出される前記中性気体の励起原子および基底原子の流量を調整可能に構成したことを特徴とする分子線エピタキシャル成長装置。 - 更に、励起原子セルの放電室の出口周辺部に、該出口から放出される荷電粒子流束に交差する電界を発生する荷電粒子抑制用電界発生手段を設け、該荷電粒子抑制用電界発生手段により発生された電界により前記励起原子セルの放電室から成長室内に配置された基板に向けて射出される荷電粒子流を抑制するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の分子線エピタキシャル成長装置。
- 更に、高真空状態の成長室内に反応ガスを放出する少なくとも1つの反応ガスセルを備え、前記反応ガスセルのノズル先端部に形成した単一のオリフィスの周縁部を包囲するとともに前記成長室内に延びる反応ガスガイド筒部を設け、前記反応ガスセルの内部から前記オリフィスを介して前記成長室内に放出される反応ガスジェットを、前記反応ガスガイド筒部を介して前記成長室内の基板固定部材に固定された基板面に照射するように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の分子線エピタキシャル成長装置。
- 前記請求項3に記載の分子線エピタキシャル成長装置を用いて、該分子線エピタキシャル成長装置の成長室内に設けた基板固定部材にシリコン基板を固定し、該シリコン基板を加熱するとともに該シリコン基板表面に反応ガスセルから炭素Cを含む反応ガスを照射することによりSiC単結晶ヘテロエピタキシャルバッファ層を形成する工程と、次いで、励起原子セルの放電室に供給される窒素ガスN2を高周波磁界により解離して該励起原子セルから前記SiC単結晶ヘテロエピタキシャルバッファ層に、励起窒素原子N*および基底窒素原子N流束を照射するとともに溶融セルからIII族原子流束を照射することにより、該単結晶SiCヘテロエピタキシャルバッファ層上にIII族窒化物単結晶層を形成する工程を含むことを特徴とするシリコン基板上へのIII族窒化物単結晶膜の製造方法。
- 更に、励起原子セルの放電室から放出される励起窒素原子N*および基底窒素原子Nを含む解離粒子流量を検出する検出電極を、前記励起原子セルから基板固定部材に固定されたシリコン基板に向けて照射される解離粒子流束を阻害しない位置に配置し、前記検出電極による解離粒子流量検出値に基づきIII族窒化物単結晶層の成長速度を制御することを特徴とする請求項4に記載のシリコン基板上へのIII族窒化物単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004224039A JP4590225B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-07-30 | 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004092228 | 2004-03-26 | ||
JP2004224039A JP4590225B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-07-30 | 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005307332A JP2005307332A (ja) | 2005-11-04 |
JP4590225B2 true JP4590225B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=35436425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004224039A Expired - Fee Related JP4590225B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-07-30 | 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4590225B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4825630B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2011-11-30 | 学校法人同志社 | 金属窒素化合物の分子線エピタキシー成膜方法及び装置 |
JP5128907B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-01-23 | 学校法人同志社 | 活性度制御式窒素化合物mbe成膜方法及び装置 |
JP5673924B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-02-18 | 国立大学法人名古屋大学 | 分子線エピタキシー装置 |
WO2012026113A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 国立大学法人名古屋大学 | ラジカル源及び分子線エピタキシー装置 |
CN117535790B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-04-02 | 北京大学 | 基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0714765A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Nissin Electric Co Ltd | ラジカルセルと分子線エピタキシ−装置 |
JPH07291790A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-11-07 | Nippon Steel Corp | 分子線エピタキシー装置 |
JP2927768B1 (ja) * | 1998-03-26 | 1999-07-28 | 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004224039A patent/JP4590225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005307332A (ja) | 2005-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9466479B2 (en) | System and process for high-density, low-energy plasma enhanced vapor phase epitaxy | |
Jung et al. | Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique | |
CA2756994C (en) | Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition | |
JP4613373B2 (ja) | Iii族ナイトライド化合物半導体薄膜の形成方法および半導体素子の製造方法 | |
US20060035446A1 (en) | Apparatus of catalytic molecule beam epitaxy and process for growing III-nitride materials using the apparatus | |
WO2011081921A2 (en) | Atomic layer etching with pulsed plasmas | |
US20190112708A1 (en) | Electrostatic control of metal wetting layers during deposition | |
KR100277833B1 (ko) | 라디오파 유도 플라즈마 소스 발생장치 | |
JP4590225B2 (ja) | 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのiii族窒化物単結晶膜の製造方法 | |
Basak et al. | Effect of reactive ion etching on the yellow luminescence of GaN | |
US20150140232A1 (en) | Ultrahigh Vacuum Process For The Deposition Of Nanotubes And Nanowires | |
KR20030090650A (ko) | 부품 제조 방법 및 진공 처리 시스템 | |
JP3075581B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体膜の成長装置 | |
Terada et al. | Field emission from GaN self-organized nanotips | |
JP5513763B2 (ja) | シリコン基板上にSi3N4へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置 | |
AU2012202511B2 (en) | System and Process for High-Density, Low-Energy Plasma Enhanced Vapor Phase Epitaxy | |
US20170183795A1 (en) | Methods for atom incorporation into materials using a plasma afterglow | |
JP5176054B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JPH04338633A (ja) | 化合物半導体薄膜への不純物添加方法と分子線結晶成長装置 | |
JPH0349215A (ja) | プラズマを利用した薄膜成長法 | |
JP2004323329A (ja) | 窒化ガリウムバルク結晶の製造方法および製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070607 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |