JP4492759B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置に関する。
近年、パーソナルコンピューターの動作速度の向上、ネットワークインフラの普及、データストレージの大容量化と低価格化に伴い、従来紙への印刷物で提供されたドキュメントや画像等の情報を、より簡便な電子情報として入手し閲覧する機会が益々増大している。
この様な電子情報を閲覧するための表示装置として、従来の液晶ディスプレイやＣＲＴ、また近年では有機ＥＬディスプレイ等の発光型が用いられている。特に、電子情報がドキュメント情報の場合、比較的長時間にわたって表示装置を注視する必要があるが、一般に従来の表示装置の欠点として、フリッカーのため目が疲労することが知られている。
この欠点を補う表示装置として、外光を利用する反射型ディスプレイが知られている。
この反射型ディスプレイを実現するための表示方式として、金属または金属塩の溶解析出を利用するエレクトロデポジション方式（以下、ＥＤ方式と略す）が知られている。ＥＤ方式は、比較的低電圧で駆動が可能で、簡便なセル構成、黒と白のコントラストや黒品質に優れる等の利点がある（特許文献１、特許文献２参照）。
しかしながら、ＥＤ方式の表示素子では、金属の析出や溶解にある程度の時間を要することから、タッチパネル用による手書き入力の情報を入力と同時に表示しようとした場合に、手書きのスピードに表示スピードが追従しきれないという課題がある。従来の液晶パネル等においては、タッチパネルからの手書き入力情報をメモリに保存し、このメモリからの情報に基づいて画面のスキャンを行って、手書き入力された情報を表示する。液晶パネルにおいては、その応答速度が速いことからこのような表示方法でも問題が生ずることはない。しかし、ＥＤ方式の表示装置では、この表示方法をそのまま採用すると、表示が追いつかず、手書きの情報が遅れて表示されることになり、操作性が悪くなる。
このような課題を解決するため、特許文献３において、手書き用のペンが発生する各時点の位置情報（Ｘ，Ｙ）から直接に表示装置のＸ、Ｙ電極端子に電圧を印加し、短時間にペンの位置に対応した書き込みを行う方法が提案されている。
特許文献３では、ペンの位置に対応した書き込みを行うときは、結晶が析出を開始する閾値電圧を越える電圧を短時間印加し、核となる結晶を形成することにより、高速な表示駆動を可能にしている。また、核となる結晶の形成のみでは、手書き部分の表示濃度が不足するので、追加の書き込みによって表示濃度を補っている。
特許第３４２８６０３号公報 特開２００３−２４１２２７号公報 特開２００４−２９３９９号公報
しかしながら、特許文献３に開示されている方法では、表示濃度を補うために追加の書き込みを行っている間に新たに手書き入力を行った場合、追加の書き込みが終了するまで新たに手書き入力した画像を表示することができないという問題がある。また、手書き入力が同じ場所に重なって行われた場合、対応する電気化学表示素子に閾値電圧を越える電圧が複数回印加されるため、金属の析出量が多くなりすぎ、消去電圧を印加しても表示画像が消えにくくなってしまうという問題が生じる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、電気化学表示素子の表示特性を損なうことなく、手書き入力された情報を実用的な速度で表示することができる反射型の表示装置を提供することを目的とする。
本発明の目的は、下記構成により達成することができる。
１．マトリクス状に配列された電気化学表示素子で構成される表示画面を有し、それぞれの前記電気化学表示素子に表示すべき表示濃度の値に応じた書き込み電流を印加して画像を表示する表示装置であって、
それぞれの前記電気化学表示素子が次に表示すべき表示濃度の値Ｘを記憶するための第１の記憶手段と、
それぞれの前記電気化学表示素子が現在表示中の表示濃度の値Ｙを記憶するための第２の記憶手段と、
前記表示画面上の位置情報を入力するための入力手段と、
前記入力手段によって入力された位置情報に基づいて、当該位置情報と対応する前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘを書き換えるための第１の書き換え手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｘと、それと対応する前記第２の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｙとを比較するための比較手段と、
前記比較手段による比較結果に基づいて、それぞれの電気化学表示素子に書き込み電流を印加するための駆動手段と、
前記駆動手段による書き込み電流の印加に伴って、前記第２の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｙを書き換える第２の書き換え手段と、
を備え、
前記駆動手段は、
前記比較手段がＸ＞Ｙと判定した電気化学表示素子に書き込み電流を印加することを特徴とする表示装置。
２．マトリクス状に配列された電気化学表示素子で構成される表示画面を有し、それぞれの前記電気化学表示素子に表示すべき表示濃度の値に応じた書き込み電流を印加して画像を表示する表示装置であって、
それぞれの前記電気化学表示素子が次に表示すべき表示濃度の値Ｘを記憶するための第１の記憶手段と、
それぞれの前記電気化学表示素子が現在表示中の表示濃度の値Ｙを記憶するための第２の記憶手段と、
前記表示画面上の位置情報を入力するための入力手段と、
前記入力手段によって入力された位置情報に基づいて、当該位置情報と対応する前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘを書き換えるための第１の書き換え手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｘと、それと対応する前記第２の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｙとを比較するための比較手段と、
前記比較手段による比較結果に基づいて、それぞれの電気化学表示素子に書き込み電流を印加するための駆動手段と、
前記駆動手段による書き込み電流の印加に伴って、前記第２の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｙを書き換える第２の書き換え手段と、
を備え、
前記第１の記憶手段が、
ＦＩＦＯメモリであり、
