JP4574343B2 - 位相シフトマスク及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
すなわち、この位相シフトマスクは、石英などからなる透過マスク基板100の表面に位相シフト領域101が設けられ、その位相シフト領域101の端部に遮光膜201が設けられた構造を有する。位相シフト領域101は、透過光の位相を反転させる光学厚みを有する。また、その端部に遮光膜201を設けることにより、透過光のコントラストを高くすることができる。
透明基板の上に露光光の位相をシフトさせる位相シフト領域が形成された位相シフトマスクであって、
前記位相シフト領域の側壁に、遮光膜が設けられ、
前記位相シフト領域とその側壁に設けられた前記遮光膜とにより単一の暗パターンが形成されることを特徴とする位相シフトマスクが提供される。
また、前記遮光膜は、前記位相シフト領域の側壁の全面に亘って設けられたものとすることができる。
または、前記遮光膜の高さは、前記位相シフト領域の高さよりも小なるものとすることができる。
また、露光光の波長をλ、露光装置の縮小投影光学系の開口数をNA、縮小投影光学系の倍率をM、とした時に、前記位相シフト領域の幅Lsが次式
(0.1×λ/NA)×M < Ls < (0.4×λ/NA)×M
の範囲内にあるものとすることができる。
(0.05×λ/NA)×M < Lc < (0.2×λ/NA)×M
の範囲内にあるものとすることができる。
一方、本発明の他の一態様によれば、
被加工膜が設けられた基体の上に感光体からなる層を形成する工程と、
前記のいずれかの位相シフトマスクを介して前記感光体に露光光を照射する工程と、
前記感光体を現像して前記単一の暗パターンに対応したマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを介して前記被加工膜をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。
図1は、本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクの断面構造を例示する模式図である。
本実施形態の位相シフトマスクは、石英などからなる透過マスク基板100の表面にメサ型の位相シフト領域101が設けられ、その位相シフト領域101の側壁に遮光膜201が設けられた構造を有する。位相シフト領域101は、透過光の位相を反転させる光学厚みを有する。また、その側壁に遮光膜201を設けることにより、透過光のコントラストを高くすることができる。遮光膜201の材料としては、例えば、クロム(Cr)や酸窒化シリコン(SiOxNy)などを用いることができる。遮光膜201は、露光光に対する透過率が10パーセント以下となるように形成することが望ましい。
すなわち、図2は、遮光膜201の幅Lcを10ナノメータとし、位相シフト領域101の幅Lsを10、30、50、70、90ナノメータとした時の露光光の強度分布を表す。また、図3は、同じく遮光膜201の幅Lcを10ナノメータとし、位相シフト領域101の幅Lsを100、120、140、160、180、200ナノメータとした時の露光光の強度分布を表す。
位相シフト領域101の幅Lsが90ナノメータよりも大きくなると、位相シフト領域101の直下は連続的な暗パターンにはならず、両側の遮光膜201の間に明パターンが生じてしまう。
すなわち、図4は、遮光膜201の幅Lcを10ナノメータとし、位相シフト領域101の幅Lsを10、20、30、40、50、60、70、80ナノメータとした時の露光光の強度分布を表す。また、図5は、遮光膜201の幅Lcを20ナノメータとし、位相シフト領域101の幅Lsを10、20、30、40、50、60、70、80ナノメータとした時の露光光の強度分布を表す。そして、図6は、遮光膜201の幅Lcを30ナノメータとし、位相シフト領域101の幅Lsを10、20、30、40、50、60、70、80ナノメータとした時の露光光の強度分布を表す。
遮光膜201の幅Lcが20ナノメータの場合は、図5に表したように、位相シフト領域101の幅Lsがおよそ10ナノメータから50ナノメータの範囲においてコントラストが高く、幅Lsが60ナノメータ以上においてコントラストが低下する傾向が見られる。 また、遮光膜201の幅Lcが30ナノメータの場合は、図6に表したように、位相シフト領域101の幅Lsがおよそ10ナノメータから40ナノメータの範囲においてコントラストが高く、幅Lsが50ナノメータ以上においてコントラストが低下する傾向が見られる。
図2乃至図6に例示した結果を含めて、本発明者が検討の結果、位相シフト領域101の幅Lsを次式により表される範囲内にすると位相シフト領域101の直下に高いコントラストの暗パターンが得られることが分かった。
(0.1×λ/NA)×M < Ls < (0.4×λ/NA)×M
ここで、λは露光光の波長であり、NAは露光装置の縮小投影光学系の開口数であり、Mは縮小投影光学系の倍率である。
(0.05×λ/NA)×M < Lc < (0.2×λ/NA)×M
以上、図2乃至図6を参照しつつ説明したように、本実施形態によれば、遮光膜201の幅Lcと、位相シフト領域101の幅Lsと、を適宜調整することにより、10ナノメータ乃至70ナノメータの範囲において、高いコントラストの暗パターンを形成できる。つまり、10ナノメータから70ナノメータ程度の微細なパターンを精密に形成することが可能となる。
まず、図7(a)及び(b)に表したように、石英などのマスク基板100の上に、レジスト層300を塗布する。さらに、所定のマスクを用いて露光・現像処理を施し、図7(c)に表したように、レジスト層300をパターニングする。
