JP4488824B2 - Power converter - Google Patents

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Description

本発明は産業機器や移動体等に搭載される電力変換装置に関し、特に、電力変換装置の異常検知技術に関する。   The present invention relates to a power conversion device mounted on an industrial device, a moving body, or the like, and particularly relates to an abnormality detection technique for a power conversion device.

従来、直流電圧が約1000V以上の高電圧における電力変換装置の構成に関する技術として、図6に示すものがある。   Conventionally, there is a technique shown in FIG. 6 as a technique related to the configuration of a power conversion device at a high voltage of about 1000 V or higher DC voltage.

図6に示した構成図は、電力変換装置に関するものであり、図示していない外部の直流電源が接続された端子である、正極側端子31と負極側端子32の間に2個のパワー半導体X1,X2を直列に接続して構成してある。また、パワー半導体X1,X2の接続部には交流出力端子30が接続してある。図6では、パワー半導体X1に対する駆動制御の構成を示してあるが、同様の構成がパワー半導体X2に対しても成される。ここで、パワー半導体X1又はX2に対してオン、オフさせるゲート制御信号を発生させる制御部1を備え、この制御部1が出力するゲート制御信号を、信号伝送部2を介してゲート駆動回路7に供給する構成としてある。このゲート駆動回路7に対してパワー半導体X1が接続してある。パワー半導体の構成は、例えば、トランジスタとダイオードの組み合わせによるものがある。なお、パワー半導体X1,X2について、共に、トランジスタが正極側端子31からの正電流方向に接続してあり、一方、それぞれのトランジスタに対して並列に、ダイオードが逆方向に電流が流れるように接続してある。   The configuration diagram shown in FIG. 6 relates to a power converter, and two power semiconductors between a positive terminal 31 and a negative terminal 32, which are terminals to which an external DC power source (not shown) is connected. X1 and X2 are connected in series. Further, an AC output terminal 30 is connected to a connection portion between the power semiconductors X1 and X2. Although FIG. 6 shows a drive control configuration for the power semiconductor X1, a similar configuration is also applied to the power semiconductor X2. Here, a control unit 1 that generates a gate control signal for turning on / off the power semiconductor X1 or X2 is provided, and the gate control signal output from the control unit 1 is transmitted to the gate drive circuit 7 via the signal transmission unit 2. It is as composition to supply to. A power semiconductor X1 is connected to the gate drive circuit 7. The configuration of the power semiconductor is, for example, a combination of a transistor and a diode. In addition, for the power semiconductors X1 and X2, both transistors are connected in the positive current direction from the positive terminal 31, while the diodes are connected in parallel so that a current flows in the reverse direction. It is.

ここで、制御部1からのゲート制御信号は、信号伝送部2内の電気信号を光信号に変換する電光変換部15に供給される。電光変換部15で変換された光信号は、光伝送手段8を介して光電変換部13に供給され、電気信号に変換される。光電変換部13で変換された電気信号は、ゲート駆動回路7内の増幅回路4に供給される。信号伝送部2内では、光信号に変換して伝送するため、電気絶縁性が高まることとなる。これにより、制御部1とゲート駆動回路7との間における高い絶縁性を確保できる。   Here, the gate control signal from the control unit 1 is supplied to an electro-optic conversion unit 15 that converts an electrical signal in the signal transmission unit 2 into an optical signal. The optical signal converted by the electro-optic conversion unit 15 is supplied to the photoelectric conversion unit 13 via the optical transmission means 8 and converted into an electrical signal. The electrical signal converted by the photoelectric conversion unit 13 is supplied to the amplifier circuit 4 in the gate drive circuit 7. In the signal transmission part 2, since it converts into an optical signal and transmits, an electrical insulation property will increase. Thereby, high insulation between the control unit 1 and the gate drive circuit 7 can be ensured.

増幅回路4で増幅されたゲート駆動信号は、パワー半導体X1のゲート端子に供給され、パワー半導体X1のオン・オフが制御される。ところで、パワー半導体X1,X2の間には、ゲート駆動回路7内の異常電流を検出する検出回路3が接続してある。そして、検出回路3の出力に基づいて、増幅回路4の増幅動作の制御を行うようにしてある。   The gate drive signal amplified by the amplifier circuit 4 is supplied to the gate terminal of the power semiconductor X1, and on / off of the power semiconductor X1 is controlled. Incidentally, a detection circuit 3 for detecting an abnormal current in the gate drive circuit 7 is connected between the power semiconductors X1 and X2. Based on the output of the detection circuit 3, the amplification operation of the amplification circuit 4 is controlled.

ここで、パワー半導体X1,X2のいずれかが短絡等の状態に到った場合、過電流が一気に印加され、パワー半導体の破壊を引き起こす可能性がある。この破壊を回避するため、図6に示した構成では、パワー半導体X1,X2間の電流を検出する検出回路3を有している。この検出回路3でパワー半導体X1,X2を流れる電流値をチェックし、過電流を検知した場合は、常にオフ信号を出力するよう指令する。このようにしてあることで、パワー半導体X1,X2をオフ状態に保ち続け、パワー半導体X1,X2を保護することが可能となる。   Here, when one of the power semiconductors X1 and X2 reaches a state such as a short circuit, an overcurrent is applied all at once, which may cause destruction of the power semiconductor. In order to avoid this destruction, the configuration shown in FIG. 6 includes a detection circuit 3 that detects a current between the power semiconductors X1 and X2. The detection circuit 3 checks the value of the current flowing through the power semiconductors X1 and X2, and if an overcurrent is detected, the detection circuit 3 is instructed to always output an off signal. In this way, the power semiconductors X1 and X2 can be kept off and the power semiconductors X1 and X2 can be protected.

特許文献1には、パワー半導体の保護のため、パワー半導体の過電流を検知し、速やかに電流の流入を停止させることについての記載がある。
特開2001−190076公報(図1)
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-133620 describes that an overcurrent of a power semiconductor is detected and the inflow of current is stopped quickly in order to protect the power semiconductor.
JP 2001-190076 (FIG. 1)

大型産業装置や電車等の特に回路電圧の高い移動体に搭載される電力変換装置において、主回路電圧が、例えば、1500Vである場合、パワー半導体の破壊による電力変換装置の破壊被害は大きいものとなる。   In a power converter mounted on a mobile body with a particularly high circuit voltage, such as a large industrial device or a train, when the main circuit voltage is 1500 V, for example, the damage of the power converter due to the breakdown of the power semiconductor is large. Become.

ところが電力変換装置の故障原因を調査したところ、制御部や駆動回路部等の数Vから数十V程度の低電圧回路の故障により、誤ったオン信号がパワー半導体に印加されてしまう。その結果として、パワー半導体に過電流、過電圧が印加され、パワー半導体が破壊される2次故障の場合が多い。   However, when the cause of the failure of the power converter is investigated, an erroneous ON signal is applied to the power semiconductor due to a failure of a low-voltage circuit of several V to several tens V such as a control unit and a drive circuit unit. As a result, there are many cases of secondary failures in which overcurrent and overvoltage are applied to the power semiconductor and the power semiconductor is destroyed.

しかしながら、従来技術のパワー半導体の保護機能は、図6に示した構成のように、パワー半導体に電圧が印加された状態でなければ異常を検知できないものであった。そのため、保護機能部の動作が遅れた場合、パワー半導体が破壊される可能性があった。また、保護機能部が故障した場合、パワー半導体を正常に保護することが出来ない可能性もある。   However, the conventional power semiconductor protection function cannot detect an abnormality unless a voltage is applied to the power semiconductor as in the configuration shown in FIG. Therefore, when the operation of the protection function unit is delayed, the power semiconductor may be destroyed. In addition, when the protection function unit fails, there is a possibility that the power semiconductor cannot be normally protected.

本発明はこのような状況に鑑みて成されたものであり、高電圧が印加される電力変換装置におけるパワー半導体の破壊を低減することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to reduce the destruction of power semiconductors in a power conversion device to which a high voltage is applied.

本発明は、少なくとも1相分として半導体素子の直列接続体が直流電源に並列接続され、直列接続された半導体素子を交互にスイッチング制御することによって半導体素子の直列接続部から交流を出力する電力変換回路と、半導体素子をスイッチング制御させるためのゲート制御信号を出力する制御部と、ゲート制御信号を増幅し半導体素子をスイッチング駆動させるためのゲート駆動信号を出力する駆動回路部と、駆動回路部に駆動回路に対する故障診断を行う故障診断手段と、半導体素子に電圧を印加しない状態で制御部から故障診断手段へ診断開始信号を通信し、又は半導体素子に電圧を印加しない状態で故障診断手段の診断結果信号を故障診断手段から制御部へ無線通信する無線通信手段と、を備え、無線通信手段を、制御部から駆動回路部へのゲート制御信号の通信とは別個の通信系統とする。
また、本発明は、少なくとも1相分として半導体素子の直列接続体が直流電源に並列接続され、直列接続された半導体素子を交互にスイッチング制御することによって半導体素子の直列接続部から交流を出力する電力変換回路と、半導体素子をスイッチング制御させるためのゲート制御信号を出力する制御部と、ゲート制御信号を増幅回路で増幅し半導体素子をスイッチング駆動させるためのゲート駆動信号を出力する駆動回路部と、増幅回路に機能動作のための擬似信号を入力した際の出力信号に基づき駆動回路部に対する故障診断を行う故障診断手段と、半導体素子に電圧を印加しない状態で制御部から故障診断手段へ診断開始信号を通信し、又は半導体素子に電圧を印加しない状態で故障診断手段の診断結果信号を故障診断手段から制御部へ無線通信する無線通信手段と、を備え、無線通信手段を、制御部から駆動回路部へのゲート制御信号の通信とは別個の通信系統とする。
The present invention relates to power conversion in which a series connection of semiconductor elements is connected in parallel to a DC power supply as at least one phase, and alternating current is output from the series connection of the semiconductor elements by alternately switching the semiconductor elements connected in series. A circuit, a control unit that outputs a gate control signal for switching control of the semiconductor element, a drive circuit unit that amplifies the gate control signal and outputs a gate drive signal for switching driving the semiconductor element, and a drive circuit unit a failure diagnosis means for performing a failure diagnosis for the drive circuit to communicate the diagnosis start signal to the fault diagnosis unit from the control unit in a state where no voltage is applied to the semiconductor element, or diagnosis of the failure diagnosis means in a state where no voltage is applied to the semiconductor element results with a wireless communication means for wirelessly communicating signals from the malfunction diagnosis means to the control unit, and the wireless communication means, drive from the control unit The communication of the gate control signal to the circuit section and separate communication system.
Further, according to the present invention, a series connection body of semiconductor elements is connected in parallel to a DC power source for at least one phase, and alternating current is output from the series connection portion of the semiconductor elements by alternately controlling the switching of the semiconductor elements connected in series. A power conversion circuit; a control unit that outputs a gate control signal for switching control of the semiconductor element; and a drive circuit unit that amplifies the gate control signal by an amplifier circuit and outputs a gate drive signal for switching driving the semiconductor element; , Failure diagnosis means for diagnosing the drive circuit section based on an output signal when a pseudo signal for functional operation is input to the amplifier circuit, and diagnosis from the control section to the failure diagnosis means without applying a voltage to the semiconductor element communicate a start signal, or control the diagnostic result signal of the failure diagnosis unit from the failure diagnosis means in a state where no voltage is applied to the semiconductor element And a wireless communication means for wireless communication to the parts, the wireless communication means, a separate communication line to the communication of the gate control signal from the controller to the drive circuit unit.

本発明によれば、駆動回路部内のオン・オフ機能やパワー半導体保護機能の故障を検知し、制御部に診断結果を送信できるので、故障検知時には、安全にパワー半導体をオフ状態にすることで、パワー半導体の破壊を防止できる。   According to the present invention, the failure of the on / off function and the power semiconductor protection function in the drive circuit unit can be detected and the diagnosis result can be transmitted to the control unit. Therefore, when the failure is detected, the power semiconductor can be safely turned off. , Power semiconductors can be prevented from being destroyed.

また、制御部と駆動回路部間における通信手段のうち、制御部と故障診断手段との間を無線通信手段で行うことで、制御部と駆動回路部間の高い絶縁性を確保することができる。   In addition, among the communication means between the control unit and the drive circuit unit, high insulation between the control unit and the drive circuit unit can be ensured by performing wireless communication between the control unit and the failure diagnosis unit. .

さらに、制御部と駆動回路部間における通信手段のうち、制御信号の通信手段を無線通信手段で行うことで、取り扱いの難しい光ファイバ等を使用することなく、制御部と駆動回路部の間で高い絶縁性を確保することができる。   Furthermore, among the communication means between the control unit and the drive circuit unit, the communication unit for the control signal is performed by the wireless communication unit, so that the control unit and the drive circuit unit can be connected without using difficult optical fibers. High insulation can be ensured.

また、制御部にこうした無線通信手段を駆動回路部毎に個別に備えることで、速やかに信号を送受信することができるし、あるいは、制御部の送受信回路を一つにして複数の駆動回路部から一括通信することで、制御部内の回路接続を簡単にすることもできる。   Also, by providing such a wireless communication means for each drive circuit unit in the control unit, signals can be transmitted and received quickly, or from a plurality of drive circuit units with a single transmission / reception circuit of the control unit. By performing batch communication, circuit connection in the control unit can be simplified.

また、故障診断手段の測定対象を駆動回路のダミー動作とすることに加えて、駆動回路部内の回路状態のフェール信号又は電圧値又は温度信号等を診断することもできる。   Further, in addition to setting the measurement target of the failure diagnosis means to the dummy operation of the drive circuit, it is also possible to diagnose a fail signal, a voltage value, a temperature signal, or the like of the circuit state in the drive circuit unit.

以下、本発明の第1の実施の形態を、図1及び図2を参照して説明する。本実施の形態では、鉄道車両に搭載される直流電圧を交流電圧に変換し、モータ駆動させる電力変換装置を例に説明する。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a power converter that converts a DC voltage mounted on a railway vehicle into an AC voltage and drives the motor will be described as an example.

図1は、本例の電力変換装置の構成例を示した図であり、パワー半導体X1,X2が、2個を一組とするハーフブリッジ構成を成してある。2個のパワー半導体X1,X2は、図示していない外部の直流電源が接続された端子である、正極側端子31と負極側端子32の間に直列に接続して構成してある。直流電源としては、例えば1500Vの電源を使用する。また、パワー半導体X1,X2の接続部には交流出力端子30が接続してある。図1では、パワー半導体X1に対する駆動制御の構成を示してあるが、同様の構成がパワー半導体X2に対しても成される。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of the power conversion device of the present example, in which the power semiconductors X1 and X2 form a half-bridge configuration in which two power semiconductors are set as one set. The two power semiconductors X1 and X2 are connected in series between a positive terminal 31 and a negative terminal 32, which are terminals to which an external DC power supply (not shown) is connected. For example, a 1500 V power supply is used as the DC power supply. Further, an AC output terminal 30 is connected to a connection portion between the power semiconductors X1 and X2. Although FIG. 1 shows the drive control configuration for the power semiconductor X1, the same configuration is also applied to the power semiconductor X2.

ここで、パワー半導体X1,X2をオン・オフさせるゲート制御信号を発生する制御部22を用意し、その制御部22から駆動回路部20を介してパワー半導体X1にゲート制御信号を供給する。また、制御部22から駆動回路部21を介してパワー半導体X2にゲート制御信号を供給する。パワー半導体の構成は、例えば、トランジスタとダイオードの組み合わせによるものがある。なお、パワー半導体X1,X2について、共に、トランジスタが正極側端子31からの正電流方向に接続してあり、一方、それぞれのトランジスタに対して並列に、ダイオードが逆方向に電流が流れるように接続してある。これらの制御部、駆動回路部、パワー半導体をまとめて本例における電力変換装置として構成してある。   Here, a control unit 22 that generates a gate control signal for turning on / off the power semiconductors X1 and X2 is prepared, and the gate control signal is supplied from the control unit 22 to the power semiconductor X1 via the drive circuit unit 20. Further, a gate control signal is supplied from the control unit 22 to the power semiconductor X <b> 2 through the drive circuit unit 21. The configuration of the power semiconductor is, for example, a combination of a transistor and a diode. In addition, for the power semiconductors X1 and X2, both transistors are connected in the positive current direction from the positive terminal 31, while the diodes are connected in parallel so that a current flows in the reverse direction. It is. These control unit, drive circuit unit, and power semiconductor are collectively configured as a power conversion device in this example.

制御部22内には、駆動回路部20,21に対して、それぞれオン・オフのゲート制御信号を供給し、あるいは、後述する故障診断演算部10に故障診断指令を供給する主演算部16がある。また、制御部22内には、電気信号を光信号に変換する機能を有する電光変換部15a,15bと、駆動回路部20内の故障診断演算部10に対して診断開始指令を送信し、診断結果を受信する送受信回路17a,17bがそれぞれ設置してあり、主演算部16と接続してある。   In the control unit 22, there is a main calculation unit 16 that supplies on / off gate control signals to the drive circuit units 20 and 21, or supplies a failure diagnosis command to a failure diagnosis calculation unit 10 to be described later. is there. In the control unit 22, a diagnosis start command is transmitted to the electro-optic conversion units 15a and 15b having a function of converting an electrical signal into an optical signal, and the failure diagnosis calculation unit 10 in the drive circuit unit 20, and diagnosis is performed. Transmission / reception circuits 17a and 17b for receiving the results are respectively installed and connected to the main arithmetic unit 16.

駆動回路部20内には、光信号を電気信号に変換する機能を有する光電変換部13があり、制御部22内の電光変換部15aに対応している。電光変換部15aと光電変換部13との間は光信号を伝送する光ファイバ18aで接続してあり、高い絶縁性を確保してある。なお、駆動回路部21内の光電変換部は図示していないが、駆動回路部20の場合と同様に、制御部22内の電光変換部15bに対して光ファイバ18bで接続してある。   In the drive circuit unit 20, there is a photoelectric conversion unit 13 having a function of converting an optical signal into an electric signal, and corresponds to the electro-optic conversion unit 15 a in the control unit 22. The electro-optic conversion unit 15a and the photoelectric conversion unit 13 are connected by an optical fiber 18a that transmits an optical signal, and high insulation is ensured. Although the photoelectric conversion unit in the drive circuit unit 21 is not shown, the optical fiber 18b is connected to the electro-optic conversion unit 15b in the control unit 22 as in the case of the drive circuit unit 20.

駆動回路部20内には、光電変換部13から供給されるゲート制御信号を増幅し、その増幅されたゲート駆動信号をパワー半導体X1のゲート端子に印加する増幅回路11を備える。そして、回路が正常に動作するかどうかを検証する機能を有する故障診断演算部10を備え、この故障診断演算部10が、駆動回路部20内の各回路が正常に機能するかどうかを検証するようにしてある。故障診断演算部10が正常に機能するかどうか検証する回路としては、増幅回路11や、パワー半導体素子保護回路を含めた機能回路12などがある。   The drive circuit unit 20 includes an amplification circuit 11 that amplifies the gate control signal supplied from the photoelectric conversion unit 13 and applies the amplified gate drive signal to the gate terminal of the power semiconductor X1. The fault diagnosis operation unit 10 has a function of verifying whether the circuit operates normally. The failure diagnosis operation unit 10 verifies whether each circuit in the drive circuit unit 20 functions normally. It is like that. As a circuit for verifying whether the failure diagnosis arithmetic unit 10 functions normally, there are an amplifier circuit 11 and a functional circuit 12 including a power semiconductor element protection circuit.

