JP4539679B2 - Method for manufacturing organic electroluminescence device - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device.
従来、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する)装置においては、
基板上に複数の回路素子、陽極、正孔注入層や有機EL物質(発光素子)を含む発光機能
層、また、陰極等が積層され、それらを封止基板によって基板との間に挟んで封止した構
成を具備しているものがある。
具体的には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されたガラス基板等の透明
基板上に、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化スズ(SnO2)等
の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体(以下、PEDOTと略記する)
のドーピング体からなる正孔注入層と、ポリフルオレン等の発光物質からなる発光層と、
Ca等の低仕事関数を有する金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものが
ある。
Conventionally, in an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as organic EL) device,
A light emitting functional layer including a plurality of circuit elements, an anode, a hole injection layer, an organic EL substance (light emitting element), a cathode, and the like are stacked on a substrate, and these are sandwiched between a substrate and a sealing substrate. Some have a stopped configuration.
Specifically, an anode made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or tin oxide (SnO 2 ) is formed on a transparent substrate such as a glass substrate on which switching elements such as thin film transistors are formed. , Polythiophene derivatives (hereinafter abbreviated as PEDOT)
A hole injection layer made of a doped material of the above, a light emitting layer made of a light emitting material such as polyfluorene,
There is one in which a metal material having a low work function such as Ca or a cathode made of a metal compound is sequentially laminated.
近年では、上記の有機EL装置の製造方法として、液滴吐出法による製造方法が提案さ
れている。このような製造方法においては、液滴の吐出に先立って液滴受容部を形成する
工程を行っている。当該液滴受容部を形成するには、図7(a)に示す半導体素子(薄膜
トランジスタ)300及び層間絶縁膜301を形成する工程と、図7(b)に示す画素電
極302を形成する工程と、図7(c)に示す第1隔壁303を形成する工程と、図7(
d)に示す第2隔壁304を形成する工程とを施すことによって、液滴受容部305を形
成している。そして、液滴受容部305の表面にプラズマ処理等の表面改質処理を施して
撥液化部及び親液化部を形成し、当該液滴受容部305内に機能性材料を含む液滴を滴下
することにより機能性素子を形成している(例えば、特許文献1参照。)。
In recent years, a manufacturing method using a droplet discharge method has been proposed as a method for manufacturing the organic EL device. In such a manufacturing method, a step of forming a droplet receiving portion is performed prior to the discharge of the droplet. In order to form the droplet receiving portion, a step of forming the semiconductor element (thin film transistor) 300 and the interlayer
The
しかしながら、上記の製造方法においては、画素電極302を形成する際に、画素電極
302をパターニングするためのレジストマスクが画素電極302の材料と接触するので
、当該レジストマスクの残留物が画素電極302の表面を汚染してしまうという問題がっ
た。そして、このように汚染された画素電極302の表面上に正孔注入層や発光層等の発
光機能層が形成されることにより、発光機能層の信頼性が低下してしまうという問題があ
った。
However, in the above manufacturing method, when the
更に、アクリルやポリイミド等の有機材料を用いることによって層間絶縁膜301を塗
布形成する場合においては、下記に示すいくつかの問題があった。
(1) ウエットエッチングやレジスト剥離等のウエットプロセスを施して画素電極3
02や第1隔壁303のパターニングを行うことにより、層間絶縁膜301の有機材料が
膨潤してしまい、平面的に繋がっている画素電極302や第1隔壁303に応力が生じて
しまい、特に表示特性に重要な画素領域部(画素電極302)にダメージが生じる。また
、層間絶縁膜301と第1隔壁303の接合面における剥離が生じる。
(2) 有機材料からなる層間絶縁膜301上に、プラズマCVD等を用いて第1隔壁
303を形成すると、有機材料表面にダメージを与えながら第1隔壁303が成膜される
ので、第1隔壁303と層間絶縁膜301の密着性が低くなり、第1隔壁303と層間絶
縁膜301が剥離し易くなる。ここで、当該膜が剥離するとパーティクルが飛散し、真空
容器内を汚染してしまう。また、該パーティクルが真空容器あるいは基体上に存在するこ
とにより、有機エレクトロルミネッセンス装置の歩留まりが低下する虞がある。
(3) 第1隔壁303は、無機材料からなる画素電極302と有機材料からなる層間
絶縁膜301の表面を被覆するように形成されているので、有機材料のエッチング速度が
無機材料よりも大きいために、第1隔壁303をエッチングする場合のエッチング制御性
が困難になる。
Furthermore, when the
(1) The pixel electrode 3 is subjected to a wet process such as wet etching or resist stripping.
By patterning 02 and the
(2) When the
(3) Since the
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、画素領域部に与えるダメージの抑制と
、真空容器内への汚染の防止を達成し、更に第1隔壁のエッチング制御性の向上を実現で
きる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電子機器を提供することを目的とする
。
The present invention has been devised in view of the above-described problems, achieves the suppression of damage to the pixel region, the prevention of contamination into the vacuum vessel, and the improvement of the etching controllability of the first partition. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, a substrate for an organic electroluminescent device, and an electronic apparatus.
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、画素毎に設けられた第1電
極上に、第1隔壁及び第2隔壁に囲まれた発光機能層を備える有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法であって、有機材料からなる層間絶縁膜上に、第1電極材料と第1隔
壁材料を順に成膜する工程と、前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を同一形状のマス
クで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1
隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第
1電極を露出する工程と、前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出した後
に、前記層間絶縁膜上及び前記第1隔壁材料上に前記第2隔壁を形成する工程と、を具備
することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁材料上に形成されたマスクに応
じて前記第1隔壁材料を画素毎パターニングし、当該第1隔壁材料をマスクとして前記第
1電極材料をパターニングして前記第1電極を形成することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁材料上に形成されたマスクの形
状に応じて前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を一括にパターニングして、所定形状
の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングすること
を特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、ドライエッチング法を用いて、前記第1電極
材料と前記第1隔壁材料のパターニングを行い、前記第1隔壁及び前記第1電極を形成す
ることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜と前記
第1電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁材料を成膜する際に、前記層間
絶縁膜は前記第1電極材料により保護されていることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁は、側部及び上部を有し、前記
第2隔壁は、前記第1隔壁の前記上部の一部が露出するように形成されることを特徴とす
る。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物である
ことを特徴とする。
本発明の有機EL装置の製造方法は、第1電極上に第1隔壁及び第2隔壁に囲まれた発
光機能層を備える有機EL装置の製造方法であって、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1
隔壁材料を順に成膜する工程と、前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を同一形状のマ
スクでパターニングして前記第1電極と前記第1隔壁を形成する工程と、前記層間絶縁膜
上及び前記第1隔壁材料上に前記第2隔壁を形成する工程とを具備することを特徴として
いる。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
The manufacturing method of the organic electroluminescence device of the present invention is a manufacturing method of an organic electroluminescence device including a light emitting functional layer surrounded by a first partition and a second partition on a first electrode provided for each pixel. A step of sequentially forming a first electrode material and a first barrier rib material on an interlayer insulating film made of an organic material, and patterning the first electrode material and the first barrier rib material for each pixel using a mask having the same shape. The first electrode having a predetermined shape is formed and the first electrode
Patterning a partition wall material for each pixel; removing a portion of the first partition wall material to expose the first electrode; removing a portion of the first partition wall material to form the first electrode; Forming the second barrier rib on the interlayer insulating film and on the first barrier rib material after exposure.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the above-described method of manufacturing an organic electroluminescent device, wherein the first barrier rib material is patterned on a pixel-by-pixel basis according to a mask formed on the first barrier rib material. The first electrode is formed by patterning the first electrode material using the first partition wall material as a mask.
Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescent device of the present invention is a manufacturing method of the above organic electroluminescent device, wherein the first electrode material and the first electrode material are formed according to a shape of a mask formed on the first barrier rib material. The first partition wall material is patterned at a time to form the first electrode having a predetermined shape, and the first partition wall material is patterned for each pixel.
Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescence device of the present invention is a manufacturing method of the above-described organic electroluminescence device, wherein the first electrode material and the first partition wall material are patterned using a dry etching method. The first partition and the first electrode are formed.
Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescence device of the present invention is the manufacturing method of the organic electroluminescence device described above, wherein adhesion between the interlayer insulating film and the first electrode is provided on the interlayer insulating film. A property imparting film is formed.
Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescent device of the present invention is the above-described manufacturing method of the organic electroluminescent device, wherein when the first partition wall material is formed, the interlayer insulating film is made of the first electrode material. It is protected.
The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention is a method for manufacturing the above organic electroluminescent device, wherein the first barrier rib has a side portion and an upper portion, and the second barrier rib is the first barrier rib. The barrier rib is formed so that a part of the upper part of the partition wall is exposed.
Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of this invention is a manufacturing method of said organic electroluminescent apparatus, Comprising: The said 1st partition material is a silicon oxide, It is characterized by the above-mentioned.
The method for manufacturing an organic EL device according to the present invention is a method for manufacturing an organic EL device including a light emitting functional layer surrounded by a first partition and a second partition on a first electrode, wherein the first electrode is formed on an interlayer insulating film. Material and first
A step of sequentially forming a barrier rib material, a step of patterning the first electrode material and the first barrier rib material with a mask having the same shape to form the first electrode and the first barrier rib, and the interlayer insulating film And a step of forming the second barrier rib on the first barrier rib material.
このようにすれば、第1電極を形成する工程において、第1電極をパターニングするた
めのレジストマスクと第1電極材料とが非接触状態に保たれ、当該レジストマスクの残留
物による第1電極への汚染を防止することができる。従って、清浄な表面状態を有する第
1電極上に正孔注入層や発光層等の発光機能層を形成できるので、発光機能層の信頼性が
向上し、良好な有機EL装置を提供することができる。
In this way, in the step of forming the first electrode, the resist mask for patterning the first electrode and the first electrode material are kept in a non-contact state, and the first electrode is formed by the residue of the resist mask. Contamination can be prevented. Therefore, since a light emitting functional layer such as a hole injection layer or a light emitting layer can be formed on the first electrode having a clean surface state, the reliability of the light emitting functional layer is improved and a good organic EL device can be provided. it can.
また、層間絶縁膜は有機材料からなることが好ましい。当該有機材料を用いることによ
り、湿式成膜法によって層間絶縁膜を形成することができるので、真空成膜法と比較して
、簡素な設備をによって低製造コストで成膜することができる。また、真空成膜法では厚
膜化が難しいが、湿式成膜法によれば厚膜化を容易に達成できる。
The interlayer insulating film is preferably made of an organic material. By using the organic material, an interlayer insulating film can be formed by a wet film formation method, so that it can be formed at a low manufacturing cost with a simple facility as compared with a vacuum film formation method. Further, although it is difficult to increase the film thickness by the vacuum film formation method, it is possible to easily increase the film thickness by the wet film formation method.
また、第1隔壁材料を成膜する前に、層間絶縁膜上に第1電極材料が形成されているの
で、層間絶縁膜が第1電極材料によって保護される。従って、プラズマCVD法を用いて
第1隔壁材料を成膜しても、層間絶縁膜自体がプラズマに曝されることがないので、当該
層間絶縁膜へのプラズマダメージを防止でき、安定して第1隔壁材料を形成することがで
きる。
また、第1隔壁が第1電極上のみに形成されることにより、有機材料と接する第1電極
及び第1隔壁の合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従って、製造プロセス中もしく
は完成体の状態にて層間絶縁膜に応力(ウエット工程での膨潤や機械的応力)が発生した
場合に、応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。
In addition, since the first electrode material is formed on the interlayer insulating film before forming the first partition wall material, the interlayer insulating film is protected by the first electrode material. Therefore, even if the first barrier rib material is formed using the plasma CVD method, the interlayer insulating film itself is not exposed to plasma, so that plasma damage to the interlayer insulating film can be prevented and the first insulating film can be stably formed. One barrier rib material can be formed.
In addition, since the first partition is formed only on the first electrode, the total area of the first electrode and the first partition in contact with the organic material is smaller than that in the related art. Accordingly, when stress (swelling or mechanical stress in the wet process) is generated in the interlayer insulating film during the manufacturing process or in the state of the finished product, the stress is reduced, so that the occurrence of breakage or peeling can be suppressed.
また、層間絶縁膜と第1隔壁が非接触に保たれるので、従来技術で問題となっていた層
間絶縁膜と第1隔壁の接合面における剥離が生じることがない。
また、第2隔壁の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜と第2隔壁を
共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜と第2隔壁の密着性の向上を実現
できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が接触して構成されてい
るので、有機EL装置の強度向上も実現できる。
Further, since the interlayer insulating film and the first partition are kept in contact with each other, peeling at the joint surface between the interlayer insulating film and the first partition, which has been a problem in the prior art, does not occur.
In addition, by adopting an organic material as the material of the second partition, since both the interlayer insulating film and the second partition are made of an organic material, the adhesion between the interlayer insulating film and the second partition can be improved. And in the said structure, since the organic material of comparable hardness is comprised in contact, the intensity | strength improvement of an organic EL apparatus is also realizable.
また、第1隔壁材料をプラズマCVD等の方法を用いて形成しても、当該プロセスを行
う際には層間絶縁膜が露出していないので、当該層間絶縁膜の有機材料がプラズマダメー
ジによってエッチングされることが無く、有機材料のエッチングに伴う製造装置の汚染を
防止できる。
また、従来技術においては、第1隔壁材料が層間絶縁膜及び第1電極材料からなる複数
の層膜上に形成されていたため、当該第1隔壁材料のエッチング制御性が困難であったが
、本発明では第1隔壁は第1電極材料上のみに形成されるため、良好なエッチング制御性
が得られ、面内での第1隔壁のエッチングレート不均一化を抑制できる。
Even if the first barrier rib material is formed by using a method such as plasma CVD, the interlayer insulating film is not exposed when the process is performed. Therefore, the organic material of the interlayer insulating film is etched by plasma damage. Therefore, it is possible to prevent contamination of the manufacturing apparatus due to the etching of the organic material.
In the prior art, since the first barrier rib material is formed on a plurality of layer films composed of the interlayer insulating film and the first electrode material, it is difficult to control the etching of the first barrier rib material. In the invention, since the first partition is formed only on the first electrode material, good etching controllability can be obtained, and uneven etching rate of the first partition in the plane can be suppressed.
また、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜して同一形状のマスクで
パターニングするので、第1電極材料及び第1隔壁材料の各々の材料をパターニングする
必要がなく、工程の簡素化を達成できる。
In addition, since the first electrode material and the first partition wall material are sequentially formed on the interlayer insulating film and patterned with the same shape mask, it is not necessary to pattern each of the first electrode material and the first partition wall material. Simplification of the process can be achieved.
そして、このような製造方法においては、第1電極上に第1隔壁及び第2隔壁からなる
液滴受容部が形成される。そして、液滴吐出法を用いることにより、発光機能層の液体材
料を液滴化して液滴受容部に吐出することにより、液滴受容部内に発光機能層を形成する
ことができる。
And in such a manufacturing method, the droplet receiving part which consists of a 1st partition and a 2nd partition is formed on a 1st electrode. Then, by using the droplet discharge method, the light emitting functional layer can be formed in the droplet receiving portion by forming the liquid material of the light emitting functional layer into droplets and discharging them to the droplet receiving portion.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第1隔壁の一部を除去して前記第
1電極を露出する工程を更に具備することを特徴としている。
ここでは、第1隔壁の一部分を除去するためのマスクを形成した後に、当該マスクに応
じて第1電極を露出している。
このようにすれば、液滴吐出法を用いて発光機能層の液体材料を第1電極に向けて吐出
することにより、当該第1電極の露出面に液体材料を着弾させて、発光機能層を形成する
ことができる。
The method of manufacturing the organic EL device further includes a step of removing a part of the first partition wall to expose the first electrode.
Here, after forming a mask for removing a portion of the first partition, the first electrode is exposed in accordance with the mask.
According to this configuration, the liquid material of the light emitting functional layer is discharged toward the first electrode using the droplet discharge method, so that the liquid material is landed on the exposed surface of the first electrode, and the light emitting functional layer is formed. Can be formed.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第2隔壁を形成する工程は、基板
上に第2隔壁材料を全面に形成した後に、前記第1電極に対応する部分に開口部を形成す
ることにより行われることを特徴としている。
ここでは、第2隔壁材料を湿式成膜法によって全面に形成した後に、開口部のパターン
に応じたマスクを配置し、当該マスクパターンに応じて開口部を形成している。
このようにすれば、第2隔壁材料に開口部を設けることによって、第1電極に対応する
部分に液滴受容部を形成することができる。
In the method of manufacturing the organic EL device, the step of forming the second partition includes forming an opening in a portion corresponding to the first electrode after the second partition material is formed on the entire surface of the substrate. It is characterized by being done by.
