JP4494304B2 - 基板上にマーカを生成する方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
− 基板上にレジストの層を設けることと、
− リソグラフィ装置内でパターン形成したビームをレジストの層に投影し、潜像マーカを生成することと、
− 潜像マーカを検出可能なマーカへと変換することとを含む。
−マーカ位置で基板を局所的に加熱することにより、リソグラフィ装置内で基板を加熱することを含む。
−マーカの近傍で吸引を実行することを含む。吸引を実行することにより、局所的露光後ベークによるガス放出から生じた汚染粒子を除去することができる。
− 基板を設けるステップと、
− 前記基板上に少なくとも1つのマーカを生成するために、上述したような方法を使用するステップと、
− 照明システムを用いて放射線投影ビームを提供するステップと、
− 前記基板上の前記少なくとも1つのマーカを使用することにより、前記基板をパターニング手段に位置合わせすることと、
− 投影ビームの断面にパターンを与えるために、前記パターニング手段を使用することと、
− パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することとを含む。
− 放射線の投影ビームを提供する照明システムと、
− パターニング手段を支持する支持構造とを有し、パターニング手段は、投影ビームの断面にパターンを与えるように働き、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、
リソグラフィ装置が、前記基板上の潜像マーカを検出可能なマーカに変換するために、基板を局所的に加熱する内部デバイスを有することを特徴とする。
− 放射線(例えばUVまたはEUV放射線)の投影ビームPBを供給する照明システム(照明装置)ILと、
− パターニング手段(例えばマスク)MAを支持し、かつ、品目PLに対して正確にパターニング手段の位置決めを行う第一位置決め手段PMに連結を行った第一支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジスト塗布したシリコンウェハ)Wを支持し、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− パターニング手段MAによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に描像する投影システム(例えば屈折性投影レンズ)PLを有する。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれている。そして、投影ビームに与えたパターン全体が1回の作動(すなわち1回の静止露光)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
図2a、図2bおよび図2cは、本発明の第一の実施形態を示す。図2aは、その頂部にレジスト層Rがある基板Wの一部を示す。レジスト層R内に潜像アラインメントマーカ10を設ける。この潜像アラインメントマーカ10は、当業者に知られている方法でアラインメントマーカのパターンをレジスト層Rに投影することによって設ける。
図3a、図3bおよび図3cは、本発明の代替実施形態を概略的に示す。この実施形態によると、レーザデバイス30などの放射線放出デバイスで潜像アラインメントマーカ10を局所的に加熱することによって、局所的露光後ベークを実行する。図3aは図2aと同様であり、潜像マーカ10を示す。図3bは、潜像マーカ10に投影されるレーザビームを生成するレーザデバイス30を概略的に示す。レーザ30によって生成されるビームの波長は、レーザビームがレジスト層Rによって十分に吸収されるような波長でなければならない。したがって、波長は、レジスト層Rの特徴に基づいて選択される。例えば3〜10μmの波長を有する(遠)赤外線レーザデバイス30を使用してよい。
第三の実施形態によると、局所的な露光後ベークは、交番磁界を潜像アラインメントマーカ10に局所的に適用することによって実行される。これは、図4で示すようなコイル40などの磁気デバイスを使用して実行する。交番電圧ソースVS(または電流ソース)は、線41を介してコイル40に接続され、交番磁界が生成される。加熱プロセスは、当業者によって容易に理解されるように、マイクロ波で使用する加熱プロセスと同様の効果に基づく。
この実施形態によると、図5で示すように、実施形態1と2との組み合わせが適用される。適正な特徴を有する、つまりレジスト層R内で十分に吸収される所望の波長を生成するレーザデバイス30を提供することは、常に容易であるとは限らないので、発熱要素50を潜像マーカ10の近傍に移動するか、それに接触させる。次に、レーザデバイス30を使用してレーザビームを発熱要素50に投影することによって、それを加熱する。この代替方法は、潜像マーカ10の近傍の発熱要素20に線21を設ける必要がないという利点を有する。レーザデバイス30は、必ずしもレジスト層R内で十分に吸収される波長を有するものではなく、発熱要素50の材料によって十分に吸収されなければならず、その材料は自由に選択される。
Claims (3)
- 基板上にマーカを生成する方法であって、
基板上にレジスト層を設けることと、
リソグラフィ装置内でレジスト層にパターン形成したビームを投影し、潜像マーカを生成することと、
潜像マーカを検出可能なマーカに変換することと、
基板をマーカ位置で局所的に加熱することによって、リソグラフィ装置の内側で基板を加熱することと、
マーカの近傍で吸引を実行することと、を含み、
局所的加熱が、発熱要素を前記潜像マーカの近傍に設け放射線ビームを前記発熱要素に提供することによって実行される、
方法。 - デバイス製造方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板上に少なくとも1つのマーカを作成するために、請求項1に記載の方法を使用するステップと、
照明システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
前記基板上の前記少なくとも1つのマーカを使用して、前記基板をパターニング手段に位置合わせするステップと、
投影ビームの断面にパターンを与えるために、前記パターニング手段を使用するステップと、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影するステップと、を含む、
方法。 - リソグラフィ装置であって、
放射線の投影ビームを提供する照明システムと、
パターニング手段を支持する支持構造と、を含み、パターニング手段は、投影ビームの断面にパターンを与える働きをし、さらに、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
前記基板上の潜像マーカを検出可能なマーカに変換するために、基板を局所的に加熱する内部デバイスと、
マーカの近傍で吸引を実行するように配置構成された排気デバイスと、を有し、
前記内部デバイスが発熱要素を有し、リソグラフィ装置が、前記発熱要素と前記潜像マーカを相互に近づけるように配置構成され、
リソグラフィ装置が、放射線ビームを前記発熱要素に提供するように配置構成された放射線放出デバイスを有する、
リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/875,605 US7476490B2 (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Method for producing a marker on a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006013528A JP2006013528A (ja) | 2006-01-12 |
JP4494304B2 true JP4494304B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=35541747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005213413A Expired - Fee Related JP4494304B2 (ja) | 2004-06-25 | 2005-06-24 | 基板上にマーカを生成する方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7476490B2 (ja) |
JP (1) | JP4494304B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060109463A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
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-
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- 2004-06-25 US US10/875,605 patent/US7476490B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-24 JP JP2005213413A patent/JP4494304B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-12 US US12/269,390 patent/US8264664B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20060008714A1 (en) | 2006-01-12 |
US7476490B2 (en) | 2009-01-13 |
US8264664B2 (en) | 2012-09-11 |
US20090066921A1 (en) | 2009-03-12 |
JP2006013528A (ja) | 2006-01-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100318 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |