JP4589491B2 - 炭化ケイ素粉末、グリーン体の製造方法、及び炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素粉末、グリーン体の製造方法、及び炭化ケイ素焼結体の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化ケイ素焼結体の原料である炭化ケイ素粉末、グリーン体の製造方法、及び炭化ケイ素焼結体の製造方法に関する。なお、グリーン体とは、多くの気孔が内在する炭化ケイ素の成形体を示す。
【0002】
【従来の技術】
従来より、炭化ケイ素は1000℃を超える高温下においても良好な強度、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性等を有することから高温領域で使用される材料として注目されおり、近年においては、半導体の製造冶具として石英の代替材料として使用されている。
【0003】
上記の炭化ケイ素からなる焼結体を製造する方法の一つとして、反応焼結法がある。この反応焼結法は、先ず、炭化ケイ素粉末と、炭素源からなる有機物質又は炭素粉末とを溶媒中に溶解、分散し、スラリー状の混合粉体を製造する。次に、得られた混合粉体を鋳込み成形型、押出し成形型、プレス成形型等に流し込み乾燥させ、グリーン体を得る。次に、得られたグリーン体を真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、加熱し、溶融した金属シリコン中に浸漬し、グリーン体中の遊離炭素とグリーン体中に吸上げられた金属シリコンとを反応させることにより炭化ケイ素焼結体を得る方法である。
【0004】
このような反応焼結法により得られた炭化ケイ素焼結体は、非常に良好な強度、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性等を有するが、近年、より高性能な炭化ケイ素焼結体が求められており、その一つとして、強度、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性等に大きく影響する密度のさらなる向上が望まれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
炭化ケイ素焼結体の高密度化には、その中間成形体であるグリーン体を高密度化することが重要であり、この試みは日々研究開発されている。グリーン体の密度が十分でないと、得られる炭化ケイ素焼結体の密度が低下するばかりでなく、グリーン体のハンドリング性も悪くなり、クラック、パーティクル等の原因を引き起こし、改善が望まれていた。また、炭化ケイ素焼結体に導電性を付与する場合(窒素源などの導入)、グリーン体の密度が低下すると、得られる炭化ケイ素焼結体の体積抵抗率が高くなり、放電加工等が困難になることが多く、やはり、改善が望まれている。
【0006】
本発明は、上記従来の技術に鑑みてなされたものであり、即ち、
本発明の第1の目的は、グリーン体、及び炭化ケイ素焼結体を高密度化することができる炭化ケイ素粉末を提供することにある。
本発明の第2の目的は、高密度で、ハンドリンク性に優れたグリーン体の製造方法、及び高密度な炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。即ち、
【0008】
<1> 最頻径1.7〜2.7μmの炭化ケイ素粉末(A)と最頻径10.5〜21.5μmの炭化ケイ素粉末(B)とを、微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末(A)の体積/炭化ケイ素粉末(A)及び(B)の体積)20〜80%で含み、前記炭化ケイ素粉末(A)における、粒度分布により算出される90%累積径(D 90 )と10%累積径(D 10 )との比(D 90 /D 10 )が、10以下であることを特徴とする炭化ケイ素粉末である。
【0010】
<2> 前記炭化ケイ素粉末(B)における、粒度分布により算出される90%累積径(D90)と10%累積径(D10)との比(D90/D10)が、10以下であることを特徴とする前記<1>に記載の炭化ケイ素粉末である。
【0011】
<3> 前記<1>または<2>に記載の炭化ケイ素粉末を溶媒中に溶解、分散してスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程と、
該スラリー状の炭化ケイ素混合粉体を成形型に流し込み、乾燥して、グリーン体を製造する工程と、
を有することを特徴とするグリーン体の製造方法である。
【0012】
<4> 前記<3>に記載のグリーン体の製造方法により得られたグリーン体を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、溶融した金属シリコン中に浸漬し、金属シリコンを吸入によりグリーン体中の気孔に浸透させて、グリーン体中の気孔を埋める工程、を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。
【0013】
【発明の実施の形態】
(炭化ケイ素粉末)
本発明の炭化ケイ素粉末は、異なる最頻径の炭化ケイ素粉末(A)及び(B)を、特定の微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末(A)の体積/炭化ケイ素粉末(A)及び(B)の体積)で含む炭化ケイ素粉末である。このような炭化ケイ素粉末を用いることにより、グリーン体、及び炭化ケイ素焼結体の密度を向上させることができる。
【0014】
本発明の炭化ケイ素粉末において、最頻径とは、粉末の粒度分布における、最も多く存在する粒子径を示す。
【0015】
本発明の炭化ケイ素粉末として具体的には、下記炭化ケイ素粉末(AB)が挙げられる。
【0016】
−炭化ケイ素粉末(AB)−
前記炭化ケイ素粉末(AB)は、最頻径1.7〜2.7μmの炭化ケイ素粉末(A)と最頻径10.5〜21.5μmの炭化ケイ素粉末(B)とを、微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末(A)の体積/炭化ケイ素粉末(A)及び(B)の体積)20〜80%で含む炭化ケイ素粉末である。
炭化ケイ素粉末の体積は、炭化ケイ素粉末の重量を精密重量計により測定し、得られた重量を、炭化ケイ素の理論密度3.21g/cm2で除することにより算出した値を採用する。
【0017】
前記炭化ケイ素粉末(AB)は、炭化ケイ素粉末(A)と炭化ケイ素粉末(B)とを、微粒側体積比率20〜80%で含むが、好ましくは20〜65%であり、より好ましくは30〜40%である。この微粒側体積比率が、20%未満、或いは80%を超えた場合、十分なグリーン体、如いては炭化ケイ素焼結体の密度が得られない場合がある。
【0018】
前記炭化ケイ素粉末(AB)において、前記炭化ケイ素粉末(A)は、その最頻径1.7〜2.7μmであるが、この最頻径が1.7μm未満、或いは2.7μmを超えたものを前記炭化ケイ素粉末(B)と組み合わせた場合、十分なグリーン体、如いては炭化ケイ素焼結体の密度が得られない場合がある。
【0019】
前記炭化ケイ素粉末(AB)において、前記炭化ケイ素粉末(B)は、その最頻径10.5〜21.5μmであるが、この最頻径が10.5μm未満、或いは21.5μmを超えたものを前記炭化ケイ素粉末(A)と組み合わせた場合、十分なグリーン体、如いては炭化ケイ素焼結体の密度が得られない場合がある。
【0020】
前記炭化ケイ素粉末(AB)において、前記炭化ケイ素粉末(A)は、その粒度分布により算出される90%累積径(D90)と10%累積径(D10)との比(D90/D10)が、高密度化の観点から、10以下であり、7以下がより好ましく、5以下が特に好ましい。この比が10を超えると、極めて大きい粒子が存在することとなり、高密度化を阻害する場合がある。
【0021】
前記炭化ケイ素粉末(AB)において、前記炭化ケイ素粉末(B)は、その粒度分布により算出される90%累積径(D90)と10%累積径(D10)との比(D90/D10)が、高密度化の観点から、10以下が好ましく、7以下がより好ましく、5以下が特に好ましい。この比が10を超えると、極めて大きい粒子が存在することとなり、高密度化を阻害する場合がある。
【0022】
本発明の炭化ケイ素粉末は、α型、β型、非晶質或いはこれらの混合物等のいずれでもよい。また、高純度のグリーン体、或いは炭化ケイ素焼結体を得るためには、原料の炭化ケイ素粉末として、高純度の炭化ケイ素粉末を用いることが好ましい。
【0023】
本発明の炭化ケイ素粉末のグレードとしては、特に制限はなく、例えば一般に市販されているβ型炭化ケイ素粉末を用いることができる。
【0024】
(炭化ケイ素粉末の製造方法)
本発明の炭化ケイ素粉末は、ケイ素化合物と、加熱により炭素を発生する有機化合物と、必要に応じて重合又は架橋触媒と、を溶媒中で溶解し、乾燥し、得られた粉末を非酸化性雰囲気下で焼成する工程(以下、「炭化ケイ素粉末を製造する工程」ということがある)を有する製造方法により製造することが好ましい。
【0025】
前記ケイ素化合物(以下、「ケイ素源」ということがある)としては、加熱によりケイ素を発生する化合物であれば特に制限はなく、液状のケイ素化合物及び固体状のケイ素化合物のいずれであってもよいが、高純度化、及び均一分散させる観点から、少なくとも1種が液状のケイ素化合物であることが好ましい。
【0026】
前記液状のケイ素化合物としては、(モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−)アルコキシシラン、及び、テトラアルコキシシランの重合体等が好適に挙げられる。
【0027】
前記(モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−)アルコキシシランとしては、テトラアルコキシシランが好適に挙げられる。テトラアルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等が好適に挙げられ、取り扱い性に優れる点から、テトラエトキシシランが特に好ましい。
【0028】
前記テトラアルコキシシランの重合体としては、重合度が2〜15程度の低分子量重合体(オリゴマー)(例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等の低分子量重合体(オリゴマー))や、液状の高重合度ケイ酸ポリマー等が好適に挙げられる。
【0029】
前記固体状のケイ素化合物としては、酸化ケイ素等が好適に挙げられる。ここで、本発明における酸化ケイ素とは、SiOのほか、シリカゾル(コロイド状超微粉体シリカ含有液、内部にOH基やアルコキシル基を含む)、や二酸化ケイ素(シリカゲル、微粉体シリカ、石英粉体)等をも含む。
【0030】
前記ケイ素化合物のうち、均質性や取り扱い性に優れる点から、テトラエトキシシランの低分子量重合体(オリゴマー)、及び、該テトラエトキシシランの低分子量重合体(オリゴマー)と微粉体シリカとの混合物等が特に好ましい。また、これらのケイ素化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
【0031】
前記ケイ素化合物における不純物元素の総含有量としては、20ppm以下が好ましく、5ppm以下がより好ましい。但し、加熱・焼結の際における純化の許容範囲内であれば必ずしも前記数値範囲内の数値に限定されるものではない。
【0032】
前記加熱により炭素を発生する有機化合物(以下、「炭素源」ということがある)としては、特に制限はなく、液状の及び固体状のいずれの有機化合物を用いてもよいが、高純度化、及び均一分散させる観点から、少なくとも1種が液状の有機化合物であることが好ましい。
【0033】
前記加熱により炭素を発生する有機化合物としては、残炭率が高く、触媒の存在及び/又は加熱によって、重合・架橋する有機化合物が好ましい。このような有機化合物としては、例えば、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ポリビニルアルコール等の樹脂のモノマーやプレポリマー等や、セルロース、蔗糖、ピッチ、タール等の液状有機化合物が好適に挙げられる。これらの中でも、フェノール樹脂が好ましく、特にレゾール型フェノール樹脂が好ましい。これらの有機化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
【0034】
前記加熱により炭素を発生する有機化合物における不純物元素の総含有量としては、目的により適宜制御選択することができるが、特に高純度の炭化ケイ素粉末を得るためには、5ppm以下のものが好ましい。
【0035】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程においては、ケイ素源と炭素源とさらに重合又は架橋触媒とを加えて、後述するように溶媒中に溶解し、これらの混合物を硬化して炭化ケイ素粉末とすることも必要に応じて行われる。
硬化の方法としては、加熱により架橋する方法、硬化触媒により硬化する方法の他、電子線や放射線による方法等が挙げられる。
【0036】
前記重合又は架橋触媒としては、炭素源に応じて適宜選択できるが、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエンスルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、塩酸、硫酸、マレイン酸等の酸類、ヘキサミン等のアミン類等を用いる。これらの混合触媒を溶媒に、溶解又は分散させて混合させる。溶媒としては、低級アルコール(例えばエチルアルコール等)、エチルエーテル、アセトン等が挙げられる。これらの中でも、トルエンスルホン酸が好適に用いられる。
【0037】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、炭素とケイ素の比(以下、C/Si比という)は、混合物を1000℃にて炭化して得られる炭化物中間体を、元素分析することにより定義される。化学量論的には、C/Si比が3.0の時に生成炭化ケイ素中の遊離炭素が0%となるはずであるが、実際には同時に生成するSiOガスの揮散により低C/Si比において遊離炭素が発生する。この生成炭化ケイ素粉末中の遊離炭素量が焼結体等の製造用途に適当でない量にならないように予め配合を決定することが重要である。通常、1気圧近傍で1600℃以上での焼成では、C/Si比を2.0〜2.5にすると遊離炭素を抑制することができ、この範囲を好適に用いることができる。C/Si比を2.5以上にすると遊離炭素が顕著に増加するが、この遊離炭素は粒成長を抑制する効果を持つため、粒子形成の目的に応じて適宜選択してもよい。
但し、雰囲気の圧力を低圧又は高圧で焼成する場合は、純粋な炭化ケイ素を得るためのC/Si比は変動するので、この場合は必ずしも前記C/Si比の範囲に限定するものではない。
【0038】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、焼成は、前記ケイ素源と前記炭素源とを、溶媒中に溶解し、乾燥した粉末を、アルゴン等の非酸化性雰囲気中1350℃〜2000℃で加熱して炭化ケイ素を生成させることにより行うことが好ましい。焼成温度と時間は希望する粒径等の特性に応じて適宜選択できるが、より効率的な生成のためには1600℃〜1900℃での焼成が特に好ましい。
【0039】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、前述の焼成前に、ハンドリング性向上、揮発性ガス及び水分の除去を目的として、前記ケイ素源と前記炭素源とを、溶媒中に溶解し、乾燥した粉末を、加熱炭化させてもよい。加熱炭化は、窒素又はアルゴン等の非酸化性雰囲気中800℃〜1000℃にて30分〜120分間、該粉末を加熱することにより行われることが好ましい。
【0040】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、前述の焼成時に、より高純度の炭化ケイ素粉末を得る目的として、2000〜2100℃にて5〜20分間加熱処理を施してもよく、この加熱処理により不純物をさらに除去することができる。
【0041】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、攪拌混合は、公知の攪拌混合手段、例えば、ミキサー、遊星ボールミルなどによって行うことができる。攪拌混合は、10〜30時間、特に、16〜24時間にわたって行うことが好ましい。
【0042】
前記炭化ケイ素粉末を製造する工程において、特に高純度の炭化ケイ素粉末を得たい場合は、本願出願人が先に出願した特開平9−48605号の単結晶の製造方法に記載の原料粉末の製造方法、即ち、高純度のテトラアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン重合体から選択される1種以上をケイ素源とし、加熱により炭素を生成する高純度有機化合物を炭素源とし、これらを均質に混合して得られた混合物を非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉末を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉末を、1700℃以上2000℃未満の温度に保持し、該温度の保持中に、2000℃〜2100℃の温度において5〜20分間にわたり加熱する処理を少なくとも1回行う後処理工程とを含み、前記2工程を行うことにより、各不純物元素の含有量が0.5ppm以下である炭化ケイ素粉末を得ること、を特徴とする高純度炭化ケイ素粉末の製造方法等を利用することもできる。
