KR102367141B1

KR102367141B1 - 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR102367141B1
Application number: KR1020200016904A
Authority: KR
Inventors: 석훈 이; 민상 유; 재훈 설
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2019-02-27
Filing date: 2020-02-12
Publication date: 2022-02-23
Also published as: KR20200104800A; CN111624849B; TW202105046A; JP2020140207A; JP7384695B2; TWI745873B; CN111624849A

Abstract

미세한 패턴을 피전사체 상에 확실하고 안정되게 전사할 수 있는 포토마스크를 제공한다.
표시 장치 제조용 포토마스크는, 투광부(10), 차광부(20) 및 반투광부(30)를 포함하는 전사용 패턴을 갖는다. 투광부(10)는, 투명 기판이 노출되어 이루어진다. 차광부(20)는, 투명 기판 상에 적어도 차광막이 형성된 완전 차광부(21)와, 완전 차광부(21)의 외연에 접하여 형성되고, 투명 기판 상에 반투광성의 림 형성막이 형성되어 이루어지는 폭 γ의 림부(22)를 갖는다. 반투광부(30)는, 차광부(20) 사이에 끼워지고, 투명 기판이 소정 폭 α로 노출되어 이루어진다. 폭 α는, 반투광부(30)의 노광광 투과율이, 투광부(10)의 노광광 투과율보다 작아지도록 설정된다. 림 형성막은, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tr이 5 내지 60％, 또한 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트양이 90도 이하이다.

Description

포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법{PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 전자 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크이며, 특히 표시 장치 제조용으로 적합한 포토마스크, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 상기 포토마스크를 사용한, 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 여기서, 표시 장치는, 최종적인 표시 장치 제품을 구성하기 위한 디바이스를 포함한다.

예를 들어, 특허문헌 1에는, 노광광을 차광하는 차광 영역과, 노광광을 투과하는 투광 영역과, 노광광의 일부를 투과하는 반투광 영역을 갖는 다계조 포토마스크가 기재되어 있다. 이러한 다계조 포토마스크를 사용하여 피전사체 상의 레지스트막(포지티브형 포토레지스트)에 원하는 패턴을 전사하는 경우, 반투광 영역을 통하여 조사되는 노광광의 광량은, 투광 영역을 통하여 조사되는 노광광의 광량보다 적다. 이 때문에, 레지스트막을 현상하면, 조사된 광량에 따라 레지스트막의 잔막값(잔막의 두께)이 상이한 레지스트 패턴이 형성된다. 즉, 다계조 포토마스크의 반투광 영역을 통하여 노광광이 조사된 영역의 레지스트 잔막값은, 차광 영역을 통하여 노광광이 조사된 영역의 레지스트 잔막값보다 얇아진다.

이와 같이, 영역에 따라 레지스트 잔막값이 상이한 레지스트 패턴을 형성 가능한, 다계조 포토마스크를 사용하면, 표시 장치의 제조에 있어서, 사용하는 포토마스크의 매수를 감소시킬 수 있어, 생산 효율을 높이고, 비용을 낮출 수 있다.

상기 다계조 포토마스크는, 액정 표시 장치나 유기 EL(electroluminescence) 표시 장치 등의 표시 장치에 적용되는, 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 사용되고 있다. 이 경우, TFT의 소스ㆍ드레인(S/D) 전극과 그 사이에 있는 채널 영역을, 1개의 포토마스크에 의해, 1회의 포토리소그래피 공정에 의해 형성할 수 있다.

일본 특허 공개 제2010-197800호 공보

현재, 표시 장치에 있어서는, 화소 밀도의 증가에 수반하여, 고정밀화의 동향이 현저하다. 또한, 휴대 단말기에 있어서는, 특히 밝기, 전력 절약의 성능이 요구된다. 그리고, 이들을 실현하기 위해, 제조 공정에 사용되는 포토마스크의 패턴도, 미세화가 강하게 요구되고 있다.

그런데, 표시 장치에 비하여, 집적도가 높고, 패턴의 미세화가 현저하게 진행된 반도체 장치(LSI) 제조용 포토마스크의 분야에서는, 높은 해상성을 얻기 위해, 노광 장치에는 높은 개구수 NA(예를 들어 0.2를 초과하는 NA)의 광학계를 적용하여, 노광광의 단파장화가 진행되어 온 경위가 있다. 그 결과, 이 분야에서는, KrF나 ArF의 엑시머 레이저(각각 248nm, 193nm의 단일 파장)가 다용되게 되었다.

한편, 표시 장치 제조용 리소그래피 분야에서는, 해상성 향상을 위해 상기 방법이 적용되는 동향은 되지 않았다. 예를 들어 이 분야에서 사용되는 노광 장치가 갖는 광학계의 NA(개구수)는, 0.08 내지 0.15 정도이다. 또한, 노광 광원도 i선, h선 또는 g선이 주로 사용되며, 주로 이들을 포함하는 파장 영역을 갖는 광원을 사용함으로써, 대면적(예를 들어, 주표면의 한 변이 300 내지 2000mm인 사각형)을 조사하기 위한 광량을 얻어, 생산 효율이나 비용을 중시하는 경향이 강하다.

생산 효율 향상의 유효한 수단으로서, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크는 매우 유용하다. 예를 들어, 표시 장치의 구동을 제어하는 TFT, 즉 S/D(소스ㆍ드레인) 및 채널을 형성하는 공정은, 표시 장치의 생산 공정 중에서도 긴요한 부분이지만, 다계조 포토마스크를 사용할 수 있다. 한편, 휴대 단말기의 화질이나 동작 속도, 전력 절약 등에 대한 강한 요구에 수반하여, 패턴의 미세화 요구가 현저하다. 예를 들어, 상기 TFT에 있어서의 채널 폭(channel length)의 설계 치수는, 점점 미세화되는 경향이 있다.

따라서, 이러한 난이도가 높은 패턴을, 확실하고, 효율적으로 전사할 수 있는 포토마스크가 강하게 요망되고 있다.

그래서, 표시 장치 제조용으로서 사용되는 노광 장치의 성능을 살리면서, 포토마스크에 새로운 기능을 탑재함으로써, 종래 이상으로 미세한 패턴을, 피전사체 상에 확실하고 안정되게 전사하여, 양호한 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 수단에 대하여, 본 발명자들은 검토하고, 본 발명을 완성하였다.

(제1 양태)

본 발명의 제1 양태는,

노광에 의해, 복수의 상이한 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 상에 형성하기 위해, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는, 표시 장치 제조용 포토마스크에 있어서,

상기 투광부는, 투명 기판이 노출되어 이루어지고,

상기 차광부는,

상기 투명 기판 상에 적어도 차광막이 형성된 완전 차광부와,

상기 완전 차광부의 외연에 접하여 형성되고, 상기 투명 기판 상에 반투광성의 림 형성막이 형성되어 이루어지는 폭 γ의 림부를 갖고,

상기 반투광부는, 상기 차광부 사이에 끼워지고, 상기 투명 기판이 소정 폭 α로 노출되어 이루어지고,

상기 폭 α는, 상기 반투광부의 노광광 투과율이, 상기 투광부의 노광광 투과율보다 작아지도록 설정되고,

상기 림 형성막은, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tr이 5 내지 60％, 또한 상기 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트양이 90도 이하인, 포토마스크이다.

(제2 양태)

본 발명의 제2 양태는,

상기 림부의 폭 γ는 0.1㎛≤γ<1.0㎛인, 상기 제1 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제3 양태)

본 발명의 제3 양태는,

상기 전사용 패턴은, 표시 장치 제조용 노광 장치에 의해, 상기 반투광부에 대응하여, 피전사체 상에 패턴 폭 1 내지 4㎛의 제거 패턴을 형성하는 것인, 상기 제1 또는 제2 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제4 양태)

본 발명의 제4 양태는,

상기 전사용 패턴이, 표시 장치 제조용 노광 장치에 의해, 300 내지 500nm의 범위 내의 브로드 파장 광원에 의해 노광되기 위한 것인, 상기 제1 내지 제3 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제5 양태)

본 발명의 제5 양태는,

상기 전사용 패턴은, 박막 트랜지스터 제조용 패턴이며, 상기 반투광부는, 박막 트랜지스터의 채널부에 대응하는, 상기 제1 내지 제4 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제6 양태)

본 발명의 제6 양태는,

노광에 의해, 복수의 상이한 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 상에 형성하기 위해, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는, 포토마스크의 제조 방법에 있어서,

투명 기판 상에, 림 형성막과 차광막이 이 순서대로 적층되는 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,

상기 차광막 상에 형성한 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하고, 차광막용 에칭제를 사용하여 상기 차광막을 패터닝하는, 제1 패터닝 공정과,

상기 림 형성막용 에칭제를 사용하여, 상기 림 형성막을 패터닝하는 제2 패터닝 공정과,

상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하고, 차광막용 에칭제를 사용하여, 상기 차광막을 사이드 에칭하는, 제3 패터닝 공정과,

상기 레지스트 패턴을 박리하는 박리 공정

을 갖는 상기 제1 내지 제5 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크를 제조하는 포토마스크의 제조 방법이다.

(제7 양태)

본 발명의 제7 양태는,

표시 장치의 제조 방법이며, 상기 제1 내지 제5 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크를 준비하는 공정과,

표시 장치 제조용 노광 장치를 사용하여, 상기 포토마스크를 노광함으로써, 상기 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 공정

을 갖는, 표시 장치의 제조 방법이다.

(제8 양태)

본 발명의 제8 양태는,

상기 표시 장치가 박막 트랜지스터를 포함하는, 상기 제7 양태에 기재된 표시 장치의 제조 방법이다.

본 발명에 따르면, 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을, 피전사체 상에 전사하였을 때, 우수한 프로파일을 갖는 광학상을 안정되게 형성할 수 있어, 표시 장치의 성능 향상이나 수율 향상에 기여한다.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 포토마스크의 주요부를 예시하는 설명도이며, (a)는 전사용 패턴의 예를 도시하는 도면, (b)는 그 전사용 패턴의 부분 확대도이다.
도 2는, 전사용 패턴의 예를 도시하는 설명도이며, (a)는 비교예 1의 포토마스크의 패턴 예를 도시하는 도면, (b)는 참고예 1의 포토마스크의 패턴 예를 도시하는 도면, (c)는 본 발명의 실시예 1의 포토마스크의 패턴 예를 도시하는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 실시예 1의 포토마스크의 전사 성능을 평가하기 위한 시뮬레이션 결과를 나타내는 설명도이며, (d-1) 및 (d-2)는 비교예 1에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면, (d-3) 및 (d-4)는 참고예 1 및 실시예 1에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴을 예시하는 측단면도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 포토마스크의 제조 방법의 수순을 도시하는 설명도이며, (a)는 포토마스크 블랭크의 예를 도시하는 도면, (b)는 패턴 묘화의 예를 도시하는 도면, (c)는 제1 및 제2 에칭의 예를 도시하는 도면, (d)는 제3 에칭의 예를 도시하는 도면, (e)는 레지스트 패턴 박리의 예를 도시하는 도면이다.
도 6은, 종래의 포토마스크에 형성된 전사용 패턴(채널 폭 5.0㎛)을 예시하는 설명도이며, (a)는 전사용 패턴의 예를 도시하는 도면, (b)는 그 전사용 패턴에 의해 피전사체 상에 형성되는 광학상(전사상)의 예를 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명에 관한 포토마스크, 및 그 제조 방법의 실시 형태에 대하여 설명한다.

도 6의 (a)에는, 상기 특허문헌 1에 기재된, TFT의 채널ㆍS/D 레이어(이하, 간단히 「S/D 레이어」라고도 함)를 제조하기 위한 포토마스크에 형성된 전사용 패턴(채널 폭 5.0㎛)을 예시한다. 이 포토마스크는, 차광부(120), 반투광부(130) 및 투광부(110)를 구비한 다계조 포토마스크이다. 반투광부(130)에는, 투과율 Tr이 40％인 반투광막이 사용되고 있다. 또한, 이것을 노광 장치(NA=0.08, 코히런스 팩터 σ=0.8, i선:h선:g선=1:1:1)에서 노광하였을 때, 피전사체 상에 형성되는 광학상(전사상)이, 도 6의 (b)이다. 도 6의 (b)에서는, 도달하는 광량이 많은 부분이 밝은 색(백색 내지 회색)으로, 적은 부분이 어두운 색(흑색)으로, 각각 표시되고 있다.

단, 본 발명자들의 검토에 따르면, 이와 같이 채널 영역의 투명 기판에 반투광막을 형성하기만 한 다계조 포토마스크를 노광하여, 그 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하려고 하면, 해당 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 형상에 과제가 발생하였다. 즉, 해당 포토마스크에서는, 채널 영역의 폭과 동등한 폭을 갖는 반투광막이 차광부(120) 사이에 끼워져 형성되어 있기 때문에, 레지스트 패턴의 채널 영역에 대응하는 부분의 단부(에지부)에 있어서, 레지스트 패턴의 측면에 현저한 경사(slope)가 발생하였다. 그리고, 이러한 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여, 표시 패널 기판 등의 표면에 형성된 막(가공 대상의 박막)의 가공을 행하는 경우, 그 막에 미세하고 정교하며 치밀한 CD(Critical Dimension: 패턴 폭)를 형성하는 것은 용이하지 않다. 이 때문에, 미세 치수의 채널부를 안정되게 형성하는 것은 곤란하다는 것을 알 수 있었다.

그래서, 본 발명자들은, 채널부를 형성하는 포토마스크가 갖는, 전사용 패턴의 형상에 따라, 피전사체 상에, 어떤 광학상(광 강도 분포)이 형성되는지에 대하여 검토하였다. 예를 들어, 측면 형상이 보다 수직에 가까운(후술하는 경사각 θ가 크고, 90도에 가까운) 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크를 얻을 수 있다면, 미세 폭을 갖는 패턴(예를 들어, 보다 폭이 작은 채널부)을, 보다 안정되고 확실하게 형성할 수 있게 된다. 또한, 레지스트 패턴의 측면의 경사각 θ를 90도 이하의 원하는 값으로 미세 조정할 수 있다면, 미세한 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있음과 함께, CD의 미세 조정이 가능한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 포토마스크의 주요부를 예시한다.

이 포토마스크는, 노광 장치를 사용하여 노광함으로써, 피전사체 상에, 복수의 상이한 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는, 소위 다계조 포토마스크(계조 포토마스크, 그레이톤 마스크 등으로도 불림)이다.

또한, 여기서는, 예를 들어 표시 장치(액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등)에 이용되는, TFT의 S/D 레이어를 1회의 포토리소그래피 공정에 의해 형성하기 위한 패턴 디자인을 예로서 나타낸다.

이 포토마스크가 갖는 전사용 패턴은, 투명 기판 상에 형성되고, 투광부(10), 차광부(20) 및 반투광부(30)를 갖는다. 즉, 3계조 이상의 계조를 갖는 포토마스크이다.

본 발명의 포토마스크는, 그 반투광부(30)에 대응하여, 피전사체(표시 패널 기판 등) 상의, 상기 전사용 패턴의 위치에, 패턴 폭 1 내지 4㎛ 정도의 제거 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 이 치수의 채널 폭(Cp(㎛))을 형성하는 포토마스크로서 적용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 3㎛를 하회하는 미세한 채널 폭을 형성하는 것을 상정하여 설명한다. 예를 들어, 1≤Cp<3(㎛), 보다 구체적으로는 1.5≤Cp<3(㎛)으로 되는 TFT의 제조에 적용할 수 있다.

투광부(10)는, 투명 기판 표면이 노출되어 형성된다. 이 부분은 노광 장치의 해상 성능에 대하여 충분히 넓은 치수를 갖는 부분이다. 예를 들어, 5㎛를 초과하는 치수, 보다 구체적으로는 10㎛를 초과하는 치수를 갖는다.

차광부(20)는, 소정 폭 β(㎛)의 완전 차광부(21)와, 소정 폭 γ(㎛)의 림부(22)를 갖고 있다. 완전 차광부(21)는 투명 기판 상에 차광막이 형성되어 이루어진다. 림부(22)는, 완전 차광부(21)의 외연에 접하도록, 상기 투명 기판 상에 림 형성막이 형성되어 이루어진다.

이 중, 완전 차광부(21)는, 투명 기판 상에, 적어도 차광막이 형성되어 이루어진다. 차광막의 광학 농도 OD(Optical Density)는 2 이상, 보다 바람직하게는 3 이상이다. 완전 차광부(21)는, 차광막과 다른 막이 적층되어 있어도 된다. 예를 들어, 차광막의 하층측 또는 상층측에, 림 형성막(후술)이 적층되어 있어도 된다. 바람직하게는, 림 형성막과 차광막이 이 순서대로 적층되어 있다.

완전 차광부(21)의 폭 β는, 1.5㎛ 이상인 것이 바람직하다. 폭 β가 지나치게 좁으면, 완전 차광부(21)로서 기능하기 어려워진다. 완전 차광부(21)의 폭 β는, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상이며, 예를 들어 1.5 내지 4㎛, 보다 구체적으로는 2.0 내지 3.5㎛이다.

차광부(20) 중, 림부(22)는, 노광광을 일부 투과하는, 반투광성의 림 형성막이 투명 기판 상에 형성되어 이루어진다. 림부(22)는, 완전 차광부(21)의 외연을 따라 소정 폭(이하, 림 폭) γ로 형성된다.

림 폭 γ는, 0.1≤γ<1.0(㎛)으로 할 수 있다. 림 폭 γ는, 보다 바람직하게는 0.1≤γ<0.5(㎛)로 할 수 있다.

림 폭 γ가 지나치게 넓으면, 후술하는 경사각 θ의 개선 효과가 작아지는 데다가, 보다 미세한 채널을 형성하기가 어려워지거나, 또는 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 막 두께의 손실로 이어지기 쉬운 경향이 있다. 림 폭 γ가 지나치게 작으면, 전사 시, 후술하는 DOF(Depth of Focus)의 향상 효과가 불충분해진다.

림 폭 γ는, 더욱 바람직하게는 0.2≤γ<0.4(㎛)로 할 수 있다.

도 1에서는, 완전 차광부(21)의 모든 외연에 접하여 림부(22)가 형성되어 있다. 단, 적어도 차광부(20)가 반투광부(30)에 인접하는 영역에 있어서 림부(22)가 형성되어 있으면, 그 이외의 영역의 외연에는, 반드시 림부(22)가 형성되어 있지 않아도 된다. 즉, 완전 차광부(21)의 외연 중, TFT의 채널부에 대응하는 영역에, 림부(22)가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 림부(22)는, 상기의 폭을 갖고, 포토마스크면 내에 있어서의 완전 차광부(21)의 모든 외연에 접하고, 균일한 폭으로 형성되어 있다.

림부(22)를 형성하기 위한 림 형성막의 노광광 투과율 Tr(％)로서는, 5≤Tr≤60(％)을 적용할 수 있다. 이것은, 투명 기판을 기준(100％)으로 한 투과율이며, 노광광에 포함되는 광의 대표 파장에 대한 투과율이다.

노광광 투과율 Tr은, 바람직하게는 5≤Tr<40(％), 보다 바람직하게는 5≤Tr<30(％)이다.

투과율 Tr의 값이 지나치게 작으면, 원하는 채널 폭을 얻기 위한 Eop(필요 노광량)가 커지는 문제가 생긴다. 또한, 투과율 Tr의 값이 지나치게 크면, 피전사체 상에 미세한 채널 폭을 형성하기 어려워진다.

단, 투과율 Tr이 상기 범위에 있어서 어느 정도 큰(예를 들어, 20≤Tr≤40(％)) 경우에는, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 단면 경사가 완만해져, 후술하는 경사각 θ를 미세 조정하고 싶은 경우에는 장점이 있다.

여기서, 노광광으로서는, 300 내지 500nm의 범위 내의 파장을 갖는 광이 적용되며, 구체적으로는 i선, h선, g선 중 어느 것을 포함하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 복수의 파장을 포함하는 광원(브로드 파장 광원이라고도 함)을 사용할 수 있으며, 예를 들어 i선, h선 및 g선 중, 2파장, 또는 3파장 전부를 포함하는 파장 영역에 걸친 광원을 사용하는 경우가 있다. 이것은, 표시 장치의 생산 효율상 바람직하다. 이 중, 대표 파장은, 노광광에 포함되는 파장 영역 중 어느 파장으로 할 수 있으며, 예를 들어 i선으로 할 수 있다.

또한, 림부(22)를 형성하기 위한 림 형성막은, 노광광에 대한 위상 시프트양이 90도 이하이며, 3 내지 60도인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 관한 포토마스크는, 투광부(10)와 림부(22)의 투과광이 서로의 간섭에 의해 상쇄되는 현상이 억제되어, 노광을 위해 필요한 조사량(Dose)을 증가시키는 문제가 생기지 않는다.

반투광부(30)는, 투명 기판이 소정 폭으로 노출되어 이루어진다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 반투광부(30)는, 차광부(20) 사이에 끼워지며, 보다 구체적으로는 차광부(20)가 갖는 림부(22)에, 대향하는 2방향으로부터 끼워져 형성되어 있다.

반투광부(30)의 폭 α(㎛)는, 포토마스크를, 표시 장치 제조용 노광 장치에 의해 노광하였을 때, 반투광부(30)의 노광광 투과율이, 상기 투광부(10)보다 작아지도록 설정되어 있다. 즉, 반투광부(30)는, 구성상은, 투광부(10)와 마찬가지로 투명 기판 표면이 노출되어 이루어지지만, 그 투과광이 피전사체 상에 형성하는 광 강도 분포의 피크는, 투광부(10)의 투과광에 의한 광 강도보다 낮기 때문에, 반투광부(30)로서 기능한다. 그래서, 충분한 넓이가 있는 투광부(10)의 투과율을 100％라고 하고, 반투광부(30)에 대응하는 영역의 피전사체 상에 형성되는 투과율 분포의 피크를 Ta(％)라고 할 때, Ta는 30 내지 70％로 할 수 있으며, 40 내지 60％인 것이 보다 바람직하다.

반투광부(30)의 폭 α는, 예를 들어 0.8≤α<3.0(㎛), 보다 구체적으로는 1.0≤α<2.0(㎛)으로 할 수 있다.

이러한 폭은, 노광 시에, 반투광부(30)로서 기능하기 때문에 유효하다. 그리고, 이러한 반투광부(30)에 의해, 협폭의 패턴(여기서는, 피전사체 상에 형성되는 채널부의 폭)을 안정되게 형성할 수 있다.

또한, 필요에 따라, 림 폭 γ와 림 형성막의 투과율 Tr을 미세 조정함으로써, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 단면 경사 각도(후술하는 경사각 θ)를, 원하는 값으로 조정하고, 얻으려고 하는 미세한 CD가 용이하게 얻어지게 할 수 있다.

