JP4566162B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に、合着時などにミスアラインが生じてもタッチ及び重力不良を防止できる液晶表示装置及びその製造方法に関する。

情報化社会の発展に伴い、表示装置への要求も多様な形態に漸増しており、これに応えて、近来は、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)、ＥＬＤ(Electro Luminescent Display)、ＶＦＤ(Vacuum Fluorescent Display)など種々の平板表示装置が研究されてきており、一部は既にさまざまな装備に表示装置として活用されている。

そのうち、ＬＣＤは、高画質、軽量、薄型、低消費電力の特長から、ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)に代えて移動型画像表示装置として最も多用されており、さらには、ノートブックコンピュータのモニターのような移動型の用途だけでなく、放送信号を受信してディスプレイするテレビ及びコンピュータのモニターなどとしてさまざまに開発されてきている。

このような液晶表示装置が一般の画面表示装置として多様な部分に使用されるためには、軽量、薄型、低消費電力の特長を維持しながらも、高精細、高輝度、大面積などの高品位の画像を実現しなければならない。

一般の液晶表示装置は、一定空間をおいて合着された第１基板及び第２基板と、これら第１基板と第２基板との間に注入された液晶層とで構成されている。

より具体的に説明すると、第１基板には、画素領域を定義すべく、一定の間隔で一方向に配列された複数本のゲートラインと、これらゲートラインに垂直な方向に一定の間隔で配列された複数本のデータラインとが形成される。こうして定義された各画素領域には画素電極が形成され、各ゲートラインとデータラインが交差する部分に薄膜トランジスタが形成され、よって、ゲートラインに印加される信号によってデータラインのデータ信号を各画素電極に印加する。

そして、第２基板には、画素領域以外の部分の光を遮断するためのブラックマトリクス層が形成され、各画素領域に対応する部分には色相を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ層が形成され、これらカラーフィルタ層上には画像を具現するための共通電極が形成されている。

このような液晶表示装置では、画素電極と共通電極間の電界によって第１及び第２基板間に形成された液晶層の液晶が配向され、この液晶層の配向度合によって液晶層を透過する光の量を調節して画像を表現することができる。

このような液晶表示装置をＴＮ（Twisted Nematic）モード液晶表示装置というが、このＴＮモード液晶表示装置は、視野角が狭いという短所を有する。そこで、ＴＮモードの短所を克服するための横電界（ＩＰＳ：in-Plane Switching）モード液晶表示装置が開発された。

横電界(ＩＰＳ）モード液晶表示装置は、第１基板の画素領域に画素電極と共通電極を一定距離離して互いに平行に形成することによって、これら画素電極と共通電極間に横電界（水平電界）が発生するようにし、この横電界によって液晶層が配向されるようにしたものである。

一方、このように形成される液晶表示装置の第１及び第２基板間には、液晶層が形成される一定の間隔を維持するようにスペーサーが形成される。

このスペーサーは、その形状によってボールスペーサーとカラムスペーサーとに分類される。

ボールスペーサーは、第１及び第２基板上に散布してなる球形状のもので、第１及び第２基板の合着後にも動きが比較的自由であり、第１及び第２基板との接触面積が小さい。

これに対し、カラムスペーサーは、第１基板または第２基板上のアレイ工程で形成されるもので、所定基板上に所定高さを持つ柱状に固定形成される。したがって、第１及び２基板との接触面積もボールスペーサーに比べて相対的に大きい。

以下、従来のカラムスペーサーを有する液晶表示装置について添付の図面を参照しつつ説明する。

図１は、カラムスペーサーを有する液晶表示装置を示す断面図である。
図１に示すように、カラムスペーサーを有する液晶表示装置は、互いに対向する第１基板３０及び第２基板４０と、第１及び第２基板３０，４０間に形成されたカラムスペーサー２０と、第１及び第２基板３０，４０間に充填された液晶層（図示せず）とを備えてなる。

ここで、第１基板３０上には画素領域を定義するためにゲートライン３１及びデータライン（図示せず）が互いに直交するように配列され、各ゲートライン３１とデータラインが交差する部分に薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、各画素領域には画素電極（図示せず）が形成される。

第２基板４０上には、画素領域を除く領域に対応してブラックマトリクス層４１が形成され、データラインに平行な縦線上の画素領域に対応するストライプ状のカラーフィルタ層４２が形成され、全面に共通電極またはオーバーコート層４３が形成される。

ここで、カラムスペーサー２０は、ゲートライン３１上部の所定位置に対応して形成される。

また、第１基板３０上には、ゲートライン３１を含む基板全面にゲート絶縁膜３６が形成され、ゲート絶縁膜３６上に保護膜３７が形成される。

図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、カラムスペーサーを有する液晶表示装置におけるタッチ不良を示す平面図及び断面図である。

図２Ａ及び図２Ｂに示すように、上述した従来のカラムスペーサーを有する液晶表示装置は、液晶パネル１０の表面に手などを当てて所定方向に引きずると、タッチされた部位でむらが発生する。このむらは、タッチによって発生することから“タッチむら”といい、このむらが画面においても観察されるので“タッチ不良”ともいう。

このタッチ不良は、ボールスペーサーの構造に比べて、第１基板１と接触するカラムスペーサー２０の接触面積が大きく、それだけ摩擦力が増加することから現れるものと把握される。すなわち、ボールスペーサーに比べて、円柱状に形成されるカラムスペーサー２０は、図２Ｂに示すように、第１基板との接触面積が大きいため、タッチによって第１及び第２基板１，２間のシフトが発生する場合、元の状態に戻るまで長い時間がかかり、元の状態に戻る時間の間にむらが残存することになる。

従来のカラムスペーサーを有する液晶表示装置は、次のような問題点があった。
第一に、カラムスペーサーと対向基板との接触面積が大きいために摩擦力が増加し、よって、タッチによって基板がシフトした時、元の状態に復元するまで時間がかかり、この復元時間の間にタッチ不良が観察される。

第二に、カラムスペーサーを有する液晶パネルが立てられた状態で高温環境に置かれると、液晶の熱膨張が発生し、甚だしい場合にはカラムスペーサーの高さよりも大きい厚さでセルギャップが増加するため、下側に液晶が流れて下端部が膨らみ、視感的に不透明に見える現象が観察される。

本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、合着時などにミスアラインが発生してもタッチ及び重力不良を防止できる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第２基板上の所定部位に形成された第１カラムスペーサー及び第２カラムスペーサーと、前記第１カラムスペーサーに対応して前記第１基板上に形成された突起と、前記第２カラムスペーサーの周辺に対応して前記第１基板上に形成された補償パターンと、前記第１及び第２基板間に充填された液晶層とを備えてなる液晶表示装置において、前記突起及び前記補償パターンは、同じ高さ及び同じ物質で形成され、前記第１及び第２カラムスペーサーの平坦面より小さく、前記補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面から同一間隔だけ離隔した複数個の補償パターンからなり、前記複数個の補償パターンのうち、前記第２カラムスペーサーの中心を通過する一直線上の補償パターン間の間隔は、前記第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法乃至前記第２カラムスペーサーの第２基板対応面の臨界寸法であり、前記第１及び第２基板間の合着マージンは、‘（第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法＋前記補償パターン間の臨界寸法）／２＋前記突起上部面臨界寸法’未満であることを特徴とする。

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１及び第２基板を準備する段階と、前記第１基板上に突起及び互いに所定間隔だけ離隔した補償パターンを形成する段階と、前記第２基板上に前記突起に対応して第１カラムスペーサーを形成し、前記補償パターン間に対応して第２カラムスペーサーを形成する段階と、前記第１及び第２基板間に液晶層を形成する段階とを備えてなる液晶表示装置の製造方法において、前記突起及び前記補償パターンは、同じ高さ及び同じ物質で形成され、前記第１及び第２カラムスペーサーの平坦面より小さく、前記補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面から同一間隔だけ離隔した複数個の補償パターンからなり、前記複数個の補償パターンのうち、前記第２カラムスペーサーの中心を通過する一直線上の補償パターン間の間隔は、前記第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法乃至前記第２カラムスペーサーの第２基板対応面の臨界寸法であり、前記第１及び第２基板間の合着マージンは、‘（第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法＋前記補償パターン間の臨界寸法）／２＋前記突起上部面臨界寸法’未満であることを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、下記のような効果が得られる。
本発明に係る液晶表示装置では、第１カラムスペーサーの中央部に対応して対応面積が相対的に小さい突起が設計され、第２カラムスペーサーの周辺部に対応して所定間隔だけ離隔する複数の補償パターンを設計することによって、第１及び第２基板の正常対応時には、第１カラムスペーサーの中央部位に突起が対応し、第２カラムスペーサーの周辺部に対応して補償パターンが位置するようになる。この状態では、第１カラムスペーサーが第１及び第２基板間のセルギャップを維持させる機能を担い、第２カラムスペーサーは、第１基板と離隔しており、所定の外圧によって第１及び第２基板が押圧される際に、第１カラムスペーサーとセルギャップ維持機能を分担してカラムスペーサーの焼成変形を防止し、押圧不良（スタンプ斑）を防止する機能を担う。また、第１カラムスペーサーが突起によって押圧された程度だけ、高温で液晶が膨脹した場合、第１及び第２基板が互いに離隔せずに接触状態を維持でき、重力不良を防止する効果も得られる。

一方、合着時に第１及び第２基板間のミスアラインが発生して第１カラムスペーサーから突起が離れても、第２カラムスペーサー側の補償パターンあるいは補償パターンの所定部位に第２カラムスペーサーが対応するため、第２カラムスペーサーはセルギャップを維持させる機能を担い、第１カラムスペーサーは押圧不良を防止する機能を担うようになる。その結果、第１カラムスペーサーは押圧不良防止機能を担い、第１カラムスペーサーはセルギャップ維持機能と共にタッチ不良防止及び重力不良防止機能を担うことができる。

したがって、本発明に係る液晶表示装置によれば、第１及び第２基板間のミスアラインが発生した状態で合着がなされても、タッチ不良、重力不良及び押圧不良を同時に解決できるという効果が得られる。

以下、添付の図面を参照しつつ、本発明に係る液晶表示装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。

図３は、突起構造を有する液晶表示装置を示す断面図である。
図３に示すように、突起構造を有する液晶表示装置は、互いに対向する第１基板６０及び第２基板７０と、第１基板６０上に形成された突起８５と、突起８５に対応して第２基板７０上に形成されたカラムスペーサー８０と、第１及び第２基板６０，７０間に充填された液晶層（図示せず）とを備えてなる。ここで、突起８５は、カラムスペーサー８０に比べて相対的に小さい体積と対応面を有するように形成される。

このように、カラムスペーサー８０に対応する位置に突起８５を形成する場合、第１基板６０または第２基板７０の表面をタッチ（一方向に擦るか引きずる動作）時に、第１基板６０または第２基板７０が対向基板に対してシフトすると、カラムスペーサー８０と突起８５との接触面積が、カラムスペーサー８０の上部面（カラムスペーサーが形成される第２基板７０を基準にして命名する。この場合、第２基板７０の表面にカラムスペーサーが対応する面は下部面という。）に比べて相対的に小さい突起８５の上部面積によって減少し、このような摩擦面積の減少によって、カラムスペーサー８０と対向基板である第１基板６０との摩擦力が減少する。したがって、タッチによって一方向に第１基板６０または第２基板７０が対向基板に対してシフトする時、元の状態への復元が容易であり、結果としてタッチ不良を防止できる。

このような突起８５を有する構造において、第１及び第２基板６０，７０を互いに合着する時、突起８５に対応するカラムスペーサー８０の形状の変化について説明すると、カラムスペーサー８０では、突起８５に対応する部位にのみ力が集中し、よって、カラムスペーサー８０が所定厚さだけ押圧される。このようにカラムスペーサー８０が押圧されると、押厚された厚さだけ、液晶パネルが高温の環境に置かれた時、液晶の熱膨脹する間にカラムスペーサー８０が第１基板６０から離隔しなくなる。したがって、突起構造を採用すると、高温の環境において、カラムスペーサーの熱膨張程度に比べて液晶の熱膨張程度が大きいためにカラムスペーサーから対向基板が離隔し、この離隔した隙間から液晶が流れて下端部が膨らむことから観察される重力不良を、突起８５によってカラムスペーサー８０が押圧された厚さだけ防止することができる。ここで、突起８５によってカラムスペーサー８０が押圧された厚さを‘重力マージン’という。

このような突起構造を有する液晶表示装置においては、外部から所定の圧力が加えられる時、突起８５によってカラムスペーサー８０に加えられる力が大きすぎるため、所定の圧力が除去されたにもかかわらずカラムスペーサー８０が元の形状に戻れないことから生じるスタンプ斑（stamp spot）を防止するために、所定の圧力でのみ対向基板と接触する押圧防止機能を有するカラムスペーサーをさらに備える。このように、突起に対応して第１カラムスペーサーが形成され、対向基板に対応して離隔した第２カラムスペーサーがさらに形成される構造を‘デュアルカラムスペーサー構造’という。

図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ、突起を有するデュアルカラムスペーサー構造の液晶表示装置における突起とカラムスペーサーとの正常対応時とミスアライン時を示す断面図である。

図４Ａに示すように、突起を有するデュアルカラムスペーサー構造は、互いに対向する第１基板６０及び第２基板７０と、第１基板６０上の所定部位に形成された突起８５と、第１基板６０上の突起８５に対応する第２基板７０上の部位に形成される第１カラムスペーサー８０と、第１基板６０と所定間隔だけ離隔するように第２基板７０上に形成された第２カラムスペーサー９０と、第１及び第２基板６０，７０間に充填された液晶層（図示せず）とを備えてなる。

ここで、突起８５は、半導体層パターン８５ａと、ソース／ドレイン金属層８５ｂが積層されてなる。一般に、ソース／ドレイン金属層８５ｂが半導体層パターン８５ａに比べて相対的に小さい面積で形成される。

そして、第１及び第２カラムスペーサー８０，９０は、同じ高さで形成され、第２カラムスペーサー９０は相対的に突起８５などの段差のない部位に対応して形成されるため、第１基板６０と突起８５の高さに相当する距離だけ離れている。

以上で説明した構造は、第１及び第２基板６０，７０が完全に正常整列して合着された状態を示すもので、以下では、第１及び第２基板６０，７０の合着時にミスアラインが発生するか、あるいは、タッチ後に元の状態へ復元されず、第１及び第２基板６０，７０間にシフト状態が維持される場合について説明する。

図４Ｂに示すように、第１及び第２基板６０，７０間にシフトが発生した時、突起８５を基準とした第１カラムスペーサー８０のシフト程度は、基板間のシフト程度によって異なってくる。すなわち、第２基板７０が第１基板６０に比べて相対的に左側にａだけシフトすると、突起８５は第１カラムスペーサー８０に比べて右側に位置し、この場合には突起８５と第１カラムスペーサー８０とが触れないことになり、セルギャップの維持が困難となり、よって、全般的に第１及び第２カラムスペーサー８０，９０が第１基板６０に触れるべくセルギャップが縮まる現象が生じることがある。さらに、こうして第１及び第２カラムスペーサー８０，９０が第１基板６０と接することになると、合着に際してカラムスペーサーと突起とを小さい面積で対応させることができず、摩擦面減少によるタッチ不良防止の効果も得られなくなる。すなわち、合着時にミスアラインによって第１基板６０と第２基板７０がシフトすると、カラムスペーサー８０，９０が第１基板６０とそれぞれ接する対応面は、これらカラムスペーサーの上部面（この場合、第２基板７０を基準面として、第１及び第２カラムスペーサー８０，９０の第２基板７０との対応面を下部面という。）となり、合着時に、第１及び第２カラムスペーサー８０，９０と第１基板６０とが大きい面積で接触するため、タッチ不良防止効果が得難い。

一方、第２基板７０が第１基板６０に比べて相対的に右にｂだけシフトすると、突起８５は、第１カラムスペーサー８０に対して左側に位置し、この場合にも、突起８５と第１カラムスペーサー８０とが触れず、上述した問題が同様に発生することになる。

以下、合着時に、第１及び第２基板間にシフトが発生しても正常合着時と同一または類似する程度のカラムスペーサーと対向基板間の接触面積を有する本発明の液晶表示装置について説明する。

図５Ａ乃至図５Ｄはそれぞれ、本発明の液晶表示装置の突起及び補償パターンと第１及び第２カラムスペーサーとのそれぞれの対応程度を示す断面図である。

図５Ａに示すように、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する第１基板１００及び第２基板２００と、第１基板１００上の所定部位に形成された突起１１０と、第１基板１００上の突起１１０に対応して第２基板２００上に形成される第１カラムスペーサー２１０と、第１基板１００と所定間隔だけ離隔するように第２基板２００上に形成された第２カラムスペーサー２２０と、第２カラムスペーサー２２０の周辺部に対応して第１基板１００上に形成された第１及び第２補償パターン１２０，１３０と、第１及び第２基板１００，２００間に充填された液晶層（図示せず）とを備えてなる。

ここで、突起１１０は、半導体層パターン１１０ａと、ソース／ドレイン金属層１１０ｂとが積層されてなることができる。ソース／ドレイン金属層１１０ｂは、半導体層パターン１１０ａに比べて相対的に小さい面積で形成される。

第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０は同じ高さで形成され、第２カラムスペーサー２２０は、突起１１０のような段差のない部位に対応して位置するように設計されるので、第１及び第２基板１００，２００が正常合着される場合、図５Ａに示すように、第１基板１００から突起１１０の高さに相当する距離だけ離れる。

ここで、第２カラムスペーサー２２０の周辺部に対応して第１基板１００上に形成される第１及び第２補償パターン１２０，１３０は、突起１１０と同様に、半導体層パターン１２０ａ，１３０ａとソース／ドレイン金属層１２０ｂ，１３０ｂがそれぞれ積層されてなる。したがって、突起１１０と第１及び第２補償パターン１２０，１３０は同じ高さを有する。

ここで、第１及び第２補償パターン１２０，１３０の上部層であるソース／ドレイン金属層１２０ｂ，１３０ｂは、ミスアライン時に第２カラムスペーサー２２０とコンタクトする部位であって、ソース／ドレイン金属層１２０ｂ，１３０ｂの臨界寸法は‘Ｙ’とする。

そして、本発明の液晶表示装置では、正常合着時とミスアライン合着時のカラムスペーサーと対向基板の構造物との接触または対応程度を同一または類似にするために、第１及び第２カラムスペーサー１００，２００の高さ及びそれぞれの下部面（第２基板との対応面）及び上部面（第１基板との対応面）の臨界寸法（ＣＤ：CrＩtＩcal DＩmensＩon）を同一にし、突起１１０と第１及び第２補償パターン１２０，１３０の上部面の界寸法も同じ数値にする。ここで、第１及び第２カラムスペーサー１００，２００の下部面及び上部面の臨界寸法はそれぞれ、‘Ｌ’及び‘Ｘ’とする。ここで、カラムスペーサーの上部面の臨界寸法Ｘは、カラムスペーサーの下部面の臨界寸法Ｌの１／２程度の値（約（０．９５＊Ｌ）／２）に相当する。

