JP4504684B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
本発明はエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置に関する。
背景技術
近年,半導体素子の高密度化,高集積化に相俟って,高アスペクト比を有するホールを形成する必要性が生じている。しかも,形成するホールは,側壁がホールの開口部面に対し略垂直でかつ滑らかとなる適正な形状であることが好ましい。
シリコン層にこのような高アスペクト比を有するホールを形成するには,気密な処理容器内で被処理体を載置する下部電極の温度を例えば60℃以下に設定し,HBrガス,NF3ガスおよびO2ガスの混合ガス,またはHBrガス,SF6ガスおよびO2ガスの混合ガスを処理ガスとして用い,処理容器内の圧力を150mTorr以下に設定してエッチング処理を行う方法がある。
また別の方法として,特開平6−163478号公報に開示されているように,気密な処理容器内でHBrガス,SiF4ガス,SF6ガス,およびHeガスを含むO2ガスの混合ガスを処理ガスとして用い,処理容器内の圧力を50〜150mTorrに設定し,電界に対して垂直な100Gauss以下の磁場を与えてエッチングを行う方法がある。
ところが,上記第1の方法では,エッチングの際にマスクとして用いられるシリコン酸化膜に対する,被エッチング材であるシリコンのエッチング速度の比で表されるエッチング選択比(以下,単にエッチング選択比という)が十分でなく,必要なマスクの残量を確保しつつ,シリコンに深いホールを形成することが困難であった。
また,特開平6−163478号公報では,1〜120μmまでの幅の溝(トレンチ)の形成については開示されている。しかしながら,1μm以下(例えば0.2μm程度)の微細なホール径(又は溝幅)を持つホール(又は溝)の形成については,開示されていない。
本発明は,従来のエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,シリコン層に,高アスペクト比を有する微少なホール(又は溝)を,適正な形状に形成することが可能な,新規かつ改良されたエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置を提供することである。
発明の開示
上記課題を解決するため,本発明のある観点によれば,気密な処理容器内で,予めパターニングされたマスクを用いてHBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方又はいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングする方法であって,被処理体が載置される下部電極に第1周波数の第1高周波電力と,第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力とを印加するエッチング方法が提供される。
また,上記第1周波数は27.12MHz以上であり,第2周波数は3.2MHzであることが好ましい。気密な処理容器内には,電界に垂直な水平磁場,例えば強度が被処理体中心部で170Gauss以上の水平磁場が形成されるように構成してもよい。
また,上記下部電極の温度は70℃以上250℃以下,処理容器内の圧力は150mTorr以上500mTorr以下とすることができる。また,処理ガスの流量は,HBrガスが100〜600sccm,O2ガスが2〜60sccm,SiF4ガスが2〜50sccmとしてもよい。またSF6ガスを用いる場合にはその流量を1〜60sccmとしてもよく,NF3ガスを用いる場合にはその流量を2〜80sccmとしてもよい。
また,エッチングによって形成されるホール又は溝のアスペクト比は,30以上が可能である。予めパターニングされたマスクは,少なくともシリコン酸化膜層を含むことが好ましい。さらに,マスクの肩部エッチング量に対する被エッチング材料であるシリコン層のエッチング量の比(エッチング選択比)は6以上とすることができる。かかる方法によれば,シリコン層に,例えばホール径(ホールの直径)又は溝幅が1μm以下の,高アスペクト比を有するホール又は溝を,適正な形状に形成することが可能である。
上記課題を解決するため,本発明の別の観点によれば,気密な処理容器内で,予めパターニングされたマスクを用いてHBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方又はいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングする際に,被処理体が載置される下部電極に第1周波数の第1高周波電力と,その第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力とを印加するエッチング方法であって,シリコン層の上部を漏斗形状にエッチングする第1の工程と,第1の工程に続いて残りのシリコン層を,断面が被処理体表面に対して略垂直な平滑面となるようにエッチングする第2の工程とを有するエッチング方法が提供される。
また,上記第2の工程は,第1の工程よりも第2高周波電力を増大させて行うことができる。また,第2の工程は,さらに複数の工程により行われるようにしてもよい。第2の工程に含まれる複数の工程においては,第2高周波電力およびO2ガスの流量が各工程により異なるようにしてもよい。特に,第2の工程に含まれる複数の工程は,後工程ほどO2ガスの流量を増加させることが好ましい。かかる方法によれば,形成されるホール又は溝の形状をより適正に制御することが可能になる。
上記課題を解決するため,本発明の別の観点によれば,気密な処理容器内で,予めパターニングされたマスクを用いてHBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方又はいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングするプラズマエッチング処理装置であって,被処理体が載置される下部電極に第1周波数の第1高周波電力と,第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力とが印加されるように構成したプラズマエッチング処理装置が提供される。
ここで,第1周波数は27.12MHz以上であり,第2周波数は3.2MHzとするのが好ましい。また,気密な処理容器内には,電界に垂直な水平磁場が形成されることが好ましく,その強度は被処理体中心部で170Gauss以上とすることができる。下部電極の温度は70℃以上250℃以下,処理容器内の圧力は150mTorr以上500mTorr以下であることが好ましい。
上記課題を解決するため,本発明の別の観点によれば,気密な処理容器内で,予めパターニングされたマスクを用いてHBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方又はいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングするプラズマエッチング処理装置であって,被処理体が載置される下部電極に周波数13.56MHzの高周波電力を印加し,気密な処理容器内には,電界に垂直で,強度が被処理体中心部で170Gauss以上水平磁場が形成され,下部電極の温度は70℃以上250℃以下,処理容器内の圧力は150mTorr以上500mTorr以下であるプラズマエッチング処理装置が提供される。
このような構成によれば,シリコン層に,ホール径又は溝幅が1μm以下で,高アスペクト比のホールを,適正な形状で形成することが可能である。
なお,本明細書において,1mTorrは(10−3×101325/760)Pa,1sccmは(10−6/60)m3/secとする。
発明を実施するための最良の形態
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかるエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(第1の実施の形態)
図1は,本発明の1実施の形態にかかるプラズマエッチング装置100の構成を示す概略断面図である。図1に示すように,プラズマエッチング装置100の処理容器102は,例えば表面に陽極酸化処理を施して酸化アルミニウム膜が形成されたアルミニウムから成るとともに,接地されている。
処理容器102内には,被処理体,例えば半導体ウエハWを載置する,サセプタを兼ねた下部電極104が配置されている。下部電極104は,昇降軸(図示せず)により上下動自在である。
下部電極104の側面下部の部分には,絶縁材となる石英部材105と,ベローズ109に接触する導電部材107が形成されている。ベローズ109は,例えばステンレスからなり,処理容器102に接触している。これにより,導電部材107は,ベローズ109及び処理容器102を介して接地されている。さらに,石英部材105及び導電部材107及びベローズ109を囲うように,ベローズカバー111が設けられている。
下部電極104の載置面には,高圧直流電源108に接続された静電チャック110が設けられている。フォーカスリング112は,静電チャック110を囲うように配置されている。
下部電極104には,整合器116を介して,2系統の高周波電源,すなわち第1高周波電源118及び第2高周波電源138が接続されている。第1高周波電源118の周波数(第1周波数という)は,第2高周波電源138の周波数(第2周波数という)よりも高く設定される。このように2系統の高周波電力を与え,それらの電力をそれぞれ独立して制御することにより,形成されるホールの側壁が曲線状に削れるボーイング現象を防止するなど,形状をより適正に制御することが可能になる。
上記第1周波数としては例えば27.12MHz以上とするのが好ましい。特に処理空間に磁場がない場合には27.12MHz以上とするのが好ましい。但し,磁石130などを設けた場合のように処理空間に磁場がある場合には後述するように第1周波数を13.56MHzとしてもよい。これは上記磁場によりプラズマ密度を高くしてシリコンのエッチングレートを大きくできるからである。上記第2周波数としては例えば3.2MHzに設定するのが好ましい。
また,処理容器102の上部には,処理容器102を介して接地された上部電極124が備えられている。上部電極124には,処理ガスを導入する多数のガス吐出孔126が設けられ,ガス供給源(図示せず)に接続されており,処理空間122内に処理ガスが供給される。
処理容器102の外部には,処理空間122に水平な磁場を与える磁石130が配置されている。磁石130により例えば被処理体中央部で170Gaussの磁場が処理空間122に形成される。このように磁石130による磁場が170Gauss以上の場合には,高周波電源は,たとえば13.56MHzの単一構成としてもよい。
処理容器102の下部には,真空ポンプなどの排気系(図示せず)に接続された排気孔128が設けられ,処理容器102内を所定の真空度に保つことができるように構成されている。
次に,図1及び図2を参照しながら,上記プラズマエッチング装置100の動作について説明する。図2は,エッチング前の被処理体200の構成を示す概略断面図である。
図2に示すように,被処理体200には,例えば直径が200mmの半導体ウエハWを用い,表面にフォトリソグラフィ工程により直径200nmのホール形状がパターニングされたレジスト層202を形成しておく。レジスト層202の下層には,例えばCVD酸化膜であるシリコン酸化膜層(SiO2膜)204が約700〜2200nmの厚さで形成されている。そのシリコン酸化膜層204の下層には,シリコン窒化膜層(SiN膜)206が約200nmの厚さで形成されている。そのシリコン窒化膜層206の下層には,ゲート絶縁膜であるシリコン熱酸化膜層(SiO2膜)208が,数nm以下の厚さで形成されている。
このように構成された被処理体200において,レジスト層202をマスクとして,予めシリコン酸化膜層204,シリコン窒化膜層206およびシリコン熱酸化膜層208に対して,エッチング処理により所定のパターニングを施す。その後,レジスト層202を除去する。これにより,シリコン酸化膜層204及びシリコン窒化膜層206は,シリコン(Si)層210をエッチングするためのマスクとなる。
上記のように,所定のパターニングを施されたシリコン酸化膜層204及びシリコン窒化膜層206をマスクとして備えた被処理体を,被処理体搬入口(図示せず)より処理容器102内に搬入し,下部電極104上に載置する。その状態で排気口128から真空ポンプ(図示せず)により処理容器102内を排気した後,ガス供給源(図示せず)からガス吐出口126を介して処理ガスを処理容器102内に導入する。
上記処理ガスとしては,HBrガス,O2ガス,SiF4ガスに,SF6ガス又はNF3ガスを加えた混合ガスを使用した。処理ガスの流量は,例えばHBrガスが100〜600sccm,O2ガスが2〜60sccm,SiF4ガスが2〜50sccm,SF6ガスを用いる場合1〜60sccm,NF3ガスを用いる場合2〜80sccmである。これら処理ガスの流量の詳細については,下部電極104の載置面,上部電極124,及び処理容器102の内壁面の温度などと共に後述する。
上記処理ガスを所定の流量に,各部の温度を所定の温度に設定した状態で,処理容器102内の圧力を所定の値(例えば200mTorr,詳しくは後述する)に設定する。また下部電極104には,第1高周波電源118から第1周波数を有する第1高周波電力を整合器116を介して印加するとともに,第2高周波電源138から第2周波数を有する第2高周波電力を整合器116を介して印加する。
上記第1周波数は,上述したように27.12MHz以上とするのが好ましいので,ここでは第1周波数は40.68MHzに設定する。第2周波数は,3.2MHzに設定する。また第1高周波電源118の電力の大きさは例えば600〜1500W,高周波電源138の電力の大きさは例えば500〜1200Wとする。
このように2系統の異なる周波数を有する高周波電力を供給することで,SiF4ガスの解離を促進し,より効率よくエッチングすることが可能になる。上記動作により,被処理体にエッチング処理が施される。
次に,図2〜図6,図7を参照しながら,第1の実施の形態にかかるエッチング条件について説明する。なお第1の実施の形態にかかるエッチング条件は,ホール径0.18μmのホールを形成する場合の例である。
図3はエッチング後の被処理体300を示す概略断面図(シリコン熱酸化膜層208は図示せず)であり,図4は各パラメータの圧力依存性を示す図である。図5は各パラメータの下部電極温度依存性を示す図であり,図6は各パラメータのSiF4ガス添加効果を示す図である。図7はシリコン酸化膜層のエッチングレートのSiF4ガス流量依存性を示す図である。
図3に示すように,被処理体300は,シリコン酸化膜層204及びシリコン窒化膜層206(以下まとめてマスク材ともいう)をマスクとして,ホール径(ホールの直径)がR1のホールを形成するためにエッチングされる。そのマスク材およびシリコン酸化膜層204の初期の厚さはD3およびD6である。
本実施の形態にかかるエッチングは,複数の工程により行われる。まずエッチングを行うシリコン層210(図2)の表面に自然酸化などで生じたシリコン酸化膜層を除去する,いわゆるブレークスルー(“B.T”ともいう)と呼ばれる工程を行う。
次に,深さD1の部分を上が広く,下が細くすぼまって穴になっているホール形状,例えば漏斗形状にエッチングするための第1の工程(表中“1−1,1−2”と記述する)を行う。上記深さD1は例えば1.5μmである。ここで,第1の工程がさらに2工程に細分されているのは,ホールの形状を適正に保つため,エッチング条件を変化させているからである。
続いて,残りのシリコン層210の深さD2部分をエッチングする第2の工程を行う(表中“2−1,2−2,…,2−6”と記述する)。ここで,第2の工程がさらに6工程に細分されているのは,ホールの形状を適正に保つため,エッチング条件を変化させているからである。
上記工程により,被処理体300には,ホール径R1,深さD4を有するホールが形成されることになる。このとき,初期状態で厚さD6であったシリコン酸化膜層204は,ホール入口の肩部で,厚さD5(シリコン酸化膜マスク残量ともいう)となる。ここで,肩部のエッチング選択比はD4/(D6−D5)で表される。
次に,処理室内圧力を変化させてエッチング処理を行った場合の実験結果に基づいて,例えばシリコン酸化膜マスク残量D5,エッチング選択比,ホールの深さD4,アスペクト比(D4/R1)といった各パラメータについての処理容器102内の圧力依存性を図4を参照しながら検討する。図4(a)は,シリコン酸化膜マスク残量D5の処理容器102内の圧力依存性を示しており,同図(b)はエッチング選択比の処理容器102内の圧力依存性を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれの処理容器102内の圧力依存性を示している。
ここでは,表1−1に示す第1のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表1−1では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第1のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,60℃,120℃とする。また,記号(*)は,処理容器内圧力を200〜250mTorrまで徐々に変化させてエッチング処理を行ったことを示す。例えば処理容器内圧力を200mTorr,225mTorr,250mTorrに変えてエッチング処理を行う。