이러한 반투광부(30)를 갖는 본 발명의 포토마스크에 의해, 피전사체 상에 상기 채널 폭 Cp를 갖는 TFT를 형성할 수 있다.

또한, 본 명세서에 첨부된 도면은, 이해를 용이하게 하기 위한 모식도이며, 패턴의 치수 등은 실제의 스케일과는 반드시 일치하지는 않는다.

본 발명의 포토마스크의 용도에는 특별히 제한은 없다. 예를 들어, LCD(Liquid Crystal Display)나 유기 EL 디스플레이용의 박막 트랜지스터(TFT) 제조용이며, 특히 S/D 레이어 및 반도체층을 1회의 포토리소그래피 공정에 의해 가공할 때 사용하는 다계조 포토마스크에, 유리하게 적용할 수 있다.

이하, 상기와 같은 림부(22)를 갖는 포토마스크가, 어떠한 전사 성능을 가지는지에 대하여, 실시예에 나타낸다. 또한, 비교를 위해, 함께 비교예 및 참고예에 대해서도 나타낸다.

(실시예)

본 발명의 포토마스크의 작용 효과를 확인하기 위해, 도 2에 기재된 포토마스크에 대하여, 이하의 광학 시뮬레이션을 행하였다. 도 2의 (a) 내지 (c)에 도시하는 3개의 포토마스크는, 각각 차광부, 투광부, 반투광부를 갖는 것으로, TFT용 S/Dㆍ채널부를 형성하기 위한 디자인을 갖는다. 차광부는, 광학 농도 OD(Optical Density)가 3 이상이며, 투광부는, 투명 기판이 노출되어 이루어지고, 그 치수는, 노광기의 해상 한계에 대하여 충분히 넓다. 반투광부의 구성은, 각각 이하와 같이 구성되어 있다.

도 2의 (a)는, 비교예 1의 포토마스크를 도시한다. 이 포토마스크는, 특허문헌 1과 마찬가지의 구성, 즉 투명 기판 상에 차광막을 형성한 차광부(120), 투명 기판이 노출된 투광부(110), 및 투명 기판 상에 반투광막을 형성하여 이루어지는 반투광부(130)를 갖는다. 이 포토마스크에서 사용한 반투광막의 노광광 투과율 Tr은 55％이고, 반투광부(130)의 폭 d1은 4.5㎛이다. 또한, 반투광막의 위상 시프트양은 0도로 하였다.

도 2의 (b)는, 참고예 1의 포토마스크를 도시한다. 이 포토마스크는, 비교예 1과 마찬가지의 차광부(220), 투광부(210)를 갖는 한편, 투명 기판이 노출된 반투광부(230)를 갖는다. 반투광부(230)의 폭 d2는, 반투광부(230)의 노광광 투과율이, 투광부(210)의 투과율보다 낮아지도록, 2.15㎛로 설정되어 있다.

도 2의 (c)는, 본 발명의 실시예 1의 포토마스크를 도시한다. 이 포토마스크는, 이미 설명한 바와 같이, 투명 기판 상에 차광부(20), 투광부(10) 및 반투광부(30)를 갖고, 차광부(20)가 완전 차광부(21)와 림부(22)를 갖고 구성되어 있다.

여기서, 반투광부(30)는, 폭 α가 2.00㎛이고, 투명 기판이 노출되어 형성된다. 또한, 차광부(20)의 림부(22)에 대해서는, 림 폭 γ는 0.2㎛이며, 림 형성에는, 투과율 Tr 10％의 반투광막(즉 림 형성막)을 사용하였다. 림 형성막의 위상 시프트양은, 제로로 하였다.

시뮬레이션의 조건 및 평가 항목은 이하와 같이 하였다(도 3 참조).

(시뮬레이션 조건)

ㆍ노광 광학계: NA=0.085, σ=0.9(표시 장치 제조용의 등배 프로젝션 노광 장치를 상정)

ㆍ노광 파장의 강도: i선:h선:g선=1:0.8:0.95

(평가 항목)

(1) Panel CD(㎛)

피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴(도 4 참조)은, 채널부에 대응하는 「골짜기」의 단면 형상을 갖는다. 여기서, 미노광부의 초기 설정 레지스트 두께를 24000Å로 하고, 반투광부의 중앙(채널부에 대응하는 영역의 폭의 중심에 상당, 도 4에서 M으로 표시) 위치의 목표 레지스트 잔막값(도 4의 Z)을 6800Å로 한다.

또한, 해당 레지스트 패턴의 두께가 12000Å(즉, 미노광부의 두께에 대하여 1/2)인 부분이, 골짜기의 양측에 2개소 존재하는데, 이들을 연결한 직선의 길이를, 피전사체 상에 얻는 채널 폭 Cp에 대응하는 것으로 하여, 그 치수를 구하고, Panel CD(㎛)라고 하였다.

즉, 포토마스크 유저가, 본 실시 형태의 포토마스크를 사용하여 채널부를 형성할 때, 피전사체 상에 형성된 레지스트 패턴을 1/2의 두께까지 막 감소시키는 것을 상정한 것이다.

(2) 상기 레지스트 패턴의, 잔막값 12000Å(미노광부의 두께에 대하여 1/2)의 부분에 있어서의, 레지스트 패턴 단면의 경사각 θ를 구하였다.

(3) DOF(초점 심도, ㎛)

피전사체 상에, 목표 치수에 대하여, ±10％의 범위로 전사되기 위한, 디포커스의 범위를 구하였다.

(4) EL(Exposure Latitude: 노광 여유도)

피전사체 상에, 목표 치수에 대하여, ±10％의 범위로 전사되기 위한, 노광 에너지의 변화량을 구하였다.

(평가 결과)

도 3의 (d-1) 내지 (d-4)에, 시뮬레이션의 결과를 도시한다.

우선, 도 2의 (a)에 도시하는, 비교예 1의 포토마스크를 전사하면, 피전사체 상에 형성되는 패턴은 Panel CD가 3.39㎛를 초과하고 있어, 보다 미세한 CD 부분(예를 들어, TFT 채널)을 형성하는 것이 어려움을 알 수 있었다. 또한, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 경사각 θ가 작아, 단면 경사의 현저함이 관련된다고 생각된다(도 3의 (d-1), (d-2) 참조).

도 2의 (b)에는, 비교예 1에 있어서 반투광부(130)의 영역 전체에 형성되어 있던 반투광막 대신에, 투명 기판을, 미세한 소정 폭으로 노출시켜 반투광부(230)를 형성한 참고예 1을 도시한다. 참고예 1의 포토마스크를 전사하면, Panel CD의 수치를 비교예 1에 비하여 대폭 작게 할 수 있어, 미세한 CD를 달성할 수 있음을 알 수 있었다. 또한, 레지스트 패턴의 단면 경사도 억제됨을 알 수 있었다(도 3의 (d-3), (d-4) 참조).

단, 참고예 1에서는, DOF의 값이 낮아, 노광 장치의 디포커스에 대한 여유도가 좁음을 알 수 있었다(도 3의 (d-4) 참조).

DOF는, CD의 허용 범위를 만족하는 디포커스의 허용 범위이며, 포토마스크나, 피전사체 기판의 편평도와 관련된다. 특히 표시 장치 제조에 있어서는, 포토마스크의 사이즈가 큰 데다가(예를 들어, 주표면의 한 변이 300 내지 2000mm인 사각형), 피전사체로 되는 패널 기판 등도 더 크다는(예를 들어 주표면의 한 변이 1000 내지 3400mm인 사각형) 점에서, 이것을 이상적인 평면으로 가공하기는 곤란하며, 편평도에 변동을 발생시키기 쉽다. 바꾸어 말하면, 우수한 편평도의 기판을 얻기 위해서는, 다대한 공정수와 비용이 든다. 따라서, 디포커스에 대한 여유도를 확보하는 것은 매우 중요하다.

이어서, 도 2의 (c)에 도시하는 본 발명의 실시예 1의 포토마스크를 사용하여, 참고예 1과 마찬가지로, 약 2.4㎛ 정도의 Panel CD를 얻는 경우에 대하여 시뮬레이션을 행하였다. 이 포토마스크는, OD 3 이상의 광학 농도를 갖는 완전 차광부(21)의 외연에 접하여, 반투광성 림부(22)가 형성되어 있다(도 3의 (d-3) 참조).

실시예 1의 포토마스크에 의한 전사상에서는, 참고예 1과 마찬가지로 약 2.4㎛ 정도의 극히 미세한 TFT 채널을 형성할 수 있음과 함께, 레지스트 패턴 단면의 각도 θ가 비교예 1에 비하여 충분히 크다(수직에 가깝다)는 점에서, CD의 변동이 작고, 면 내에 있어서의 CD 분포를 작게 할 수 있다(도 3의 (d-4) 참조).

또한, 실시예 1의 포토마스크의 DOF의 값은, 48㎛를 초과하여, 노광 시의 디포커스에 대한 충분한 여유도를 구비하고 있다(도 3의 (d-4) 참조).

게다가, 노광 여유도 EL의 수치가, 비교예 1이나 참고예 1에 비하여, 현저하게 향상되어 있다(도 3의 (d-4) 참조).

EL은, 노광광에 의한 에너지의 변동에 대한 여유도인바, 이 수치가 큼으로써, 보다 CD 정밀도가 높은 전사 성능을 얻을 수 있고, 수율을 높게 유지할 수 있음을 알 수 있다. 특히 표시 장치 제조용 노광 장치에 있어서는, 대면적을 균일한 광량으로 조사하는 것은 용이하지 않다는 점에서, EL이 큰 포토마스크의 의의는 크다.

즉, 본 발명의 포토마스크를 사용하면, Panel CD가 2.5㎛를 하회하는 미세한 CD를 갖는 패턴을 피전사체 상에 형성할 수 있는 데다가, 그때의 노광광량이나 포커스의 여유도가 커서, 생산 안정성이나 수율에 기여함을 알 수 있었다. 이것은, 본 발명의 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을, 피전사체 상에 전사하였을 때, 우수한 프로파일을 갖는 광학상을 안정되게 형성할 수 있어, 표시 장치의 성능 향상이나 수율 향상에 기여함을 의미한다. 환언하면, 본 발명의 포토마스크에 따르면, 표시 장치 제조용으로서 사용되는 노광 장치의 성능을 살리면서, 포토마스크에 새로운 기능을 탑재함으로써, 종래 이상으로 미세한 패턴을, 피전사체 상에 확실하고 안정되게 전사하여, 양호한 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

본 발명의 포토마스크는, 이하의 제법에 의해 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법의 수순을, 도 5를 참조하면서 설명한다.

1. 포토마스크 블랭크를 준비한다.

구체적으로는, 포토마스크의 제조 시, 우선, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같은 포토마스크 블랭크(50)를 준비한다. 상기 포토마스크 블랭크(50)는, 유리 등으로 이루어지는 투명 기판(51) 상에, 림 형성막(52)과 차광막(53)이 이 순서대로 형성되어 있고, 또한 제1 포토레지스트막(여기서는 포지티브형)(54)이 도포된 것으로 할 수 있다.

림 형성막(52)은, 노광광의 대표 파장의 광에 대하여, 상기 투과율 Tr에 관하여 설명한 대로의 투과율을 갖는다. 림 형성막(52)의 위상 시프트양은 90도 이하, 보다 바람직하게는 3 내지 60도이다.

림 형성막(52)은, 습식 에칭 가능한 재료로 이루어지는 것이 바람직하며, 또한 차광막 재료와의 사이에서 에칭 선택성을 갖는 것이 바람직하다.

림 형성막(52)은, 예를 들어 Cr 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는 Si의 상기 화합물로 해도 된다. 림 형성막(52)은, Mo, W, Ta, Ti, Zr 중 어느 금속의 실리사이드, 또는 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다. 림 형성막(52)의 성막 방법으로서는, 스퍼터링법 등 공지의 방법을 적용할 수 있다.

포토마스크 블랭크(50)의 림 형성막(52) 상에는, 차광막(53)이 형성된다. 차광막(53)의 성막 방법으로서는, 마찬가지로 스퍼터링법 등 공지의 수단을 적용할 수 있다.

차광막(53)의 재료는, Cr 또는 그의 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는 Mo, W, Ta, Ti를 포함하는 금속의 실리사이드, 또는 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다.

단, 차광막(53)의 재료는, 림 형성막(52)과 마찬가지로 습식 에칭이 가능하며, 또한 림 형성막(52)의 재료에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료가 바람직하다. 즉, 림 형성막(52)의 에칭제에 대하여 차광막(53)은 내성을 갖고, 또한 차광막(53)의 에칭제에 대하여 림 형성막(52)은 내성을 갖는 것이 바람직하다.

2. 묘화 장치에 의해, 소정의 패턴 데이터에 의한 묘화를 행한다.

구체적으로는, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 포토마스크 블랭크(50)의 제1 포토레지스트막(54)에 대한 패턴 묘화를 행한다. 패턴 묘화는, 레이저 묘화를 적용할 수 있다.

3. 제1 포토레지스트막(54)의 현상, 그리고 차광막(53) 및 림 형성막(52)의 에칭을 행한다.

구체적으로는, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 제1 포토레지스트막(54)을 현상하고, 투광부(10)(도 1)와 반투광부(30)(도 1)에 대응하는 위치에 개구를 갖는 레지스트 패턴(55)을 형성한다. 그리고, 레지스트 패턴(55)을 에칭 마스크로 하여, 차광막용 에칭제를 사용하여 차광막(53)을 에칭(제1 에칭)하고, 차광막 패턴을 형성한다(제1 패터닝 공정). 또한, 패터닝된 상기 차광막 패턴을 에칭 마스크로 하여, 림 형성막용 에칭제를 사용하여 림 형성막(52)을 에칭(제2 에칭)하고, 림 형성막 패턴을 형성한다(제2 패터닝 공정). 차광막(53)과 림 형성막(52)의 각각의 에칭에는, 재료에 따라 공지의 에칭제를 사용한다. 이때, 습식 에칭을 적용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 투광부(10)와 반투광부(30)에 대응하는 부분에, 투명 기판(51)이 노출된다.

4. 차광막(53)(차광막 패턴)의 사이드 에칭을 행한다.

구체적으로는, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 다시, 차광막 재료용 에칭제를 적용하여, 상기 레지스트 패턴(55)을 에칭 마스크로서 사용하여, 차광막(53)(차광막 패턴)의 사이드 에칭(제3 에칭)을 행한다(제3 패터닝 공정). 이에 의해 림부(22)를 형성한다.

5. 레지스트 패턴(55)을 박리한다.

구체적으로는, 도 5의 (e)에 도시하는 바와 같이, 레지스트 패턴(55)을 박리 제거한다. 이에 의해, 투명 기판(51) 상에 투광부(10)(도 1), 차광부(20) 및 반투광부(30)를 갖고, 이 중 차광부(20)가 완전 차광부(21)와 림부(22)를 갖고 구성되는 포토마스크가 완성된다. 더욱 상세하게는, 차광부(20)는, 적어도 차광막(53)이 형성된 완전 차광부(21)와, 림 형성막(52)에 의해 형성되는 림부(22)를 갖고 구성되며, 또한 반투광부(30)는, 차광부(20) 사이에 끼워져 투명 기판(51)이 노출되어 이루어지고, 노광광 투과율이 투광부(10)의 투과율보다 작게 설정된 구성의 포토마스크가 완성된다.

상기와 같이, 본 발명의 포토마스크는, 묘화 공정을 1회만으로 하여 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 이 제법에 따르면, 차광막(53)과 림 형성막(52)이라고 하는 2개의 막을 각각 패터닝할 필요가 있음에도 불구하고, 복수회의 묘화에 기인하는 얼라인먼트 어긋남이 생기지 않으므로, 미세 폭의 림부(22)를, 포토마스크면 내에 걸쳐 균일하게 형성할 수 있다.

본 발명은 상기 포토마스크를 사용하여 노광 장치에 의해 노광을 행하여, 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법을 포함한다. 또한, 여기서 말하는 표시 장치란, 표시 장치의 일부를 구성하는 모듈이나 부품을 포함한다.

본 발명의 포토마스크를 노광 장치에 의해 노광하고, 현상함으로써, 피전사체 상에는, 잔막값이 상이한 부분을 갖는, 입체 형상의 레지스트 패턴이 형성된다. 예를 들어, 포지티브형 레지스트를 사용하면, 투광부에 대응하는 위치에 있어서는, 레지스트 잔막이 형성되지 않고, 차광부에 대응하는 위치에 있어서는, 소정의 두께 H1을 갖는 레지스트 잔막이 형성되고, 반투광부에 대응하는 위치에는, H1보다 작은 두께 H2를 갖는 레지스트 잔막이 형성된다.

본 제조 방법에 사용하는 노광 장치로서는, NA가 0.08 내지 0.2, σ(코히런스 팩터)가 0.5 내지 0.9인 등배 프로젝션 노광 방식의 것을 이용할 수 있다. 광원은, i선, h선, g선 중 어느 것을 포함하는 광원을 사용하거나, 또는 이들 중 복수를 함께 사용하거나, 나아가 i선, h선, g선 전부를 포함하는 브로드 파장 광원을 사용해도 된다.

또한, 사용하는 노광 장치의 광원은, 변형 조명(여기서는, 포토마스크에 대하여 수직으로 입사하는 광 성분을 차폐한 광원이며, 윤대 조명 등의 경사입사 광원을 포함함)을 사용해도 되지만, 비변형 조명(수직으로 입사하는 성분을 차폐하지 않는, 통상 조명)에 의해, 발명의 우수한 효과가 얻어진다.

본 발명을 적용하는 포토마스크의 용도에 특별히 제한은 없다. 본 발명의 포토마스크는, 액정 표시 장치나 EL 표시 장치 등을 포함하는 표시 장치의 제조 시에, 바람직하게 사용할 수 있는, 투과형 포토마스크로 할 수 있다. 그리고, TFT의 S/D 레이어와 채널을, 1회의 포토리소그래피 공정으로 가공하는 공정에 사용되는, 다계조 포토마스크로서 유용하다.

본 발명의 포토마스크에 따르면, 모바일 휴대 단말기를 비롯한, 고정밀의 표시 장치(소위 플랫 패널 디스플레이)의 생산 시에, 패턴의 미세화의 실현과 함께, 공정에 있어서의 마진 확보라고 하는, 매우 중요한 요소를 양립할 수 있다.

이상으로, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.

즉, 본 발명의 포토마스크의 용도, 구성이나 제법에 대해서는, 본 발명의 작용 효과를 손상시키지 않는 한, 상기에 예시한 것에 한정되지 않는다.

본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 본 발명을 적용하는 포토마스크에는 부가적인 광학막이나 기능막을 사용해도 된다. 예를 들어, 차광막이 갖는 광투과율이, 검사나 포토마스크의 위치 검지에 지장을 주는 문제를 방지하기 위해, 전사용 패턴 이외의 영역에 차광막이 형성되는 구성으로 해도 된다. 또한, 반투광막(림 형성막)이나, 차광막의 표면에 묘화광이나 노광광의 반사를 저감시키기 위한 반사 방지층을 마련해도 된다. 반투광막(림 형성막)의 이면에 반사 방지층을 마련해도 된다.

또한, 예를 들어 상기에서는, 림 형성막과 차광막은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료를 사용하였다. 그러나, 양자 모두 동일한 에칭제에 의해 에칭되는 재료를 사용해도 된다. 그 경우에는, 두 막 사이에 에칭 스토퍼막으로서, 상기 두 막의 재료에 대한 에칭 선택성을 갖는 것을 개재시킬 수 있다. 예를 들어, 차광막과 림 형성막을 모두 Cr계(함유하는 금속 중, Cr이 가장 큰 함유량을 가짐) 막으로 하고, 에칭 스토퍼막을 Si계(Si 화합물, 또는 금속 실리사이드 화합물을 포함함) 막으로 할 수 있다.

10: 투광부
20: 차광부
21: 완전 차광부
22: 림부
30: 반투광부
50: 포토마스크 블랭크
51: 투명 기판
52: 림 형성막
53: 차광막
54: 제1 포토레지스트막
55: 레지스트 패턴

Claims

노광에 의해, 복수의 상이한 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 상에 형성하기 위해, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는, 표시 장치 제조용 포토마스크에 있어서,
상기 투광부는, 투명 기판이 노출되어 이루어지고,
상기 차광부는,
상기 투명 기판 상에 적어도 차광막이 형성된 완전 차광부와,
상기 완전 차광부의 외연에 접하여 형성되고, 상기 투명 기판 상에 반투광성의 림 형성막이 형성되어 이루어지는 폭 γ의 림부를 갖고,
상기 반투광부는, 상기 림부에, 대향하는 2방향만으로부터 끼워져 형성됨과 함께 상기 투명 기판이 소정 폭 α로 노출되어 이루어지고,
상기 폭 α는, 상기 반투광부의 노광광 투과율이, 상기 투광부의 노광광 투과율보다 작아지도록 설정되고,
상기 림 형성막은, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tr이 5 내지 60％, 또한 상기 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트양이 90도 이하인, 포토마스크.
제1항에 있어서,
상기 림부의 폭 γ는 0.1㎛≤γ<1.0㎛인, 포토마스크.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전사용 패턴은, 표시 장치 제조용 노광 장치에 의해, 상기 반투광부에 대응하여, 피전사체 상에 패턴 폭 1 내지 4㎛의 제거 패턴을 형성하는 것인, 포토마스크.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전사용 패턴이, 표시 장치 제조용 노광 장치에 의해, 300 내지 500nm의 범위 내의 브로드 파장 광원에 의해 노광되기 위한 것인, 포토마스크.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전사용 패턴은, 박막 트랜지스터 제조용 패턴이며, 상기 반투광부는, 박막 트랜지스터의 채널부에 대응하는, 포토마스크.
노광에 의해, 복수의 상이한 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 상에 형성하기 위해, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는, 포토마스크의 제조 방법에 있어서,
투명 기판 상에, 상기 림 형성막과 상기 차광막이 이 순서대로 적층되는 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
상기 차광막 상에 형성한 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하고, 차광막용 에칭제를 사용하여 상기 차광막을 패터닝하는, 제1 패터닝 공정과,
림 형성막용 에칭제를 사용하여, 상기 림 형성막을 패터닝하는 제2 패터닝 공정과,
상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하고, 차광막용 에칭제를 사용하여, 상기 차광막을 사이드 에칭하는, 제3 패터닝 공정과,
상기 레지스트 패턴을 박리하는 박리 공정
을 갖는, 제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크를 제조하는 포토마스크의 제조 방법.
표시 장치의 제조 방법이며, 제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크를 준비하는 공정과,
표시 장치 제조용 노광 장치를 사용하여, 상기 포토마스크를 노광함으로써, 상기 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 공정
을 갖는, 표시 장치의 제조 방법.
제7항에 있어서,
상기 표시 장치가 박막 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.