JP4549039B2 - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
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Fヤン他著、「自己整合ダブルポリバイボーラ接合トランジスタにおけるコレクタ・エミッタ間漏洩の特性」、ジャーナル オブ エレクトロケミカルソサエティ、140巻、10号、3033−3037頁、1993年(F.Yang et al,"Characterization of Collector-Emitter Leakage in Self-Aligned Double-Poly Bipolar Junction Transistors"Journal of the Electrochemical Society,140,10,pp.3033-3037(1993))。
12A,12B,12C:酸化シリコン膜
13:部分酸化シリコン膜
13A:第1部分酸化シリコン膜
13B:第2部分酸化シリコン膜
14:窒化シリコン膜
14A:第1窒化シリコン膜
14B:第2窒化シリコン膜
15:深溝
16:ポリシリコン膜
17:素子領域
18:ビーズバーク
Claims (1)
- シリコン基板の隣接する素子領域の間に絶縁分離のための深溝を形成するとともに前記素子領域の間の上面に絶縁膜を形成することにより素子分離を行う半導体集積回路の製造方法において、
前記シリコン基板上の前記素子領域を覆う第1窒化シリコン膜をマスクとして熱酸化により、前記絶縁膜として必要な膜厚よりも少ない膜厚の第1部分酸化シリコン膜を前記シリコン基板上に形成するとともに、酸化シリコン膜を前記第1窒化シリコン膜上面に形成する第1工程と、
該第1工程の後、前記第1窒化シリコン膜上面の前記酸化シリコン膜および前記第1部分酸化シリコン膜を覆うように第2窒化シリコン膜を形成する第2工程と、
該第2工程の後、該第2窒化シリコン膜上に前記深溝の加工用のマスクを形成して、前記第2窒化シリコン膜および前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シリコン基板上に前記深溝を形成する第3工程と、
該第3工程の後、前記深溝の内側壁に絶縁膜を形成してから前記深溝内をポリシリコン膜で埋める第4工程と、
該第4工程の後、前記第1窒化シリコン膜上面の前記酸化シリコン膜をマスクとして、沸騰リン酸により前記第2窒化シリコン膜を除去する第5工程と、
該第5工程の後、前記第1窒化シリコン膜をマスクとして、熱酸化により前記第1部分酸化シリコン膜上にさらにシリコン酸化膜を形成し前記絶縁膜として必要な膜厚の第2部分酸化シリコン膜を形成する第6工程と、
該第6工程の後、前記第1窒化シリコン膜上面の前記酸化シリコン膜および前記第1窒化シリコン膜を除去する第7工程と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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Citations (4)
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JPH0685051A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11243153A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002190515A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003045957A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-02-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置の素子分離方法 |
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2003
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