JP2017044714A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル表示装置においても、セルギャップを安定して維持することが可能な基板対の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１樹脂基板１０２と、第１樹脂基板１０２に対向する第２樹脂基板１０４と、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４に挟持される液晶層と、第１樹脂基板１０２及び液晶層の間に配置される第１スパッタ絶縁膜と、第１スパッタ絶縁膜及び液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６と、第２樹脂基板１０４及び液晶層の間に配置される第２スパッタ絶縁膜と、第２スパッタ絶縁膜及び液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第２絶縁膜１２８と、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間に配置され、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔を規定する複数のスペーサとを含む。【選択図】図３

Description

本発明は表示装置に関する。特に、フレキシブル表示装置の基板の構成に関する。

液晶表示装置は、行列状に配置された複数の画素の各々に設けられた画素電極とトランジスタとを含むＴＦＴ基板、カラーフィルタ（ＣＦ）基板、及びそれらの基板の間に液晶層が挟持された構造を有している。画素毎に設けられた画素電極には階調に対応した電圧が印加され、複数の画素に亘って設けられた共通電極には、複数の画素電極に共通した電圧が印加される。液晶分子は、画素電極に印加された電圧と共通電極に印加された電圧とによって生成された電界によって配列が変更され、入射光の偏光方向を変える。

特に、近年は薄いポリイミド（ＰＩ）等の樹脂から成る基板を用いたフレキシブル表示装置が盛んに開発されている。フレキシブル表示装置の製造においては、ガラス基板等の支持基板上に形成したＰＩ膜等の樹脂基板上に、薄膜トランジスタ回路素子及び液晶容量を順次形成したＴＦＴ基板を準備する。他方、別支持基板上に形成したＰＩ膜等の樹脂基板上に、カラーフィルタを形成したＣＦ基板を準備する。これらの基板を貼り合せ、両方の支持基板を剥離し、個片化するすることで、薄いＰＩ樹脂基板を有するフレキシブル表示装置を得る。

液晶表示装置は、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の基板対の間隔（セルギャップ）を一定に維持しなければ画質が低下してしまう。特に、フレキシブル液晶表示装置は、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板共に可撓性を有するフレキシブル基板で構成されているため、セルギャップの維持が困難であり、高画質を達成することができなかった。

この様な問題に対して例えば特許文献１では、プラスチック基板で作製された曲面表示可能な液晶表示素子において、表示領域の中央部においてスペーサが１００μｍピッチ以上に密に形成され、且つ曲げ方向に対する前記表示領域の両端部においてスペーサが２００μｍピッチより疎に形成されていることを特徴とする液晶表示素子が開示されている。

しかしながら、上記従来技術のような構成を有していても、スペーサの両端が接着力を有していなければ、スペーサの高さ以上にセルギャップが広がる方向の力が生じた場合には、セルギャップを一定に維持することは困難である。

特開２０１３−１２５２６１号公報

本発明は上記問題に鑑み、フレキシブル表示装置においても、セルギャップを安定して維持することが可能な基板対の構造及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。

本発明の一態様は、第１樹脂基板と、第１樹脂基板に対向する第２樹脂基板と、第１樹脂基板及び第２樹脂基板に挟持される液晶層と、第１樹脂基板及び液晶層の間に配置される第１スパッタ絶縁膜と、第１スパッタ絶縁膜及び液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第１絶縁膜と、第２樹脂基板及び液晶層の間に配置される第２スパッタ絶縁膜と、第２スパッタ絶縁膜及び液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第２絶縁膜と、第１樹脂基板及び第２樹脂基板の間に配置され、第１樹脂基板及び第２樹脂基板の間隔を規定する複数のスペーサとを含む表示装置である。

本発明の一態様は、第１支持基板上に、可撓性を有する第１樹脂基板を形成し、第１樹脂基板上に、室温において、スパッタ法により第１スパッタ絶縁膜を成膜し、第１スパッタ絶縁膜上に、圧縮応力を有する第１絶縁膜を成膜し、第２支持基板上に、可撓性を有する第２樹脂基板を成膜し、第２樹脂基板上に、室温において、スパッタ法により第２スパッタ絶縁膜を成膜し、第２スパッタ絶縁膜上に、圧縮応力を有する第２絶縁膜を成膜し、第１樹脂基板及び第２樹脂基板の間隔を規定する複数のスペーサを介して、第１樹脂基板及び第２樹脂基板を貼り合わせることを含む表示装置の製造方法である。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 第１樹脂基板及び第２樹脂基板が、支持基板から剥離された後の反りを説明する模式図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

＜第１実施形態＞
［構成］
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１樹脂基板１０２と、第２樹脂基板１０４と、複数の画素１０８と、シール材１１０と、ドライバＩＣ１１２と、端子領域１１４と、接続端子１１６とを有している。

第１樹脂基板１０２には、表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２樹脂基板１０４が設けられている。第２樹脂基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１樹脂基板１０２に固定されている。第１樹脂基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２樹脂基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。

第１樹脂基板１０２には、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２樹脂基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。第１樹脂基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバＩＣ１１２が設けられている。

図２を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図である。

図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、第１樹脂基板１０２と、第２樹脂基板１０４と、液晶層１３４と、第１スパッタ絶縁膜１２２と、第１絶縁膜１２６と、第２スパッタ絶縁膜１２４と、第２絶縁膜１２８と、複数のスペーサ１３２とを含む。

第２樹脂基板１０４は、第１樹脂基板１０２に対向して配置されている。液晶層１３４は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４に挟持されて配置されている。第１スパッタ絶縁膜１２２は、第１樹脂基板１０２及び液晶層１３４の間に配置されている。第１絶縁膜１２６は、第１スパッタ絶縁膜１２２及び液晶層１３４の間に配置されている。第２スパッタ絶縁膜１２４は、第２樹脂基板１０４及び液晶層１３４の間に配置されている。第２絶縁膜１２８は、第２スパッタ絶縁膜１２４及び液晶層１３４の間に配置されている。複数のスペーサ１３２は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間に配置されている。

ここで、第１絶縁膜１２６と第２絶縁膜１２８は、それぞれ圧縮応力を有する。また、複数のスペーサ１３２は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔を規定するために設けられている。

このような構成を有することによって、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４には、両者に挟持された液晶層１３４を押す力が生じる。換言すると、第１樹脂基板１０２には、第２樹脂基板１０４側へ押す力が生じ、第２樹脂基板１０４には、第１樹脂基板１０２側へ押す力が生じる。ここで生じた押す力は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間に配置された複数のスペーサ１３２に印加される。複数のスペーサ１３２と、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４との間には接着力を伴わない。しかし、複数のスペーサ１３２を押す力によって、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔、つまりセルギャップを安定的に維持することができる。

以上のように、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４に挟持された液晶層１３４を押す力が生じる理由について、図３を参照して補足しておく。図３は、後述する製造工程において、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４が、支持基板から剥離された後の反りを説明する模式図である。この図では、第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４を省略している。第１樹脂基板１０２上に配置され、圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６は、面方向に延びようとする応力を有している。ここで、第１絶縁膜１２６の下層の第１樹脂基板１０２及び第１スパッタ絶縁膜１２２が全体として内部応力を有していなければ、第１絶縁膜１２６の圧縮応力が第１樹脂基板１０２（ＴＦＴ基板）の反り量を支配し、図示のような反りが生じる。第１樹脂基板１０４（ＣＦ基板）についても同様である。これによって、複数のスペーサ１３２を介してＴＦＴ基板及びＣＦ基板を貼り合わせた際に、両者に挟持された液晶層１３４を押す力が生じる。

第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４としては、例えば有機樹脂を用いることができる。また、多種の有機樹脂の積層構造としてもよい。有機樹脂としては、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。本実施形態おいては、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４は、ポリイミドを含む基板である。

第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４はスパッタリング法によって形成された絶縁膜である。第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４の材料としては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、又は酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化イットリウム（ＹＯｘ）、酸化タングステン（ＴａＯｘ）等の高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料を用いることもできる。また、それらの積層膜でもよい。また、これらが混合されたスパッタターゲットを用いて成膜されたスパッタ絶縁膜でもよい。成膜方法に起因し、第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４は、例えば第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８に比べて、アルゴン（Ａｒ）を多く含む無機絶縁膜である。含まれるＡｒの量としては、０．１ａｔ％以上である。

第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４を樹脂基板上に成膜する際、スパッタリング法であればＣＶＤ法に比べて基板加熱温度を低く抑えることができる。または加熱が不要である。そのため、成膜時に樹脂層の熱膨張または収縮を防ぐことができる。一般に、樹脂は無機膜と比較して大きな熱膨張率（ＣＴＥ値）を有しているため、樹脂層上に加熱しながら絶縁膜を成膜した場合、成膜後に室温まで基板を冷却した際に、樹脂層には大きな残留応力が発生する問題がある。

第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４を有することによって、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の熱膨張又は収縮による応力を打ち消すことができる。これによって、圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８が、それぞれＴＦＴ基板及びＣＦ基板の反り量を決定し、セルギャップを安定して維持することができる。更に、ＴＦＴや液晶層１３４への水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置１００を提供することができる。

また、第１スパッタ絶縁膜１２２及び第２スパッタ絶縁膜１２４としては、水分に対するバリア性の高い膜であることが好ましい。特に、誘電率の高い（Ｈｉｇｈ−Ｋ）材料ほどバリア性が高いために好ましい。

圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８としては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、又は酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜等を用いることができる。また、これらが積層された構造を有していてもよい。成膜方法については後の製造方法の説明にて詳述するが、プラズマＣＶＤ法を用いることができる。

第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８の圧縮応力の絶対値は、好ましくはそれぞれ２００ＭＰａ以上である。第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８が積層構造を有する場合、全体として上記の圧縮応力の範囲であればよい。この範囲よりも小さいと、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の十分な反り量が得られず、セルギャップを安定的に維持することが困難になる。つまり、外部からの力によって、容易にセルギャップが複数のスペーサ１３２の高さ以上に開いてしまうことが懸念される。

また、第１絶縁層１２６から上層の膜としては、ゲート絶縁膜、層間膜、有機平坦化膜等が積層されるが、これら全体として圧縮応力となる必要がある。特に、有機平坦化膜は引っ張り応力になり易いため、これを打ち消すことができる圧縮応力を第１絶縁層１２６が有する必要がある。ＣＦ基板側も同様である。

尚、第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８の反り量は近い方が好ましく、圧縮応力の絶対値及び絶縁膜の膜厚も可能な限り近い方が好ましい。

第１絶縁膜１２６及び第２絶縁膜１２８の膜厚は、好ましくは５００ｎｍ以上である。この範囲よりも小さいと、前述した好ましい範囲内の反り量を有する絶縁膜を得ることが困難になる。

第１絶縁膜１２６は、第１スパッタ絶縁膜１２２の直上に配置されなくても構わない。第１絶縁膜１２６は、ＴＦＴ基板側において、第１スパッタ絶縁膜１２２の上部に配置されればよい。第２絶縁膜１２８についても同様である。

例えば、当該第１絶縁膜１２６は、複数の画素１０８に各々配置される複数のトランジスタを被覆し、当該第１絶縁膜１２６上には、コンタクトホールを介して当該複数のトランジスタに接続された複数の配線が配置されてもよい。

また、複数の画素１０８に各々配置される複数のトランジスタとして、ボトムゲート型のトランジスタを用いる場合、当該複数のトランジスタのゲート絶縁膜として第１絶縁膜１２６を設けてもよい。圧縮応力を有する第１絶縁層１２６としてはこれに限られず、層間膜や下地絶縁層として用いてもよい。

本実施形態に係る表示装置１００は更に、第２樹脂基板１０４の第１樹脂基板１０２側に、カラーフィルタ層１３０が配置されている。ＣＦ層は、画素１０８毎に設けられた複数のカラーフィルタと、それらを区画する遮光層が配置されている。図示はしないが、更に、カラーフィルタ層１３０を覆うようにオーバーコート層が設けられてもよい。

第１樹脂基板１０２と第２樹脂基板１０４は、シール材１１０によって貼り合わせられている。液晶層１３４は第１樹脂基板１０２と第２樹脂基板１０４との間に挟持され、シール材１１０によって封止されている。

第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４上に、位相差板及び偏光板１３８及び１４０を配置してもよい。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４には、液晶層１３４を押す力が生じる。換言すると、第１樹脂基板１０２には、第２樹脂基板１０４側へ押す力が生じ、第２樹脂基板１０４には、第１樹脂基板１０２側へ押す力が生じる。ここで生じた押す力は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間に配置された複数のスペーサ１３２に印加される。複数のスペーサ１３２によって、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔、つまりセルギャップを安定的に維持することができる表示装置１００を提供することができる。

［製造方法］
図４乃至図８を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図４乃至図８は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。

ＴＦＴ基板の製造方法から説明する。先ず、第１支持基板１０１上に、第１樹脂の材料を塗布し焼成することによって、可撓性を有する第１樹脂基板１０２を形成する（図４（ａ））。第１樹脂基板１０２の材料としては、例えば有機樹脂を用いることができる。有機樹脂としては、例えばポリイミドを用いることができる。また、異なる有機材料の積層構造も用いることができる。本実施形態おいては、第１樹脂基板１０２は、ポリイミドを含む基板である。

第１樹脂基板１０２の形成後、後に個片化される各々の表示装置１００の周囲に、スリット１０２ａをパターニングしてもよい（図４（ｂ））。スリット１０２ａは、第１樹脂基板１０２が感光性樹脂であれば、露光・現像によってパターニングすることができる。第１樹脂基板１０２が感光性樹脂でなければ、ドライエッチング等を用いてパターニングすることができる。

次いで、第１樹脂基板１０２上に、室温において、スパッタリング法により第１スパッタ絶縁膜１２２を成膜する（図４（ｃ））。第１スパッタ絶縁膜１２２としては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、又は酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化イットリウム（ＹＯｘ）、酸化タングステン（ＴａＯｘ）等の高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料を用いることもできる。また、それらの積層膜でもよい。また、これらが混合されたスパッタターゲットを用いて成膜されたスパッタ絶縁膜でもよい。第１スパッタ絶縁膜１２２は、成膜方法に起因し、例えばＣＶＤ法を用いて成膜した膜に比べてアルゴン（Ａｒ）を多く含む無機絶縁膜である。含まれるＡｒの量としては、０．１ａｔ％以上である。また、ネオン（Ｘｅ）やキセノン（Ｘｅ）等の希ガスを用いたスパッタリング法も可能であるため、これらを用いた場合には、これらの元素が比較的多く含まれる無機絶縁膜となる。

第１スパッタ絶縁膜１２２の成膜温度としては室温であることが好ましい。第１樹脂基板１０２として例えばポリイミドを用いた場合、室温より高い温度で成膜するとポリイミドが熱膨張してしまい、成膜後に室温環境に戻されると熱収縮し、第１スパッタ絶縁膜１２２との界面に応力が生じてしまう。これは、ポリイミドの熱膨張係数（ＣＴＥ値）は第１スパッタ絶縁膜１２２のＣＴＥに比べて大きいことによる。ポリイミドのＣＴＥは、組成比にも依るが、５〜４０ｐｐｍ／℃程度であり得る。第１スパッタ絶縁膜１２２としてのＳｉＯｘのＣＴＥは０．５ｐｐｍ／℃程度であり、ＳｉＮｘのＣＴＥは２．５ｐｐｍ／℃程度である。

次いで、第１スパッタ絶縁膜１２２上に、圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６を成膜する（図４（ｄ））。圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６を成膜することは、圧縮応力の絶対値が２００ＭＰａ以上となる条件で成膜する。更に、第１絶縁膜１２６の膜厚としては、５００ｎｍ以上の膜厚として成膜することが好ましい。

圧縮応力を有する第１絶縁膜１２６としては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、又は酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜等を用いることができる。

成膜方法にとしてはプラズマＣＶＤ法を用いることができる。特にシラン（ＳｉＨ４）ガスと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスを用いるプラズマＣＶＤ法によれば、圧縮応力を有する絶縁膜を成膜することができる。圧縮応力を制御するには、それぞれのガス流量及び電力を制御すればよい。例えば、圧縮応力をより増大させるには、ＳｉＨ４ガスの流量比を減少させるか、電力を増大させればよい。

第１絶縁膜１２６の圧縮応力の絶対値は、好ましくは２００ＭＰａ以上である。この範囲よりも小さいと、第１樹脂基板１０２の十分な反り量が得られず、セルギャップを安定的に維持することが困難になる。つまり、外部からの力によって、容易にセルギャップが複数のスペーサ１３２の高さ以上に開いてしまうことが懸念される。

次いで、ＣＦ基板の製造方法について説明する。先ず、第２支持基板１０３上に、第２樹脂の材料を塗布し焼成することによって、可撓性を有する第２樹脂基板１０４を成膜する。第２樹脂基板１０４の材料としては、例えば有機樹脂を用いることができる。有機樹脂としては、例えばポリイミドを用いることができる。本実施形態おいては、第２樹脂基板１０４は、ポリイミドを含む基板である。更に、個片化される各々の表示装置１００の周囲及び表示領域１０６の周囲に、スリット１０４ａをパターニングしてもよい（図５（ａ））。これらはＴＦＴ基板側の第１樹脂基板１０２と同様のため、詳細な説明は省略する。

次いで、第２樹脂基板１０４上に、室温において、スパッタ法により第２スパッタ絶縁膜１２４を成膜する（図５（ｂ））。これはＴＦＴ基板側の第１樹脂基板１０２と同様のため、詳細な説明は省略する。

次いで、第２スパッタ絶縁膜１２４上に、圧縮応力を有する第２絶縁膜１２８を成膜する（図５（ｃ））。圧縮応力を有する第２絶縁膜１２８を成膜することは、圧縮応力の絶対値が２００ＭＰａ以上となる条件で成膜する。更に、第２絶縁膜１２８の膜厚としては、５００ｎｍ以上の膜厚として成膜することが好ましい。これはＴＦＴ基板側の第１樹脂基板１０２と同様のため、詳細な説明は省略する。

次いで、第２樹脂基板１０４上に、カラーフィルタ（ＣＦ）層を配置する（図５（ｄ））。ＣＦ層は、画素１０８毎に設けられた複数のカラーフィルタと、それらを区画する遮光層が配置されている。図示はしないが、カラーフィルタ層１３０を覆うようにオーバーコート層が更に設けられてもよい。オーバーコート層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁膜や窒化シリコン等の無機絶縁膜を用いることができる。

次いで、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の貼り合わせ工程以降について説明する。第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔を規定する複数のスペーサ１３２を介して、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４を貼り合わせる（図６（ａ））。

次いで、支持基板上に形成された複数の表示装置１００を個片化する（図６（ｂ））。ここで、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４には、貼り合わせ前の工程において、各々の表示装置１００の周囲に形成されたスリット１０２ａ及び１０４ａを有する。よって、第１支持基板１０１及び第２支持基板１０３についてのみ、各々の表示装置１００の周囲に沿って分断することによって、複数の表示装置１００に個片化することができる。尚、第１スパッタ絶縁膜１２２、第１絶縁膜１２６、第２スパッタ絶縁、第２絶縁膜１２８等については予めスリットを形成していないが、薄膜のために容易に分断される。

次いで、第１樹脂基板１０２及び前記第２樹脂基板１０４の間に液晶を注入する（図６（ｃ））。液晶層１３４は、第１樹脂基板１０２、第２樹脂基板１０４及びシール材１１０によって密封される。

次いで、第２支持基板１０３を剥離する（図７（ａ））。剥離の方法については、第２支持基板１０３側からエネルギー照射を行うことによって、第２支持基板１０３及び第２樹脂基板１０４の界面付近の第２樹脂基板１０４が気化し、両者の密着力を低下させることによって剥離することができる。エネルギー照射としては、例えばレーザ照射を用いることができる。レーザ照射としては、例えばエキシマレーザを用いることができる。

ここで、第２支持基板１０３の剥離に伴い、第２樹脂基板１０４の端子領域１１４部分が表示装置から分離される。これは、貼り合わせ前の工程において、第２樹脂基板１０４に配置された各々の表示装置１００の端子領域１１４の周囲にスリット１０４ａを形成しておいたことによる。

第２支持基板１０３を剥離した後、第２樹脂基板１０４上に位相差板及び偏光板１４０を貼り合わせてもよい（図７（ｂ））。

次いで、端子領域１１４の接続端子１１６に、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１４２を実装してもよい。また、ドライバＩＣ１１２を実装してもよい。更に、接続端子１１６を覆うように保護材１４４を配置してもよい（図７（ｃ））。

次いで、第１支持基板１０１を剥離する（図８（ａ））。剥離の方法については、前述の第２支持基板１０３と同様であるため、詳細な説明は省略する。

第１支持基板１０１を剥離した後、第１樹脂基板１０２上に位相差板及び偏光板１３８を貼り合わせてもよい（図８（ｂ））。以上の製造工程によって、本実施形態に書かる表示装置１００を得ることができる。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４には、液晶層１３４を押す力が生じる。換言すると、第１樹脂基板１０２には、第２樹脂基板１０４側へ押す力が生じ、第２樹脂基板１０４には、第１樹脂基板１０２側へ押す力が生じる。ここで生じた押す力は、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間に配置された複数のスペーサ１３２に印加される。複数のスペーサ１３２によって、第１樹脂基板１０２及び第２樹脂基板１０４の間隔、つまりセルギャップを安定的に維持することができる表示装置１００を提供することができる。

＜第２実施形態＞
本実施形態に係る表示装置２００の構成を、図９を参照して説明する。図９は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を示す断面図である。

本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、カード基材１４６を有している点で相違している。表示装置１００は、カード基材に封止され、表示領域１０６を除く部分には充填剤１４８が配置されている。このように、第１実施形態に係る表示装置１００を、カード化してもよい。

以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態及び第２実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

１００、２００・・・表示装置、
１０１、１０３・・・支持基板
１０２、１０４・・・樹脂基板、
１０２ａ、１０４ａ・・・スリット、
１０６・・・表示領域、
１０８・・・画素、
１１０・・・シール材、
１１２・・・ドライバＩＣ、
１１４・・・端子領域、
１１６・・・接続端子、
１２２、１２４・・・スパッタ絶縁膜、
１２６、１２８・・・絶縁膜、
１３０・・・カラーフィルタ層、
１３２・・・スペーサ、
１３４・・・液晶層、
１３６・・・封止材
１３８、１４０・・・位相差板及び偏光板
１４２・・・ＦＰＣ
１４４・・・保護材
１４６・・・カード基材
１４８・・・充填剤

Claims (10)

1. 第１樹脂基板と、
   前記第１樹脂基板に対向する第２樹脂基板と、
   前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板に挟持される液晶層と、
   前記第１樹脂基板及び前記液晶層の間に配置される第１スパッタ絶縁膜と、
   前記第１スパッタ絶縁膜及び前記液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第１絶縁膜と、
   前記第２樹脂基板及び前記液晶層の間に配置される第２スパッタ絶縁膜と、
   前記第２スパッタ絶縁膜及び前記液晶層の間に配置され、圧縮応力を有する第２絶縁膜と、
   前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板の間に配置され、前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板の間隔を規定する複数のスペーサとを含む表示装置。
2. 前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜の圧縮応力の絶対値は、それぞれ２００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜の膜厚は、５００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板は、ポリイミドを含む基板であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 第１支持基板上に、可撓性を有する第１樹脂基板を形成し、
   前記第１樹脂基板上に、室温において、スパッタ法により第１スパッタ絶縁膜を成膜し、
   前記第１スパッタ絶縁膜上に、圧縮応力を有する第１絶縁膜を成膜し、
   第２支持基板上に、可撓性を有する第２樹脂基板を成膜し、
   前記第２樹脂基板上に、室温において、スパッタ法により第２スパッタ絶縁膜を成膜し、
   前記第２スパッタ絶縁膜上に、圧縮応力を有する第２絶縁膜を成膜し、
   前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板の間隔を規定する複数のスペーサを介して、前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板を貼り合わせることを含む表示装置の製造方法。
6. 前記圧縮応力を有する第１絶縁膜及び前記圧縮応力を有する第２絶縁膜を成膜することは、それぞれ圧縮応力の絶対値が２００ＭＰａ以上となる条件で成膜することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記圧縮応力を有する第１絶縁膜及び前記圧縮応力を有する第２絶縁膜を成膜することは、それぞれ５００ｎｍ以上成膜することを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板の間に液晶を注入することを更に含む請求項５に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記第１支持基板及び前記第２支持基板を剥離することを更に含む請求項５に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第１樹脂基板及び前記第２樹脂基板は、ポリイミドを含む基板であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。

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