JP4535935B2 - 窒化物半導体薄膜およびその製造方法 - Google Patents
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請求項2に記載の窒化物半導体薄膜は、基板上に形成された、ホウ素を含む第1の窒化物半導体と、該第1の窒化物半導体上に形成され、ホウ素の組成比が、前記第1の窒化物半導体のホウ素の組成比よりも小さい第2の窒化物半導体とを備え、前記第1の窒化物半導体は、側面ファセットを有する複数の島状の結晶が前記基板上に形成され、平均高さが0.1ミクロン以上であり、前記側面ファセットの面方位が{11−20}、{1−100}、{11−22}または{1−101}であることを特徴とする。
12 GaN
13,24,64,84 貫通転位
14 界面付近の窒化物半導体層
22,52,62,82 第1の窒化物半導体
23,53,63,83 第2の窒化物半導体
25,65,85 ハーフループ
86 傾斜層
Claims (9)
- 基板上に形成された、ホウ素を含む第1の窒化物半導体と、
該第1の窒化物半導体上に形成され、ホウ素の組成比が、前記第1の窒化物半導体のホウ素の組成比よりも小さい第2の窒化物半導体とを備え、
前記第1の窒化物半導体と前記第2の窒化物半導体との間の界面は、平均粗さが0.1ミクロン以上であることを特徴とする窒化物半導体薄膜。 - 基板上に形成された、ホウ素を含む第1の窒化物半導体と、
該第1の窒化物半導体上に形成され、ホウ素の組成比が、前記第1の窒化物半導体のホウ素の組成比よりも小さい第2の窒化物半導体とを備え、
前記第1の窒化物半導体は、側面ファセットを有する複数の島状の結晶が前記基板上に形成され、平均高さが0.1ミクロン以上であり、前記側面ファセットの面方位が{11−20}、{1−100}、{11−22}または{1−101}であることを特徴とする窒化物半導体薄膜。 - 前記第1の窒化物半導体のホウ素の組成は、0.001以上0.2以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体薄膜。
- 前記第1の窒化物半導体と前記第2の窒化物半導体とを、少なくとも一組以上さらに積層したことを特徴とする請求項1、2または3に記載の窒化物半導体薄膜。
- 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜。
- 前記基板は、炭素、酸素、硫黄、セレン、テルル、珪素、ゲルマニウム、またはスズのうち、少なくとも1つ以上の元素を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜。
- 前記基板と前記第1の窒化物半導体との間に、組成AlOxNy(0≦x≦1.5、0≦y≦1)の傾斜層が挿入されていることを特徴とする請求項4または5に記載の窒化物半導体薄膜。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜を製造するための窒化物半導体薄膜の製造方法であって、
ホウ素を含む第1の窒化物半導体を、基板上に形成する第1の工程と、
ホウ素の組成比が、前記第1の窒化物半導体のホウ素の組成比よりも小さい第2の窒化物半導体を、前記第1の窒化物半導体上に形成する第2の工程と
を備えたことを特徴とする窒化物半導体薄膜の製造方法。 - 前記窒化物の原料として少なくともボラジン誘導体[B3(CnH2n+1)3N3H3](nは整数)、デカボランのいずれかを用いることを特徴とする請求項8に記載の窒化物半導体薄膜の製造方法。
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