図５Ａは、第１及び第２基板１００，２００間の合着が正常になされた時を示すもので、第１及び第２基板１００，２００の合着後に、カラムスペーサーのうち第１カラムスペーサー２１０のみが突起１１０の上部面積に限って触れている。このとき、第２カラムスペーサー２２０は、突起１１０の高さに相当する距離だけ第１基板１００から離れている。

ここで、第１補償パターン１２０と第２補償パターン１３０間の距離、特に、各補償パターンの上部層であるソース／ドレイン金属層１２０ｂ，１３０ｂ間の離隔距離Ｄは、少なくとも第２カラムスペーサー２２０の第１基板との対応面の臨界寸法Ｘよりも大きい値にする。これは、図５Ａに示すような正常合着時には、突起１１０のみが第１カラムスペーサー２１０に対応するようにし、第１及び第２補償パターン１２０，１３０は、第２カラムスペーサー２２０と離隔状態を維持し、カラムスペーサーと対向基板との接触面積を最小化するためである。そして、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の最大離隔距離は、第１カラムスペーサー２１０が突起１１０から離れる前に、第２カラムスペーサー２２０が第１または第２補償パターン１２０，１３０に接触すべき点を考慮して定める。このような第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の最大離隔距離は、後で詳細に説明する。

以上で説明した構造は、本発明の液晶表示装置において完全に第１及び第２基板１００，２００が正常整列して合着された状態を示すもので、以下には、本発明の液晶表示装置の構造において、第１及び第２基板１００，２００間の合着時にミスアラインが発生した場合について説明する。

図５Ｂ乃至図５Ｄは、第２基板２００が相対的に第１基板１００に比べて右側にシフトする場合を例示したものである。

第１基板１００に対する第２基板２００のシフト程度が、０から図５Ｂに示す（Ｄ−Ｘ）／２以下の範囲にあるときには、第１カラムスペーサー２１０のみが突起１１０に対応して触れるようになる。

そして、第２基板２００が第１基板１００に対して（Ｄ−Ｘ）／２よりも大きく右側にシフトすると、第２カラムスペーサー２２０が第２補償パターン１３０と接するようになる。すなわち、シフト程度が大きくなり、第２カラムスペーサー２２０が補償パターン間の中心から（Ｄ−Ｘ）／２を越えて一側へ移動すると、第２補償パターン１３０と第２カラムスペーサー２２０が接するようになり、このように接触する時から第２補償パターン１３０が第２カラムスペーサー２２０に対して突起として機能する。したがって、第２カラムスペーサー２２０が補償パターンに接する時点は、第２カラムスペーサーの上部面臨界寸法Ｘと、シフト方向の線上に位置する補償パターン間の距離Ｄに左右されることが分かる。

そして、図５Ｃに示すように、第２基板２００が第１基板１００に対して（Ｘ＋Ｙ）／２以上右側にシフトする時から、第１カラムスペーサー２１０が突起１１０と接触しなくなる。したがって、第１カラムスペーサー２１０が突起１１０と離れる時点は、第１カラムスペーサー２１０の上部面臨界寸法Ｘと、突起１１０の上部面臨界寸法Ｙによって定められることが分かる。

ここで、第１及び第２基板１００，２００間シフトが（Ｘ＋Ｙ）／２以上発生し、第１カラムスペーサー２１０と突起１１０とが対応しなくなる時、第１及び第２補償パターン１２０，１３０のいずれか一つは、第２カラムスペーサー２２０と接して突起として働かなければならない。すなわち、第２補償パターン１３０が第２カラムスペーサー２２０と接する場合の最小シフト程度（（Ｄ−Ｘ）／２）は、突起１１０が第１カラムスペーサー２１０から離隔する場合の最大シフト程度（（Ｘ＋Ｙ）／２）よりも小さくなければならない。すなわち、（Ｄ−Ｘ）／２＜（Ｘ＋Ｙ）／２であって、この関係から、補償パターン間の距離であるＤ＜(２Ｘ＋Ｙ)の関係が成立することが分かる。すなわち、補償パターン間の距離Ｄは、第２カラムスペーサー２２０の下部面の臨界寸法がＬで、Ｌが約２Ｘと同じかやや大きい値で、Ｙは、Ｘに比べてだいぶ小さい値であることに鑑みる時、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離は、第２カラムスペーサー２２０の下部面の臨界寸法Ｌ以下にすることが好ましい。したがって、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離Ｄは、少なくともＸ以上の距離を持たなければならなく、多くともＬ以下にならなければならないので、Ｘ≦Ｄ≦Ｌの関係が成立することが分かる。

この関係から、第１及び第２基板１００，２００間のシフト程度が（Ｄ−Ｘ）／２以上から（Ｘ＋Ｙ）／２以下の範囲にある時には、第１カラムスペーサー２１０は突起１１０に対応して接し、第２カラムスペーサー２２０は第２補償パターン１３０と接していることが分かる。すなわち、このようなシフト範囲（（Ｄ−Ｘ）／２≦シフト程度≦（Ｘ＋Ｙ）／２）では、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０がいずれも、第１基板１００上に形成された、上部面の小さい構造物（突起及び補償パターン）と接触することが分かる。

一方、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離Ｄによって、第２カラムスペーサー２２０と第２補償パターン１３０とが接触する時点が変る。

例えば、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離Ｄが、図示の如く２Ｘの時には、第２カラムスペーサー２２０が第２補償パターン１３０と接する時点のシフト程度がＸ／２である。したがって、シフト程度（Ｄ−Ｘ）／２（＝Ｘ／２）から（Ｘ＋Ｙ）／２の範囲で、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０がそれぞれ突起１１０及び第２補償パターン１３０に触れるようになる。

そして、例えば、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離Ｄが３Ｘ／２の場合には、第２カラムスペーサー２２０が第２補償パターン１３０と接する時点のシフト程度がＸ／４であって、（Ｄ−Ｘ）／２（＝Ｘ／４）から（Ｘ＋Ｙ）／２の範囲で、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０がそれぞれ突起１１０及び第２補償パターン１３０に触れる。

そして、第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離ＤがＸの場合には、第２カラムスペーサー２２０はミスアラインされる時点から（ミスアラインされる程度が０を越えると）、直に第２補償パターン１３０と接するようになり、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０がいずれも突起１１０及び第２補償パターン１３０にそれぞれ接した状態を維持する。このように第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離ＤがＸの場合には、正常合着時を除けば、ミスアラインが発生した時から、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０はそれぞれの突起１１０及び第２補償パターン１３０と接するようになり、シフト程度（Ｘ＋Ｙ）／２以後から（Ｄ＋Ｘ）／２＋Ｙまでは、第２カラムスペーサー２２０のみが第２補償パターン１３０と接する。