Here, after the second partition wall material is formed on the entire surface by a wet film formation method, a mask corresponding to the pattern of the opening is arranged, and the opening is formed according to the mask pattern.
In this case, by providing the opening in the second partition wall material, the droplet receiving portion can be formed in the portion corresponding to the first electrode.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第1電極を露出した後に前記第2
隔壁を形成することを特徴としている。
このようにすれば、第1電極が露出した状態で、第2隔壁材料の全面塗布、及び開口部
の形成が施される。これによって開口部の形成後に第1電極を確実に露出させることがで
きる。
In the method of manufacturing the organic EL device, the second electrode is exposed after the first electrode is exposed.
It is characterized by forming a partition wall.
If it does in this way, the whole surface application of the 2nd partition material and formation of an opening will be performed in the state where the 1st electrode was exposed. Thus, the first electrode can be reliably exposed after the opening is formed.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第2隔壁を形成した後に前記第1
電極を露出することを特徴としている。
このようにすれば、第2隔壁をマスクとして第1隔壁がパターニングされて、第1電極
が露出するので、第1電極を露出するためだけのマスクが不要となり、マスクを減らすこ
とができる。従って、製造工程の簡素化を達成できる。
In the method of manufacturing the organic EL device, the first partition is formed after the second partition is formed.
It is characterized by exposing the electrodes.
In this case, the first partition is patterned using the second partition as a mask and the first electrode is exposed. Therefore, a mask only for exposing the first electrode becomes unnecessary, and the mask can be reduced. Therefore, simplification of the manufacturing process can be achieved.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第1電極を露出した後に、第2隔
壁の開口面積を広げることを特徴としている。
このようにすれば、第2隔壁によって被覆されていた第1隔壁の表面が露出し、当該第
1隔壁の露出面積が大きくなる。従って、後の工程の液滴吐出法を用いて液滴受容部に発
光機能層の液体材料を塗布形成した場合に、液体材料と第1隔壁の接触面積が大きくなる
。即ち、親液性を有する第1隔壁に液体材料が好適に濡れ広がり、液体材料と第1電極と
の接触を確実に施すことができる。
In the method of manufacturing the organic EL device, the opening area of the second partition is increased after the first electrode is exposed.
If it does in this way, the surface of the 1st partition covered with the 2nd partition will be exposed, and the exposed area of the 1st partition will become large. Therefore, when the liquid material of the light emitting functional layer is applied and formed on the droplet receiving portion by using the droplet discharge method in a later step, the contact area between the liquid material and the first partition wall is increased. In other words, the liquid material is suitably wetted and spread on the first partition having lyophilicity, and the liquid material and the first electrode can be reliably contacted.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第1隔壁材料上に形成されたマス
クに応じて前記第1隔壁材料をパターニングして第1隔壁を形成し、当該第1隔壁をマス
クとして前記第1電極材料をパターニングして第1電極を形成することを特徴としている
。
このようにすれば、マスク形状に応じた第1隔壁を形成することができ、第1隔壁の平
面形状に応じた第1電極を形成することができる。これによって、第1隔壁と第1電極を
同一形状のマスクで形成することができる。
In the method of manufacturing the organic EL device, the first barrier rib material is patterned according to a mask formed on the first barrier rib material to form a first barrier rib, and the first barrier rib is used as a mask. The first electrode is formed by patterning the first electrode material.
If it does in this way, the 1st partition according to a mask shape can be formed, and the 1st electrode according to the plane shape of the 1st partition can be formed. Thus, the first partition and the first electrode can be formed with the same shape mask.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記第1隔壁材料上に形成されたマス
クの形状に応じて前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を一括にパターニングして、前
記第1隔壁及び前記第1電極を形成することを特徴としている。
このようにすれば、同一のマスク形状に応じた第1隔壁及び第1電極を形成することが
できる。更に、一括パターニングによって第1隔壁及び第1電極を形成するので、工程数
の簡略化を達成できる。また、この方法では、第1隔壁をマスクにしないので、第1電極
材料をパターニングする際のウエットエッチング液やエッチングガスは、第1隔壁上面と
接触することがない。従って、第1隔壁上面に対するウエットエッチング液やエッチング
ガスの影響を防止できる。
In the method for manufacturing the organic EL device, the first electrode material and the first barrier rib material are collectively patterned according to a shape of a mask formed on the first barrier rib material, and the first barrier rib is formed. And forming the first electrode.
If it does in this way, the 1st partition and the 1st electrode according to the same mask shape can be formed. Furthermore, since the first partition and the first electrode are formed by batch patterning, the number of processes can be simplified. Further, in this method, since the first partition is not used as a mask, the wet etching solution or the etching gas for patterning the first electrode material does not come into contact with the upper surface of the first partition. Therefore, the influence of the wet etching solution and the etching gas on the upper surface of the first partition can be prevented.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、ドライエッチング法を用いて、前記第
1電極材料と前記第1隔壁材料のパターニングを行い、前記第1隔壁及び前記第1電極を
形成することを特徴としている。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜(有
機材料)が膨潤しないので、層間絶縁膜の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマCVD法で第1隔壁材料を形成した場合に、第1隔壁と層
間絶縁膜が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有していたが、本発明は
成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング(プラズマ処理)を行って
いるので、膜の剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがない。
In the method of manufacturing the organic EL device, the first partition material and the first electrode are formed by patterning the first electrode material and the first partition material using a dry etching method. It is said.
Since the dry etching method is used in this way, the interlayer insulating film (organic material) due to the wet process does not swell, and thus the generation of stress in the interlayer insulating film can be prevented.
In the prior art, when the first barrier rib material is formed by the plasma CVD method, the first barrier rib and the interlayer insulating film are easily peeled off and cause a contamination in the vacuum vessel. Since dry etching (plasma treatment) is performed in the patterning process instead of the film forming process, contamination in the vacuum vessel due to film peeling does not occur.
また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜
と前記第1電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴としている。
このようにすれば、密着性付与膜が層間絶縁膜と第1電極を確実に密着させるので、有
機EL装置の強度向上を実現できる。
The organic EL device manufacturing method is characterized in that an adhesion providing film for providing adhesion between the interlayer insulating film and the first electrode is formed on the interlayer insulating film.
In this way, the adhesion-imparting film ensures the close contact between the interlayer insulating film and the first electrode, so that the strength of the organic EL device can be improved.
また、本発明の有機EL装置は、第1電極上に第1隔壁及び第2隔壁に囲まれた発光機
能層を備える有機EL装置であって、前記発光機能層の側部には第1隔壁及び第2隔壁が
設けられ、前記第1隔壁は、前記第1電極上のみに設けられていることを特徴としている
。
ここで、第1電極と第1隔壁は、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1隔壁材料を順に成
膜した後に、同一形状のマスクで第1電極材料及び第1隔壁材料をパターニングすること
により形成される。このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。
The organic EL device of the present invention is an organic EL device including a light emitting functional layer surrounded by a first barrier rib and a second barrier rib on a first electrode, wherein the first barrier rib is disposed on a side of the light emitting functional layer. And a second barrier rib, wherein the first barrier rib is provided only on the first electrode.
Here, after the first electrode material and the first barrier rib are sequentially formed on the interlayer insulating film, the first electrode material and the first barrier rib material are patterned with the same shape mask. Is formed. If it does in this way, the effect similar to the manufacturing method described above will be acquired.
また、本発明の有機EL装置用基板は、第1電極上に第1隔壁が形成された有機エレク
トロルミネッセンス装置用基板であって、前記第1電極は層間絶縁膜上に形成され、当該
第1電極上のみに前記第1隔壁が設けられていることを特徴としている。
ここで、第1電極と第1隔壁は、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1隔壁材料を順に成
膜した後に、同一形状のマスクで第1電極材料及び第1隔壁材料をパターニングすること
により形成される。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。
また、更にこのような有機EL装置用基板に対して第2隔壁を形成し、第1隔壁及び第
2隔壁に囲まれた発光機能層を第1電極上に形成することで、先に記載の有機EL装置と
同様の効果が得られる。
The organic EL device substrate of the present invention is an organic electroluminescent device substrate in which a first partition is formed on a first electrode, and the first electrode is formed on an interlayer insulating film. The first partition is provided only on the electrode.
Here, after the first electrode material and the first barrier rib are sequentially formed on the interlayer insulating film, the first electrode material and the first barrier rib material are patterned with the same shape mask. Is formed.
If it does in this way, the effect similar to the manufacturing method described above will be acquired.