【0043】
以上の様にして得られた炭化ケイ素粉末は、大きさが不均一であるため、解粉、分級により、前述のような最頻径、必要により累積径比(D90/D10)に適合するように処理する。このように処理された、2種類の最頻径、必要により累積径比(D90/D10)を有する炭化ケイ素粉末を混合することのより、本発明の炭化ケイ素粉末が得られる。
【0044】
(グリーン体の製造方法)
本発明のグリーン体の製造方法は、炭化ケイ素粉末を溶媒中に溶解、分散して、スラリ−状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程(以下、「炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程」ということがある)と、該スラリー状の炭化ケイ素混合粉体を成形型に流し込み、乾燥して、グリーン体を製造する工程(以下、「スラリー状の炭化ケイ素混合粉体からグリーン体を製造する工程」ということがある)とを有する。ここで前記本発明の炭化ケイ素粉末を用いることにより、高密度化で、ハンドリング性に優れたグリーン体を得ることができる。
【0045】
−炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程−
前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程は、本発明の炭化ケイ素粉末(以下、単に「炭化ケイ素粉末」ということがある)を溶媒中に溶解、分散して、スラリ−状の炭化ケイ素混合粉体を製造するが、溶媒中に溶解、分散時に、十分に攪拌混合することにより、グリーン体中に均一に気孔を分散させることができる。
【0046】
前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程において、炭化ケイ素粉末を溶媒中で溶解、分散して、スラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造するが、溶媒としては、水でもよいが、例えば加熱により炭素を発生する有機化合物としてフェノール樹脂を用いた場合には、エチルアルコール等の低級アルコール類やエチルエーテル、アセトン等が溶媒として好ましい。また、この炭素源からなる有機物質、炭素粉末、及び溶媒についても不純物の含有量が低いものを使用することが好ましい。
【0047】
前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程において、有機バインダーを添加してもよい。有機バインダーとしては、解膠剤、粉体粘着剤等が挙げられ、解膠剤としては、導電性を付与する場合、その効果をさらに上げる点で窒素系の化合物が好ましく、例えばアンモニア、ポリアクリル酸アンモニウム塩等が好適に用いられる。粉体粘着剤としては、ポリビニルアルコール、ウレタン樹脂(例えば水溶性ポリウレタン)等が好適に用いられる。また、その他、消泡剤を添加してもよい。消包剤としては、シリコーン消泡剤等が挙げられる。
【0048】
前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程において、攪拌混合は、公知の攪拌混合手段、例えば、ミキサー、遊星ボールミルなどによって行うことができる。攪拌混合は、10〜30時間、特に、16〜24時間にわたって行うことが好ましい。
【0049】
−スラリー状の炭化ケイ素混合粉体からグリーン体を製造する工程−
前記スラリー状の炭化ケイ素混合粉体からグリーン体を製造する工程においては、スラリー状の炭化ケイ素混合粉体を石膏或いは樹脂の成形型に鋳込み、放置、脱型した後、50〜60℃の温度条件下で加熱乾燥又は自然乾燥して溶媒を除去することにより、規定寸法のグリーン体を製造することが好ましい。また、必要に応じて、得られたグリーン体を、微量の水分、解膠剤、結合剤等を除去する目的で、或いはグリーン体中の炭化ケイ素粉体間の接触を十分に促進させ接触強度を得る目的で、1200℃〜2400℃程度の範囲で焼成を行ってもよい(これにより得られたグリーン体を「仮焼グリーン体」ということがある)。
【0050】
(炭化ケイ素焼結体の製造方法)
本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、前記本発明のグリーン体の製造方法により得られたグリーン体を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、溶融した金属シリコン中に浸漬し、金属シリコンを吸入によりグリーン体中の気孔に浸透させて、グリーン体中の気孔を埋める工程(以下、グリーン体から炭化ケイ素焼結体を製造する工程ということがある)を有する。
【0051】
前記グリーン体から炭化ケイ素焼結体を製造する工程において、前記本発明のグリーン体の製造方法により得られたグリーン体(以下、単に「グリーン体」ということがある)を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、金属シリコンの融点以上、好ましくは1450〜1700℃迄加熱して溶融した金属シリコン中に浸漬する。このようにグリーン体を溶融金属シリコーン中に浸漬することにより、液状になった金属シリコンが、吸入、例えば毛細管現象によりグリーン体中の気孔に浸透し、グリーン体中の気孔が金属シリコンによって充填される。ここで前記本発明のグリーン体の製造方法により得られたグリーン体は、高密度であるため、高密度な炭化ケイ素焼結体を得ることができる。