したがって、相対的に第１及び第２補償パターン１２０，１３０間の距離Ｄが小さいほど、第２カラムスペーサー２２０が補償パターン１２０または１３０に接触する時点が早くなることが分かる。

また、図５Ｄに示すように、第１カラムスペーサー２１０が突起１１０から離れた後にも、第１及び第２基板１００，２００間のシフト（Ｘ＋Ｄ）／２＋Ｙまでは、第２カラムスペーサー２２０が第２補償パターン１３０と接し、第２補償パターン１３０が第２カラムスペーサー２２０に対して突起として働くようになる。すなわち、第１及び第２基板１００，２００間のシフト程度がＸ＋Ｙ／２超過（Ｄ＋Ｘ）／２＋Ｙ未満の時（（Ｘ＋Ｙ）／２＜シフト程度＜（Ｄ＋Ｘ）／２＋Ｙ）には、第２カラムスペーサー２２０のみが第２補償パターン１３０に対応して接することが分かる。

さらに、シフトが起きて第２カラムスペーサー２２０が第２補償パターン１３０から離れる時点は、第２基板２００が第１基板１００に対して（Ｘ＋Ｄ）／２＋Ｙ以上シフトする時である。（Ｘ＋Ｄ）／２＋Ｙ以上シフトすると、第２補償パターン１３０が第２カラムスペーサー２２０から完全に離れ、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０のいずれも突起１１０や第１及び第２補償パターン１２０，１３０と接しなくなり、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０のそれぞれの上部面がそのまま平坦な第１基板１００上に接触するため、タッチ時に接触面積が増え、設計目的たるタッチ不良の改善を達成することができない。また、場合によって、一つのパネル中に、ミスアラインによって、シフトが発生しなかった方向にカラムスペーサー、突起及び補償パターンが位置している部位と、シフトが発生した方向にカラムスペーサー、突起及び補償パターンが位置している部位が共存する場合、それぞれの部位別にセルギャップ程度が異なるため、ミスアラインによって領域別にセルギャップ不良が生じてしまう。

一方、第１及び第２基板１００，２００間のシフトは、図５Ｂ乃至図５Ｄに示すように、右側方向に起きることもあり、左側あるいは上下方向に起きることがある。例えば、第１基板１００に対して第２基板２００のシフトが左側方向に起きる場合には、各シフト程度によって第１補償パターン１２０が、前述した第２補償パターン１３０と同じ機能を果たすようになる。

図５Ａ乃至図５Ｄから分かるように、ミスアラインによって第１及び第２基板１００，２００間のシフトが発生した時、突起または補償パターンを利用できる範囲は、（Ｘ＋Ｄ）／２＋Ｙ未満である。この範囲以上にミスアラインによる第１及び第２基板１００，２００間シフトが発生した時には、突起１１０と補償パターン１２０，１３０のいずれもカラムスペーサー２１０，２２０と対応できず、カラムスペーサーが対向基板と小さい接触面積で接することができない。これにより、合着時にカラムスペーサー２１０，２２０の上部面がいずれも、対向基板と平面的に接するようになり、タッチによる第１及び第２基板１００，２００間シフト時に摩擦力が大きくなり、よって、元の状態への復帰が難しいのでタッチ時に生じた輝度不均一が長く残存する。

合着時のミスアラインが（Ｘ＋Ｄ）／２＋Ｙ未満の範囲にある、本発明の液晶表示装置においては、突起１１０や残りの補償パターン１２０が第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０と接しないとしても、少なくとも一つの突起１１０または一つの補償パターン１２０または１３０が第１または第２カラムスペーサー２１０，２２０と接するようになる。

上記の結果から分かるように、本発明の液晶表示装置の構造において、第１及び第２基板間の可能な合着マージンは、‘（第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法＋補償パターン間の臨界寸法）／２＋突起上部面臨界寸法’未満である。

したがって、本発明の液晶表示装置は、ミスアラインが発生しても、第１カラムスペーサー２１０は突起１１０に対応せずに離隔状態を維持して押圧防止機能を担い、第２カラムスペーサー２２０は、第１補償パターン１２０または第２補償パターン１３０のいずれか一つに接しセルギャップ維持機能を担当するので、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０の機能が互いに変わる以外は、図５Ａに示す正常合着時におけると同様の効果が得られる。すなわち、正常合着時もミスアラインによる合着時も、タッチ時にカラムスペーサーと対向基板との接触面積が小さいので、元の状態への回復が容易となりタッチ不良を防止でき、また、突起または補償パターンによってカラムスペーサーが押圧される程度によって重力不良が防止でき、そして所定の圧力が加えられた時、別に形成されたカラムスペーサーが共に対向基板に対応して押圧防止機能を担う。

ここで、第２基板２００の第１基板１００に対するシフト程度は、左右に合着時の合着マージン範囲内にある。

一方、本発明の液晶表示装置におけるカラムスペーサーとの対応構造において、突起１１０または第１及び第２補償パターン１２０，１３０が機能できるシフト程度は、最小の場合（Ｄ＝Ｘ、Ｘ＝１０の時）にも１０μｍ以上になる。すなわち、合着マージンは、１０μｍ以上になるはずである。これは、実際に液晶表示装置形成時に本発明の液晶表示装置（図５Ａの構造）を適用する場合、ミスアラインは工程上の合着マージン以下に発生するので、ミスアラインが発生しても第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０の少なくともいずれか一つのカラムスペーサーは、対向する突起または補償パターンと接触しセルギャップ保持機能を担当するようになり、残りのカラムスペーサーは押圧時にカラムスペーサーの形状変化を防止する機能を担当するということを意味する。

このように第１及び第２補償パターン１２０，１３０が配置される場合、合着マージンは、おおよそ第２カラムスペーサー２２０の上部面臨界寸法Ｘ以下の値となり、例えば、第１及び第２補償パターン１２０，１３０が最小の離隔距離Ｘを有しても、ミスアライン時には少なくとも一つの補償パターンが第２カラムスペーサー２２０と対応するか、補償パターン及び突起がそれぞれ第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０と対応するか、あるいは、第１カラムスペーサー２１０と突起１１０が対応するようなるため、ミスアラインが発生しても相変わらず小さい接触面積を維持する効果が得られる。ここで、ミスアライン程度が小さいために第１カラムスペーサー２１０と突起１１０とが接触すると同時に、第２カラムスペーサー２２０と第１または第２補償パターン１２０，１３０とが接触する場合にも、突起１１０や補償パターン１２０，１３０の上部面が小さいため、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０が直接第１基板１００と接触する場合に比べては、カラムスペーサーの第１基板１００との対応接触面積が非常に小さい。

このような構造において、タッチによって第１及び第２基板１００，２００間のシフトが発生した場合、第２カラムスペーサー２２０が第１及び第２補償パターン１２０，１３０のいずれか一つの補償パターンと接触することができる。この場合、第１及び第２補償パターン１２０，１３０の上部面積は、突起１１０の上部面積と同じ水準であって、タッチ時にも全体カラムスペーサー面積に対して極めて小さい割合（突起の上部面積の２倍程度）の接触面積を持つようになるので、合着時と比べてカラムスペーサーと対向基板間の接触面積比の差が大きくなく、摩擦面が小さいため元の状態への回復が容易である。

図６Ａ乃至図６Ｄは、本発明の液晶表示装置における第２カラムスペーサーと補償パターンとの対応程度の種々の実施例を示す平面図である。

同図においてはそれぞれ、第２カラムスペーサー２２０と補償パターンの上部面、すなわち、互いに向かい合う面を図式的に示しており、ここで、それぞれ、第２カラムスペーサー２２０や補償パターンの臨界寸法はより大きくしても良い。

第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０、突起１１０、及び第１及び第２補償パターン１２０，１３０は、非表示領域、すなわち、第１基板１００上に薄膜トランジスタアレイが形成され、第２基板２００上にカラーフィルタアレイが形成される時には、ブラックマトリクス層上部に対応して形成され、また、第１基板１００上に形成されるゲートライン１０１の上部に対応して形成される。

図６Ａは、前述した第２カラムスペーサー２２０の中心を基準にして左右に第１及び第２補償パターン１２０，１３０がそれぞれ形成された場合を示すもので、ここで、第２カラムスペーサー２２０の左右に第１及び第２補償パターン１２０，１３０が形成される。

図６Ｂは、ゲートライン１０１上に第２カラムスペーサー２２０が形成され、第２カラムスペーサー２２０の中心を基準にして上下に第１及び第２補償パターン１２０ａ，１３０ａが形成された場合を示すものである。このように第１及び第２補償パターン１２０ａ，１３０ａを第２カラムスペーサー２２０の上下側に形成したのは、上下側にミスアラインが生じる場合を考慮するためである。

図６Ｃは、ゲートライン１０１上部に対応して第２カラムスペーサー２２０が形成され、第２カラムスペーサー２２０の中心を基準にして上下左右にそれぞれ第１乃至第４補償パターン１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ，１４０ｄが形成された場合を示すものである。ここで、第２カラムスペーサー２２０の中心を基準にして左右に形成された第２及び第４補償パターン１４０ｂ，１４０ｄは、第２カラムスペーサー２２０の外周縁（第１基板対応面）を境界として同一間隔離隔しており、第２カラムスペーサー２２０の中心を基準にして上下に形成された第１及び第３補償パターン１４０ａ，１４０ｃは、第２カラムスペーサー２２０の外周縁（第１基板対応面）を境界として同一間隔離隔している。ここで、第２カラムスペーサー２２０を境界として左右に離隔した度合と上下に離隔した度合は、互いに同じでも異なっても良く、合着マージンを考慮して定める。

図６Ｄは、ゲートライン１０１上部の所定部位に対応して第２カラムスペーサー２２０を囲む閉環状の補償パターン１５０が形成された場合を示すものである。同図では、第２カラムスペーサー２２０と補償パターン１５０が、所定間隔だけ離隔している様子が示されているが、図示した第２カラムスペーサー２２０は、第１基板１００に対応する面であって、第２カラムスペーサー２２０の下部面（第２基板２００との対応面）は、閉環状の補償パターン１５０とオーバーラップしても良い。

以上の実施例の如く、第２カラムスペーサー２２０は、第２基板２００上にゲートライン１０１上の所定部位に対応するように形成し、第２カラムスペーサー２２０の第１基板１００の対応面と所定間隔だけ離隔して補償パターンを形成する。ここで、設計に当って、補償パターンの形状と第２カラムスペーサー２２０との離隔程度は、第１及び第２基板１００，２００間の合着マージンを考慮して定め、合着マージンが大きいほど大きくし、逆に合着マージンが小さいほど小さくする。

そして、突起１１０が第１カラムスペーサー２１０から離れる時点では、補償パターンの所定部分が必ず第２カラムスペーサー２２０に対応するように配置間隔を定める。

以下、本発明の液晶表示装置の具体的な実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。

図７は、本発明の液晶表示装置を示す平面図であり、図８は、図７のＩ−Ｉ’線及びII−II’線に沿った断面図である。

図７及び図８に示すように、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する第１基板１００及び第２基板２００と、第１及び第２基板１００，２００間に充填された液晶層（図示せず）と備えてなる。

第１基板１００上には互いに交差して画素領域を定義するゲートライン１０１及びデータライン１０２と、ゲートライン１０１とデータライン１０２との交差部に形成された薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１０２ｂと電気的に接続された第１ストレージ電極１０３ａと、第１ストレージ電極１０３ａから分岐して形成された画素電極１０３と、画素電極１０３と交互に配置されるように分岐された共通電極１０４と、画素領域内にゲートライン１０１と隣接してそれぞれ平行に形成された共通ライン１０４ａと、共通ライン１０４ａと共通電極１０４に接続され、第１ストレージ電極１０３ａとオーバーラップする第２ストレージ電極１０４ｂとを備えてなる。

ここで、薄膜トランジスタＴＦＴは、チャネルが‘Ｕ’字状のソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂ間の領域に定義されるもので、チャネルも、ソース電極１０２ａの内部に沿って‘Ｕ’字状に定義される。このような薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲートライン１０１から突出したゲート電極１０１ａと、データライン１０２から突出した‘Ｕ’字状のソース電極１０２ａと、前記‘Ｕ’字状のソース電極１０２ａと所定間隔だけ離隔しながら‘Ｕ’字状のソース電極１０２ａ内部に形成されるドレイン電極１０２ｂと、を備えてなる。そして、データライン１０２、ソース電極１０２ａ、ドレイン電極１０２ｂの下部及びソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂ間のチャネル領域の下部には、半導体層（図示せず）がさらに形成される。ここで、半導体層は、下部から形成される非晶質シリコン層（図示せず）とｎ＋層（不純物層）（図示せず）との積層体からなり、ソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂ間の領域に対応するチャネル領域ではｎ＋層不純物層が除去されている。このような半導体層は、ソース／ドレイン電極１０２ａ，１０２ｂ及びその間の領域下部にのみ選択的に形成されても良く、チャネル領域を除く領域では、データライン１０２、ソース電極１０２ａ及びドレイン電極１０２ｂの下側に形成されても良い。一方、図面では、ソース電極１０２ａの形状が‘Ｕ’字状で、‘Ｕ’字状のチャネルを持つ液晶表示装置が示されているが、本発明の液晶表示装置では、ソース電極１０２ａを、データライン１０２から‘一’字状に突出した形状にしても良く、それ以外の形状にしても良い。

ここで、ゲートライン１０１、共通ライン１０４ａ及び共通電極１０４は、同一層に同じ金属で形成される。

そして、ゲートライン１０１と半導体層との間にはゲート絶縁膜１０５が介在され、データライン１０２と画素電極１０３との間には保護膜１０６が介在される。

一方、画素領域を通過する共通ライン１０４ａと接続された第２ストレージ電極１０４ｂ、その上部に形成される第１ストレージ電極１０３ａ、これら両電極間に介在されるゲート絶縁膜１０５及び保護膜１０６は、ストレージキャパシタ（storage capacＩtor）を構成する。

ここで、相異なる層間に形成されるドレイン電極１０２ｂと第１ストレージ電極１０３ａは、ドレイン電極１０２ｂの所定部位の上部の保護膜１０６を除去して形成されたコンタクトホール１０６ａを介して接触する。

また、ゲートライン１０１、共通ライン１０４ａ及び第２ストレージ電極１０４ｂのうち所定部位においては、半導体層１０７ａと同一層の第１半導体層パターン１１０ａとソース／ドレイン電極１０２ａ／１０２ｂと同一層の第１ソース／ドレイン金属層１１０ｂとが積層されてなる突起１１０、及び半導体層１０７ａと同一層の第２半導体層パターン１４１とソース／ドレイン電極１０２ａ／１０２ｂと同一層の第２ソース／ドレイン金属層１４２とが積層されてなる補償パターン１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ，１４０ｄを第２カラムスペーサー２２０の上下左右に形成する。ここで、突起１１０及び補償パターン１４０は、同一の物質及び同一の厚さで形成される。

一方、第１基板１００に対向する第２基板２００上には、画素領域を除く領域（ゲートライン及びデータライン部位）に対応して形成されるブラックマトリクス層２０１と、カラーフィルタ層２０２と、ブラックマトリクス層２０１及びカラーフィルタ層２０２を含む第２基板２００上に平坦化のための形成されるオーバーコート層２０３と、が形成される。

そして、第１カラムスペーサー２１０は、相対的に小さい対応面を有する突起１１０と対応して接触するように設計され、第２カラムスペーサー２２０が補償パターン１４０内に形成されるように設計される。

一方、第１カラムスペーサー２１０は、特に限定されず、その水平断面を円形、四角形などの多角形など様々な形状にすることができるが、工程時のミスアラインマージンを考慮して、円形または正多角形にすることが特に好ましい。

ここで、第１及び第２半導体層パターン１１０ａ，１４１の厚さは約０．２〜０．３μｍ、第１及び第２ソース／ドレイン金属層１１０ｂ，１４２の厚さは約０．２〜０．４μｍであって、突起１１０及び補償パターン１４０が形成されていない残りのゲートライン１０１上の部位に対して突起１１０及び補償パターン１４０の形成されている部位は、約０．４〜０．７μｍ程度の段差が形成される。

図面では、補償パターン１４０は、第２カラムスペーサー２２０を基準にして上側、右側、下側、左側にそれぞれ所定間隔だけ離隔して形成された第１乃至第４補償パターン１４０からなっているが、図６Ａ乃至図６Ｄに示す様々な実施例のように形成しても良く、これら実施例に限定されることなく様々に変形して形成しても良い。

このように構成される本発明の液晶表示装置において、第１及び第２基板１００，２００が正常対応するときには、第１カラムスペーサー２１０の中央部位に突起１１０が対応し、第２カラムスペーサー２２０の周辺部に補償パターン１４０が形成される。この場合、第１カラムスペーサー２１０が第１及び第２基板１００，２００間のセルギャップを維持させる機能を担い、第２カラムスペーサー２２０は、第１基板１００と離隔しており、所定の外圧で押されるときに第１カラムスペーサー２１０とセルギャップ維持機能を分担してカラムスペーサーの焼成変形を防止し、押圧不良（スタンプ斑）を防止する機能を担う。また、第１カラムスペーサー２１０が突起１１０によって押圧された程度だけ、高温で液晶が膨脹する場合、第１及び第２基板１００，２００が互いに離隔せずに接触状態を維持でき、重力不良を防止する効果も得られる。

また、合着時に第１及び第２基板１００，２００間のミスアラインが発生し、第１カラムスペーサー２１０から突起１１０が離れても、第２カラムスペーサー２２０が、その一側の補償パターン１４０また補償パターンの所定部位に対応してセルギャップを維持する機能を担い、したがって、第１カラムスペーサー２１０は押圧防止機能を担うようになる。その結果、第１及び第２基板１００，２００間のミスアラインが発生した状態で合着がなされても、タッチ不良、重力不良及び押圧不良を同時に解決することが可能になる。

以上の実施の形態は、横電界（ＩＰＳ：Ｉn-Plane SwＩtchＩng）モードについて説明したもので、ツイステッドネクチック（ＴＮ）モードにも適用可能である。ツイステッドネクチックモードでは、第１基板の画素領域に画素電極が一つのパターンで形成され、第２基板上の全面に共通電極が形成される以外は、上述した横電界モードにおけると同様に形成される。ツイステッドネクチックモードでは、画素領域内部には共通ラインが形成されないため、第１及び第２カラムスペーサー及び突起はいずれもゲートライン上に形成される。

一方、以上では具体的な実施の形態に挙げて本発明を説明してきたが、これら実施の形態及び図面に限定されず、本発明の技術的思想を外れない限度内で種々に置換、変形及び変更ができることは、本発明の属する技術分野における通常の知識を持つ者にとって明白である。

カラムスペーサーを備えた液晶表示装置を示す断面図である。 カラムスペーサーを備えた液晶表示装置のタッチ不良を示す平面図である。 カラムスペーサーを備えた液晶表示装置のタッチ不良を示す断面図である。 突起構造を有する液晶表示装置を示す断面図である。 突起を有するデュアルカラムスペーサー構造の液晶表示装置の突起とカラムスペーサーとの正常対応時を示す断面図である。 突起を有するデュアルカラムスペーサー構造の液晶表示装置の突起とカラムスペーサーとのミスアライン時を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の突起及び補償パターンと第１及び第２カラムスペーサーとの対応程度を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の突起及び補償パターンと第１及び第２カラムスペーサーとの対応程度を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の突起及び補償パターンと第１及び第２カラムスペーサーとの対応程度を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の突起及び補償パターンと第１及び第２カラムスペーサーとの対応程度を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置における第２カラムスペーサーと補償パターンとの対応程度を示す実施例の平面図である。 本発明の液晶表示装置における第２カラムスペーサーと補償パターンとの対応程度を示す実施例の平面図である。 本発明の液晶表示装置における第２カラムスペーサーと補償パターンとの対応程度を示す実施例の平面図である。 本発明の液晶表示装置における第２カラムスペーサーと補償パターンとの対応程度を示す実施例の平面図である。 本発明の液晶表示装置を示す平面図である。 図７のＩ−Ｉ’線上及びII−II’線上の構造断面図である。

符号の説明

１００ 第１基板
１０１ ゲートライン
１０１ａ ゲート電極
１０２ データライン
１０２ａ ソース電極
１０２ｂ ドレイン電極
１０３ 画素電極
１０３ａ 第１ストレージ電極
１０４ 共通電極
１０４ａ 共通ライン
１０４ｂ 第２ストレージ電極
１０５ ゲート絶縁膜
１０６ 保護膜
１０６ａ コンタクトホール
１１０ 突起
１２０，１３０，１４０ 補償パターン
２００ 第２基板
２０１ ブラックマトリクス層
２０２ カラーフィルタ層
２０３ オーバーコート層
２１０ 第１カラムスペーサー
２２０ 第２カラムスペーサー

Claims (18)

1. 互いに対向する第１基板及び第２基板と、
   前記第２基板上の所定部位に形成された第１カラムスペーサー及び第２カラムスペーサーと、
   前記第１カラムスペーサーに対応して前記第１基板上に形成された突起と、
   前記第２カラムスペーサーの周辺に対応して前記第１基板上に形成された補償パターンと、
   前記第１及び第２基板間に充填された液晶層と
   を備えてなる液晶表示装置において、
   前記突起及び前記補償パターンは、同じ高さ及び同じ物質で形成され、前記第１及び第２カラムスペーサーの平坦面より小さく、
   前記補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面から同一間隔だけ離隔した複数個の補償パターンからなり、
   前記複数個の補償パターンのうち、前記第２カラムスペーサーの中心を通過する一直線上の補償パターン間の間隔は、前記第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法乃至前記第２カラムスペーサーの第２基板対応面の臨界寸法であり、
   前記第１及び第２基板間の合着マージンは、‘（第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法＋前記補償パターン間の臨界寸法）／２＋前記突起上部面臨界寸法’未満であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面と所定間隔だけ離隔していることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記突起は、前記第１カラムスペーサーの中央に対応することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１基板上には、
   互いに交差して画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、
   前記ゲートラインとデータラインとの交差部に形成された薄膜トランジスタと、
   前記画素領域に形成された画素電極と
   がさらに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素領域には、前記画素電極と交互に共通電極がさらに形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第２基板上には、
   前記画素領域以外の部分に対応して形成されるブラックマトリクス層と、
   少なくとも前記画素領域を含む部位に対応して形成されたカラーフィルタ層と
   がさらに形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２基板の全面にオーバーコート層がさらに形成されたことを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２基板の全面に共通電極がさらに形成されたことを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示装置。
9. 前記薄膜トランジスタは、
   前記ゲートラインから突出したゲート電極と、
   前記ゲート電極の上部に互いに離隔して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及びドレイン電極と所定部分接しながら前記ソース／ドレイン電極と前記ゲート電極間の層間に形成された半導体層と
   を備えてなることを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
10. 前記突起及び前記補償パターンは、半導体層と同一層の半導体層パターン及びソース／ドレイン電極と同一層のソース／ドレイン電極層とが下部から積層されてなる積層体からなることを特徴とする、請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記補償パターンは、第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面から離隔して閉環状に形成されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
12. 前記複数個の補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの中心を基準として両側に配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
13. 前記複数個の補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの中心を基準にして四方に配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１及び第２基板間のミスアライン時に、前記第１カラムスペーサーと前記突起は互いにオーバーラップされなく、前記第２カラムスペーサーと前記補償パターンの所定部分はオーバーラップすることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
15. 第１基板上に突起及び互いに所定間隔だけ離隔した補償パターンを形成する段階と、
    第２基板上に前記突起に対応して第１カラムスペーサーを形成し、前記補償パターン間に対応して第２カラムスペーサーを形成する段階と、
    前記第１及び第２基板間に液晶層を形成する段階と
    を備えてなる液晶表示装置の製造方法において、
    前記突起及び前記補償パターンは、同じ高さ及び同じ物質で形成され、前記第１及び第２カラムスペーサーの平坦面より小さく、
    前記補償パターンは、前記第２カラムスペーサーの前記第１基板対応面から同一間隔だけ離隔した複数個の補償パターンからなり、
    前記複数個の補償パターンのうち、前記第２カラムスペーサーの中心を通過する一直線上の補償パターン間の間隔は、前記第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法乃至前記第２カラムスペーサーの第２基板対応面の臨界寸法であり、
    前記第１及び第２基板間の合着マージンは、‘（第２カラムスペーサーの第１基板対応面の臨界寸法＋前記補償パターン間の臨界寸法）／２＋前記突起上部面臨界寸法’未満である
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
16. 前記第１基板上に互いに交差して画素領域を定義するようにゲートライン及びデータラインを形成する段階と、
    前記ゲートラインとデータラインとの交差部に薄膜トランジスタを形成する段階と
    前記画素領域に画素電極を形成する段階と、
    をさらに備えることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
    前記ゲートラインから突出するゲート電極を形成する段階と、
    前記ゲート電極上部に半導体層を形成する段階と、
    前記半導体層と接しながら、前記半導体層の両側に互いに離隔して形成されるソース／ドレイン電極を形成する段階と
    を備えてなることを特徴とする、請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
18. 前記突起及び補償パターンは、前記半導体層と同一層に形成された半導体層パターン、及び前記ソース／ドレイン電極と同一層に形成されたソース／ドレイン電極パターンと同一層に形成されたことを特徴とする、請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法。

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