前記第１の書き換え手段による前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘの書き換えと、前記比較手段による表示濃度の値Ｘと表示濃度の値Ｙとの比較が非同期で行われることを特徴とする表示装置。
３．前記制御手段は、
前記第１の記憶手段に記憶するための複数ページ分の表示濃度の値Ｘを記憶するための第３の記憶手段をさらに備えたことを特徴とする１または２に記載の表示装置。
４．前記入力手段は、前記表示画面の上層に設けられたタッチパネルであることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
本発明によれば、電気化学表示素子を用いた表示装置において、手書き入力された情報を、実用的な速度で表示することができる。
本発明の実施形態に係る表示装置の一例を示す外観図である。 本発明の実施形態における表示装置に用いられるＥＤ方式の電気化学表示素子１の基本的な構成を示す概略断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本実施形態の表示装置の書き込み動作時の一例における各部の変化を示すタイムチャートである。 本実施形態の表示素子１の表示濃度Ｄを説明する図である。 本実施形態における手書き入力による割り込み処理を説明するためのフローチャートである。 本実施形態における操作ボタンの操作による割り込み処理を説明するためのフローチャートである。 本実施形態における表示コントローラ１１による割り込み処理を説明するためのフローチャートである。 表示装置１００の手書き入力操作の一例を説明する説明図である。 第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値を時系列に沿って模式的に示すタイムチャートである。 第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値を説明するための模式図である。 第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値を説明するための模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の第２の実施形態における表示コントローラ１１の制御を説明するためのフローチャートである。
以下、図面に基づき本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の一例を示す外観図である。
表示装置１００は、例えば電子ブックであり、記憶部１０（図３参照）に記憶されている画像や文字などのデータを表示画面５０に表示する。表示画面５０には白、黒の階調表示が可能なメモリー性表示素子である電気化学表示素子１（図２参照）が用いられている。操作部４２にはメカニカルスイッチからなる順送りボタン４３と逆送りボタン４４が設けられている。例えば、ユーザが順送りボタン４３を押すと表示画面５０に表示されているデータの次のページのデータを後に説明する第３フレームメモリ６２から読み出して表示する。同様に、ユーザが逆送りボタン４４を押すと表示画面５０に表示されているデータの前のページのデータを第３フレームメモリ６２から読み出して表示する。なお、表示装置１００は、タブレットＰＣやＰＤＡ等の表示部であってもかまわない。
また、表示画面５０の上層は、画面上の位置情報を入力するための入力手段としてタッチパネル４０になっている。ユーザは、タッチパネル４０への入力操作により、手書きモードへの切換を行った後、画面上の位置または領域を指定し、手書き入力を行う。タッチパネル４０への入力操作はスタイラスペン５５（図９参照）を用いても良いし、直接指などでタッチパネル４０を操作しても良い。
図２は本実施形態における表示装置に用いられるＥＤ方式の電気化学表示素子１の基本的な構成を示す概略断面図である。
電気化学表示素子１は、透明なＩＴＯ電極３２と銀電極３０の間に電解質３１を保持している。ＩＴＯ電極３２と銀電極３０には電流源３３が接続されている。電流源３３から銀電極３０に図中の矢印方向に電流ｉを印加すると、ＩＴＯ電極３２側で、電解質３１中に含まれる銀イオンの還元反応が生じ、銀が析出する。析出した銀は光を吸収するため、ＩＴＯ電極３２側から見た電気化学表示素子１の濃度が高くなる。
一方、電流源３３から銀電極３０に図中の矢印と逆方向に電流ｉを印加すると、ＩＴＯ電極３２側で、酸化反応が生じ、析出した銀が銀イオンとなって電解質３１に溶け出す。一定時間電流ｉを図中の矢印と逆方向に印加するとＩＴＯ電極３２側から見た電気化学表示素子１の濃度は初期状態の白色になる。ＶＥＤは電流ｉを印加したときのＩＴＯ電極３２と銀電極３０の間の電圧である。
電解質３１は、例えば銀塩水溶液より非水系銀塩溶液に銀を転相させることにより調製できる。この銀塩水溶液は、公知の銀塩を水に溶解して調製することができる。
図３は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の構成を示す図である。図３では説明の簡単のため３行×３列の画素を示すが、表示装置１００より多くのｎ行×ｍ列の画素を有していても良い。
各画素は、電気化学表示素子１、駆動トランジスタ２、補助容量３、スイッチングトランジスタ４から構成される。図３ではｎ行×ｍ列の電気化学表示素子１をそれぞれＥＤｎｍと表記している。例えば１行１列目の電気化学表示素子１はＥＤ１１、１行２列目の電気化学表示素子１はＥＤ１２、というように順に表記している。また、図３は、駆動トランジスタ２、スイッチングトランジスタ４はＮチャンネルＴＦＴを用いた場合を示す。
符号５ａ、５ｂ、５ｃは、走査線であり、行方向に並んだ画素のスイッチングトランジスタ４のゲートを互いに接続し、ゲートドライバ１２に接続されている。符号８ａ、８ｂ、８ｃは、信号線であり、列方向に並んだ画素のスイッチングトランジスタ４のソースを互いに接続し、ソースドライバ１４に接続されている。
ゲートドライバ１２は、走査線５ａ、５ｂ、５ｃに出力電圧Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３を出力することにより、スイッチングトランジスタ４のオン／オフの制御を行い、制御電圧を印加する行を選択する。
ソースドライバ１４は、信号線８ａ、８ｂ、８ｃ毎にドライバ回路を有し、表示コントローラ１１の制御に基づいて出力側に接続された信号線８ａ、８ｂ、８ｃに出力電圧Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を出力する。ソースドライバ１４のドライバ回路はオン、オフの２値ドライバであり、表示コントローラ１１から送信された信号線８ａ、８ｂ、８ｃ毎のオン、オフの信号に基づいてソースドライバ１４に入力された制御電圧Ｖｓまたはオフ電圧である０Ｖを出力する。
表示コントローラ１１はクロック発生回路、ロジック回路などから構成され、所定の周期でソースドライバ１４、ゲートドライバ１２、バス電源１３等を制御し、所定の電気化学表示素子１に電流を印加する駆動部としての機能を果たす。
ＣＰＵ７１は記憶部１０に記憶されているプログラムに基づいて表示装置全体を制御する制御部としての機能を果たす。記憶部１０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やフラッシュメモリなどの記録媒体から構成され、表示装置１００を制御する各種プログラムや各種データを記憶している。ＣＰＵ７１は、第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１の表示濃度の値を順次比較する比較部７０を備えており、また第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１にそれぞれ記憶された表示濃度の値を適宜書き換える。
第１フレームメモリ６０、第２フレームメモリ６１は、それぞれ表示画面５０の画素数に対応する記憶領域を有する１画面分のフレームメモリである。第１フレームメモリ６０は、電気化学表示素子１（各画素）によって次に表示画面５０に表示されるべき表示濃度の値Ｘを記憶する。第２フレームメモリ６１は、電気化学表示素子１（各画素）によって表示画面５０に現在表示中の表示濃度の値Ｙを記憶する。比較部７０は、第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１とから、対応する画素の表示濃度の値Ｘと表示濃度の値Ｙとをそれぞれ読み出して比較する。
表示コントローラ１１は、所定のタイミングで割り込み信号ＩＮＴ３をＣＰＵ７１に送信し、比較部７０が比較した結果のデータを受信する。
第３フレームメモリ６２は、複数ページ分の画像データ（表示濃度の値Ｘ）を記憶する容量を有し、操作部４２の操作により指定されたページの表示濃度の値Ｘを第１フレームメモリ６０に書き込めるように構成されている。なお、図面上では第１フレームメモリ６０、第２フレームメモリ６１、第３フレームメモリ６２をそれぞれＦＭ１、ＦＭ２、ＦＭ３と表記する。
タッチパネル４０はタッチパネルコントローラ４１と接続されており、タッチパネルコントローラ４１は、タッチパネル４０の入力域を順次走査し、タッチパネル４０に入力があると割り込み信号ＩＮＴ１をＣＰＵ７１に送信し、入力があった場所の位置情報をＣＰＵ７１に送信する。
操作部４２は、メカニカルスイッチから構成される順送りボタン４３、逆送りボタン４４が操作されると、割り込み信号ＩＮＴ２をＣＰＵ７１に送信し、操作されたボタンの情報をＣＰＵ７１に送信する。
アドレスバス、データバスを含むバスラインＢ１には表示コントローラ１１、ＣＰＵ７１、記憶部１０、第１フレームメモリ６０、第２フレームメモリ６１、第３フレームメモリ６２、タッチパネルコントローラ４１などが接続され、接続された各要素はバスラインＢ１を介してデータの交換を行う。
表示画面５０の各画素の回路構成は同じであるので、図３を用いて以下１行１列目の画素を例に説明する。
駆動トランジスタ２のドレインはバスライン６に接続され、ソースは電気化学表示素子１（ＥＤ１１）の銀電極３０に接続されている。補助容量３は駆動トランジスタ２のソースとゲート間に接続されており、ソースとゲート間に印加された制御電圧Ｖｓを保持する。バスライン６はバス電源１３に接続され、駆動トランジスタ２にバス電圧ＶＢを供給する。駆動トランジスタ２は、バス電圧ＶＢとゲートとソース間に印加された制御電圧Ｖｓに応じた定電流を電気化学表示素子１に印加する。
スイッチングトランジスタ４のソースは信号線８ａに、ドレインは駆動トランジスタ２のゲートと補助容量３に、ゲートはゲートドライバ１２に接続されている。ゲートドライバ１２の出力電圧Ｇ１が‘Ｈ’になるとスイッチングトランジスタ４はオンになり、ソースドライバ１４の出力電圧Ｓ１が駆動トランジスタ２のゲートと補助容量３に加わる。
コモン電極７は各画素の電気化学表示素子１のＩＴＯ電極３２と接続され、またその一端はＧＮＤに接続されている。
図４、図５を用いて、本実施形態の表示装置の書き込み動作を説明する。
図４は、本実施形態の表示装置の書き込み動作時の一例における各部の変化を示すタイムチャート、図５は本実施形態の電気化学表示素子１の表示濃度Ｄを説明する図である。なお、図４には、簡略化のため、電気化学表示素子ＥＤ１１、ＥＤ１２、ＥＤ１３への電流ｉ１１、ｉ１２、ｉ１３を示し、他の電流に関しては省略している。
図５の横軸のＴｘは書き込み時間、縦軸の０〜１０は表示濃度の値Ｄである。０は電気化学表示素子１の最小表示濃度（白）、１０は電気化学表示素子１の最大表示濃度（黒）であり本実施形態では０から１０までの１１段階の階調を表示するものとする。図５に示すように本実施形態の表示素子１では一定電流の書き込み電流を印加すると書き込み時間Ｔｘに応じて表示濃度Ｄが増していく。
次に、図４のタイムチャートについて説明する。なお、本実施形態では電気化学表示素子１への画像の書き込みを行う前に、図３にｉ１１〜ｉ３３で示す矢印と逆方向に電流を流し、全ての画素の電気化学表示素子１の画像が消去されているものとする。すなわち、図４のタイムチャートで表示素子１への画像の書き込みを行う前は各表示素子１の表示濃度の値は０であるものとする。
図４のＴ１は各画素の駆動トランジスタ２の制御電圧Ｖｓをそれぞれ設定するプログラム期間、Ｔ２は書き込み期間であって各画素の電気化学表示素子１に書き込み電流ｉ１１〜ｉ３３を印加する単位時間を示している。本実施形態の表示装置は、Ｔ１とＴ２から成るフレームを複数回行うことにより所望の表示濃度Ｄを得ている。
Ｆ１は第１フレームのフレーム期間、Ｆ２は第２フレームのフレーム期間を示している。最初に図４の第１フレームのプログラム期間Ｔ１から説明する。
Ｔ１の間ＶＢ、ＶＣは０Ｖであり、各画素の電気化学表示素子１の電流ｉ１１〜ｉ３３は０である。
表示コントローラ１１は、第１フレームの最初のｔ１１のタイミングでＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ３を送り、比較部７０が第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１とから、１行目の画素の表示濃度の値Ｘと表示濃度の値Ｙとをそれぞれ読み出して比較した結果のデータを要求する。
ＣＰＵ７１は割り込み信号ＩＮＴ３を受信すると、後に詳しく説明する割り込み処理を行って比較部７０が比較した１行目の判定結果のデータを表示コントローラ１１に送信する。表示コントローラ１１はソースドライバ１４を制御し、比較部７０がＸ＞Ｙと判定した画素に対応する信号線８をオンにし、それ以外の画素に対応する信号線８はオフにする。
図４の例では、比較部７０が比較した１行目の判定結果が、全ての画素についてＸ＞Ｙであった場所を示しており、表示コントローラ１１は信号線８ａ、８ｂ、８ｃを全てオンにしている。ゲートドライバ１２の１行目の出力電圧Ｇ１は、ｔ１１のタイミングで‘Ｌ’から‘Ｈ’に立ち上がりΔＴの間‘Ｈ’になる。この間Ｇ２、Ｇ３は‘Ｌ’である。
ソースドライバ１４の出力電圧Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の電圧はＶｓであり、１行目のＥＤ１１、ＥＤ１２、ＥＤ１３に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧はＶｓに設定され補助容量３に保持される。
次に、表示コントローラ１１は、ｔ１２のタイミングでＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ３を送り、比較部７０が比較した２行目の判定結果を要求する。表示コントローラ１１は同様にソースドライバ１４を制御し、比較部７０がＸ＞Ｙと判定した画素に対応する信号線８をオンにし、それ以外の画素に対応する信号線８はオフにする。
図４の例では、比較部７０が比較した２行目の判定結果が全ての画素についてＸ＞Ｙであった場合を示しており、表示コントローラ１１は信号線８ａ、８ｂ、８ｃを全てオンにしている。ゲートドライバ１２の２行目の出力電圧Ｇ２は、ｔ１２のタイミングで‘Ｌ’から‘Ｈ’に立ち上がりΔＴの間‘Ｈ’になる。この間Ｇ１、Ｇ３は‘Ｌ’である。
ソースドライバ１４の出力電圧Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の電圧はＶｓであり、ＥＤ２１、ＥＤ２２、ＥＤ２３に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧はＶｓに設定され補助容量３に保持される。
次に、表示コントローラ１１は、ｔ１３のタイミングでＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ３を送り、比較部７０が比較した３行目の判定結果を要求する。表示コントローラ１１は同様にソースドライバ１４を制御し、比較部７０がＸ＞Ｙと判定した画素に対応する信号線８をオンにし、それ以外の画素に対応する信号線８はオフにする。
図４の例では、比較部７０が比較した３行目の判定結果がＥＤ３１とＥＤ３２についてはＸ＞Ｙ、ＥＤ３３についてはＸ≦Ｙであった場合を示しており、これに基づいて表示コントローラ１１は信号線８ａ、８ｂをオン、信号線８ｃをオフにしている。ゲートドライバ１２の出力電圧Ｇ３はｔ１３のタイミングで‘Ｌ’から‘Ｈ’に立ち上がりΔＴの間‘Ｈ’になる。この間Ｇ１、Ｇ２は‘Ｌ’である。
したがって、ソースドライバ１４の出力電圧Ｓ１、Ｓ２の電圧はＶｓであり、ＥＤ３１、ＥＤ３２に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧はＶｓに設定され補助容量３に保持される。また、この間出力電圧Ｓ３の電圧は０であり、ＥＤ３３に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧は０Ｖに設定され補助容量３に保持される。
表示コントローラ１１は、次のＴ２の書き込み期間では、バス電源１３の出力電圧ＶＢを０からＶＢｈに切り替える。出力電圧ＶＢがＶＢｈになると、駆動トランジスタ２は、補助容量３に保持されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧に応じた定電流を電気化学表示素子１に印加する。
図４の例では、ＥＤ１１、ＥＤ１２、ＥＤ１３に流れる電流ｉ１１、ｉ１２、ｉ１３の電流値がこの間ｉａであることを示している。上述の例では、図４には図示していないＥＤ３３の電気化学表示素子１の電流ｉ３３が０であるが、それ以外の電気化学表示素子１の電流値はｉａである。このように、比較部７０がＸ＞Ｙと判定した画素には書き込み電流ｉａが印加される。
第２フレームＦ２のプログラム期間Ｔ１も同様に、表示コントローラ１１は、ｔ２１のタイミングでＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ３を送り、比較部７０が比較した１行目の判定結果を要求する。表示コントローラ１１は同様にソースドライバ１４を制御し、比較部７０がＸ＞Ｙと判定した画素に対応する信号線８をオンにし、それ以外の画素に対応する信号線８はオフにする。
図４の例では、比較部７０が比較した１行目の判定結果がＥＤ１１、ＥＤ１２についてはＸ＞Ｙ、ＥＤ１３についてはＸ≦Ｙの場合を示しており、これに基づいて表示コントローラ１１は信号線８ａ、８ｂをオン、信号線８ｃをオフにしている。ゲートドライバ１２の１行目の出力電圧Ｇ１は、ｔ２１のタイミングで‘Ｌ’から‘Ｈ’に立ち上がりΔＴの間‘Ｈ’になる。この間Ｇ２、Ｇ３は‘Ｌ’である。
したがって、ソースドライバ１４の出力電圧Ｓ１、Ｓ２の電圧はＶｓであり、ＥＤ１１、ＥＤ１２に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧はＶｓに設定され補助容量３に保持される。また、この間出力電圧Ｓ３の電圧は０であり、ＥＤ１３に接続されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧は０Ｖに設定され補助容量３に保持される。
以降、表示コントローラ１１は、ｔ２２のタイミングとｔ２３のタイミングとでＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ３を送り、同様の処理が行われる。
Ｔ２の書き込み期間ではＴ１の期間に補助容量３に保持されている駆動トランジスタ２のゲート、ソース間の電圧に応じた定電流を電気化学表示素子１に印加する。図４の例ではＥＤ１１、ＥＤ１２の電流ｉ１１、ｉ１２の電流値がこの間ｉａ、ＥＤ１３の電流ｉ１３の電流値は０であることを示している。
電気化学表示素子１に電流値ｉａの電流がＴ２の期間印加されると、電気化学表示素子表示濃度Ｄは１つ増す。例えば、表示濃度０の電気化学表示素子１に１フレームの書き込みを行うと表示濃度は１になる。
図４では２回目のフレームまでしか表示していないが、最大表示濃度である１０までの書き込みを行うために１０回のフレームが実施される。したがって、表示濃度０の電気化学表示素子１に１０フレームの書き込みを行うと、当該電気化学表示素子１を最大表示濃度である１０にすることができる。
なお、表示濃度Ｄは書き込み電流の積分値に応じて変化するので、書き込みを必ずしも連続するフレームで行う必要はない。また、本実施形態では０から１０までの１１段階の階調を表示するが、電流値ｉａや書き込み期間を適宜設定することによりさらに多くの階調を再現することも可能であり、また少ない階調にすることも可能である。
次に、本実施形態における表示装置１００の制御の手順について図６〜８のフローチャートを用いて説明する。
図６は本実施形態における手書き入力による割り込み処理を説明するためのフローチャート、図７は本実施形態における操作ボタンの操作による割り込み処理を説明するためのフローチャートである。図８は本実施形態における表示コントローラ１１による割り込み処理を説明するためのフローチャートである。
最初に図６のフローチャートについて説明する。
タッチパネル４０にスタイラスペン５５などを用いて入力すると、タッチパネルコントローラ４１からＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ１が送信され、ＣＰＵ７１では図６に示す手書き入力割り込み処理ルーチンが起動される。
手書き入力割り込み処理ルーチンではステップＳ１０が実行される。
Ｓ１０：ＣＰＵ７１が、手書き入力に対応する第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘを書き換えるステップである。
ＣＰＵ７１は、タッチパネルコントローラ４１が検出した位置情報に基づいて第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘを書き換える。本実施形態では、ＣＰＵ７１は、タッチパネルコントローラ４１が検出した位置情報に対応するアドレスの第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘを最大濃度である１０に書き換える。
割り込み処理が終了すると、ＣＰＵ７１の処理は元のルーチンに戻る。
手書き入力割り込み処理ルーチンの説明は以上である。
次に、図７のフローチャートについて説明する。
操作者が操作部４２の順送りボタン４３または逆送りボタン４４を押すと、操作部４２からＣＰＵ７１割り込み信号ＩＮＴ２が送信され、ＣＰＵ７１では図６に示す操作ボタン割り込み処理ルーチンが起動される。
操作ボタン割り込み処理ルーチンではステップＳ２０が実行される。
Ｓ２０：ＣＰＵ７１は、順送りボタン４３または逆送りボタン４４の何れの操作かを検知すると、表示画面を初期化するとともに第３フレームメモリ６２から該当するページの画像データを読み出し、当該ページの表示濃度の値Ｘを第１フレームメモリ６０に書き込む。
例えば、第１ページに表示されている状態で操作者が操作部４２の順送りボタン４３を押すと、ＣＰＵ７１は第３フレームメモリ６２から第２ページの画像データを読み出し、その画像データ（表示濃度の値Ｘ）を第１フレームメモリ６０に書き込む。
割り込み処理が終了すると、ＣＰＵ７１の処理は元のルーチンに戻る。
操作ボタン割り込み処理ルーチンの説明は以上である。
次に、図８のフローチャートについて説明する。
表示コントローラ１１からは、図４で説明したように各フレームのＧｎの立ち上がり時に割り込み信号ＩＮＴ３が送信され、ＣＰＵ７１では図８に示す表示コントローラ割り込み処理ルーチンが起動される。なお、電源投入時など初期状態ではｎ＝１に初期化されている。
Ｓ１０１：ｎ行目の第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１の表示濃度の値を比較するステップである。
比較部７０は、第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘと第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値Ｙとをそれぞれｎ行目の行方向に順次読み出して比較し、Ｘｎｍ＞Ｙｎｍのとき‘Ｈ’、Ｘｎｍ≦Ｙｎｍのとき‘Ｌ’と判定する。比較部７０は、判定した結果を記憶部１０に一時記憶する。
例えば、１行目の１列目の場合、Ｘ１１が１０、Ｙ１１が０だったとすると、判定結果は‘Ｈ’であり、この結果が記憶部１０に一時記憶される。
Ｓ１０２：表示コントローラ１１にステップＳ１０１で比較した結果を出力するステップである。
ＣＰＵ７１は、記憶部１０に一時記憶されているステップＳ１０１で比較した結果を表示コントローラ１１に出力する。表示コントローラ１１は、‘Ｈ’と判定されたソースドライバ１４のドライバ回路をオンにし、‘Ｌ’と判定されたソースドライバ１４のドライバ回路をオフにする。
Ｓ１０３：第２フレームメモリ６１のｎ行目の表示濃度の値Ｙを更新するステップである。
表示コントローラ１１は、第２フレームメモリ６１のｎ行目の画素に対応する表示濃度の値Ｙを書き込み電流に相当する分だけ増加させる。例えば、表示濃度の値Ｙ１１が０だったとすると１に書き換える。
Ｓ１０４：ｎとｎｍａｘを比較するステップである。
ＣＰＵ７１は、ｎと表示装置の最大行ｎｍａｘを比較する。
ｎ≠ｎｍａｘの場合、（ステップＳ１０４；Ｎｏ）、ステップＳ１０５に進む。
Ｓ１０５：ｎ＝ｎ＋１とするステップである。
最大行ｎｍａｘまで比較を終えていないのでｎ＝ｎ＋１とし、元のルーチンに戻る。
例えば、ｎが１のときはｎ＝２とし、次に表示コントローラ１１から割り込み信号ＩＮＴ３が送信されたときは、本ルーチンで２行目の表示濃度を比較することになる。
ｎ＝ｎｍａｘの場合、（ステップＳ１０４；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０６に進む。
Ｓ１０６：ｎ＝１とするステップである。
最大行ｎｍａｘまで比較したのでｎ＝１とし、元のルーチンに戻る。
次に表示コントローラ１１から割り込み信号ＩＮＴ３が送信されたときは、次のフレームの処理であり、本ルーチンで１行目の表示濃度から比較することになる。
表示コントローラ割り込み処理ルーチンの説明は以上である。
次に、今までに説明した表示装置で行われる処理を、図９〜図１２を用いて具体的な例を基に詳しく説明する。
図９は表示装置１００の手書き入力操作の一例を説明する説明図である。
図９では、スタイラスペン５５を用いて十字線を手書き入力でタッチパネル４０に書き込む手順を図示している。図９では、説明を容易にするため全面白が表示されている表示画面５０に十字線を手書き入力で書き込む例を説明するが、表示画面５０に表示されている画像や文字に上書きして手書き入力で書き込む場合も同様である。
図９（ａ）は、手書き入力で横線を書き始めた当初のスタイラスペン５５の位置、図９（ｂ）は横線を書き終えた位置を示している。また、図９（ｃ）は、縦線を書き始めた位置、図９（ｄ）は十字線を書き終えた位置を示している。
なお、図９に図示している線はスタイラスペン５５の軌跡を示すものであり、実際に表示される表示濃度は次に図１０〜図１２を用いて説明する。
図１０は、図９のように十字線を手書き入力したときの第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度Ｘ、表示濃度Ｙの値を時系列に沿って模式的に示すタイムチャートである。
図１１、図１２は第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度Ｘ、表示濃度Ｙの値を説明するための模式図である。図１１、図１２の点線で示す升目はそれぞれ表示画面５０の画素を表し、升目の中の数字はその画素に対応する各フレームメモリに記憶されている表示濃度Ｘ、表示濃度Ｙの値を示している。
図１０の時間軸に示すＦ０〜Ｆ１７は、それぞれ図４で説明したフレーム期間を示している。表示コントローラ１１は、このように一定の周期でフレーム処理を行っている。ｔｓ１はスタイラスペン５５をタッチパネル４０に触れて横棒を書き始めたタイミングであり、ｔｓ２は横棒を書き終えてスタイラスペン５５をタッチパネル４０から離したタイミングである。また、ｔｓ３はスタイラスペン５５をタッチパネル４０に触れて縦棒を書き始めたタイミングであり、ｔｓ４は縦棒を書き終えてスタイラスペン５５をタッチパネル４０から離したタイミングである。このように手書き入力のタイミングはフレーム処理の周期とは無関係に行われる。
ｔ１は第１フレームの開始タイミングであり、ｔ１から図４で説明したプログラム期間Ｔ１が開始される。同様に、ｔ２からｔ１７は、それぞれ第２フレームから第１７フレームの開始タイミングである。
図１０に示す８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄは、図１１、図１２に示す８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘに応じて、例えば表示濃度の値０は白、表示濃度の値１０は黒で表現している。
また、図１０に示す９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ、９０ｅ、９０ｇは、図１１、図１２に示す９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ、９０ｅ、９０ｇの第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値Ｙに応じて、例えば表示濃度の値０は白、表示濃度の値１０は黒で表現している。
図１０の時間軸に沿って順に説明する。
ｔｓ１のタイミングで、タッチパネルコントローラ４１からＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ１が送信され、ＣＰＵ７１では図６に示す手書き入力割り込み処理ルーチンが起動され、手書き入力の位置に対応するアドレスの第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘが順次１０に書き換えられる。
８０ａはｔ１の時点の第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘを示している。すなわち、図１１（ａ）のようにＰａで示す画素とその右隣の画素は表示濃度の値Ｘが１０であり、それ以外の画素の表示濃度の値Ｘは０である。
また、ｔ１の時点の第２フレームメモリ６１の表示濃度の値Ｙは、図示していないが全て０である。
ｔ１のタイミングから始まる第１フレームでは、プログラム期間Ｔ１に表示コントローラ１からＧｎの立ち上がり周期毎に割り込み信号ＩＮＴ３がＣＰＵ７１に送信され、ＣＰＵ７１は表示コントローラ割り込み処理ルーチンを実行する。
表示コントローラ割り込み処理ルーチンでは、図８で説明したように、比較部７０は、第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘと第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値Ｙとをそれぞれｎ行目の行方向に順次読み出して比較し、Ｘｎｍ＞Ｙｎｍのとき‘Ｈ’、Ｘｎｍ≦Ｙｎｍのとき‘Ｌ’と判定する。Ｐａで示す画素と右隣の画素の第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘは１０、第２フレームメモリ６１の表示濃度の値Ｙは０であり、表示コントローラ割り込み処理ルーチン終了後、この２つの画素に対応する電気化学表示素子１に書き込み電流が加えられる。一方、それ以外の電気化学表示素子１には書き込み電流は加えられない。
書き込み電流が加えられた電気化学表示素子１は徐々に濃度を増し、書き込み期間Ｔ２が終了すると、表示画面５０のＰａで示す画素と右隣の画素に対応する位置に表示濃度の値１の横線が表示される。
また、表示コントローラ割り込み処理ルーチンのステップＳ１０３で、ＣＰＵ７１は、第２フレームメモリ６１のＰａで示す画素とその右隣の画素に対応する表示濃度の値Ｙを１に増加させ、ｔ２のタイミングでは図１１（ｂ）のようになっている。
一方、ｔ２のタイミングでは、スタイラスペンによる５５による横線の書き込みは終了しており、第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘは、図１１（ｃ）のようにＰａで示す画素から右方向に１０画素が１０になっている。
第１フレームと同様に、第２フレームでもＣＰＵ７１が表示コントローラ割り込み処理ルーチンを実行し、表示コントローラ１１はＸ＞Ｙの画素に対応する電気化学表示素子１に書き込み電流を加える。
第１フレームと同様の処理により、書き込みのあった画素に対応する第２フレームメモリ６１の表示濃度の値Ｙはｔ３のタイミングでは図１１（ｄ）のように増加している。Ｐａで示す画素と右隣の画素は２回書き込みを行っているので表示濃度の値Ｙは２であり、第２フレームで書き込みを行った画素の表示濃度の値Ｙは１である。
以降のフレームでＸ＝Ｙになるまで対応する電気化学表示素子１に書き込み電流が加えられ表示画面５０に徐々に高い濃度で表示される。例えばｔ９のタイミングでは、図１１（ｅ）のように高い表示濃度になっている。
このように、本実施形態では、手書き入力から即座に手書きの情報が淡く表示され、徐々に高い濃度で表示されるので、実用的な速度で手書き表示を行うことができる。
ｔｓ３のタイミングで、縦線が書き込まれた場合も同様に、タッチパネルコントローラ４１からＣＰＵ７１に割り込み信号ＩＮＴ１が送信され、ＣＰＵ７１では図６に示す手書き入力割り込み処理ルーチンが起動され、手書き入力の位置に対応する第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘが順次書き換えられる。
８０ｃはｔ９の時点の第１フレームメモリ６０の表示濃度の値Ｘを示している。すなわち、図１２（ａ）のように横線を書き込んだ画素とＰｂで示す画素から下に２つの画素までは表示濃度の値Ｘが１０であり、横線を書き込んだ画素以外の表示濃度の値Ｘは０である。
これまでと同様に、第９フレームでもＣＰＵ７１が表示コントローラ割り込み処理ルーチンを実行し、Ｘ＞Ｙの画素に対応する電気化学表示素子１に書き込み電流を加える。
同様の処理により、第２フレームメモリ６１の画素はｔ１０のタイミングでは図１２（ｂ）のようになっている。Ｐｂで示す画素と下側２つの画素は１回書き込みを行っているので表示濃度の値Ｙは１であり、横線の画素は書き込み回数に応じた表示濃度の値になっている。本発明ではこのように、横線の画素の追加書き込みを行っている間でも新たに手書き入力した縦線を表示することができる。
以降のフレームでＸ＝Ｙになるまでは対応する電気化学表示素子１に書き込み電流が加えられ表示画面に徐々に高い濃度で表示される。例えばｔ１１のタイミングでは、図１２（ｄ）のようになっている。
このようにして、１フレーム毎にＸ＞Ｙの画素に書き込み電流が加えられて図１２（ｅ）のように横線と縦線の画素の表示濃度の値Ｙは１０になり、表示画面５０には最大表示濃度で表示される。本実施形態では、書き込み電流を加えるときに、Ｐｃで示す縦線と横線が交差する位置の画素のように、縦線の書き込みをするときに表示濃度の値Ｙがすでに１０になっているときはＸ＝Ｙとなり、書き込み電流を加えない。したがって、最大表示濃度を超えて書き込み電流を加えることはないので、消去電圧を印加しても表示画像が消えにくくなったり、表示画像が焼きついてしまうという問題が発生しない。
なお、本実施形態では、手書き入力した部分を最大表示濃度１０で黒く表示する例を説明したが、最小表示濃度０で白く表示させることも可能である。（背景が黒である場合は白で表示することが望ましい。）電気化学表示素子１の表示濃度を減少させる場合は、電気化学表示素子１に流れる電流が図３とは逆方向に流れるようにコモン電圧Ｖｃと制御電圧Ｖｓの極性を逆にすれば良い。表示コントローラ１１はＸ＜Ｙの画素に対応する電気化学表示素子１に書き込み電流を加えれば良い。
次に、第２の実施形態の表示装置について説明する。
図１３は本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。図１３では第１の実施形態と同様に、説明の簡単のため３行×３列の画素を示したが、表示装置はより多くのｎ行×ｍ列の画素を有していても良い。
第１の実施形態と第２の実施形態の最も大きな違いは、第１フレームメモリ６０にＦＩＦＯメモリを用いている点である。本実施形態では、表示コントローラ１１と第２フレームメモリ６１とが接続されているバスラインＢ２と、ＣＰＵ７１と第３フレームメモリ６２、タッパネルコントローラ４１、記憶部１０などが接続されているバスラインＢ３の２つのバスラインが設けられている。第１フレームメモリ６０の入力ポートＩＰはバスラインＢ３に接続され、出力ポートＯＰはバスラインＢ２に接続されている。ＣＰＵ７１が入力ポートＩＰから入力した１行分の画像データは、バスラインＢ２を介して表示コントローラ１１によって順次出力ポートＯＰから読み出される。
本実施形態では、ＣＰＵ７１からのデータ入力と表示コントローラ１１によるデータ読み出しは非同期で行われ、第１の実施形態のように割り込み信号ＩＮＴ３によりタイミングを取る必要はない。
このように構成すると、第１フレームメモリ６０への書き込みと読み出しがそれぞれ別のバスラインで行われるのでバスラインの競合が無く、表示コントローラ１１は遅延することなく所定のタイミングで第１フレームメモリ６０から画像データを読み出すことができる。
本実施形態の表示コントローラ１１は、例えばクロック発生回路、ＣＰＵ、メモリ、ロジック回路などから構成され、比較部７０を有している。
そのほかの構成および構成要素は第１の実施形態と同様であり、同じ構成要素には同番号を付し説明を省略する。
次に、本実施形態の表示コントローラ１１が行う制御について説明する。
図１４は本発明の第２の実施形態における表示コントローラ１１の制御を説明するためのフローチャートである。
第２の実施形態では、表示コントローラ１１はＣＰＵ７１と非同期で図１４に示すフローチャートを実行することにより、図４で説明したタイムチャートが実現される。
Ｓ２０１：ｎ＝１とするステップである。
表示コントローラ１１は、ｎをｎ＝１に初期化する。
Ｓ２０２：ｎ行目の第１フレームメモリ６０と第２フレームメモリ６１の表示濃度の値を比較するステップである。
比較部７０は、第１フレームメモリ６０に記憶されている表示濃度の値Ｘと第２フレームメモリ６１に記憶されている表示濃度の値Ｙとをそれぞれｎ行目の行方向に順次読み出して比較し、Ｘｎｍ＞Ｙｎｍのとき‘Ｈ’、Ｘｎｍ≦Ｙｎｍのとき‘Ｌ’と判定する。比較部７０は、判定した結果を表示コントローラ１１のメモリに一時記憶する。
例えば、１行目の１列目の場合、Ｘ１１が１０、Ｙ１１が０だったとすると、判定結果は‘Ｈ’であり、以降の処理で１行目の１列目の電気化学表示素子１に書き込み電流が加えられる。
Ｓ２０３：ソースドライバ１４にステップＳ１０１で比較した結果を出力するステップである。
ＣＰＵ７１は、表示コントローラ１１のメモリに一時記憶されているステップＳ１０２で比較した結果をソースドライバ１４に出力する。表示コントローラ１１は、‘Ｈ’と判定されたソースドライバ１４のドライバ回路をオンにし、‘Ｌ’と判定されたソースドライバ１４のドライバ回路をオフにする。
Ｓ２０４：第２フレームメモリ６１のｎ行目の表示濃度の値Ｙを更新するステップである。
表示コントローラ１１は、第２フレームメモリ６１のｎ行目の画素に対応する表示濃度の値Ｙを書き換える。例えば、１行１列目の表示濃度の値Ｙ１１が０だったとすると１に書き換える。
Ｓ２０５：ｎとｎｍａｘを比較するステップである。
表示コントローラ１１は、ｎと表示装置の最大行ｎｍａｘを比較する。
ｎ≠ｎｍａｘの場合、（ステップＳ２０５；Ｎｏ）、ステップＳ２０７に進む。
Ｓ２０７：ｎ＝ｎ＋１とするステップである。
最大行ｎｍａｘまで比較を終えていないのでｎ＝ｎ＋１とし、ステップＳ２０２に戻る。
ｎ＝ｎｍａｘの場合、（ステップＳ２０５；Ｙｅｓ）、ステップＳ２０６に進む。
Ｓ２０６：書き込み電流を印加するステップである。
表示コントローラ１１は、バス電源１３にＶＢｈを出力するように指令し、Ｔ２の期間待機した後、ステップＳ２０１に戻る。
このように電気化学表示素子１への書き込み処理は一定の周期で繰り返し行われる。
表示コントローラ１１の制御ルーチンの説明は以上である。
なお、本実施形態ではソフトウェア制御を用いる例を説明したが、同様の手順を実現できるように表示コントローラ１１をハードウェアロジックだけで構成しても良い。
また、本実施形態では、電気化学表示素子１としてＥＤ方式のものを採用したが、電流の印加によって表示濃度が変化されるメモリー性表示素子であれば、エレクトロクロミックス方式など他の方式のものを採用することができる。
さらに、本実施形態では、表示画面５０上に位置情報を入力するための入力部として、表示画面５０の上層に設けられたタッチパネル４０を用いたが、例えば光学的にスタイラスペン５５を撮像することによって、表示画面５０上の位置情報を特定するなど他の構成を採用することも可能である。
以上のように、本発明によれば、電気化学表示素子の表示特性を損なうことなく、手書き入力のタイミングにかかわらず実用的な速度で手書き表示を行うことができる反射型の表示装置を提供することができる。
１ 電気化学表示素子
２ 駆動トランジスタ
３ 補助容量
４ スイッチングトランジスタ
５ａ、５ｂ、５ｃ 走査線
８ａ、８ｂ、８ｃ 信号線
１０ 記憶部
１１ 表示コントローラ
１２ ゲートドライバ
１３ バス電源
１４ ソースドライバ
３０ 銀電極
３１ 電解質
３２ ＩＴＯ電極
４０ タッチパネル
４１ タッチパネルコントローラ
６０ 第１フレームメモリ
６１ 第２フレームメモリ
６２ 第３フレームメモリ
７０ 比較部
７１ ＣＰＵ

Claims (4)

  1. マトリクス状に配列された電気化学表示素子で構成される表示画面を有し、それぞれの前記電気化学表示素子に表示すべき表示濃度の値に応じた書き込み電流を印加して画像を表示する表示装置であって、
    それぞれの前記電気化学表示素子が次に表示すべき表示濃度の値Ｘを記憶するための第１の記憶手段と、
    それぞれの前記電気化学表示素子が現在表示中の表示濃度の値Ｙを記憶するための第２の記憶手段と、
    前記表示画面上の位置情報を入力するための入力手段と、
    前記入力手段によって入力された位置情報に基づいて、当該位置情報と対応する前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘを書き換えるための第１の書き換え手段と、
    前記第１の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｘと、それと対応する前記第２の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｙとを比較するための比較手段と、
    前記比較手段による比較結果に基づいて、それぞれの電気化学表示素子に書き込み電流を印加するための駆動手段と、
    前記駆動手段による書き込み電流の印加に伴って、前記第２の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｙを書き換える第２の書き換え手段と、
    を備え、
    前記駆動手段は、
    前記比較手段がＸ＞Ｙと判定した電気化学表示素子に書き込み電流を印加することを特徴とする表示装置。
  2. マトリクス状に配列された電気化学表示素子で構成される表示画面を有し、それぞれの前記電気化学表示素子に表示すべき表示濃度の値に応じた書き込み電流を印加して画像を表示する表示装置であって、
    それぞれの前記電気化学表示素子が次に表示すべき表示濃度の値Ｘを記憶するための第１の記憶手段と、
    それぞれの前記電気化学表示素子が現在表示中の表示濃度の値Ｙを記憶するための第２の記憶手段と、
    前記表示画面上の位置情報を入力するための入力手段と、
    前記入力手段によって入力された位置情報に基づいて、当該位置情報と対応する前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘを書き換えるための第１の書き換え手段と、
    前記第１の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｘと、それと対応する前記第２の記憶手段に記憶された表示濃度の値Ｙとを比較するための比較手段と、
    前記比較手段による比較結果に基づいて、それぞれの電気化学表示素子に書き込み電流を印加するための駆動手段と、
    前記駆動手段による書き込み電流の印加に伴って、前記第２の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｙを書き換える第２の書き換え手段と、
    を備え、
    前記第１の記憶手段が、
    ＦＩＦＯメモリであり、
    前記第１の書き換え手段による前記第１の記憶手段に記憶されている表示濃度の値Ｘの書き換えと、前記比較手段による表示濃度の値Ｘと表示濃度の値Ｙとの比較が非同期で行われることを特徴とする表示装置。
  3. 前記制御手段は、
    前記第１の記憶手段に記憶するための複数ページ分の表示濃度の値Ｘを記憶するための第３の記憶手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 前記入力手段は、前記表示画面の上層に設けられたタッチパネルであることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
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