JP4544898B2 - ZnO膜の成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明のZnO膜の成膜方法では、上記両原料ガスや分解ガスのラジカル化を行なわないため、プラズマやレーザー,高周波放電,マイクロ波放電等を採用することが回避でき、成膜設備の構造簡素化や設備費用の低減に有効であるとともに、副生成物堆積によるパーティクルが発生しにくくなり、膜質劣化等が回避できる。
また、本発明のZnO膜の成膜方法では、上記分解ガスを上記両原料ガスとは別個に処理空間内に供給するため、分解ガスだけが独立した流路すなわち第3供給流路を経て処理空間内に供給されるので、分解ガスの種類,流量,被処理物に対する噴出状態等の各種条件に適合させることが行ないやすくなる。
成膜温度(基板温度) :700℃
DEZn流量 : 2sccm
酸素流量 :500sccm
亜酸化窒素流量 : 40sccm
水素流量 : 0sccm(比較例1)
水素流量 : 10sccm(実施例1)
DEZn対水素の容量比: 5倍
圧力レベル : 10−2Torrオーダー
(約1.33Pa程度)
比較例1 :0.05 μm/Hr
実施例1 :0.1395μm/Hr
成膜温度(基板温度) :600℃
DEZn流量 : 2sccm
酸素流量 :360sccm
亜酸化窒素流量 : 40sccm
水素流量 : 0sccm(比較例2)
水素流量 : 10sccm(実施例2)
DEZn対水素の容量比: 5倍
圧力レベル : 10−3Torrオーダー
(約0.133Pa程度)
比較例2 :0.0645μm/Hr
実施例2 :0.287 μm/Hr
成膜温度(基板温度) :400℃
DEZn流量 : 5sccm
酸素流量 :160sccm
亜酸化窒素流量 : 40sccm
水素流量 : 10sccm(実施例3)
水素流量 : 50sccm(比較例3)
DEZn対水素の容量比: 2倍(実施例3)
10倍(比較例3)
圧力レベル : 10−4Torrオーダー
(約00.133Pa程度)
実施例3 :0.469μm/Hr
比較例3 :0.444 μm/Hr
1A 加熱エリア
1B 成長エリア
2 処理容器
3 分離板
4 開口
5 被処理物,サファイア基板,ZnO基板
6 排気口
7 ガス噴出ヘッド
H 加熱ヒータ
8 リフレクタ
9 仕切り板
10 第1拡散室
11 第2拡散室
12 開口板
13 噴出開口
13A 穴
14 噴出開口
14A パイプ
15 第1供給流路
15A パイプ部材
16 第2供給流路
16A 供給管
16B 噴口
17 流路
18 流路
19 マスフローコントローラ(流量調節計)
20 マスフローコントローラ(流量調節計)
21 切換弁
21A ベント通路
22 流路
23 流路
24 マスフローコントローラ(流量調節計)
25 マスフローコントローラ(流量調節計)
26 切換弁
26A ベント通路
T 延長時間
27 第3供給流路
27A 供給管
27B 噴口
28 マスフローコントローラ(流量調節計)
29A 拡散室
29B 拡散室
29C 拡散室
30A 積層部材
30B 積層部材
30C 積層部材
31 開口
32 大径パイプ
33 流通間隙
34 小径パイプ
35 流通間隙
36 流通路
37 加熱ボックス
Claims (6)
- 処理空間内に少なくともZn原料ガスとO原料ガスを供給し、上記両原料ガスにより上記処理空間に露出している被処理物の表面にZnO膜の成膜を行うZnO膜の成膜方法であって、
上記処理空間内に、少なくとも上記両原料ガスのいずれかの分解を促進する分解ガスとしての水素ガスを導入しながらZnO膜の成膜を行う際に、
上記両原料ガスや分解ガスのラジカル化を行なわず、かつ、
上記分解ガスを上記両原料ガスとは別個に処理空間内に供給することを特徴とするZnO膜の成膜方法。 - 処理空間内における分解対象とする原料ガスに対する分解ガスの容量比が10倍容量未満である請求項1記載のZnO膜の成膜方法。
- 上記分解ガスを、分解対象とする原料ガスの流量に対して10倍未満の流量で処理空間内に導入する請求項1または2記載のZnO膜の成膜方法。
- 上記分解ガスの分解対象となる原料ガスは、Zn原料ガスである請求項1〜3のいずれか一項に記載のZnO膜の成膜方法。
- 被処理物の表面に対し、上記Zn原料ガス,O原料ガスおよび分解ガスを近接した噴出開口から噴出させる請求項1〜4のいずれか一項に記載のZnO膜の成膜方法。
- 上記Zn原料ガス,O原料ガスおよび分解ガスを、それぞれ独立して複数の拡散室に導入し、上記各拡散室を経てそれぞれ噴出開口からZn原料ガス,O原料ガスおよび分解ガスをそれぞれ独立して噴射させる請求項5記載のZnO膜の成膜方法。
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