Further, by forming a second partition wall on such an organic EL device substrate and forming a light emitting functional layer surrounded by the first partition wall and the second partition wall on the first electrode, The same effect as the organic EL device can be obtained.
また、本発明の電子機器は、先に記載の有機EL装置を備えることを特徴としている。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ
、パソコンなどの情報処理装置等を例示することができる。また、大型の表示画面を有す
るテレビや、大型モニタ等を例示することができる。このように電子機器の表示部に、本
発明の有機EL装置を採用することによって、表示特性が良好な電子機器を提供すること
が可能となる。
In addition, an electronic apparatus according to the present invention is characterized by including the organic EL device described above.
Examples of such electronic devices include information processing devices such as mobile phones, mobile information terminals, watches, word processors, and personal computers. Moreover, a television having a large display screen, a large monitor, and the like can be exemplified. Thus, by employing the organic EL device of the present invention for the display unit of an electronic device, it is possible to provide an electronic device with good display characteristics.
次に、図1〜図5を参照し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、
有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電
子機器について説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本
発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を
異ならせてある。
Next, with reference to FIGS. 1-5, the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of this invention,
An organic electroluminescence device, a substrate for an organic electroluminescence device, and an electronic device will be described.
This embodiment shows one mode of the present invention, does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. In each figure shown below,
In order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing, the scale is different for each layer and each member.
(有機EL装置の製造方法の第1実施形態)
図1を参照して、有機EL装置の製造方法の第1実施形態について説明する。
ここで、図1(a)〜(e)及び図2は有機EL装置の製造方法を説明するための工程
図、図3は図1(c)を詳細に説明するための図である。
(First Embodiment of Manufacturing Method of Organic EL Device)
A first embodiment of a method for manufacturing an organic EL device will be described with reference to FIG.
Here, FIGS. 1A to 1E and 2 are process diagrams for explaining a method of manufacturing an organic EL device, and FIG. 3 is a diagram for explaining FIG. 1C in detail.
まず、図1(a)に示すように、基板10上に薄膜トランジスタ20と、層間絶縁膜3
0と、コンタクトホール31を形成する。
基板10は、ガラス基板である。なお、材料としてガラスを限定するものではなく、例
えば、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等の材料を採用してもよい。
このような透明性或いは半透明性の材料を採用することにより、基板10側から発光光を
取り出す所謂ボトムエミッション型の有機EL装置を製造することが可能となる。また、
後述するように、封止基板側から発光光を取り出す所謂ボトムエミッション型においては
、基板10の材料として金属基板等の非透明性材料を採用してもよい。
First, as shown in FIG. 1A, a
0 and
The
By adopting such a transparent or translucent material, it is possible to manufacture a so-called bottom emission type organic EL device that extracts emitted light from the
As will be described later, in a so-called bottom emission type in which emitted light is extracted from the sealing substrate side, a non-transparent material such as a metal substrate may be employed as the material of the
薄膜トランジスタ20は、下地絶縁膜21と、半導体層22と、ゲート絶縁膜23と、
ゲート電極24と、ソース電極25Sと、ドレイン電極25Dと、上絶縁膜26とから構
成されている。
ここで、下地絶縁膜21は、基板10の表面に形成される絶縁膜であり、基板10と半
導体層22とを非接触に保つための層膜である。
また、半導体層22は、ソース領域22S、チャネル領域22C、及びドレイン領域2
2Dからなり、ゲート電極24の電界の作用によってソース領域22Sとドレイン領域2
2D間のスイッチングを行う層膜である。
また、ゲート絶縁膜23は、ゲート電極24と半導体層22との間に設けられた層膜で
あり、半導体層22とゲート電極24の電気的絶縁性を得るためのものである。
また、ゲート電極24は、ゲート絶縁膜23を介してチャネル領域22Cに対向して配
置された層膜である。当該ゲート電極24に流れる電流量によって薄膜トランジスタ20
のスイッチング特性が所望に得られるようになっている。
ソース電極25S及びドレイン電極25Dは、上絶縁膜26に形成されたコンタクトホ
ールを介してソース領域22S及びドレイン領域22Dに各々接続された電極である。
このような薄膜トランジスタ20を構成する層膜及び電極は、公知の製造方法によって
製造される。例えば、各種成膜法、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法等が用いら
れる。また、半導体層22におけるソース領域22S、チャネル領域22C、及びドレイ
ン領域22Dを形成するには、イオンドーピング法等が採用される。
The
The
Here, the
The
2D, and the
It is a layer film that performs switching between 2D.
The gate insulating film 23 is a layer film provided between the
The
The switching characteristics can be obtained as desired.
The
The layer film and the electrodes constituting such a
層間絶縁膜30は、有機物や無機物のいずれかの材料を採用することで形成されている
。ここで、層間絶縁膜30として有機物を採用する場合には、例えば、アクリル樹脂やポ
リイミド樹脂等が好適に採用される。このような材料の中でも、非感光性樹脂や感光性樹
脂が採用される。
また、このような有機物を成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成
膜法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このよ
うな湿式成膜法の中でもスピンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能
となる。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行う必要がある。
The
In addition, when forming such an organic material, a wet film forming method is preferably employed. As the wet film forming method, a spin coating method, a dip method, a slit coating method, or the like is used. Among such wet film forming methods, the spin coating method is suitable, and it is possible to form a film with a uniform film thickness. Further, after the film formation, it is necessary to cure the resin by performing a heat treatment or the like.
また、層間絶縁膜30として無機物を採用する場合には、シリコン酸化物、シリコン窒
化物、シリコン酸窒化物等が採用される。
無機物を成膜する場合には、真空成膜法又は湿式成膜法が好適に採用される。真空成膜
法としてはCVD法、スパッタ法、蒸着法等が採用される。また、湿式成膜法としては上
記同様のスピンコート法を採用し、無機材料としてペルヒドロポリシラザンを採用するこ
とが好ましい。ペルヒドロポリシラザンとは、−(SiH2NH)−を基本ユニットとす
る化合物の物質名である。また、当該ペルヒドロポリシラザンは、有機溶剤に可溶な無機
ポリマーであるので、有機溶剤と混合させることで液体材料として取り扱うことが可能と
なる。また、ペルヒドロポリシラザンは、不活性雰囲気中で高温焼成されることにより、
脱水素反応に伴う熱硬化収縮が生じ、シリコン窒化物のセラミクスへ転化する性質を有し
ている。また、大気中又は水蒸気含有雰囲気で焼成されることにより、水や酸素と反応し
、シリコン酸化物へ転化する性質を有している。
Further, when an inorganic material is employed as the
In the case of depositing an inorganic material, a vacuum film formation method or a wet film formation method is preferably employed. As the vacuum film formation method, a CVD method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like is employed. Further, it is preferable to employ the same spin coating method as the wet film formation method and perhydropolysilazane as the inorganic material. Perhydropolysilazane is a substance name of a compound having — (SiH 2 NH) — as a basic unit. Further, since the perhydropolysilazane is an inorganic polymer that is soluble in an organic solvent, it can be handled as a liquid material by mixing with the organic solvent. In addition, perhydropolysilazane is fired at a high temperature in an inert atmosphere,
It has the property of undergoing thermosetting shrinkage associated with the dehydrogenation reaction and being converted into silicon nitride ceramics. Moreover, it has the property of reacting with water or oxygen by being fired in the atmosphere or in an atmosphere containing water vapor, and converted into silicon oxide.
上記のような湿式成膜法は、真空成膜法と比べて厚膜化が容易であることから、層間絶
縁膜30を形成する場合においては、湿式成膜法を採用することがより好ましい。また、
厚膜化を施すことによって、薄膜トランジスタ20の凹凸形状が層間絶縁膜30の表面に
転写されることが無く、当該層間絶縁膜30の表面が平坦化されるので特に好適である。
The wet film formation method as described above is easier to increase in thickness than the vacuum film formation method. Therefore, it is more preferable to employ the wet film formation method when forming the
By increasing the thickness, the uneven shape of the
更に、層間絶縁膜30にコンタクトホール31を形成する。
ここで、コンタクトホール31の形成方法は、層間絶縁膜30が非感光性樹脂や無機材
料からなる場合と、感光性樹脂からなる場合とで処理が異なる。
まず、層間絶縁膜30が非感光性樹脂や無機材料からなる場合について説明する。
この場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によってパターニング
が施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜30上に塗布形成した後に、熱
処理、露光処理、現像処理を施して開口部を形成し、そしてエッチング処理を施して当該
開口部に対応する非感光性樹脂や無機材料を除去することにより、コンタクトホール31
が形成される。
これに対して、層間絶縁膜30が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不
要となり、層間絶縁膜30自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すこと
により、コンタクトホール31が形成される。
Further, a
Here, the method for forming the
First, the case where the
In this case, patterning is performed by an etching process using a photoresist film. Specifically, after a photoresist film is applied and formed on the
Is formed.
On the other hand, when the
次に、図1(b)に示すように、層間絶縁膜30上に画素電極材料(第1電極材料)4
1と第1隔壁材料(第1隔壁材料)42を形成する(層間絶縁膜上に第1電極材料と第1
隔壁材料を順に成膜する工程)。
ここで、画素電極材料41と第1隔壁材料42を形成する際は、画素電極材料41のパ
ターニングを行わずに、画素電極材料41と第1隔壁材料42を連続して成膜する。
画素電極材料41は、ITO等の透明性金属が採用される。また、これ以外にも、例え
ば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide :IZO/
アイ・ゼット・オー)(登録商標))(出光興産社製)等を用いることができる。なお、
本実施形態ではITOを用いるものとする。また、トップエミッション型である場合には
、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、例えばITOの下層側にAl等を設
けて反射層として用いることもできる。
また、第1隔壁材料42の材料としては、親液性を有する材料が採用され、本実施形態
では、シリコン酸化物を採用している。なお、ここでいう親液性とは、後に塗布される液
体材料に対して第2隔壁の材料(後述する)よりも相対的に親液性を有することを意味し
ている。
このような画素電極材料41及び第1隔壁材料42を成膜する方法としては、真空成膜
法が好適に採用される。
Next, as shown in FIG. 1B, the pixel electrode material (first electrode material) 4 is formed on the
1 and a first barrier rib material (first barrier rib material) 42 are formed (first electrode material and first barrier rib on the interlayer insulating film).
Step of sequentially forming a partition wall material).
Here, when the
The
(I z O) (registered trademark)) (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) can be used. In addition,
In this embodiment, ITO is used. In the case of the top emission type, it is not necessary to use a material having a light transmission property. For example, Al or the like may be provided on the lower layer side of ITO and used as a reflection layer.
Further, as the material of the first
As a method for forming the
次に、図1(c)に示すように、画素電極材料41と第1隔壁材料42をパターニング
し、画素電極(第1電極)41aと第1隔壁42aを形成する(第1電極材料及び第1隔
壁材料を同一形状のマスクでパターニングして第1電極と第1隔壁を形成する工程)。
ここで、図3を参照し、画素電極材料41と第1隔壁材料42のパターニングについて
詳述する。図3は、図1(c)における層間絶縁膜30、画素電極材料41、及び第1隔
壁材料42の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極41a及び第1隔壁4
2aを形成するまでの工程図である。なお、図3においては、コンタクトホール31が不
図示となっているが、コンタクトホール31は不図示部分において形成されており、当該
コンタクトホール31を介して画素電極材料41とドレイン電極25Dが接続されている
ものとする。
Next, as shown in FIG. 1C, the
Here, the patterning of the
It is process drawing until 2a is formed. In FIG. 3, the
図3(a)に示すように、まず、マスク(同一形状のマスク)PRを形成する。当該マ
スクPRはスピンコート法によって塗布形成されたフォトレジスト膜に対して、熱処理、
露光処理、及び現像処理を施すことによって形成される。
As shown in FIG. 3A, first, a mask (a mask having the same shape) PR is formed. The mask PR is a heat treatment for a photoresist film applied and formed by spin coating.
It is formed by performing an exposure process and a development process.
次に、図3(b)に示すように、マスクPRを残留させながら画素電極材料41及び第
1隔壁材料42にエッチング処理を施し、画素電極41a及び第1隔壁42aを形成する
。
ここで、エッチング処理としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法が用い
られる。ウエットエッチング法においては、第1隔壁材料42のシリコン酸化物を除去す
るエッチング液として弗酸(HF)を主体とするものが好適に採用される。また、画素電
極材料41のITOを除去するエッチング液として王水が好適に採用される。
このようなウエットエッチング法においては、HFのエッチング液に浸漬して第1隔壁
材料42をパターニングした後に、層間絶縁膜30上及び画素電極材料41上を洗浄し、
その後、王水に浸漬して画素電極41aをパターニングしている。
Next, as shown in FIG. 3B, the
Here, as the etching process, a wet etching method or a dry etching method is used. In the wet etching method, an etchant mainly composed of hydrofluoric acid (HF) is preferably used as an etching solution for removing the silicon oxide of the first
In such a wet etching method, after the first
Thereafter, the
また、ドライエッチング法においては、フッ素系ガスのプラズマに第1隔壁材料42を
曝すことによって第1隔壁材料42を除去する。
また、画素電極材料41のITOを除去するドライエッチング法においては、HBr、
HI等のハロゲン化物のガスが用いられる。
このようなドライエッチング法においては、同一チャンバ内において、エッチングガス
を変えながら処理できるので、第1隔壁42a及び画素電極41aを一括して形成するこ
とが可能となる。また、図3(b)に示す第1隔壁42a及び画素電極41aの側部の形
状は、えぐれEが生じた形状となっているが、ドライエッチング法の中でも異方性エッチ
ング法(RIE)を用いることで、側部の形状を好適に制御することが可能となっている
。
なお、図3(b)においては、マスクPRを残留させることが重要であるので、マスク
PRを除去してしまうようなガス、例えば酸素ガスのプラズマを用いずにドライエッチン
グ法を行うことが好ましい。
In the dry etching method, the first
Further, in the dry etching method for removing the ITO of the
A halide gas such as HI is used.
In such a dry etching method, the
In FIG. 3B, since it is important to leave the mask PR, it is preferable to perform the dry etching method without using a plasma that removes the mask PR, for example, oxygen gas plasma. .
次に、図3(c)に示すようにマスクPRを除去することで画素電極41a及び第1隔
壁42aのパターニングが終了となる。
Next, the patterning of the
次に、図1に戻り、有機EL装置の製造方法について引き続き説明する。
図1(d)に示すように、第1隔壁42aの一部を除去して画素電極41aを露出し、
電極露出部41bを形成する(第1隔壁の一部を除去して第1電極を露出する工程)。
ここでは、不図示のマスクを第1隔壁42a上に形成し、当該マスクのパターンに応じ
て第1隔壁42aをエッチングすることで電極露出部41bを形成している。第1隔壁4
2aのエッチング方法としては、上記のようにウエットエッチング、ドライエッチングが
好適に採用される。また、このようなエッチング方法によって、第1隔壁42aには隔壁
側部42bが形成される。当該隔壁側部42bは、電極露出部41bの表面よりも所定角
度で傾斜していることが好ましい。
Next, returning to FIG. 1, the manufacturing method of the organic EL device will be described.
As shown in FIG. 1D, a part of the
An electrode exposed
Here, a mask (not shown) is formed on the
As the etching method 2a, wet etching and dry etching are preferably employed as described above. Moreover, the
このような図1(a)〜(d)に記載した製造方法によって有機EL装置用基板2が完
成する。引き続き、図1(e)及び図2を参照し、第2隔壁や発光機能層を順次形成して
有機EL装置を形成する方法について説明する。
The organic EL device substrate 2 is completed by the manufacturing method described in FIGS. Next, a method for forming an organic EL device by sequentially forming the second partition walls and the light emitting functional layer will be described with reference to FIGS.
図1(e)に示すように、有機EL装置用基板2において、層間絶縁膜30及び第1隔
壁42a上を被覆するように第2隔壁45を形成する(層間絶縁膜上及び第1隔壁材料上
に第2隔壁を形成する工程)。また、当該第2隔壁45は、電極露出部41bが形成され
た状態で形成される(第1電極を露出した後に第2隔壁を形成する工程)。
As shown in FIG. 1E, in the organic EL device substrate 2, a
ここで、第2隔壁45の形成方法は、第2隔壁45の材料を全面に形成した後に、画素
電極41aに対応する開口部45aを形成することによって行われる。
このような第2隔壁45の材料としては、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機物が
好適であり、また、非感光性樹脂や感光性樹脂が採用される。また、このような有機物を
成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成膜法としては、スピンコート
法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このような湿式成膜法の中でもスピ
ンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能となる。また、成膜後には、
熱処理等を施して樹脂の硬化を行う。
更に、第2隔壁45の材料と層間絶縁膜30の材料を同一にすることが好ましい。もし
くは、同じ有機材料で形成することが好ましい。このようにすれば、材料間の密着力が向
上するとともに、熱膨張係数も略同一となるので、熱応力や機械的応力に対して安定な構
造となる。
Here, the method of forming the
As the material of the
The resin is cured by heat treatment or the like.
Furthermore, the material of the
また、開口部45aの形成方法は、第2隔壁45が非感光性樹脂からなる場合と、感光
性樹脂からなる場合とで処理が異なる。
まず、非感光性樹脂の場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によ
ってパターニングが施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜30上に塗布
形成した後に、熱処理、露光処理、現像処理を施してマスク開口部を形成し、そしてエッ
チング処理を施して当該マスク開口部に対応する非感光性樹脂を除去することにより、開
口部45aが形成される。
これに対して、第2隔壁45が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不要
となり、第2隔壁45自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すことによ
り、開口部45aが形成される。
In addition, the method of forming the
First, in the case of a non-photosensitive resin, patterning is performed by an etching process using a photoresist film. Specifically, after a photoresist film is applied and formed on the
On the other hand, when the
また、このような開口部45aを形成するにあたり、第1隔壁42aにおける隔壁側部
42bと、第1隔壁上部42cを露出させることが好ましい。このようにすることにより
、後の工程でインクジェット法(液滴吐出法)を用いた場合に、第1隔壁42a近傍に液
滴を好適に濡れ広がらせることが可能となる。
In forming such an
また、開口部45aを形成することで、画素電極41a上に第1隔壁42aと第2隔壁
45によって囲まれた液滴受容部46が形成される。更に、液滴受容部46に対し、O2
プラズマ処理やCF4プラズマ処理等を施し、画素電極41aを親液化、第2隔壁45を
撥液化する。これによりインクジェット法によって吐出された液体材料を液滴受容部46
内に留めると共に、液体材料が液滴受容部46内に好適に濡れ広がらせることが可能とな
る。
Further, by forming the
Plasma treatment, CF 4 plasma treatment, or the like is performed to make the
In addition, the liquid material can be suitably wetted and spread in the
次に、図2に示すように、発光機能層47及び陰極53を形成し、基板10と封止基板
56を封止樹脂(不図示)を介して貼り合わせることにより、有機EL装置1が完成とな
る。ここで、基板10及び封止基板56の間には、封止基板56の内面に水分や酸素を吸
収するゲッター剤55が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素
ガス充填層54となっている。このような構成のもとに、有機EL装置1内部に水分や酸
素が浸透するのが抑制され、これにより有機EL装置1はその長寿命化が図られたものと
なっている。このような有機EL装置1は、発光光を基板10側から取り出す所謂ボトム
エミッション型の有機EL装置となる。更に、封止樹脂の材料としては、第2隔壁45の
材料や層間絶縁膜30の材料と同一の材料を採用することが好ましい。もしくは、同じ有
機材料で形成することが好ましい。このようにすれば、材料間の密着力が向上するととも
に、熱膨張係数も略同一となるので、熱応力や機械的応力に対して安定な構造となる。
Next, as shown in FIG. 2, the light emitting
次に、発光機能層47の各構成、及び陰極53について説明する。
発光機能層47は、画素電極41a側から陰極53に向けて、正孔注入層50と、発光
層51と、電子注入層52が積層された構成とっている。
Next, each structure of the light emitting
The light emitting
正孔注入層50の形成材料としては、特に3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポ
リスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、即ち、分散媒としてのポリス
チレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれ
を水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔注入層50の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のも
のが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチ
レンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散
させたものなどが使用可能である。
As a material for forming the
In addition, as a forming material of the positive
発光層51を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な
公知の発光材料が用いられる。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色の発光層51
を複数の画素電極41a毎に設けることで、フルカラー表示が可能な有機EL装置となる
。
発光層51の形成材料として具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ
)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラ
フェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導
体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる
。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素な
どの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープ
して用いることもできる。
また、赤色の発光層51の形成材料としては例えばMEHPPV(ポリ(3−メトキシ
6−(3−エチルヘキシル)パラフェニレンビニレン)を、緑色の発光層51の形成材料
としては例えばポリジオクチルフルオレンとF8BT(ジオクチルフルオレンとベンゾチ
アジアゾールの交互共重合体)の混合溶液を、青色の発光層51の形成材料としては例え
ばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。また、このような発光層51について
は、特にその厚さについては制限がなく、各色毎に好ましい膜厚が調整されている。
As a material for forming the
By providing for each of the plurality of
Specific examples of the material for forming the
Further, as a material for forming the red
電子注入層52は、発光層51の上に形成されたものである。当該電子注入層52の材
料は、発光層51の各種材料に応じて適宜選択される。具体的な材料としては、アルカリ
金属のフッ化物として、LiF(フッ化リチウム)、NaF(フッ化ナトリウム)、KF
(フッ化カリウム)、RbF(フッ化ルビジウム)、CsF(フッ化セシウム)などや、
あるいはアルカリ金属の酸化物、即ちLi2O(酸化リチウム)、Na2O(酸化ナトリウ
ム)などが好適に用いられる。また、この電子注入層52の厚さとしては、0.5nm〜
10nm程度とするのが好ましい。
The
(Potassium fluoride), RbF (rubidium fluoride), CsF (cesium fluoride), etc.
Alternatively, an alkali metal oxide, that is, Li 2 O (lithium oxide), Na 2 O (sodium oxide), or the like is preferably used. The thickness of the
The thickness is preferably about 10 nm.
陰極53は、電子注入層52の総面積より広い面積を備え、それを覆うように形成され
たもので、電子注入層52上に設けられた低仕事関数の金属からなる第1陰極と、該第1
陰極上に設けられて該第1陰極を保護する第2陰極とからなるものである。第1陰極を形
成する低仕事関数の金属としては、特に仕事関数が3.0eV以下の金属であるのが好ま
しく、具体的にはCa(仕事関数;2.6eV)、Sr(仕事関数;2.1eV)、Ba
(仕事関数;2.5eV)が好適に用いられる。第2陰極は、第1陰極を覆って酸素や水
分などからこれを保護するとともに、陰極53全体の導電性を高めるために設けられたも
のである。この第2陰極の形成材料としては、化学的に安定で比較的仕事関数が低いもの
であれば特に限定されることなく、任意のもの、例えば金属や合金などが使用可能であり
、具体的にはAl(アルミニウム)やAg(銀)などが好適に用いられる。
The
And a second cathode that is provided on the cathode and protects the first cathode. The metal having a low work function for forming the first cathode is preferably a metal having a work function of 3.0 eV or less, specifically, Ca (work function; 2.6 eV), Sr (work function; 2 .1 eV), Ba
(Work function; 2.5 eV) is preferably used. The second cathode is provided to cover the first cathode and protect it from oxygen, moisture, and the like, and to increase the conductivity of the
なお、上記構成の有機EL装置1は、ボトムエミッション型の構造を有しているが、こ
れを限定するものではない。当該有機EL装置1は、封止基板30側から発光光を取り出
す所謂トップエミッション型においても適用可能である。
トップエミッション型の有機EL装置の場合には、基板10の対向側である封止基板3
0側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いるこ
とができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチー
ル等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂などが挙げられる。
In addition, although the organic EL device 1 having the above configuration has a bottom emission type structure, it is not limited thereto. The organic EL device 1 can also be applied to a so-called top emission type in which emitted light is extracted from the sealing
In the case of a top emission type organic EL device, the sealing substrate 3 on the opposite side of the
Since the configuration is such that emitted light is extracted from the 0 side, either a transparent substrate or an opaque substrate can be used. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.
上述したように、本実施形態においては、層間絶縁膜30上に画素電極材料41と第1
隔壁材料42を順に成膜する工程と、画素電極材料41及び第1隔壁材料42をマスクP
Rでパターニングして、画素電極41aと第1隔壁42aを形成する工程と、層間絶縁膜
30上及び第1隔壁42a上に第2隔壁45を形成する工程とを具備するので、画素電極
41aをパターニングするためのレジストマスクと画素電極材料41とが非接触状態に保
たれる。従って、当該レジストマスクの残留物による画素電極41aへの汚染を防止する
ことができる。従って、清浄な表面状態を有する画素電極41a上に正孔注入層50や発
光層51等の発光機能層47を形成できるので、発光機能層47の信頼性が向上し、良好
な有機EL装置1を提供することができる。
As described above, in this embodiment, the
The step of sequentially forming the
The
また、層間絶縁膜30は有機材料からなることが好ましく、この場合には湿式成膜法に
よって層間絶縁膜30を形成することができるので、真空成膜法と比較して、簡素な設備
をによって低製造コストで成膜することができる。また、真空成膜法では厚膜化が難しい
が、湿式成膜法によれば厚膜化を容易に達成できる。
In addition, the
また、第1隔壁材料42を成膜する前に、層間絶縁膜30上に画素電極材料41が形成
されているので、層間絶縁膜30が画素電極材料41によって保護される。従って、プラ
ズマCVD法を用いて第1隔壁材料42を成膜しても、層間絶縁膜30自体がプラズマに
曝されることがないので、当該層間絶縁膜30へのプラズマダメージを防止でき、安定し
て第1隔壁材料42を形成することができる。
また、第1隔壁42aが画素電極41a上のみに形成されることにより、有機材料と接
する画素電極41a及び第1隔壁42aの合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従っ
て、製造プロセス中もしくは完成体の状態にて層間絶縁膜30に応力が発生した場合に、
応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。
In addition, since the
In addition, since the
Since the stress is reduced, the occurrence of breakage or peeling can be suppressed.