【0052】
前記グリーン体から炭化ケイ素焼結体を製造する工程において、グリーン体を溶融金属シリコン中に浸漬する時間は、特に限定されず、大きさ等により適宜決定する。
【0053】
前記金属シリコンは、1450〜1700℃迄、好ましくは、1550〜1650℃迄加熱して溶融させるが、この溶融温度が1450℃未満では金属シリコンの粘性が上昇するため吸入によりグリーン体に浸透しなくなり、また1700℃を超えると蒸発が著しくなり炉体等に損傷を与えてしまう。
【0054】
前記金属シリコンとしては、粉末、顆粒、塊状の金属シリコンが等が挙げられ、2〜5mmの塊状の金属シリコンが好適に用いられる。また、前記金属シリコンは、総不純物含有量が1ppm未満の高純度金属シリコンであることが好ましい。
【0055】
前記グリーン体から炭化ケイ素焼結体を製造する工程において、金属シリコンがグリーン体中の気孔を埋めることにより、炭化ケイ素焼結体が得られる。
【0056】
前記グリーン体から炭化ケイ素焼結体を製造する工程において、前記加熱条件を満たしうるものであれば、特に製造装置等に制限はなく、公知の加熱炉内や反応装置を使用することができる。
【0057】
(その他)
本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法により得られる炭化ケイ素焼結体は、導電性を付与する目的で、窒素を含有さてもよい。窒素を導入する方法としては、前記炭化ケイ素粉末を製造する工程、又は前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程において、少なくとも1種以上の窒素含有化合物(以下、「窒素源」ということがある)を添加することにより導入できる。
【0058】
前記窒素源としては、加熱により窒素を発生する物質が好ましく、例えば、高分子化合物(具体的には、ポリイミド樹脂、及びナイロン樹脂等)、有機アミン(具体的には、ヘキサメチレンテトラミン、アンモニア、トリエチルアミン等、及びこれらの化合物、塩類)の各種アミン類が挙げられ、これらの中でも、ヘキサメチレンテトラミンが好ましい。また、ヘキサミンを触媒として合成したフェノール樹脂であり、その合成工程に由来する窒素を樹脂1gに対して2.0mmol以上含有するフェノール樹脂も、窒素源として好適に用いることができる。
これら窒素源は、単独で用いてもよいし、2以上併用してもよい。
【0059】
前記窒素源を、前記炭化ケイ素粉末を製造する工程で導入する場合、ケイ素源、炭素源と同時に、窒素源を添加することが好ましい。
この場合の前記窒素源の添加量としては、ケイ素源1gあたり窒素が1mmol以上含有することが好ましいので、ケイ素源1gに対して80μg〜1000μgが好ましい。
【0060】
前記炭化ケイ素粉末からスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程において、窒素源を導入する場合、炭化ケイ素粉末とを溶媒中に溶解、分散する際に、窒素源を同時に溶媒中に添加し、溶解、分散する方法が好ましい。
この場合の前記窒素源の添加量としては、炭化ケイ素粉末1gあたり窒素が0.7mmol以上含有することが好ましいので、炭化ケイ素粉末1gに対して200μg〜2000μgが好ましく、1500μg〜2000μgがより好ましい。
【0061】
以上のような製造方法により得られた炭化ケイ素焼結体は、使用目的に応じて、加工、研磨、或いは洗浄等の処理が行なわれる。
【0062】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は、本発明の効果を害しない限りこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【0063】
(実施例1)
−炭化ケイ素粉末の調製−
<炭化ケイ素粉末α>
特開平9−48605号に記載の製造方法に準じて製造された不純物含有量5ppm以下の高純度炭化ケイ素粉体(1.5重量%のシリカを含有)を、カウンタージェットミルにより解粉、分級機により分級し、最頻径2.3μm、平均粒子径(D50)2.195μm、累積径比(D90/D10)8.69の炭化ケイ素粉末αを製造した。
【0064】
<炭化ケイ素粉末β>
炭化ケイ素粉末αと同様にして、最頻径16.4μm、平均粒子径(D50)14.81μm、累積径比(D90/D10)2.9の炭化ケイ素粉末βを製造した。
【0065】
<本発明の炭化ケイ素粉末>
炭化ケイ素粉末α90gと炭化ケイ素粉末β210gとを混合(微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末αの体積/炭化ケイ素粉末αの体積及び炭化ケイ素粉末βの体積)30%)し、本発明の炭化ケイ素粉末を300gを調製した。
【0066】
−グリーン体及び仮焼グリーン体の製造−
前記炭化ケイ素粉末をボール(ナイロン樹脂製、φ10mm)150gと共に、解膠剤としてポリアクリル酸アンモニウム3gを溶解した水142gに入れ16時間ボールミルにて分散混合した後、粉体粘着剤(バインダー)として水溶性ポリウレタン(中京油脂製「セルナWE515」)12gと、シリコーン消泡剤(信越化学(株)製「KM72A」)1gを添加し、さらに10分間ボールミルで分散混合し、粘度0.9ポイズのスラリ−状の炭化ケイ素混合粉体を製造した。
【0067】
このスラリ−状の炭化ケイ素混合粉体を、樹脂の成形型(直径φ120mm、厚さ20mmの円盤型)に鋳込みした後、脱型させて、24時間乾燥(40℃)させてグリーン体を製造した。
【0068】
さらに、このグリーン体を、1800℃で焼成し、仮焼グリーン体を製造した。
【0069】
−炭化ケイ素焼結体の製造−
前記仮焼グリーン体を、内径60mm、高さ80mmのカーボンるつぼ内で、アルゴン雰囲気下で1550℃まで昇温して溶融させた2〜5mmの塊の高純度金属シリコン(高純度化学研究所製)に浸漬し、30分保持することにより、毛細管現象によりグリーン体中に浸透した溶融金属シリコンをグリーン体中の気孔に充填させて実施例1の炭化ケイ素焼結体を製造した。
【0070】
(実施例2)
炭化ケイ素粉末α150gと炭化ケイ素粉末β150gとを混合(微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末αの体積/炭化ケイ素粉末αの体積及び炭化ケイ素粉末βの体積)50%)し、炭化ケイ素粉末を調製した。
この炭化ケイ素粉末を使用した以外は、実施例1と同様にグリーン体、仮焼グリーン体、炭化ケイ素焼結体を製造した。
【0071】
(実施例3)
炭化ケイ素粉末α210gと炭化ケイ素粉末β90gとを混合(微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末αの体積/炭化ケイ素粉末αの体積及び炭化ケイ素粉末βの体積)70%)し、炭化ケイ素粉末を調製した。
この炭化ケイ素粉末を使用した以外は、実施例1と同様にグリーン体、仮焼グリーン体、炭化ケイ素焼結体を製造した。
【0072】
(比較例1)
炭化ケイ素粉末α300gを用いた以外は、実施例1と同様に比較例1グリーン体、仮焼グリーン体、炭化ケイ素焼結体を製造した。
【0073】
(比較例2)
炭化ケイ素粉末β300gを用いた以外は、実施例1と同様に比較例2の炭化ケイ素焼結体を製造した。
【0074】
(評価)
実施例1〜3及び比較例1及び2の炭化ケイ素焼結体の評価は、それぞれの製造プロセスで得られたグリーン体の密度、及び得られた炭化ケイ素焼結体の密度を測定することにより行った。結果を表1に示す。
【0075】
(密度の測定)
グリーン体及び炭化ケイ素焼結体の密度は、それぞれアルキメデス法により測定した。
【0076】
【表1】
【0077】
表1より、本発明の炭化ケイ素粉末を用いると、グリーン体、及び炭化ケイ素焼結体の密度が向上することがわかる。
【0078】
【発明の効果】
本発明によれば、グリーン体及び炭化ケイ素焼結体を高密度化することができる炭化ケイ素粉末、並びに、それを用いた高密度で、ハンドリンク性に優れたグリーン体の製造方法、及び高密度な炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供することができる。
Claims (4)
- 最頻径1.7〜2.7μmの炭化ケイ素粉末(A)と最頻径10.5〜21.5μmの炭化ケイ素粉末(B)とを、微粒側体積比率(炭化ケイ素粉末(A)の体積/炭化ケイ素粉末(A)及び(B)の体積)20〜80%で含み、前記炭化ケイ素粉末(A)における、粒度分布により算出される90%累積径(D 90 )と10%累積径(D 10 )との比(D 90 /D 10 )が、10以下であることを特徴とする炭化ケイ素粉末。
- 前記炭化ケイ素粉末(B)における、粒度分布により算出される90%累積径(D90)と10%累積径(D10)との比(D90/D10)が、10以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素粉末。
- 請求項1または請求項2に記載の炭化ケイ素粉末を溶媒中に溶解、分散してスラリー状の炭化ケイ素混合粉体を製造する工程と、
該スラリー状の炭化ケイ素混合粉体を成形型に流し込み、乾燥して、グリーン体を製造する工程と、
を有することを特徴とするグリーン体の製造方法。 - 請求項3に記載のグリーン体の製造方法により得られたグリーン体を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、溶融した金属シリコン中に浸漬し、金属シリコンを吸入によりグリーン体中の気孔に浸透させて、グリーン体中の気孔を埋める工程、を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7335330B2 (en) * | 2001-10-16 | 2008-02-26 | Bridgestone Corporation | Method of producing sintered carbide |
US7226561B2 (en) * | 2002-03-11 | 2007-06-05 | Bridgestone Corporation | Method of producing silicon carbide sintered body jig |
JP4619118B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2011-01-26 | 株式会社ブリヂストン | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2005206449A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Bridgestone Corp | ヒータ用炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
JP5337700B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-11-06 | 株式会社ブリヂストン | 炭化珪素粉体の製造方法 |
US7939044B2 (en) * | 2008-02-11 | 2011-05-10 | Alexander Mukasyan | Method of manufacturing sub-micron silicon-carbide powder |