レジスト層300を除去した(図8(a))後に、全面に遮光膜の材料200を堆積する。この時、位相シフト領域101の側壁にも遮光膜の材料200を堆積させる。つまり、位相シフト領域101の側壁にも、遮光膜の材料200が平坦部と同様の厚みで堆積される。
本変型例においては、マスク基板100にトレンチ型の位相シフト領域101が設けられている。すなわち、石英などからなるマスク基板100には、露光光の位相を反転させる厚みの凹状の位相シフト領域101が設けられている。そして、このトレンチ型の位相シフト領域101の両側の側壁に、遮光膜201が設けられている。
本変型例においても、図11(a)に表したようにトレンチ型の位相シフト領域101を形成した後、マスク基板100の全面に遮光膜の材料200を堆積させ(図11(b))、垂直方向に異方性エッチングを実施することにより、遮光膜201を形成できる(図11(c))。
図12は、本発明の第2の実施の形態にかかる位相シフトマスクの断面構造を例示する模式図である。同図については、図1乃至図11に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施形態においても、位相シフト領域101の側壁に遮光膜201が設けられている。ただし、その高さd1は、位相シフト領域101の高さd2よりも低くされている。このようにすると、さらにコントラストを高くすることが可能となる。
図13は、位相シフト領域101の側壁の全面に遮光膜201を形成した位相シフトマスクを例示する断面図である。このようにすると、本発明の第1実施形態に関して前述したように、露光装置の解像限界以下の極めて微細なパターニングを確実且つ容易に実施できる。
なお、本実施形態における遮光膜201の高さd1は、露光光を遮蔽できる厚み以上であればよい。従って、遮光膜201の高さd1と位相シフト領域101の高さd2との関係は、図12に例示したものには限定されず、例えば、図14に例示した如く高さd1が高めであってもよく、図15に例示した如く高さd1が低くてもよい。要は、遮光膜201の露光光に対する透過率が10パーセント以下となるようにすれば、遮光膜201の遮光効果は十分に得られる。
すなわち、本変型例は、トレンチ型の位相シフトマスクに本実施形態を適用した具体例である。本変型例においても、遮光膜201の高さd1を低くすることにより、遮光膜201の側面における光の反射や散乱を抑制できる。その結果として、反射光や散乱光による位相シフト効果の低下を抑制し、露光光のコントラストの低下を抑制して、微細なパターンをより精密に形成することが可能となる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。
しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明にかかる位相シフトマスクにおいて採用する材料や寸法、また、この位相シフトマスクを用いてる実施するパターン形成プロセスにおいて採用する露光光の波長、レジストの材質、その他の薬剤、半導体の構造、処理条件などについては、当業者が公知の範囲から適宜選択したものも本発明の範囲に包含される。
101 位相シフト領域
200 遮光膜
201 遮光膜
300 レジスト層
Claims (6)
- 透明基板の上に露光光の位相をシフトさせる位相シフト領域が形成された位相シフトマスクであって、
前記位相シフト領域の側壁に、遮光膜が設けられ、
前記位相シフト領域とその側壁に設けられた前記遮光膜とにより単一の暗パターンが形成され、
前記遮光膜の高さは、前記位相シフト領域の高さよりも小なることを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記露光光に対する前記遮光膜の透過率は10パーセント以下であることを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスク。
- 露光光の波長をλ、露光装置の縮小投影光学系の開口数をNA、縮小投影光学系の倍率をM、とした時に、前記位相シフト領域の幅Lsが次式
(0.1×λ/NA)×M < Ls < (0.4×λ/NA)×M
の範囲内にあることを特徴とする請求項1または2のいずれか1つに記載位相シフトマスク。 - 露光光の波長をλ、露光装置の縮小投影光学系の開口数をNA、縮小投影光学系の倍率をM、とした時に、前記遮光膜の幅Lcが次式
(0.05×λ/NA)×M < Lc < (0.2×λ/NA)×M
の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載位相シフトマスク。 - 前記位相シフト領域を透過する前記露光光の位相は、それ以外の前記透明基板を透過する前記露光光の位相から反転してなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の位相シフトマスク。
- 被加工膜が設けられた基体の上に感光体からなる層を形成する工程と、
請求項1〜5のいずれか1つに記載の位相シフトマスクを介して前記感光体に露光光を照射する工程と、
前記感光体を現像して前記単一の暗パターンに対応したマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを介して前記被加工膜をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
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