また、層間絶縁膜30と第1隔壁42aが非接触に保たれるので、従来技術で問題とな
っていた層間絶縁膜30と第1隔壁42aの接合面における剥離が生じることがない。
また、第2隔壁45の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜30と第
2隔壁45を共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜30と第2隔壁45
の密着性の向上を実現できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が
接触して構成されているので、有機EL装置1の強度向上も実現できる。
Further, since the
In addition, by adopting an organic material as the material of the
It is possible to improve the adhesion. And in the said structure, since the organic material of comparable hardness contacts and is comprised, the intensity | strength improvement of the organic EL apparatus 1 is also realizable.
また、第1隔壁材料42をプラズマCVD等の方法を用いて形成しても、当該プロセス
を行う際には層間絶縁膜30が露出していないので、当該層間絶縁膜30の有機材料がプ
ラズマダメージによってエッチングされることが無く、有機材料のエッチングに伴う製造
装置の汚染を防止できる。
また、従来技術においては、第1隔壁材料42が層間絶縁膜30及び画素電極材料41
からなる複数の層膜上に形成されていたため、当該第1隔壁材料42のエッチング制御性
が困難であったが、本実施形態では第1隔壁42aは画素電極材料41上のみに形成され
るため、良好なエッチング制御性が得られ、面内での第1隔壁42aのエッチングレート
不均一化を抑制できる。
Even if the first
In the prior art, the
However, in the present embodiment, the
また、層間絶縁膜30上に画素電極材料41と第1隔壁材料42を順に成膜してマスク
PRでパターニングするので、画素電極材料41及び第1隔壁材料42の各々の材料をパ
ターニングする必要がなく、工程の簡素化を達成できる。
Further, since the
そして、このような製造方法においては、画素電極41a上に第1隔壁42a及び第2
隔壁45からなる液滴受容部46が形成される。そして、インクジェット法を用いること
により、発光機能層47の液体材料を液滴化して液滴受容部46に吐出し、液滴受容部4
6内に発光機能層47を形成することができる。
In such a manufacturing method, the
A
The light emitting
また、第1隔壁42aの一部を除去して画素電極41aを露出する工程を有するので、
液滴吐出法を用いて発光機能層47の液体材料を画素電極41aに向けて吐出することに
より、電極露出部41bに液体材料を着弾させて、発光機能層47を形成することができ
る。
In addition, since the
By discharging the liquid material of the light emitting
また、第2隔壁45を形成する工程は、基板10上に第2隔壁45の材料を全面に形成
した後に、画素電極41aに対応する部分に開口部45aを形成しているので、画素電極
41aに対応する部分に液滴受容部46を形成することができる。
Further, in the step of forming the
また、電極露出部41bを形成した後に第2隔壁45を形成するので、電極露出部41
b上に第2隔壁45の材料の全面塗布、及び開口部45aの形成が施される。これによっ
て、開口部45aを形成した後に電極露出部41bを確実に露出させることができる。
Further, since the
The entire surface of the material of the
また、第1隔壁材料42上に形成されたマスクPRの形状に応じて画素電極材料41及
び第1隔壁材料42を一括にパターニングして、第1隔壁42a及び画素電極41aを形
成しているので、マスクPRの形状に応じた第1隔壁42a及び画素電極41aを形成す
ることができる。更に、一括パターニングによって第1隔壁42a画素電極41aを形成
するので、工程数の簡略化を達成できる。また、この方法では、第1隔壁42aをマスク
にしないので、画素電極材料41をパターニングする際のウエットエッチング液やエッチ
ングガスは、第1隔壁42a上面と接触することがない。従って、第1隔壁42a上面に
対するウエットエッチング液やエッチングガスの影響を防止できる。
In addition, since the
また、有機EL装置1の製造方法においては、ドライエッチング法を用いて、画素電極
材料41と第1隔壁材料42のパターニングを行い、第1隔壁42a及び画素電極41a
を形成することを特徴としている。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜30
が膨潤しないので、層間絶縁膜30の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマCVD法で第1隔壁材料42を形成した場合に、第1隔壁
42aと層間絶縁膜30が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有してい
たが、本実施形態は成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング(プラ
ズマ処理)を行っているので、上記の膜剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがな
い。
In the method of manufacturing the organic EL device 1, the
It is characterized by forming.
Since the dry etching method is used in this way, the
Does not swell, the generation of stress in the
In the prior art, when the first
また、上記の製造方法によって有機EL装置1を製造することができる。また、有機E
L装置用基板2も製造することができる。これらは、上記の製造方法と同様の効果を奏す
る。
Moreover, the organic EL device 1 can be manufactured by the above manufacturing method. Organic E
The L device substrate 2 can also be manufactured. These have the same effects as the manufacturing method described above.
(有機EL装置の製造方法の第2実施形態)
次に、図4及び図5を参照して、有機EL装置の製造方法の第2実施形態について説明
する。
ここで、図4(a)〜(d)は有機EL装置の製造方法を説明するための工程図、図5
は図4(a)を詳細に説明するための図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の第1実施形態と異なる部分について説明する
。従って同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
(Second Embodiment of Manufacturing Method of Organic EL Device)
Next, a second embodiment of the method for manufacturing an organic EL device will be described with reference to FIGS.
Here, FIGS. 4A to 4D are process diagrams for explaining the method of manufacturing the organic EL device, and FIGS.
These are the figures for demonstrating FIG.4 (a) in detail.
In the present embodiment, parts different from the first embodiment described above will be described. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components to simplify the description.
まず、図4(a)に示すように、基板10上に薄膜トランジスタ20と、層間絶縁膜3
0を形成した後に、画素電極材料41及び第1隔壁材料42を連続して成膜する。更に、
画素電極材料41及び第1隔壁材料42をパターニングすることによって、画素電極41
aと第1隔壁42aを形成する。
ここで、図5を参照し、画素電極材料41と第1隔壁材料42のパターニングについて
詳述する。図5は、図4(a)における層間絶縁膜30、画素電極材料41、及び第1隔
壁材料42の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極41a及び第1隔壁4
2aを形成するまでの工程図である。なお、図5においては、コンタクトホール31が不
図示となっているが、コンタクトホール31は不図示部分において形成されており、当該
コンタクトホール31を介して画素電極材料41とドレイン電極25Dが接続されている
ものとする。
First, as shown in FIG. 4A, a
After forming 0, the
The
a and the
Here, the patterning of the
It is process drawing until 2a is formed. In FIG. 5, the
まず、図5(a)に示すように、第1隔壁材料42上にマスクPRを形成する。
次に、図5(b)に示すように、マスクRRの形状に応じて第1隔壁材料42をエッチ
ングし、第1隔壁42aを形成する。
次に、図5(c)に示すように、マスクRRを除去し、画素電極材料41上に第1隔壁
42aのみを残留させた状態にする。
次に、図5(d)に示すように、第1隔壁42aをマスク(同一形状のマスク)として
、第1隔壁42aの形状に応じて画素電極材料41をエッチングし、画素電極41aを形
成する。
このようにすることで、第1実施形態と同様に画素電極41a及び第1隔壁42aを形
成することができる。
First, as shown in FIG. 5A, a mask PR is formed on the
Next, as shown in FIG. 5B, the first
Next, as shown in FIG. 5C, the mask RR is removed, and only the
Next, as shown in FIG. 5D, the
By doing in this way, the
次に、図4に戻り、有機EL装置の製造方法について引き続き説明する。
図4(b)に示すように、層間絶縁膜30及び第1隔壁材料42上を被覆するように第
2隔壁45を形成する(層間絶縁膜上及び第1隔壁材料上に第2隔壁を形成する工程)。
なお、当該第2隔壁45は、画素電極41aが非露出状態で形成される。
Next, returning to FIG. 4, the method for manufacturing the organic EL device will be described.
As shown in FIG. 4B, the
The
次に、図4(c)に示すように、第1隔壁42aの一部を除去して画素電極41aを露
出し、電極露出部41bを形成する(第1隔壁の一部を除去して第1電極を露出する工程
)。
ここでは、第2隔壁45の開口部45aがマスクとして機能し、当該マスクのパターン
に応じて第1隔壁材料42をエッチングし、電極露出部41bを形成している(第2隔壁
を形成した後に第1電極を露出する工程)。
このような工程によって、電極露出部41bが形成されるだけでなく、隔壁側部42b
が露出する。従って、液滴受容部46が形成される。
Next, as shown in FIG. 4C, a part of the
Here, the
Through such a process, not only the electrode exposed
Is exposed. Accordingly, the
次に、図4(d)に示すように、第2隔壁45を後退させて、開口部45aの開口面積
45bを広げる(第1電極を露出した後に、第2隔壁の開口面積を広げる工程)。
ここで、第2隔壁を後退させるには、公知のエッチング処理が行われる。例えば、エッ
チング液への浸漬や、酸素プラズマ処理が好適である。
このように第2隔壁45を後退させると、第1隔壁上部42cが露出するので、液滴受
容層46内に吐出する液滴を好適に濡れ広がらせることが可能となる。
Next, as shown in FIG. 4D, the
Here, in order to retract the second partition, a known etching process is performed. For example, immersion in an etching solution or oxygen plasma treatment is suitable.
When the
上述したように、本実施形態においては、第2隔壁45をマスクとして、開口部45a
に相当する位置において第1隔壁42aがパターニングされるので、画素電極41aが露
出する。これによって画素電極41aを露出するためだけのマスク、例えば、レジストマ
スクが不要となり、マスクを減らすことができる。従って、製造工程の簡素化を達成でき
る。
As described above, in the present embodiment, the
Since the
また、電極露出部41bを形成した後に、第2隔壁の開口面積45bを広げるので、第
2隔壁45によって被覆されていた第1隔壁上部42cが露出し、当該第1隔壁42aの
露出面積が大きくなる。従って、液滴吐出法を用いて液滴受容部46に発光機能層の液体
材料を塗布形成した場合に、液体材料と第1隔壁42aの接触面積が大きくなる。即ち、
親液性を有する第1隔壁42aに液体材料が好適に濡れ広がり、液体材料と第1電極42
aとの接触を確実に施すことができる。また、第1隔壁42aと第2隔壁45とをパター
ニングする際、レジストマスクを露光するための露光マスクがそれぞれ必要になる。従来
の場合、第1隔壁42aのための露光パターンと第2隔壁45のための露光パターンとを
合わせることにより、第1隔壁上部42cを制御する必要があった。本発明では、レジス
トマスクを用いないため、自己整合的に第1隔壁上部42cを制御することができる。し
たがって、親液性を有する第1隔壁42a及び画素電極41aに液体材料が好適に濡れ広
がり、液体材料と第1電極42aとの接触を確実に施すことができる。
In addition, since the
The liquid material suitably wets and spreads on the
Contact with a can be reliably performed. Further, when patterning the
また、第1隔壁材料42上に形成されたマスクPRに応じて第1隔壁材料42をパター
ニングして第1隔壁42aを形成し、当該第1隔壁42aをマスクとして画素電極材料4
1をパターニングして画素電極41aを形成するので、マスクPRの形状に応じた第1隔
壁42aを形成することができ、第1隔壁42aの形状に応じた画素電極41aを形成す
ることができる。これによって、第1隔壁42aと画素電極41aを同一形状のマスクで
形成することができる。
Further, the first
Since the
なお、上記の第1実施形態及び第2実施形態においては、層間絶縁膜30上に画素電極
41aを形成したが、当該層間絶縁膜30上に、層間絶縁膜30及び画素電極41aの密
着性を向上させる密着性付与膜を形成してもよい。当該密着性付与膜としては、TiやM
o等の金属膜が好適に採用される。このようにすれば、密着性付与膜が層間絶縁膜30と
画素電極41aを確実に密着させるので、有機EL装置1や有機EL装置用基板2の強度
向上を実現できる。
In the first and second embodiments, the
A metal film such as o is preferably employed. In this way, the adhesion-imparting film surely brings the
(電子機器)
次に、上記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図10(a)において、符号
500は携帯電話本体を示し、符号501は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図10(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図10(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードな
どの入力部、符号603は情報処理本体、符号602は有機EL装置を備えた表示部を示
している。
図10(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図10(c)におい
て、符号700は時計本体を示し、符号701は有機EL装置を備えたEL表示部を示し
ている。
図10(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置が備えら
れたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
(Electronics)
Next, an example of an electronic apparatus including the organic EL device according to the above embodiment will be described.
FIG. 10A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 10A,
FIG. 10B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 10B,
FIG. 10C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 10C,
Since the electronic devices shown in FIGS. 10A to 10C are provided with the organic EL device described in the previous embodiment, the electronic devices have excellent display characteristics.
なお、電子機器としては、上記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用す
ることができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメ
ディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーショ
ン(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直
視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、P
OS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
In addition, as an electronic device, it is not restricted to the said electronic device, It can apply to a various electronic device. For example, a desktop computer, a liquid crystal projector, a multimedia personal computer (PC) and an engineering workstation (EWS), a pager, a word processor, a television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic Desktop calculator, car navigation system, P
The present invention can be applied to an electronic device such as an OS terminal or a device provided with a touch panel.
1…有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)、2…有機EL装置用基板(
有機エレクトロルミネッセンス装置用基板)、10…基板、30…層間絶縁膜、41…画
素電極材料(第1電極材料)、41a…画素電極(第1電極)、42…第1隔壁材料(第
1隔壁材料)、42a…第1隔壁(同一形状のマスク)、45…第2隔壁、45a…開口
部、45b…開口面積、47…発光機能層、50…正孔注入層(発光機能層)、51…発
光層(発光機能層)、52…電子注入層(発光機能層)、PR…マスク(同一形状のマス
ク)。
1 ... Organic EL device (organic electroluminescence device), 2 ... Substrate for organic EL device (
Organic electroluminescent device substrate), 10 ... substrate, 30 ... interlayer insulating film, 41 ... pixel electrode material (first electrode material), 41a ... pixel electrode (first electrode), 42 ... first barrier rib material (first barrier rib) Material), 42a ... first partition (mask of the same shape), 45 ... second partition, 45a ... opening, 45b ... opening area, 47 ... light emitting functional layer, 50 ... hole injection layer (light emitting functional layer), 51 ... light emitting layer (light emitting functional layer), 52 ... electron injection layer (light emitting functional layer), PR ... mask (mask of the same shape).
Claims (8)
前記第1電極に直接接して設けられ、1層からなる第1隔壁と、
前記第1隔壁に直接接して設けられ、1層からなる第2隔壁と、
前記第1隔壁及び前記第2隔壁に囲まれた発光機能層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
有機材料からなる層間絶縁膜上に、第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜する工程と、
前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を同一形状のマスクで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、
前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出する工程と、
前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出した後に、前記層間絶縁膜上及び前記第1隔壁材料上に前記第2隔壁を形成する工程と、
を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 A first electrode provided for each pixel ;
A first barrier rib provided in direct contact with the first electrode and having a single layer;
A second partition comprising a single layer provided in direct contact with the first partition;
A manufacturing method of an organic electroluminescent device having a light emitting function layer surrounded by the first partition wall and the second partition wall,
A step of sequentially depositing a first electrode material and a first barrier rib material on an interlayer insulating film made of an organic material;
Patterning the first electrode material and the first barrier rib material for each pixel with a mask having the same shape to form the first electrode having a predetermined shape, and patterning the first barrier rib material for each pixel;
Removing a portion of the first barrier rib material to expose the first electrode;
Forming the second barrier rib on the interlayer insulating film and on the first barrier rib material after removing the first barrier rib material and exposing the first electrode;
The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by comprising.
前記第2隔壁は、前記第1隔壁の前記上部の一部が露出するようにフォトリソグラフィ法で形成されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The first partition has side portions and an upper portion,
7. The organic electro of claim 1, wherein the second barrier rib is formed by a photolithography method so that a part of the upper portion of the first barrier rib is exposed. Manufacturing method of luminescence device.
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