上記エッチング条件では,ホールが深くなるとシリコンのエッチング速度が低下するので,第2の工程は第1の工程に比べ高周波電源138の出力を増大させて,プラズマ中のイオンのエネルギーを増大させ,エッチングレートの低下を防いでいる。特に工程2−2〜2−6の,後側の工程で徐々に出力を増加させている。さらに,後工程になるほどO2ガスの流量を増加させて,マスク材の上部に保護膜の堆積を促進することでエッチング選択性を保持している。なお,第2の工程で,高周波電源138の出力増大とO2ガスの増加を同時に行うことが好ましい。
このエッチング条件で記号(*)の処理容器内圧力を200〜250mTorrまで変化させると,図4(b),(C)に示すように,エッチング選択比,ホールの深さD4,アスペクト比は共に,圧力の増加に伴って増加する。エッチング選択比は6以上,アスペクト比は少なくとも30以上とすることが可能である。
一方,シリコン酸化膜マスク残量D5は,処理容器内圧力が変わっても変化しない。よって,上記条件下における処理容器内の圧力は高い方がよいと考えられる。ところが,圧力が高すぎると,反応生成物が排気されにくくなり堆積物となるため,エッチングが促進されなくなって,シリコンのエッチングレートが低下する。これらのことを考慮すれば,上記条件下における処理容器内の圧力は実用的な範囲として150mTorrから500mTorrが好ましく,さらに150mTorrから350mTorrがより好ましい。
次に,下部電極104の温度を変化させてエッチング処理を行った場合の実験結果に基づいて,各パラメータについての下部電極104の温度依存性を図5を参照しながら検討する。図5(a)はシリコン酸化膜マスク残量D5の下部電極104の温度依存性を示しており,同図(b)はエッチング選択比の下部電極104の温度依存性を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれの下部電極104の温度依存性を示している。
ここでは,表1−2に示す第2のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表1−2では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第2のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,60℃,120℃をベースとし,下部電極温度を70℃から120℃に変化させてエッチング処理を行った。例えば70℃,90℃,120℃と変化させる。
表1−2における第2のエッチング条件は,下部電極温度が120℃のものである。なお,他の下部電極温度(70℃,90℃)の場合には,ホールの深さD4及びアスペクト比が一定になるようにO2ガスの流量を調整している。図5(a)〜図5(c)に示すように,下部電極温度を高くするとシリコン酸化膜マスク残量D5及びエッチング選択比は共に上昇する。ここで,シリコン酸化膜マスク残量D5は大きい方が好ましい。具体的には例えば200nm以上であることが好ましい。
また,下部電極温度の下限は,シリコン酸化膜マスク残量D5が大きく,エッチング選択比が6以上の範囲という観点によれば,約70℃が好ましい(図5(b)参照)。一方,下部電極温度の上限は,下部電極温度が高くなると半導体ウエハ面内のエッチングの均一性が低下するので,約250℃が好ましい。さらに上記エッチングの面内均一性が±5%程度,悪くても±10%以下となるようにするには,下部電極温度の上限は,150℃程度がより好ましい。なお,シリコン酸化膜マスク残量D5としては,エッチングされる量を考慮して,その必要十分な厚さのシリコン酸化膜層を形成しておくことにより,例えば200nm以上を確保できる。
次に,SiF4ガスを添加しない場合と添加した場合についてエッチング処理を行った場合の実験結果に基づいて,各パラメータについてのSiF4ガス添加の効果を図6を参照しながら検討する。図6(a)はシリコン酸化膜マスク残量D5のSiF4ガス添加の効果を示しており,同図(b)はエッチング選択比のSiF4ガス添加の効果を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれのSiF4ガス添加の効果を示している。
ここでは.表1−3に示す第3のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表1−3では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第3のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,60℃,70℃とする。
表1−3のSiF4ガスの欄において,0/20とあるのは,第2の工程でSiF4ガスを添加しない場合にはその流量を0sccmとし,第2の工程でSiF4ガスを添加する場合にはその流量を20sccmとすることを示す。第3のエッチング条件では,図6(a)〜図6(c)に示すように,SiF4ガスを添加すると,ホールの深さD4及びアスペクト比がほぼ一定であるのに対し,シリコン酸化膜マスク残量D5及びエッチング選択比は,増加することが分かる。
次に,SiF4ガスの添加量を徐々に変えてエッチング処理を行った場合における酸化膜のエッチングレートとSiF4ガス添加量との関係を図7に示す。図7(a)はSiF4ガス添加量を0〜30sccmとしたときのエッチングレート(nm/min)の具体的な値を示しており,図7(b)はエッチングレート(nm/min)をプロットしたグラフを示す。
図7によれば,マスク材であるシリコン酸化膜層204のエッチングレートは,SiF4ガスを少量添加すると著しく減少することがわかる。またSiF4ガスの添加量は約2〜50sccmが好ましい。さらにSiF4ガスを約10〜30sccm添加すると少なくとも2分の1以下に低下する。これにより,エッチング選択比は2倍以上になる。よって,フッ素系ガスとしてSiF4ガスを約10〜30sccm混合させることがより好ましい。
