JP4524611B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4524611B2 JP4524611B2 JP2004323214A JP2004323214A JP4524611B2 JP 4524611 B2 JP4524611 B2 JP 4524611B2 JP 2004323214 A JP2004323214 A JP 2004323214A JP 2004323214 A JP2004323214 A JP 2004323214A JP 4524611 B2 JP4524611 B2 JP 4524611B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film forming
- electro
- furnace
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
図3、図4に示すように、LP−CVD装置150は、石英から形成された炉本体151を有している。また、炉本体151の内部151iに、成膜ガス及び後述する不活性ガス等を供給するガス管156が連通されていると共に、内部151iの雰囲気を炉本体151外に排気する排気口157が開口され、この排気口157の下流側に、炉本体151の内部151iを、真空引きするための図示しない減圧ポンプが連通されている。
図4に示すように、待機状態にあるボートベース154は、ヒータ152からの輻射熱の影響を受け難い位置まで下降されている。
Claims (3)
- 成膜炉内において、基板を保持する基板保持部材に前記基板を載置して、減圧化学気相成長法を用いて前記基板に対して薄膜を形成する工程を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板への成膜工程の前工程として、
前記成膜炉内を真空にする工程と、
前記成膜炉内に前記薄膜の形成工程に用いる不活性ガスを導入することで該成膜炉内の圧力を300Torr以上に昇圧する工程と、
前記昇圧する工程の後に前記成膜炉内を該成膜炉の外周に設けられた加熱手段により規定の温度まで昇温する工程と、
前記昇温工程の後に前記成膜炉内を再度真空にする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記基板は、表示領域に複数のスイッチング素子及び画素電極が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置する対向基板との間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置における、前記素子基板と前記対向基板との少なくとも一方の基板を構成する基板であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記不活性ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004323214A JP4524611B2 (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004323214A JP4524611B2 (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006133554A JP2006133554A (ja) | 2006-05-25 |
JP4524611B2 true JP4524611B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=36727154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004323214A Expired - Fee Related JP4524611B2 (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4524611B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102187A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置の製造方法及び減圧化学気相堆積装置 |
JPH10310862A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Canon Inc | 堆積膜製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
JP2000021781A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343780A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | ガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法 |
JP2002343792A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | 膜形成方法及び装置 |
JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、cvd装置、成膜方法、および半導体装置 |
JP2004307324A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Canon Inc | カーボンファイバー、電子放出素子、電子源、画像形成装置、ライトバルブ、二次電池の製造方法 |
-
2004
- 2004-11-08 JP JP2004323214A patent/JP4524611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102187A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置の製造方法及び減圧化学気相堆積装置 |
JPH10310862A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Canon Inc | 堆積膜製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
JP2000021781A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343780A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | ガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法 |
JP2002343792A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | 膜形成方法及び装置 |
JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、cvd装置、成膜方法、および半導体装置 |
JP2004307324A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Canon Inc | カーボンファイバー、電子放出素子、電子源、画像形成装置、ライトバルブ、二次電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006133554A (ja) | 2006-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6815240B2 (en) | Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2004227792A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2017044714A (ja) | 表示装置 | |
US8981519B2 (en) | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate, thin film transistor, semiconductor circuit, liquid crystal display apparatus, electroluminescence apparatus, wireless communication apparatus, and light emitting apparatus | |
JP4524611B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2009258324A (ja) | 表示パネル及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP3821274B2 (ja) | 基板の貼り合わせ装置、並びに貼り合わせ基板及び電子部品の製造方法 | |
US20090115956A1 (en) | Device for cooling lcd panel and heat treatment apparatus having the same | |
JP2007095885A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
CN101097836A (zh) | 粘接装置和用该粘接装置制造有机发光器件的方法 | |
JP2007199345A (ja) | 電気光学装置用基板の処理方法、該処理方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
KR100451730B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 제조설비 및 제조공정 | |
JP2006154166A (ja) | 電気光学装置の貼り合わせ装置及び方法 | |
JP4629800B2 (ja) | プラズマディスプレイ装置の製造装置 | |
TWI253758B (en) | Method of manufacturing electro-optical device and heat treatment device for transparent substrate | |
US20080006878A1 (en) | Attaching device and method of fabricating organic light emmiting device using the same | |
JP2006004707A (ja) | 封止装置、封止方法、有機el装置、および電子機器 | |
JP2005099270A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネルの製造装置 | |
CN114545688B (zh) | 显示面板及配向膜制备方法 | |
KR100989158B1 (ko) | 진공장비의 스테이지 및 이를 이용한 진공장비의스테이지에 기판을 로딩하는 방법 | |
JP3912015B2 (ja) | 液晶注入システム、液晶注入方法および液晶装置の製造方法 | |
US20040165141A1 (en) | [method of forming a liquid crystal panel] | |
KR20070121297A (ko) | 박막 처리 장치 | |
JP2005148214A (ja) | 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法で製造した液晶表示装置、および液晶表示装置を搭載した電子機器 | |
JP2015198157A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電気光学装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060821 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100506 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |