JP4514727B2 - Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 - Google Patents
Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4514727B2 JP4514727B2 JP2006112479A JP2006112479A JP4514727B2 JP 4514727 B2 JP4514727 B2 JP 4514727B2 JP 2006112479 A JP2006112479 A JP 2006112479A JP 2006112479 A JP2006112479 A JP 2006112479A JP 4514727 B2 JP4514727 B2 JP 4514727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- nitride film
- substrate
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、少なくともAlを含むIII族窒化物膜の製造する方法であって、C面サファイア単結晶基板を、還元性の窒素元素を含む雰囲気で表面処理することにより、当該基板の主面上に高さ0.5nm〜5nmの針状構造を形成し、前記主面上において、前記III族窒化物膜を、CVD法を用いて1100℃以上の温度で、前記針状構造を介して形成することを特徴とするIII族窒化物膜の製造方法に関する。
単結晶基板としてC面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。そして、水素ガスを10slmの流量で流しながら前記C面サファイア基板を1150℃まで加熱し、10分間保持して表面をクリーニングした。次いで、アンモニアガス(NH3)1000sccmを全ガス流量が5slm、圧力が20Torrとなるように導入し、0.5分、3分、及び5分間保持して、前記C面サファイア基板の主面に対して表面処理を施した。
NH3を用いた表面処理を行なわず、C面サファイア基板上にAlN膜を上記実施例と同様の条件で直接的に形成した。このようにして得たAlN膜の結晶性を調べたところ、表1に示すような結果が得られた。なお、サンプルによっては、(102)面からのX線回折ピークにおいてピーク***が観察された。
1A 単結晶基板の主面
2 針状構造
5 エピタキシャル成長用基板
Claims (15)
- 少なくともAlを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、
高さが0.5nm〜5nmのAlNからなる針状構造を主面に有するC面サファイア単結晶基板の、前記主面上において、前記III族窒化物膜を、CVD法を用いて1100℃以上の温度で、前記針状構造を介して形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。 - 少なくともAlを含むIII族窒化物膜の製造する方法であって、
C面サファイア単結晶基板を、還元性の窒素元素を含む雰囲気で表面処理することにより、当該基板の主面上に高さ0.5nm〜5nmの針状構造を形成し、
前記主面上において、前記III族窒化物膜を、CVD法を用いて1100℃以上の温度で、前記針状構造を介して形成することを特徴とするIII族窒化物膜の製造方法。 - 前記針状構造の針状部の密度が1個/μm2以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、Alを全III族元素に対して50原子%以上の割合で含有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、AlNから構成されることを特徴とする、請求項4に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、1100〜1250℃で形成することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜のX線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記針状構造は、還元性の窒素元素を含む雰囲気で基板表面処理を加えることにより製造することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記還元性の窒素元素を含む雰囲気がアンモニアガス雰囲気であることを特徴とする、請求項8に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- C面サファイアの単結晶基板と、この単結晶基板の主面上において高さが0.5nm〜5nmのAlNからなる針状構造とを具える、エピタキシャル成長用基板上に形成されたIII族窒化物膜であって、
少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。 - C面サファイアの単結晶基板と、この単結晶基板の主面上において高さが0.5nm〜5nmのAlNからなる針状構造とを具え、かつ前記針状構造の針状部の密度が1個/μm2以上である、エピタキシャル成長用基板上に形成されたIII族窒化物膜であって、
少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。 - 前記III族窒化物膜は、Alを全III族元素に対して50原子%以上の割合で含有することを特徴とする、請求項10または11に記載のIII族窒化物膜。
- 前記III族窒化物膜は、AlNから構成されることを特徴とする、請求項12に記載のIII族窒化物膜。
- 請求項10〜13のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物膜素子用エピタキシャル基板。
- 請求項10〜13のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006112479A JP4514727B2 (ja) | 2001-12-25 | 2006-04-14 | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001390844 | 2001-12-25 | ||
JP2002080745 | 2002-03-22 | ||
JP2006112479A JP4514727B2 (ja) | 2001-12-25 | 2006-04-14 | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002257864A Division JP3831322B2 (ja) | 2001-12-25 | 2002-09-03 | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222449A JP2006222449A (ja) | 2006-08-24 |
JP2006222449A5 JP2006222449A5 (ja) | 2006-11-16 |
JP4514727B2 true JP4514727B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=36984499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006112479A Expired - Lifetime JP4514727B2 (ja) | 2001-12-25 | 2006-04-14 | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4514727B2 (ja) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05144729A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 異種材料成長方法 |
JPH1012555A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 |
JPH10287496A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-27 | Matsushita Electron Corp | 窒化ガリウム結晶の製造方法 |
JP2000286202A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2000315653A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法 |
JP2001144014A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2002008998A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2002029896A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 窒化物半導体の結晶成長方法 |
JP2003045899A (ja) * | 2000-12-07 | 2003-02-14 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子 |
JP2003077841A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板、及びその成長方法 |
JP2003151908A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2005012233A (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-13 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-14 JP JP2006112479A patent/JP4514727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05144729A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 異種材料成長方法 |
JPH1012555A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 |
JPH10287496A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-27 | Matsushita Electron Corp | 窒化ガリウム結晶の製造方法 |
JP2000286202A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2000315653A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法 |
JP2001144014A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2002008998A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2002029896A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 窒化物半導体の結晶成長方法 |
JP2003045899A (ja) * | 2000-12-07 | 2003-02-14 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子 |
JP2005012233A (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-13 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2003077841A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板、及びその成長方法 |
JP2003151908A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006222449A (ja) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7172956B2 (en) | Substrate for semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting element fabrication method | |
US9190268B2 (en) | Method for producing Ga-containing group III nitride semiconductor | |
US8143154B2 (en) | Relaxed InGaN/AlGaN templates | |
EP1335435A2 (en) | Semiconductor Light-Emitting Devices | |
US8134168B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
JP4940670B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子を作製する方法 | |
US7005685B2 (en) | Gallium-nitride-based compound semiconductor device | |
JP3831322B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
KR101008856B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 소자의 제조방법 | |
JP4900336B2 (ja) | Iii族窒化物発光素子を製造する方法、及びiii族窒化物発光素子 | |
JP4624064B2 (ja) | Iii族窒化物半導体積層物 | |
JP4514727B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
JP2006344930A (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2004047867A (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 | |
JP4794799B2 (ja) | エピタキシャル基板及び半導体積層構造 | |
JP2002075880A (ja) | 窒化物系半導体層の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP4107889B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2004165469A (ja) | 半導体素子用基板、半導体素子、及び半導体素子の製造方法 | |
JP2009026956A (ja) | 発光素子、発光素子のための基板生産物、および発光素子を作製する方法 | |
JP2005311396A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060926 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090715 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090810 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090810 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090810 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100115 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4514727 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |