JP4495853B2

JP4495853B2 - スパッタリングターゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置

Info

Publication number: JP4495853B2
Application number: JP2000366979A
Authority: JP
Inventors: 部洋一郎矢; 上隆石; 邊光一渡; 辺高志渡; 阪泰郎高; 崎修山
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-12-01
Filing date: 2000-12-01
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2020-12-01
Also published as: JP2002173766A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングターゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置に関するものである。更に詳しくは、本発明は、ダストの発生が有効に防止されたスパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶表示装置に代表される電子部品工業は急速に進捗しつつあり、２５６ＭビットＤＲＡＭ、ロジック、フラッシュメモリー等に代表される半導体素子においては、高集積化・高信頼性・高機能化が進むにつれて、電極や配線を形成する際の微細加工技術に要求される精度も益々高まりつつある。それにつれ、製造工程においてダストの発生を低減する必要が求められている。特に、スパッタリング工程では、スパッタリング時に発生した０．２μｍ程度の微細なダストでもそれが形成された薄膜中に混入すると素子の歩留まりに悪影響を及ぼすので、ダストを発生させないスパッタリングターゲットが望まれている。
【０００３】
一般に、工業的に行われているスパッタとしては効率の良いマグネトロンスパッタ法が主流になっており、その原理から、スパッタリングターゲット材にはエロージョン部と非エロージョン部が存在し、スパッタ面のエッジ部分や側面部分は非エロージョン部になる。スパッタリング装置内においてスパッタリングターゲット材からスパッタされた粒子は、半導体基板に正常に到達するものと、周辺に飛び装置内の基板外の部分に付着するもの、更には再びスパッタリングターゲットに戻ってスパッタリングターゲットに付着するもの（再付着膜）が有る。スパッタリングターゲットに戻って付着するもののうち、非エロージョン部に付着した粒子は再びスパッタされることが無いために次第に膜状に蓄積されることになるが、スパッタの進行が進むにつれそれが剥がれ脱落する事もダスト発生の要因になると言われている。
【０００４】
図１は、従来の一般的なマグネトロンスパッタリング装置を模式的に示す図である。同図において、２０はスパッタリングターゲットである。このスパッタリングターゲット２０は、スパッタリングターゲット材２１およびこのスパッタリングターゲッ材２１を固定し支持するためのバッキングプレート２２とからなっている。このバッキングプレート２２には冷却水流路（図示せず）が設けられていて、ここを流通する冷却水によってバッキングプレート２２およびスパッタリングターゲット材２１が冷却されるようになっている。
【０００５】
上記のスパッタリングターゲット２０の下方にはアースシールド２３が設けられており、その下方にはさらに上部防着板２４および下部防着板２５が配置されている。被成膜試料である基板２６は、スパッタリングターゲット２０と対向配置するように、被成膜試料保持部であるプラテンリング２７に保持されている。これらの各部材は真空容器（図示せず）の内部に配置されており、この真空容器にはスパッタリングガスを導入するためにガス供給系（図示せず）およびこの真空容器内を所定の真空状態まで排気する排気系（図示せず）とが接続されている。
【０００６】
図１のスパッタリングターゲット装置には、上記のスパッタリングターゲット材２１と基板２６との間に電界Ｅが印加されている。そして、スパッタリングターゲット２０の上方には、電界Ｅと直交する形でマグネット２８が設けられており、これによりスパッタリングターゲット材２１の表面に磁界Ｍが生じるようになっている。
【０００７】
このように構成されてなるスパッタリング装置では、磁界と電界との作用によって電子がサイクロン運動を起こし、スパッタリングターゲット材２１のスパッタ面内と磁界Ｍ内に高密度のプラズマが生じ、磁界Ｍに囲まれたスパッタリングターゲット面にエロージョンが進展していく。
【０００８】
この図１において、Ａ部のようなスパッタリングターゲットのスパッタ面端部、側面部、バッキングプレート端部など、磁界Ｍがかからない部分はスパッタされずエロージョンされないために、その部位にはスパッタされた粒子が付着し、それがスパッタ処理の回数に応じ層状に蓄積されることになる。これらの付着粒子はスパッタリング処理中、特にスパッタリングターゲットのターゲットライフ後期、において、ダストとして剥がれ脱落することがあった。
【０００９】
また、図２に示されるような、バッキングプレート２２にスパッタリングターゲット材２１が押え治具２９によって固定されるスパッタリングターゲット２０である場合には、スパッタリングターゲット材２１とバッキングプレート２２との接合部からダスト発生し、そのダストが基板上に脱落することがあった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このようなメカニズムでスパッタリングターゲットから発生するダストの防止策としては、非エロージョン部の表面粗さをエロージョン部より粗くすることによって、付着粒子の脱落を防止するもの（例えば、特開平６−３０６５９７号公報）、非エロージョン部にブラスト粒子を打ち込んで、アンカー効果で付着粒子の剥離を防止するもの（例えば、特開平９−１７６８４３号公報）など、様々な剥離防止対策が採られている。
【００１１】
しかし、これまでのダスト低減策はある一定の効果は認めれられるものの、ターゲットライフ近くまでスパッタリングが進行するにつれ、ダストが増加する傾向があった。特に、スパッタリングターゲットの側面部および段付き部の剥離防止は困難であった。
【００１２】
また、使用する装置によっては、装置側にバッキングプレートが設置されており、センターキャップ及び押えリングなどの押え治具によってターゲット材を支持するものがある。このようなものは、スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとの熱膨張特性が違うことによって、スパッタ時と非スパッタ時との間の温度変化によりスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとの界面でこすれが生じて、ダストが発生することがある。
【００１３】
本発明は、このような課題に対処するために発明されたものであり、スパッタリングターゲット材からのダストの発生を効果的に防止することが可能なスパッタリングターゲット及びそれを具備したスパッタリング装置を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、スパッタリングターゲットの非エロージョン部に付着した付着膜の剥離原因を鋭意研究したところ、付着膜の剥離は、スパッタ時と非スパッタリング時に付着膜にかかる熱によるストレスの差異によって発生することが分かった。すなわち、スパッタリングターゲット材はスパッタ時に非常に高温になるため、通常はバッキングプレートに冷却水を流しながら使用する。非スパッタリング時にも冷却水は引き続き流れるため、スパッタリングターゲット材は急激に温度降下が進む。非エロージョン部も同様であり、そこに付着した膜は熱応力の変化によりストレスを受けて剥離しやすくなるのである。
【００１５】
本発明のスパッタリングターゲットは、バッキングプレートと一体的に配置して使用されるスパッタリングターゲット材、またはスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとが接合一体化してなるスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット材の該バッキングプレートとの接合面側の外縁部が該バッキングプレートと接触しない形状及び／又は該バッキングプレートの該スパッタリングターゲット材との接合面側の外縁部が該スパッタリングターゲット材と接触しない形状を有することを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明によるスパッタリング装置は、真空容器と、該真空容器内に設置される被成膜試料保持部と、該真空容器内に該被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部を具備するスパッタリング装置において、該ターゲット部は、上記に記載のスパッタリングターゲットを具備することを特徴とするものである。
【００１７】
上記のように、スパッタリングターゲット材の外縁部をバッキングプレートと接触させないことによって外縁部の冷却を抑制して、非スパッタ時における外縁部の熱降下を緩やかにすることで、付着膜の応力変化を緩和し、ダストの発生を抑えることができる。
【００１８】
また、スパッタリングターゲット材の外縁部は、外縁部もバッキングプレートと接触しているときに比べて、スパッタ中も温度が上昇しているため、この結果、付着膜の密着強度が強くなり、スパッタ後期でも膜剥離によるダスト発生を抑えることができる。
【００１９】
また、スパッタリング装置側にバッキングプレートが設置され、センターキャップや押えリング等の押え治具でスパッタリングターゲット材を支持するスパッタ装置の場合には、上記理由にさらにスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとの接合面長を減少させることにより両者間のこすれ量を低減してダストの発生自体を抑制するとともに、仮にダストが発生したとしてもそのダストが基板上に脱落するのを防止することができる。
【００２０】
さらに、上記のスパッタリングターゲットを使用することによりスパッタリング装置全体においてもダストの発生を抑えることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明によるスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット材のバッキングプレートとの接合面側の外縁部がバッキングプレートと接触しないように形成されてなること、を特徴とするものである。
以下、本発明によるスパッタリングターゲットを図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図３および図４は、本発明のスパッタリングターゲットの実施態様の一例の構造を示す断面図である。図３および図４において、２は円盤状のスパッタリングターゲット材である。このスパッタリングターゲット材２には、このスパッリングターゲット材２を保持および冷却するためのバッキングプレート５が接合一体化されてスパッタリングターゲット１を構成している。そして、図３に示されるようにスパッタリングターゲット材２の外縁部３が切り欠かれることにより、あるいは図４に示されるようにバッキングプレート５の外縁部６が切り欠かれることにより、スパッタリングターゲット材２のバッキングプレート５との接合面側の外縁部３がバッキングプレート５と接触しないように形成されている。
【００２３】
このように、スパッタリングターゲット材２の外縁部３はバッキングプレート５と接触していないので、外縁部３はバッキングプレート５との接触部分４に比べて、その冷却が抑制されている状態にある。従って、外縁部３は、非スパッタ時の熱降下が緩やかになっている。このことによって、外縁部３では、スパッタ時と非スパッタ時との温度変化が抑制され、温度変化による熱応力の変化が緩和されている。よって、付着膜の脱落によるダストの発生が有効に防止されている。
【００２４】
そして、この外縁部３は、スパッタ時においても、接触部分４に比べて温度が高くなっている。このことによって、従来よりも付着膜の密着強度が向上している。
【００２５】
このように、スパッタ時と非スパッタ時との温度変化が抑制されていることによって付着膜の応力変化が緩和されていること、および付着膜の密着強度が向上していることにより、付着膜が剥離しずらくなっている。よって、付着膜の脱落によるダストの発生が有効に防止されている。
【００２６】
スパッタリングターゲット材２とバッキングプレート５との非接触面積（即ち、外縁部３の面積）は、スパッタリングターゲット材２のスパッタ面の面積に対し、１０％以上であれば有効であるが、２０％以上であればさらに効果があり、３５％以上である場合にはさらに効果が顕著になる。
【００２７】
外縁部３におけるスパッタリングターゲット材２とバッキングプレート５との最小の間隔（即ち、切り欠き部の高さ）は、スパッタリングターゲット材２が使用時に若干反り、接触する可能性を見込んで０．５ｍｍ以上あれば十分である。
【００２８】
スパッリングターゲット材２とバッキングプレート５との接合一体化は、ろう接や拡散接合（固相接合）などによって行ってもよく、適当な押え治具を使用して行ってもよい。押え治具を使用する後者の方法は、スパッリングターゲット材２とバッキングプレート５とを着脱とすることが容易である。
【００２９】
図５は、本発明のスパッタリングターゲットの実施態様の他の断面構造を示すものであって、スパッタリングターゲット材２が押え治具（具体的にはセンターキャップ）７によってバッキングプレート５に着脱可能に取り付けられたものである。
【００３０】
以上のような本発明によるスパッタリングターゲット１は、スパッタリングターゲット材２の外縁部３をバッキングプレート５と接触させないようにし、かつスパッタリングターゲット材２とバッキングプレート５との接合面長および接合面積を制限することにより、スパッタリングターゲット材２とバッキングプレート５との熱膨張特性の違いに起因する両者間のこすれを緩和してダストの発生自体を抑制するとともに、仮にダストが発生したとしてもそのダストがを切り欠き部内に保持してダストが基板上に脱落するのを防止すことができるものである。
【００３１】
本発明でのスパッタリングターゲット材２の構成材料は特に限定されるものではなく、スパッタリングターゲットの使用目的に応じて数々の単体金属材料、合金材料、金属化合物材料などが使用される。スパッタリングターゲット材２の構成材料の具体例としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、ＧｅおよびＦｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは上記した金属元素を含む合金または化合物が挙げられる。
【００３２】
バッキングプレート５は、スパッタリングターゲット２の支持部材であると共に、イオン衝撃（スパッタ熱）によるスパッタリングターゲット２の温度上昇を抑制する冷却部材としての機能を有するものである。このため、バッキングプレート５の構成材料には、熱伝導率が高い無酸素銅やアルミニウム合金などを用いるのが好ましい。
【００３３】
本発明によるスパッタリングターゲットは、例えばスパッタリングターゲット材またはバッキングプレートを、前記スパッタリングターゲット材のバッキングプレートとの接合面側の外縁部分がバッキングプレートと接触しないように切り欠いたのち、前記スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを接合一体化、あるいはバッキングプレートと一体的に配置する方法によって製造することができる。
【００３４】
また、本発明において、欠き部の形状は任意であって、例えば図６（ａ）〜図６（ｃ）に示されるように、スパッタリングターゲット材２の外縁部３とバッキングプレート５との間隙が連続的にあるいは段階的に変化しているものでも良い。
【００３５】
具体的には、図６（ａ）はスパッタリングターゲット材２の外縁部３において、最外縁部から内部に向けての順次バッキングプレート５との距離が大きくなる切り欠き形状を有する構成、図６（ｂ）はスパッタリングターゲット材２の外縁部３においてバッキングプレート５との距離が他の部位より大きくなる切り欠き形状を有する構成、さらに図６（ｃ）はスパッタリングターゲット材２の外縁部３において、最外縁部から内部に向けてバッキングプレート５との距離を一定とし内部において順次その距離が小さくなる切り欠き形状を有する構成である。上記構成に限らず、各種の構成を採用する事が可能である。
【００３６】
上記説明においては、スパッタリングターゲット材またはバッキングプレートのいずれかの外縁部を切り欠き形状にすることについて説明したが、スパッタリングターゲット材およびバッキングプレートの両方の外縁部を切り欠き形状としてもよい。
【００３７】
本発明においては、上記円盤状のスパッタリングターゲット材に限らず、正方状、直方状などの各種形状のスパッタリングターゲットに適用することが可能である。
【００３８】
そして、本発明は、上記スパッタリングターゲットを、例えば図１に示すような、真空容器と、該真空容器内に設置される被成膜試料保持部と、該真空容器内に該被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部を具備するスパッタリング装置に適用することにより、ダストの発生を抑えることが可能なスパッタリングターゲット装置を得ることができるのである。
【００３９】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材の外縁部のうちバッキングプレートと一体的に配置した際に接触する部分を図５のように高さ１ｍｍ、幅１０ｍｍ（スパッタ面面積の約１５％）で切り欠き形状に加工した。
【００４０】
＜実施例２＞
直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材の側面部のうちバッキングプレートと一体的に配置した際に接触する部分を図５のように高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍ（スパッタ面面積の約４８％）で切り欠き形状に加工した。
【００４１】
ダスト測定結果
上記の実施例１および実施例２で得たＴｉスパッタリングターゲットを用い、図１に示すスパッタリングターゲット装置側に組み込まれた６０６１系のＡｌ合金製バッキングプレートに押え治具により固定し、一体的に配置し、スパッタ圧：４×１０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流５Ａ、アルゴン流量１５ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃｍの条件で、φ６インチのＳｉウェハー上にマグネトロンスパッタを行い、Ｔｉ膜を成膜した。この条件で、１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を、表１に示す。
比較例１として、切り欠き加工を施していないＴｉスパッタリングターゲットを同条件でスパッタし、１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を併せて表１に示す。
【００４２】
【表１】

上記の表１から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたってのダストの発生が少なく優れている。
【００４３】
＜実施例３＞
直径３１３ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤でスパッタ面を仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材の外縁部のうちバッキングプレートと接合する部分を図３のように高さ１ｍｍ、幅１０ｍｍ（スパッタ面積の約１２．４％）で切り欠き形状に加工した。このＴｉスパッタリングターゲット材と６０６１系のＡｌ合金からなるバッキングプレートを拡散接合により接合一体化してスパッタリングターゲットを得た。
【００４４】
＜実施例４＞
直径３１３ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤でスパッタ面を仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材の外縁部のうちバッキングプレートと接合する部分を図３のように高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍ（スパッタ面積の約３９．７％）で切り欠き形状に加工した。このＴｉスパッタリングターゲット材と６０６１系のＡｌ合金からなるバッキングプレートを拡散接合により接合一体化してスパッタリングターゲットを得た。
【００４５】
ダスト測定結果
上記の実施例３および実施例４で得たＴｉスパッタリングターゲットを用い、図１に示すスパッタリング装置（装置側にはバッキングプレートなし）を組み込み、スパッタ圧：４×１０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流５Ａ、アルゴン流量１５ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃｍの条件で、φ６インチのＳｉウェハー上にマグネトロンスパッタを行い、Ｔｉ膜を成膜した。この条件で、１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ薄膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を、表２に示す。
比較例２として、切り欠き加工をしていないバッキングプレートとＴｉターゲットとを同条件で接合およびスパッタし、１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を併せて表２に示す。
【００４６】
【表２】

上記の表２から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたってのダストの発生が少なく優れている。
【００４７】
＜実施例５＞
直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材を一体的に載置するための図７（ａ）に示される形状の６０６１系のＡｌ合金製のバッキングプレートに、高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍの切り欠き溝をＴｉスパッタリングターゲット材の外縁部形状に合わせて成形（本実施例の場合は、外径２５０ｍｍ、内径２３０ｍｍの切り欠き溝、スパッタ面積の約１５．３％）とした。
【００４８】
＜実施例６＞
直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材を一体的に載置するための図７（ａ）に示される形状の６０６１系のＡｌ合金製のバッキングプレートに、高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍの切り欠き溝をＴｉスパッタリングターゲット材の外縁部形状に合わせて成形（本実施例の場合は、外径２５０ｍｍ、内径１８０ｍｍの切り欠き溝、スパッタ面積の約４８．１％）とした。
【００４９】
ダスト測定結果
上記の実施例５および実施例６で得たスパッタリングターゲットを、図１に示すスパッタリング装置に組み込んだ後、これらのバッキングプレートに直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材を押え治具（図示せず）により固定し、一体的に配置した。そして、スパッタ圧：４×１０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流５Ａ、アルゴン流量１５ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃｍの条件で、φ６インチのＳｉウェハー上にマグネトロンスパッタを行い、Ｔｉ膜中の１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を、表３に示す。
比較例３として、切り欠き溝がないバッキングプレートを使用した以外は、実施例３と同様にして、Ｔｉターゲットの接合およびスパッタを行い、１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結果を併せて表３に示す。
【００５０】
【表３】

上記の表２から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたってのダストの発生が少なく優れている。
【００５１】
【発明の効果】
以上に示したように、本発明は、薄膜を形成する際にダストの少ないスパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置を提供することができ、半導体はもとより、液晶ディスプレイ用、記録用のためのスパッタリングターゲット等多方面に活用することができ、その工業的価値が極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一般的なスパッタリング装置を模式的に示す図。
【図２】従来のスパッタリングターゲットの一例を示す断面図。
【図３】本発明によるスパッタリングターゲットの好ましい一具体例の概略を示す断面図。
【図４】本発明によるスパッタリングターゲットの好ましい一具体例の概略を示す断面図。
【図５】本発明によるスパッタリングターゲットの好ましい一具体例の概略を示す断面図。
【図６】本発明によるスパッタリングターゲットの切り欠き部を拡大して示す断面図。
【図７】本発明によるスパッタリングターゲットの好ましい具体例の概略を示す断面図であって、図７（ａ）は実施例５のスパッタリングターゲットを、図７（ｂ）は実例６のスパッタリングターゲットを、示す図。
【符号の説明】
１スパッタリングターゲット
２スパッタリングターゲット材
３スパッタリングターゲット材の外縁部
５バッキングプレート
６バッキングプレートの外縁部
７押え治具

Claims

バッキングプレートと一体的に配置して使用されるスパッタリングターゲット材、またはスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとが接合一体化してなるスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット材の該バッキングプレートとの接合面側の外縁部が該バッキングプレートと接触しない形状及び／又は該バッキングプレートの該スパッタリングターゲット材との接合面側の外縁部が該スパッタリングターゲット材と接触しない形状を有し、前記スパッタリングターゲット材の外縁部におけるバッキングプレートとの非接触面積が、該スパッタリングターゲット材のスパッタ面の面積の１０％以上であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
スパッタリングターゲット材の外縁部を切り欠き形状とすることにより、スパッタリングターゲット材のバッキングプレートとの接合面側の外縁部がバッキングプレートと接触しない形状を有する、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
バッキングプレートの外縁部を切り欠き形状とすることにより、スパッタリングターゲット材のバッキングプレートとの接合面側の外縁部がバッキングプレートと接触しない形状を有する、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
スパッタリングターゲット材の外縁部におけるバッキングプレートとの非接触面積が、該スパッタリングターゲット材のスパッタ面の面積の４０％以上である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
バッキングプレートの外縁部におけるスパッタリングターゲット材との非接触面積が、該スパッタリングターゲット材のスパッタ面の面積の１０％以上である、請求項１または３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
バッキングプレートの外縁部におけるスパッタリングターゲット材との非接触面積が、該スパッタリングターゲット材のスパッタ面の面積の３５％以上である、請求項５に記載のスパッタリングターゲット。
スパッタリングターゲット材が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、ＧｅおよびＦｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは上記した金属元素を含む合金または化合物からなる、請求項１ないし６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
前記のスパッタリングターゲット材と前記のバッキングプレートとの接合一体化が、拡散接合または押え治具の使用によってなされている、請求項１ないし７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
真空容器と、該真空容器内に設置される被成膜試料保持部と、該真空容器内に該被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部を具備するスパッタリング装置において、該ターゲット部は、請求項１ないし８のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを具備することを特徴とする、スパッタリング装置。