また,被処理体が載置される下部電極104に周波数13.56MHzの高周波電力を印加し,処理容器内には,電界に垂直で,強度が被処理体中心部で170Gauss以上の水平磁場を形成し,下部電極104の温度は70℃以上150℃以下とし,処理容器内の圧力は150mTorr以上350mTorr以下とするプラズマエッチング装置においても上記と同様な処理が可能である。
次に,SF6ガスの代わりにNF3ガスを含む混合ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングした場合について検討する。ここでは,表1−4に示す第4のエッチング条件によりエッチング処理を行った。なお,第4のエッチング条件において上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ−80℃,60℃,75℃とする。上部電極と下部電極との間の距離は27mmとする。
上記条件で直径135nmのホール形状のマスクの下層のシリコン(Si)層をエッチングしたところ,エッチングレート755nm/min,ホールの深さ8.21μm,アスペクト比56.2という結果であった。上記のように,SF6ガスの代わりにNF3ガスを含む混合ガスを用いてエッチング処理を行っても,高アスペクト比を有するホールを,側壁が曲面状になることなく形成することが可能である。
このように,第1の実施の形態にかかるエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置によれば,シリコン層にホール径約0.2μmで,深さ8μm以上の,30以上の高アスペクト比を有するホールを,適正な形状にエッチングにより形成することが可能である。また,エッチング条件を上述したような好ましい範囲で適宜選択することにより,よりよいエッチング形状,エッチングレートなどを実現できる。
次に,本発明の第2の実施の形態にかかるプラズマ処理装置100によるエッチング方法について図8〜図11を参照しながら説明する。第2の実施の形態におけるエッチング処理は,下部電極104に印加する第1周波数を27.12MHzとした場合の例である。なお,第2の実施の形態においてエッチング処理により形成するホールは,図2,図3に示すものと同様である。ここでは第1の実施の形態と同様にホール径0.18μmのホールを形成する場合の例を示す。
図8〜図11は,第2の実施の形態におけるエッチング処理によって得られた実験結果である。図8〜図11はそれぞれ第1の実施の形態における図4〜図7に対応している。具体的には,図8は各パラメータの処理容器内の圧力依存性を示す図であり,図9は各パラメータの下部電極温度依存性を示す図である。図10は各パラメータのSiF4ガス添加効果を示す図であり,図11はシリコン酸化膜層のエッチングレートのSiF4ガス流量依存性を示す図である。なお,第2の実施の形態におけるエッチング処理についても第1の実施の形態の場合と同様の工程で行われるため,その詳細な説明は省略する。第2の実施の形態では,第1工程と第2工程はさらなる細分化はしていない。
先ず,処理室内圧力を変化させてエッチング処理を行った場合の実験結果に基づいて,各パラメータの処理容器102内の圧力依存性を図8を参照しながら検討する。図8(a)は,シリコン酸化膜マスク残量D5の処理容器102内の圧力依存性を示しており,同図(b)はエッチング選択比の処理容器102内の圧力依存性を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれの処理容器102内の圧力依存性を示している。
ここでは,表2−1に示す第5のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表2−1では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第5のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,80℃,80℃とする。また,記号(*)は,処理容器内圧力を200〜250mTorrまで変化させてエッチング処理を行ったことを示す。例えば処理容器内圧力を200mTorr,250mTorrに変えてエッチング処理を行う。
上記第5のエッチング条件では,ホールが深くなるとシリコンのエッチング速度が低下するので,第2の工程は第1の工程に比べ高周波電源138の出力を増大させて,プラズマ中のイオンのエネルギーを増大させ,エッチングレートの低下を防いでいる。
第5のエッチング条件で記号(*)の処理容器内圧力を200〜250mTorrまで変化させると,図8(b),(C)に示すように,エッチング選択比,ホールの深さD4,アスペクト比は共に,圧力の増加に伴って増加する。エッチング選択比は6以上,アスペクト比は少なくとも30以上が可能であることはもちろん,エッチング選択比は15以上,アスペクト比は約40以上とすることも可能である。
一方,シリコン酸化膜マスク残量D5は,処理容器内圧力が変わってもほとんど変化しない。よって,上記条件下における処理容器内の圧力は高い方がよいと考えられる。ところが,圧力が高すぎると,反応生成物が排気されにくくなり堆積物となるため,エッチングが促進されなくなって,シリコンのエッチングレートが低下する。これらのことを考慮すれば,第1の実施の形態と同様に上記条件下における処理容器内の圧力は実用的な範囲として150mTorrから500mTorrが好ましく,さらに150mTorrから350mTorrがより好ましい。
次に,下部電極104の温度を変化させてエッチング処理を行った実験結果に基づいて,各パラメータについての下部電極104の温度依存性を図9を参照しながら検討する。図9(a)はシリコン酸化膜マスク残量D5の下部電極104の温度依存性を示しており,同図(b)はエッチング選択比の下部電極104の温度依存性を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれの下部電極104の温度依存性を示している。
ここでは,表2−2に示す第6のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表2−2では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第6のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,80℃,80℃をベースとし,下部電極温度を60℃〜80℃に変化させてエッチング処理を行った。例えば60℃,80℃と変化させる。
上記第6のエッチング条件は,下部電極温度が80℃のものである。なお,他の下部電極温度(60℃,80℃)の場合には,ホールの深さD4及びアスペクト比が一定になるようにO2ガスの流量を調整している。図9(a)〜図9(c)に示すように,下部電極温度を高くするとシリコン酸化膜マスク残量D5及びエッチング選択比は共に上昇する。ここで,シリコン酸化膜マスク残量D5は大きい方が好ましい。具体的には例えば200nm以上であることが好ましい。
また,下部電極温度の下限は,シリコン酸化膜マスク残量D5が大きく,エッチング選択比が6以上の範囲という観点によれば,約70℃が好ましい(図9(b)参照)。一方,下部電極温度の上限は,下部電極温度が高くなると半導体ウエハ面内のエッチングの均一性が低下するので,約250℃が好ましい。さらに上記エッチングの面内均一性が±5%程度,悪くても±10%以下となるようにするには,下部電極温度の上限は,150℃程度がより好ましい。なお,シリコン酸化膜マスク残量D5としては,エッチングされる量を考慮して,その必要十分な厚さのシリコン酸化膜層を形成しておくことにより,例えば200nm以上を確保できる。
次に,SiF4ガスを添加しない場合と添加した場合についてエッチング処理を行った場合の実験結果に基づいて,各パラメータについてのSiF4ガス添加の効果を図10を参照しながら検討する。図10(a)はシリコン酸化膜マスク残量D5のSiF4ガス添加の効果を示しており,同図(b)はエッチング選択比のSiF4ガス添加の効果を示している。同図(c)はホールの深さD4及びアスペクト比(D4/R1)それぞれのSiF4ガス添加の効果を示している。
ここでは,表2−3に示す第7のエッチング条件によりエッチング処理を行った。表2−3では各工程ごとにエッチング条件を示している。なお,第7のエッチング条件において,上部電極温度,処理容器内壁温度,下部電極温度はそれぞれ,80℃,60℃,60℃とする。
表2−3のSiF4ガスの欄において,0/5とあるのは,第2の工程でSiF4ガスを添加しない場合には流量0sccmとし,第2の工程でSiF4ガスを添加する場合には流量を5sccmとすることを示す。第7のエッチング条件では,図10(a)〜図10(c)に示すように,SiF4ガスを添加すると,ホールの深さD4及びアスペクト比がほぼ一定であるのに対し,シリコン酸化膜マスク残量D5及びエッチング選択比は,増加することが分かる。
次に,SiF4ガスの添加量を徐々に変えてエッチング処理を行った場合における酸化膜のエッチングレートとSiF4ガス添加量との関係を図11に示す。図11(a)はSiF4ガス添加量を0〜30sccmとしたときのエッチングレート(nm/min)の具体的な値を示しており,図11(b)はエッチングレート(nm/min)をプロットしたグラフを示す。
図11によれば,マスク材であるシリコン酸化膜層204のエッチングレートは,SiF4ガスを少量添加すると減少する傾向がある点で,図7に示す場合と同様である。またSiF4ガスの添加量は約2〜50sccmが好ましく,約2〜35sccmがより好ましい。さらにSiF4ガスを約10〜30sccm添加すると約2分の1以下まで低下する。これにより,エッチング選択比は約2倍以上になる。よって,第2の実施の形態においてもフッ素系ガスとしてSiF4ガスを約10〜30sccm混合させることが好ましく,約10〜25sccm混合させることがより好ましい。
このように,第2の実施の形態にかかるエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置によっても,シリコン層にホール径約0.2μmで,深さ8μm以上の,30以上の高アスペクト比を有するホールを,適正な形状にエッチングにより形成することが可能である。また,エッチング条件を上述したような好ましい範囲で適宜選択することにより,よりよいエッチング形状,エッチングレートなどを実現できる。
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかるエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば,本発明においては,エッチングによりウエハのシリコン層にホールを形成する場合について説明したが,エッチングによりウエハ上に溝を形成する場合に適用してもよい。ウエハ上に(例えばシリコン層に)溝を形成する場合にもホールを形成する場合と同様の効果が得られる。なお,ウエハ上に溝を形成する場合には,上述したホール径は,溝幅に相当する。
また,本発明においては,被処理体のシリコン層をエッチングする場合に,HBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガス又はNF3ガスを加えた処理ガスを用いた場合を説明したが,必ずしもこれに限られることはなく,HBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方を加えた混合ガスを含む処理ガスを用いてもよい。
このような構成の本発明によれば,気密な処理容器内で,予めパターニングされたシリコン酸化膜層を含むマスクを用いてHBrガス,O2ガス,SiF4ガスに,SF6ガスおよびNF3ガスのいずれかを加えた混合ガスにより,被処理体が載置される下部電極に異なる周波数の2系統の高周波電力を印加するようにしたので,シリコン層にホール径(又は溝幅)が例えば1μm以下で,30以上の高アスペクト比を有するホール(又は溝)を,適正な形状に形成することが可能なエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置が提供できる。
