JP4499180B1 - 液晶プロジェクタ用基板、およびこれを用いた液晶プロジェクタ用液晶パネル、液晶プロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板本体2と、前記基板本体2上に積層された積層膜3とを有する液晶プロジェクタ用基板1であって、前記積層膜3が前記基板本体2側から順に高屈折率膜3(H)と低屈折率膜3(L)とが交互に3層ずつ計6層積層されたものであり、かつ前記積層膜3の膜厚が155nm以上250nm以下であるもの。
【選択図】図1
Description
本発明の液晶プロジェクタ用基板1は、後述するように液晶プロジェクタ用液晶パネル(以下、単に液晶パネルという)において液晶を介して配置される一対の基板のうち、電圧を印加することにより液晶を配向する表示電極が形成される基板(主基板)に対向するようにして配置される基板(対向基板)となるものである。
基板本体としての厚さ1.2mmの石英基板上に、以下に示すような方法により高屈折率膜としての酸化タンタル膜と、低屈折率膜としての酸化シリコン膜とを交互に3層ずつ計6層積層して積層膜を形成した。なお、積層膜における基板本体側から1層目〜6層目となる各屈折率膜の膜厚は表1に示す通りとした。その後、この積層膜の基板本体側とは反対側の表面に以下に示すような方法により膜厚が20nmのITO膜を形成し、液晶プロジェクタ用基板を製造した。
真空槽内にスパッタターゲットとしてのTaターゲットをカソード上に設置し、真空槽を2.0×10−3Pa以下となるまで排気した後、スパッタガスとして酸素ガス60sccmとアルゴンガス140sccmとを導入した。このときの圧力は3.0×10−1Paであった。この状態で、DCパルス電源を用いて反応性スパッタを行うことにより、真空槽内に設置した被処理体としての石英基板あるいは順次積層膜が形成されたものに酸化タンタル膜を形成した。
真空槽内にスパッタターゲットとしてのSiターゲットをカソード上に設置し、真空槽を2.0×10−3Pa以下となるまで排気した後、スパッタガスとしてアルゴンガス210sccmと酸素ガス190sccmとを導入した。このときの圧力は3.4×10−1Paとなった。この状態で、AC電源を用いて反応性スパッタを行うことにより、真空槽内に設置した被処理体としての石英基板に順次積層膜が形成されたものに酸化シリコン膜を形成した。
スパッタリング法により形成した。
実施例1と同様な石英基板上に、高屈折率膜と低屈折率膜とからなる積層膜を形成せずに、膜厚が20nmのITO膜を直接形成して液晶プロジェクタ用基板を製造した。
実施例1と同様にして石英基板上に高屈折率膜(酸化タンタル膜)と低屈折率膜(酸化シリコン膜)とを交互に2層ずつ計4層積層して積層膜を形成した後、膜厚が20nmのITO膜を形成して液晶プロジェクタ用基板を製造した。なお、積層膜における基板本体側から1層目〜4層目となる各屈折率膜の膜厚は表1に示す通りとした。
実施例1と同様にして石英基板上に高屈折率膜(酸化タンタル膜)と低屈折率膜(酸化シリコン膜)とを交互に積層し、3層の高屈折率膜と2層の低屈折率膜とからなる計5層の積層膜を形成した後、膜厚が20nmのITO膜を形成して液晶プロジェクタ用基板を製造した。なお、積層膜における基板本体側から1層目〜5層目となる各屈折率膜の膜厚は表1に示す通りとした。
積層膜の各屈折率膜の膜厚を表2に示すようなものとした以外は実施例1と同様にして実施例2、3の液晶プロジェクタ用基板を製造した。なお、実施例2の液晶プロジェクタ用基板は主として積層膜における2層目の屈折率膜を20nmとし、他の屈折率膜の膜厚を調整したものであり、実施例3の液晶プロジェクタ用基板は主として積層膜における2層目の屈折率膜を70nmとし、他の屈折率膜の膜厚を調整したものである。このような実施例2、3の液晶プロジェクタ用基板について、実施例1と同様にして透過率の評価を行った。結果を図7に示す。
積層膜の各屈折率膜の膜厚を表3に示すようなものとした以外は実施例1と同様にして実施例4、5の液晶プロジェクタ用基板を製造した。なお、実施例4の液晶プロジェクタ用基板は主として積層膜における5層目の屈折率膜を30nmとし、他の屈折率膜の膜厚を調整したものであり、実施例5の液晶プロジェクタ用基板は主として積層膜における5層目の屈折率膜を130nmとし、他の屈折率膜の膜厚を調整したものである。このような実施例4、5の液晶プロジェクタ用基板について、実施例1と同様にして透過率の評価を行った。結果を図8に示す。
Claims (12)
- 基板本体と、前記基板本体上に積層された積層膜と、前記積層膜の前記基板本体側とは反対側の表面に設けられたITO膜とを有する液晶プロジェクタ用基板であって、
前記積層膜が前記基板本体側から順に屈折率が1.9以上2.5以下の高屈折率膜と屈折率が1.2以上1.5以下の低屈折率膜とが交互に3層ずつ計6層積層されたものであり、かつ前記積層膜の膜厚が155nm以上250nm以下、前記積層膜における前記基板本体側から1層目となる屈折率膜の膜厚が5nm以上25nm以下、2層目となる屈折率膜の膜厚が15nm以上75nm以下、3層目となる屈折率膜の膜厚が5nm以上45nm以下、4層目となる屈折率膜の膜厚が5nm以上35nm以下、5層目となる屈折率膜の膜厚が25nm以上135nm以下、6層目となる屈折率膜の膜厚が40nm以上55nm以下であり、波長が450nm、550nm、および650nmの光の透過率が92%以上であることを特徴とする液晶プロジェクタ用基板。 - 前記高屈折率膜は、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、および酸化ハフニウムの中から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記低屈折率膜は、酸化シリコン、およびフッ化マグネシウムの中から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1または2記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記積層膜における前記基板本体側から6層目となる屈折率膜の前記基板本体側とは反対側の表面の表面粗さが0.5nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記積層膜における前記基板本体側から2層目となる屈折率膜と5層目となる屈折率膜との計2層の膜厚の合計が60nm以上165nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記積層膜における前記基板本体側から奇数層目となる計3層の高屈折率膜の膜厚の合計が60nm以上155nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記積層膜における前記基板本体側から偶数層目となる計3層の低屈折率膜の膜厚の合計が80nm以上155nm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記ITO膜の膜厚が10nm以上30nm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 波長が400nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の最大値と最小値との差で表される変動値が4%以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 前記基板本体が石英基板であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板。
- 対向して配置される一対の基板と、前記一対の基板間に配置される液晶とを有する液晶プロジェクタ用液晶パネルであって、
前記基板の一方が請求項1乃至10のいずれか1項記載の液晶プロジェクタ用基板であることを特徴とする液晶プロジェクタ用液晶パネル。 - 被投影物に投影するための画像情報を形成する液晶パネルを有する液晶プロジェクタであって、
前記液晶パネルが請求項11記載の液晶プロジェクタ用液晶パネルであることを特徴とする液晶プロジェクタ。
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