DE102008064642A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Zusammensetzung oder Kit für ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumcarbid aus Kohlenhydraten und Siliciumoxid sowie darauf basierende Artikel |
CN103857622A (zh) * | 2011-08-24 | 2014-06-11 | 太平洋水泥株式会社 | 碳化硅粉末及其制造方法 |
DE102012220439A1 (de) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Sgl Carbon Se | Werkzeug zum spanabhebenden Bearbeiten von Werkstücken und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6088255B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-03-01 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
WO2014160086A2 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Methods, systems, and devices relating to robotic surgical devices, end effectors, and controllers |
KR102154060B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2020-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 분말 |
KR102082935B1 (ko) * | 2013-06-24 | 2020-02-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 혼합 분말 |
WO2014208460A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素粉体 |
EP3015428B1 (en) * | 2013-06-26 | 2017-10-18 | Bridgestone Corporation | Silicon carbide powder |
US10722319B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-07-28 | Virtual Incision Corporation | Releasable attachment device for coupling to medical devices and related systems and methods |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11171652A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Bridgestone Corp | 炭化珪素焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0662286B2 (ja) | 1984-06-20 | 1994-08-17 | 株式会社ブリヂストン | 炭化珪素の製造方法 |
US4771021A (en) * | 1985-07-01 | 1988-09-13 | Teruyasu Tamamizu | Semi-conductor diffusion furnace components |
JPS6212667A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体用部材の製造方法 |
US4914063A (en) * | 1988-04-04 | 1990-04-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for producing organic products containing silicon, hydrogen, nitrogen, and carbon by the direct reaction between elemental silicon and organic amines |
DE69131247T2 (de) * | 1990-11-20 | 1999-09-23 | Asahi Glass Co Ltd | Wärmebehandlungsapparate für Halbleiter und hochreine Siliciumcarbidteile für die Apparate und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US5589116A (en) * | 1991-07-18 | 1996-12-31 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment |
JP2565024B2 (ja) * | 1991-07-18 | 1996-12-18 | 住友金属工業株式会社 | 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法 |
JP2950122B2 (ja) * | 1993-07-29 | 1999-09-20 | 信越化学工業株式会社 | セラミックスと金属との複合体の製造方法及び製造装置 |
US5928601A (en) * | 1994-02-28 | 1999-07-27 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for producing silicon nitride reaction sintered body |
JP3042297B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2000-05-15 | 王子製紙株式会社 | 炭化珪素材料の製造方法 |
US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
US5788891A (en) * | 1994-05-09 | 1998-08-04 | Gauckler; Ludwig J. | Method for the forming of ceramic green parts |
DE4419243A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Gleitwerkstoff aus porösem SiC mit trimodaler Porenzusammensetzung |
US5900184A (en) * | 1995-10-18 | 1999-05-04 | Lord Corporation | Method and magnetorheological fluid formulations for increasing the output of a magnetorheological fluid device |
JPH1067565A (ja) | 1996-02-29 | 1998-03-10 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
US5904892A (en) * | 1996-04-01 | 1999-05-18 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Tape cast silicon carbide dummy wafer |
DE19623587A1 (de) * | 1996-06-13 | 1997-12-18 | Dlr Deutsche Forschungsanstalt | Keramische Verdampfermaterialien |
US5702997A (en) * | 1996-10-04 | 1997-12-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Process for making crack-free silicon carbide diffusion components |
US5840221A (en) * | 1996-12-02 | 1998-11-24 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Process for making silicon carbide reinforced silicon carbide composite |
US6136115A (en) * | 1997-07-02 | 2000-10-24 | Cordant Technologies Inc. | Thermally-stabilized prilled ammonium dinitramide particles, and process for making the same |
DE19736560C2 (de) * | 1997-08-22 | 2002-01-24 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur Herstellung eines porösen Körpers, Körper aus SiC, sowie Verwendung des porösen Körpers |
US6090733A (en) * | 1997-08-27 | 2000-07-18 | Bridgestone Corporation | Sintered silicon carbide and method for producing the same |
JPH11171647A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-29 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素粉体及びその製造方法 |
US6162543A (en) * | 1998-12-11 | 2000-12-19 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | High purity siliconized silicon carbide having high thermal shock resistance |
-
2000
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Patent Citations (1)
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JPH11171652A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Bridgestone Corp | 炭化珪素焼結体の製造方法 |
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