JP4546198B2 - 光変調素子を利用したマスクレス露光装置、及び、光変調素子によるパターン生成性能の監視方法 - Google Patents
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Description
オプティックス・レターズ、17号、1992年、688−690頁(Optics Letters, vol. 17, pp.688−690(1992)) ジェー・ダブリュー・グッドマン、フーリエ光学への入門、第2版、ISBN0−07−114257−6(J.W. Goodman、Introductionto FourierOptics 2nded.:ISBN 0−07−114257−6)
また、本発明の別の側面としての露光装置は、入射光に複数の位相差を与える要素を少なくとも1つ有する光変調素子と、前記光変調素子からの出射光のうち第1の回折光を用いて被露光体上にパターンを投影する投影光学系と、前記光変調素子からの出射光のうち前記第1の回折光とは次数が異なる第2の回折光であって、前記第1の回折光の次数をm、前記光反射帯の数をN、kを任意の整数とすると、(N×k+m)次の回折光、および、(N×k+m)次以外の次数の回折光を検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて前記被露光体上に投影される前記パターンの状態を取得する取得手段とを備え、前記要素は変位可能な光反射帯を複数有することを特徴とする。
120 光変調素子(GLV)
121 光反射帯(リボン)
122 要素
123 画素(ピクセル)
Claims (5)
- 入射光に複数の位相差を与える要素を少なくとも1つ有する光変調素子と、前記光変調素子からの出射光のうち第1の回折光を用いて被露光体上にパターンを投影する投影光学系とを備える露光装置におけるパターン監視方法であって、
前記要素は変位可能な光反射帯を複数有し、
前記光変調素子からの出射光のうち前記第1の回折光とは次数が異なる第2の回折光であって、前記第1の回折光の次数をm、前記光反射帯の数をN、kを任意の整数とすると、(N×k+m)次の回折光、および、(N×k+m)次以外の次数の回折光を検出するステップと、
該検出ステップによる検出結果に基づいて前記被露光体上に投影される前記パターンの状態を取得するステップとを備えることを特徴とするパターン監視方法。 - (N×k+m)以外の次数は−NからNの範囲内にあることを特徴とする請求項1記載のパターン監視方法。
- 入射光に複数の位相差を与える要素を少なくとも1つ有する光変調素子と、
前記光変調素子からの出射光のうち第1の回折光を用いて被露光体上にパターンを投影する投影光学系と、
前記光変調素子からの出射光のうち前記第1の回折光とは次数が異なる第2の回折光であって、前記第1の回折光の次数をm、前記光反射帯の数をN、kを任意の整数とすると、(N×k+m)次の回折光、および、(N×k+m)次以外の次数の回折光を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて前記被露光体上に投影される前記パターンの状態を取得する取得手段とを備え、
前記要素は変位可能な光反射帯を複数有することを特徴とする露光装置。 - 前記要素は、変位可能な光反射帯を3つ以上有することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- 請求項3又は4記載の露光装置を利用して前記被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004278223A JP4546198B2 (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 光変調素子を利用したマスクレス露光装置、及び、光変調素子によるパターン生成性能の監視方法 |
US11/233,593 US7430036B2 (en) | 2004-09-24 | 2005-09-22 | Maskless exposure apparatus using optical modulator, and method for monitoring pattern generating performance by the optical modulator |
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006093460A JP2006093460A (ja) | 2006-04-06 |
JP2006093460A5 JP2006093460A5 (ja) | 2007-10-11 |
JP4546198B2 true JP4546198B2 (ja) | 2010-09-15 |
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JP2004278223A Expired - Fee Related JP4546198B2 (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 光変調素子を利用したマスクレス露光装置、及び、光変調素子によるパターン生成性能の監視方法 |
Country Status (2)
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US (1) | US7430036B2 (ja) |
JP (1) | JP4546198B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8670029B2 (en) * | 2010-06-16 | 2014-03-11 | Microsoft Corporation | Depth camera illuminator with superluminescent light-emitting diode |
JP2018060001A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 補助露光装置及び露光量分布取得方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09258122A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光偏向装置 |
JP2000180737A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Eastman Kodak Co | メカニカル格子デバイス |
JP2001296482A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-10-26 | Eastman Kodak Co | 回折格子型光変調器の較正方法及びシステム |
JP2004163652A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Olympus Corp | 光制御装置 |
-
2004
- 2004-09-24 JP JP2004278223A patent/JP4546198B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004163652A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Olympus Corp | 光制御装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20060066829A1 (en) | 2006-03-30 |
US7430036B2 (en) | 2008-09-30 |
JP2006093460A (ja) | 2006-04-06 |
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