JP4545426B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
該レジスト膜に加熱処理を行うことによって、該露光部における該アルカリ不溶性ポリマーの該酸不安定基を該酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、該レジスト膜に現像処理を行うことによって、該レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとする該被加工基板のエッチングによって、該被加工基板にパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
2 素子分離領域
3 Nウェル
4 Pウェル
5 ゲート絶縁膜
6 多結晶シリコン膜
7 SiO2膜
8 反射防止膜
9,25 レジスト膜
10 VUV光
11,23 マスク
12,20 露光光
13,27 レジストパターン
14 反射防止膜パターン
15 SiO2膜パターン
21 遮光部
22 透光部
24 空間像
26 潜像
Claims (9)
- 被加工基板の上に、アルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む炭素−酸素結合を有する膜厚が600nm以下の化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の全面に波長200nm以下の真空紫外光を10mW/cm 2 以上100mW/cm 2 以下の照度および10秒以下の照射時間で連続的またはパルス的に照射することによって、前記レジスト膜の表面付近において、前記酸不安定基が導入された官能基の脱離反応を起こす工程と、
前記レジスト膜に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工基板の上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜の上に、アルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む炭素−酸素結合を有する膜厚が600nm以下の化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の全面に波長200nm以下の真空紫外光を10mW/cm 2 以上100mW/cm 2 以下の照度および10秒以下の照射時間で連続的またはパルス的に照射することによって、前記レジスト膜の表面付近において、前記酸不安定基が導入された官能基の脱離反応を起こす工程と、
前記レジスト膜に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工基板の上に、アルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む炭素−酸素結合を有する膜厚が600nm以下の化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の全面に電子線を1keV以上10keV以下の加速電圧で500μA/cm 2 以上50mA/cm 2 以下の電流密度の電子線を10μC/cm 2 以上500μC/cm 2 以下の電荷量で連続的またはパルス的に照射することによって、前記レジスト膜の表面付近において、前記酸不安定基が導入された官能基の脱離反応を起こす工程と、
前記レジスト膜に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工基板の上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜の上に、アルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む炭素−酸素結合を有する膜厚が600nm以下の化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の全面に電子線を1keV以上10keV以下の加速電圧で500μA/cm 2 以上50mA/cm 2 以下の電流密度の電子線を10μC/cm 2 以上500μC/cm 2 以下の電荷量で連続的またはパルス的に照射することによって、前記レジスト膜の表面付近において、前記酸不安定基が導入された官能基の脱離反応を起こす工程と、
前記レジスト膜に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとする前記被加工基板のエッチングによって、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記真空紫外光は、Ar2エキシマ光、Kr2エキシマ光、F2エキシマ光、ArBrエキシマ光、Xe2エキシマ光、ArClエキシマ光、ArFエキシマ光およびKrBrエキシマ光よりなる群から選ばれる請求項1又は2のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、ArFエキシマレーザ光、F2エキシマレーザ光およびEUV光よりなる群から選ばれる請求項1〜5のいずれか1に記載のパターン形成方法。
- 前記ベースポリマーは脂肪族系ポリマーである請求項1〜6のいずれか1に記載のパターン形成方法。
- 前記脂肪族系ポリマーはアクリル酸系ポリマーである請求項7に記載のパターン形成方法。
- 前記アルカリ水溶液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む水溶液である請求項1〜8のいずれか1に記載のパターン形成方法。
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