産業上の利用の可能性
本発明はエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置に適用可能であり,特にアスペクト比の大きいホール又は溝をシリコン層に形成するためのエッチング方法及びプラズマエッチング処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
図1は,本発明の第1の実施形態にかかるプラズマエッチング装置の構成を示す概略断面図である。
図2は,第1の実施形態におけるエッチング前の被処理体の構成を示す概略断面図である。
図3は,第1の実施形態におけるエッチング後の被処理体の構成を示す概略断面図である。
図4は,第1の実施形態における各パラメータの圧力依存性を示す図である。
図5は,第1の実施形態における各パラメータの下部電極温度依存性を示す図である。
図6は,第1の実施形態における各パラメータのSiF4ガス添加効果を示す図である。
図7は,第1の実施形態におけるシリコン酸化膜層のエッチングレートのSiF4ガス流量依存性を示す図である。
図8は,本発明の第2の実施形態における各パラメータの圧力依存性を示す図である。
図9は,第2の実施形態における各パラメータの下部電極温度依存性を示す図である。
図10は,第2の実施形態における各パラメータのSiF4ガス添加効果を示す図である。
図11は,第2の実施形態におけるシリコン酸化膜層のエッチングレートのSiF4ガス流量依存性を示す図である。
Claims (4)
- 気密な処理容器内で,予めパターニングされたマスクを用いてHBrガス,O2ガスおよびSiF4ガスに,SF6ガスとNF3ガスの両方又はいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスにより,被処理体のシリコン層をエッチングする際に,前記被処理体が載置される下部電極に第1周波数の第1高周波電力と,前記第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力とを印加するエッチング方法であって,
前記シリコン層の上部を漏斗形状にエッチングする第1の工程と,
前記第1の工程に続いて残りのシリコン層を,断面が被処理体表面に対して略垂直な平滑面となるようにエッチングする第2の工程と,を有し、
前記第2の工程は,前記第1の工程よりも前記第2高周波電力を増大させて行うことを特徴とするエッチング方法。 - 前記第2の工程は,さらに複数の工程により行われることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記第2の工程に含まれる複数の工程においては,前記第2高周波電力およびO2ガスの流量が各工程により異なることを特徴とする請求項2に記載のエッチング方法。
- 前記第2の工程に含まれる複数の工程は,後工程ほど前記O2ガスの流量を増加させることを特徴とする請求項3に記載のエッチング方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI758669B (zh) * | 2018-12-17 | 2022-03-21 | 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司 | 電容耦合電漿蝕刻設備 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488999B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2010-06-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP2007116031A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2009085672A2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | Fabrication of a silicon structure and deep silicon etch with profile control |
US8173547B2 (en) * | 2008-10-23 | 2012-05-08 | Lam Research Corporation | Silicon etch with passivation using plasma enhanced oxidation |
US9018098B2 (en) * | 2008-10-23 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Silicon etch with passivation using chemical vapor deposition |
JP5203340B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8633116B2 (en) | 2010-01-26 | 2014-01-21 | Ulvac, Inc. | Dry etching method |
JP2012142495A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
TWI666975B (zh) * | 2011-10-05 | 2019-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 對稱電漿處理腔室 |
US8492280B1 (en) | 2012-05-07 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Method for simultaneously forming features of different depths in a semiconductor substrate |
JP6516603B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-05-22 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP6726610B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2020-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理システム |
CN114715849B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-05-23 | 贵州省化工研究院 | 一种以四氟化硅为原料电场极化水解制备氟化氢方法及装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04346829A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-12-02 | Applied Materials Inc | 高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムおよび方法 |
JPH06338476A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH09186141A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11135489A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Denso Corp | 半導体のエッチング方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2734915B2 (ja) * | 1992-11-18 | 1998-04-02 | 株式会社デンソー | 半導体のドライエッチング方法 |
KR100324792B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
US6008139A (en) * | 1996-06-17 | 1999-12-28 | Applied Materials Inc. | Method of etching polycide structures |
US6127278A (en) * | 1997-06-02 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Etch process for forming high aspect ratio trenched in silicon |
US6743727B2 (en) * | 2001-06-05 | 2004-06-01 | International Business Machines Corporation | Method of etching high aspect ratio openings |
-
2002
- 2002-12-25 JP JP2003557037A patent/JP4504684B2/ja not_active Expired - Fee Related
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-
2004
- 2004-06-25 US US10/875,961 patent/US20050014372A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04346829A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-12-02 | Applied Materials Inc | 高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムおよび方法 |
JPH06338476A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH09186141A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11135489A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Denso Corp | 半導体のエッチング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI758669B (zh) * | 2018-12-17 | 2022-03-21 | 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司 | 電容耦合電漿蝕刻設備 |
US11670515B2 (en) | 2018-12-17 | 2023-06-06 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China | Capacitively coupled plasma etching apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050014372A1 (en) | 2005-01-20 |
AU2002367178A1 (en) | 2003-07-15 |
TW200301522A (en) | 2003-07-01 |
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