また、駆動回路部20内の故障診断演算部10は、制御部22側の主演算部16からの診断開始指令が供給される構成としてある。即ち、主演算部16からの診断開始指令を受信し、故障診断演算部10から主演算部16に対して診断結果を送信する送受信回路14を備える。そして、制御部22には、赤外線通信等の無線通信を行う送受信回路17aを設けてあり、送受信回路17aと送受信回路14との間で、赤外線通信等の無線通信を行う。なお、駆動回路部21内の送受信回路は図示していないが、同様に、送受信回路17bと無線通信を行う送受信回路を設けてある。   Further, the failure diagnosis calculation unit 10 in the drive circuit unit 20 is configured to be supplied with a diagnosis start command from the main calculation unit 16 on the control unit 22 side. That is, a transmission / reception circuit 14 that receives a diagnosis start command from the main calculation unit 16 and transmits a diagnosis result from the failure diagnosis calculation unit 10 to the main calculation unit 16 is provided. The control unit 22 includes a transmission / reception circuit 17a that performs wireless communication such as infrared communication, and performs wireless communication such as infrared communication between the transmission / reception circuit 17a and the transmission / reception circuit 14. In addition, although the transmission / reception circuit in the drive circuit unit 21 is not illustrated, similarly, a transmission / reception circuit that performs wireless communication with the transmission / reception circuit 17b is provided.

次に本例の構成でのパワー半導体の制御動作を、パワー半導体X1を代表して説明する。パワー半導体X1をオン状態にする場合、制御部22内の主演算部16からパワー半導体X1に対して、オン信号のゲート制御信号が供給される。ゲート制御信号は電気信号であるため、制御部22内の電光変換部15において電気信号から光信号に変換される。光信号に変換されたゲート制御信号は光ファイバ18aを通じて駆動回路部20に伝送され、駆動回路部20の光電変換部13に送られる。この光電変換部13において、ゲート制御信号は、光信号から電気信号に変換される。電気信号となったゲート制御信号は増幅回路11で増幅され、ゲート駆動信号としてパワー半導体X1のゲート端子に印加される。こうして、パワー半導体X1はオン状態となり正電圧が正極側端子31から交流出力端子30に印加される。なお、この時、パワー半導体X2はオフ状態である。   Next, the control operation of the power semiconductor in the configuration of this example will be described using the power semiconductor X1 as a representative. When the power semiconductor X1 is turned on, an on signal gate control signal is supplied to the power semiconductor X1 from the main calculation unit 16 in the control unit 22. Since the gate control signal is an electrical signal, the electrical signal is converted from the electrical signal to the optical signal in the electro-optic conversion unit 15 in the control unit 22. The gate control signal converted into the optical signal is transmitted to the drive circuit unit 20 through the optical fiber 18 a and is sent to the photoelectric conversion unit 13 of the drive circuit unit 20. In the photoelectric conversion unit 13, the gate control signal is converted from an optical signal to an electrical signal. The gate control signal that has become an electric signal is amplified by the amplifier circuit 11 and applied to the gate terminal of the power semiconductor X1 as a gate drive signal. Thus, the power semiconductor X1 is turned on, and a positive voltage is applied from the positive terminal 31 to the AC output terminal 30. At this time, the power semiconductor X2 is in an off state.

パワー半導体X1をオフ状態にする際には、制御部22内の主演算部16から駆動回路部20に対して、オフ信号のゲート制御信号が出力される。オフ状態にする際のゲート制御信号の動作は、パワー半導体X1をオン状態にする場合の動作と同様である。こうして、パワー半導体X1はオフ状態となり、正極側端子31から交流出力端子30への電圧印加が停止する。   When the power semiconductor X1 is turned off, a gate control signal of an off signal is output from the main calculation unit 16 in the control unit 22 to the drive circuit unit 20. The operation of the gate control signal when turning off is the same as the operation when turning on the power semiconductor X1. Thus, the power semiconductor X1 is turned off, and voltage application from the positive terminal 31 to the AC output terminal 30 is stopped.

なお、パワー半導体X2をオン状態、オフ状態にする動作もパワー半導体X1をオン状態、オフ状態にする動作とそれぞれ同じである。   Note that the operation of turning the power semiconductor X2 on and off is the same as the operation of turning the power semiconductor X1 on and off.

図2は、本例の故障診断演算部における故障診断手順を示す処理例のフローチャートである。以下に、故障診断手順の処理例をパワー半導体X1に対する動作を代表して説明する。   FIG. 2 is a flowchart of a processing example showing a failure diagnosis procedure in the failure diagnosis calculation unit of this example. Hereinafter, a processing example of the failure diagnosis procedure will be described on behalf of the operation on the power semiconductor X1.

まず、パワー半導体X1,X2に電圧を印加しない状態において、制御部22内の主演算部16より送信された診断開始指令を、送受信回路17aから無線通信手段で、駆動回路部20内の送受信回路14で受信する。この診断開始指令は駆動回路部20内の故障診断演算部10で受信され、故障診断を開始する(ステップS1)。   First, in a state where no voltage is applied to the power semiconductors X1 and X2, a diagnosis start command transmitted from the main calculation unit 16 in the control unit 22 is transmitted from the transmission / reception circuit 17a by wireless communication means, and the transmission / reception circuit in the drive circuit unit 20 14 is received. The diagnosis start command is received by the failure diagnosis calculation unit 10 in the drive circuit unit 20, and the failure diagnosis is started (step S1).

次に、故障診断演算部10は駆動回路部20内の電源電圧や機能回路12内の電圧値等が正常範囲に入っているか否か判定する(ステップS2)。次に、駆動回路部20内の機能回路12に機能動作のための擬似信号を入力し、正常な出力信号が得られるかどうか判定する(ステップS3)。次に、駆動回路部20内の増幅回路11に機能動作のための擬似信号を入力し、正常な出力信号が得られるかどうか判定する(ステップS4)。   Next, the failure diagnosis calculation unit 10 determines whether the power supply voltage in the drive circuit unit 20 and the voltage value in the functional circuit 12 are within a normal range (step S2). Next, a pseudo signal for functional operation is input to the functional circuit 12 in the drive circuit unit 20 to determine whether a normal output signal can be obtained (step S3). Next, a pseudo signal for functional operation is input to the amplifier circuit 11 in the drive circuit unit 20 to determine whether a normal output signal can be obtained (step S4).

そして、ステップS2〜S4で得られた診断結果を送受信回路14に送信する。送受信回路14は、無線通信手段で、送受信回路17aに診断結果を送信し、送受信回路17aより、主演算部16に診断結果を送信する。主演算部16は診断結果から駆動回路20内のいずれかの回路に異常が見受けられる場合は、パワー半導体X1のゲート制御信号をオフ信号にする(ステップS5)。   Then, the diagnosis result obtained in steps S <b> 2 to S <b> 4 is transmitted to the transmission / reception circuit 14. The transmission / reception circuit 14 is a wireless communication unit, and transmits the diagnosis result to the transmission / reception circuit 17a, and transmits the diagnosis result to the main arithmetic unit 16 from the transmission / reception circuit 17a. If an abnormality is found in any of the circuits in the drive circuit 20 from the diagnosis result, the main arithmetic unit 16 turns off the gate control signal of the power semiconductor X1 (step S5).

以上のように、パワー半導体X1に電圧を印加せずに、駆動回路部20内の各種回路に対する機能診断を行い、駆動回路部20内の回路故障を検知することで、パワー半導体X1をオフ状態にし、パワー半導体X1の2次故障を防ぐことが出来る。   As described above, functional diagnosis is performed on various circuits in the drive circuit unit 20 without applying a voltage to the power semiconductor X1, and the power semiconductor X1 is turned off by detecting a circuit failure in the drive circuit unit 20. Thus, the secondary failure of the power semiconductor X1 can be prevented.

また、制御部22と駆動回路部20の間の無線通信する構成にすることで、設置取り扱いが難しく壊れやすい光ファイバの設置を回避できる。こうして制御部22と駆動回路部20間に高い絶縁性を確保することで、電力変換装置の絶縁破壊の可能性を低減させることが可能となる。   In addition, by adopting a configuration in which wireless communication is performed between the control unit 22 and the drive circuit unit 20, installation of an optical fiber that is difficult to install and easily broken can be avoided. By ensuring high insulation between the control unit 22 and the drive circuit unit 20 in this way, it is possible to reduce the possibility of dielectric breakdown of the power conversion device.

また、制御部22と駆動回路部20の間の通信を無線通信手段とすることで、速やかに信号を送受信することができる。   In addition, by using communication between the control unit 22 and the drive circuit unit 20 as wireless communication means, signals can be quickly transmitted and received.

次に、本発明の第2の実施の形態を、図3を参照して説明する。図3において、既に説明した第1の実施の形態の図1に対応する部分には同一符号を付す。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG. 1 of the first embodiment already described.

図3は、本例の電力変換装置の構成例を示した図であり、パワー半導体X1,X2が、2個を一組とするハーフブリッジ構成を成してある。2個のパワー半導体X1,X2は、図示していない外部の直流電源が接続された端子である、正極側端子31と負極側端子32の間に直列に接続して構成してある。また、パワー半導体X1,X2の接続部には交流出力端子30が接続してある。図3では、パワー半導体X1に対する駆動制御の構成を示してあるが、同様の構成がパワー半導体X2に対しても成される。   FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of the power conversion device of this example, in which the power semiconductors X1 and X2 form a half bridge configuration in which two power semiconductors are set as one set. The two power semiconductors X1 and X2 are connected in series between a positive terminal 31 and a negative terminal 32, which are terminals to which an external DC power supply (not shown) is connected. Further, an AC output terminal 30 is connected to a connection portion between the power semiconductors X1 and X2. Although FIG. 3 shows a drive control configuration for the power semiconductor X1, a similar configuration is also applied to the power semiconductor X2.

ここで、ゲート制御信号を発生する制御部22から、駆動回路部20,21を介してパワー半導体X1,X2に、ゲート制御信号を供給する構成については、第1の実施の形態で説明した図1の構成と同じである。そして本例においては、制御部22内に、駆動回路部20,21側の故障診断演算部10と双方向に通信を行う送受信回路17aを、1組だけ設けた構成としてある。即ち、先に説明した第1の実施の形態で説明した図1の構成では、制御部22内に、駆動回路部の数に対応した送受信回路17a,17bを設けた構成としたが、本例においては、1つの送受信回路17aで、全ての駆動回路部20,21側の送受信回路(送受信回路14など)と無線通信を行うようにしてある。   Here, the configuration for supplying the gate control signal from the control unit 22 that generates the gate control signal to the power semiconductors X1 and X2 via the drive circuit units 20 and 21 is described in the first embodiment. The configuration is the same as that of FIG. In this example, the control unit 22 has a configuration in which only one set of the transmission / reception circuit 17a that performs bidirectional communication with the failure diagnosis calculation unit 10 on the drive circuit units 20 and 21 side is provided. That is, in the configuration of FIG. 1 described in the first embodiment described above, the transmission / reception circuits 17a and 17b corresponding to the number of drive circuit units are provided in the control unit 22. In FIG. 1, one transmission / reception circuit 17a performs wireless communication with all transmission / reception circuits (transmission / reception circuits 14 and the like) on the drive circuit units 20 and 21 side.

その他の部分については、図1に示した構成と同様である。即ち、駆動回路部20内には、光信号を電気信号に変換する機能を有する光電変換部13があり、制御部22内の電光変換部15aに対応している。電光変換部15aと光電変換部13との間は光信号を伝送する光ファイバ18aで接続してあり、高い絶縁性を確保してある。なお、駆動回路部21内の光電変換部は図示していないが、駆動回路部20の場合と同様に、制御部22内の電光変換部15bに対して光ファイバ18bで接続してある。   Other parts are the same as those shown in FIG. That is, the drive circuit unit 20 includes a photoelectric conversion unit 13 having a function of converting an optical signal into an electrical signal, and corresponds to the electro-optic conversion unit 15 a in the control unit 22. The electro-optic conversion unit 15a and the photoelectric conversion unit 13 are connected by an optical fiber 18a that transmits an optical signal, and high insulation is ensured. Although the photoelectric conversion unit in the drive circuit unit 21 is not shown, the optical fiber 18b is connected to the electro-optic conversion unit 15b in the control unit 22 as in the case of the drive circuit unit 20.

駆動回路部20内には、光電変換部13とゲート制御信号を増幅し、ゲート駆動信号をパワー半導体X1に印加する機能を有する増幅回路11が接続してある。そして、回路が正常に動作するかどうかを検証する機能を有する故障診断演算部10が、増幅回路11と、駆動回路部20内の電圧等を検知可能な機能回路12とにそれぞれ接続してある。   In the drive circuit unit 20, the photoelectric conversion unit 13 and an amplification circuit 11 having a function of amplifying the gate control signal and applying the gate drive signal to the power semiconductor X1 are connected. A failure diagnosis arithmetic unit 10 having a function of verifying whether the circuit operates normally is connected to the amplifier circuit 11 and the functional circuit 12 capable of detecting the voltage in the drive circuit unit 20. .

また、駆動回路部20内には、主演算部16から故障診断演算部10に対して供給される診断開始指令を受信し、あるいは、故障診断演算部10から主演算部16に対して診断結果を送信する送受信回路14と、故障診断演算部10が接続してある。そして、赤外線通信等で無線通信を行う送受信回路17aと送受信回路14を設けてある。なお、駆動回路部21内の送受信回路は図示していないが、同様に、赤外線通信等で無線通信を行う送受信回路を設けてある。   In the drive circuit unit 20, a diagnosis start command supplied from the main calculation unit 16 to the failure diagnosis calculation unit 10 is received, or a diagnosis result is sent from the failure diagnosis calculation unit 10 to the main calculation unit 16. Is connected to the transmitter / receiver circuit 14 and the failure diagnosis calculation unit 10. A transmission / reception circuit 17a and a transmission / reception circuit 14 for performing wireless communication by infrared communication or the like are provided. In addition, although the transmission / reception circuit in the drive circuit unit 21 is not illustrated, similarly, a transmission / reception circuit that performs wireless communication by infrared communication or the like is provided.

このように構成したことで、第1の実施の形態の場合と同様に、故障診断演算部10が駆動回路部20内の故障診断を行うことができ、同様の効果を有する。本例の場合には、制御部22側の1個の送受信回路14が複数の駆動回路部20,21と通信を行う必要があるので、制御部22と駆動回路部20,21間の通信に関して、インバータ駆動前の故障診断等、信号の伝送速度を要求されない場合に好適な構成である。また、制御部22側の送受信回路17aを1つにして、複数の駆動回路部から一括通信することで、送受信回路17aと主演算部16の回路接続を簡略化することが可能である。   With this configuration, as in the case of the first embodiment, the failure diagnosis calculation unit 10 can perform the failure diagnosis in the drive circuit unit 20 and has the same effect. In the case of this example, since one transmission / reception circuit 14 on the control unit 22 side needs to communicate with a plurality of drive circuit units 20 and 21, communication between the control unit 22 and the drive circuit units 20 and 21 is performed. This is a suitable configuration when the signal transmission speed is not required, such as failure diagnosis before driving the inverter. In addition, it is possible to simplify the circuit connection between the transmission / reception circuit 17a and the main calculation unit 16 by using a single transmission / reception circuit 17a on the control unit 22 side and performing batch communication from a plurality of drive circuit units.

次に、本発明の第3の実施の形態を、図4を参照して説明する。図4において、既に説明した第1の実施の形態の図1に対応する部分には同一符号を付す。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG. 1 of the first embodiment already described.

図4は、本例の電力変換装置の構成例を示した図であり、パワー半導体X1,X2が、2個を一組とするハーフブリッジ構成を成してある。2個のパワー半導体X1,X2は、図示していない外部の直流電源が接続された端子である、正極側端子31と負極側端子32の間に直列に接続して構成してある。また、パワー半導体X1,X2の接続部には交流出力端子30が接続してある。図4では、パワー半導体X1に対する駆動制御の構成を示してあるが、同様の構成がパワー半導体X2に対しても成される。   FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the power conversion device of this example, in which the power semiconductors X1 and X2 form a half-bridge configuration in which two power semiconductors are set as one set. The two power semiconductors X1 and X2 are connected in series between a positive terminal 31 and a negative terminal 32, which are terminals to which an external DC power supply (not shown) is connected. Further, an AC output terminal 30 is connected to a connection portion between the power semiconductors X1 and X2. Although FIG. 4 shows a drive control configuration for the power semiconductor X1, a similar configuration is also applied to the power semiconductor X2.

ここで、パワー半導体X1,X2をオン・オフさせるゲート制御信号を発生する制御部22を用意し、その制御部22から駆動回路部20を介してパワー半導体X1にゲート制御信号を供給する。また、制御部22から駆動回路部21を介してパワー半導体X2にゲート制御信号を供給する。パワー半導体の構成は、例えば、トランジスタとダイオードの組み合わせによるものがある。なお、パワー半導体X1,X2について、共に、トランジスタが正極側端子31からの正電流方向に接続してあり、一方、それぞれのトランジスタに対して並列に、ダイオードが逆方向に電流が流れるように接続してある。これらの制御部、駆動回路部、パワー半導体をまとめて本例における電力変換装置として構成してある。   Here, a control unit 22 that generates a gate control signal for turning on / off the power semiconductors X1 and X2 is prepared, and the gate control signal is supplied from the control unit 22 to the power semiconductor X1 via the drive circuit unit 20. Further, a gate control signal is supplied from the control unit 22 to the power semiconductor X <b> 2 through the drive circuit unit 21. The configuration of the power semiconductor is, for example, a combination of a transistor and a diode. In addition, for the power semiconductors X1 and X2, both transistors are connected in the positive current direction from the positive terminal 31, while the diodes are connected in parallel so that a current flows in the reverse direction. It is. These control unit, drive circuit unit, and power semiconductor are collectively configured as a power conversion device in this example.

制御部22内には、駆動回路部20,21に対して、それぞれオン・オフのゲート制御信号を供給し、あるいは、駆動回路部20内の回路に対して故障診断を行う故障診断演算部10に故障診断指令を供給する主演算部16がある。また、制御部22内には、駆動回路部20に対して、駆動回路部20側の送受信回路14と双方向の無線通信を行う送受信回路17aが設置してある。駆動回路部20側の送受信回路14は、増幅回路11と故障診断演算部10に接続してあり、送受信回路14が受信したゲート制御信号を増幅回路11に供給する。また、送受信回路14が受信した故障診断指令を故障診断演算部10に供給する。また、故障診断演算部10が診断した結果を、送受信回路14から制御部22側の送受信回路14に送る。   In the control unit 22, an on / off gate control signal is supplied to each of the drive circuit units 20 and 21, or a failure diagnosis calculation unit 10 that performs a failure diagnosis on a circuit in the drive circuit unit 20. There is a main calculation unit 16 for supplying a failure diagnosis command to the main operation unit 16. Further, in the control unit 22, a transmission / reception circuit 17 a that performs bidirectional wireless communication with the transmission / reception circuit 14 on the drive circuit unit 20 side is installed in the drive circuit unit 20. The transmission / reception circuit 14 on the drive circuit unit 20 side is connected to the amplification circuit 11 and the failure diagnosis calculation unit 10, and supplies the gate control signal received by the transmission / reception circuit 14 to the amplification circuit 11. In addition, the failure diagnosis command received by the transmission / reception circuit 14 is supplied to the failure diagnosis calculation unit 10. Further, the result of diagnosis by the failure diagnosis calculation unit 10 is sent from the transmission / reception circuit 14 to the transmission / reception circuit 14 on the control unit 22 side.

また、制御部22内に、駆動回路部21内の図示しない送受信回路と双方向の無線通信を行う送受信回路17bが設置してある。   In addition, a transmission / reception circuit 17b that performs bidirectional wireless communication with a transmission / reception circuit (not shown) in the drive circuit unit 21 is installed in the control unit 22.

また、制御部22内の送受信回路17aと、駆動回路部20内の送受信回路14との間は、赤外線通信等の無線通信を行う。制御部22内の送受信回路17bと、駆動回路部21側の送受信回路との間についても、赤外線通信等の無線通信を行う。   In addition, wireless communication such as infrared communication is performed between the transmission / reception circuit 17 a in the control unit 22 and the transmission / reception circuit 14 in the drive circuit unit 20. Wireless communication such as infrared communication is also performed between the transmission / reception circuit 17b in the control unit 22 and the transmission / reception circuit on the drive circuit unit 21 side.

なお、制御部22から各駆動回路部20へのゲート制御信号の伝送については、シリアル通信化するようにしてある。即ち、パワー半導体X1,X2は短絡しないように両方ともオフ状態になるタイミングを必ず設けなければならないので、シリアル信号はオフ時間+オン時間の組み合わせで伝送するようにし、パワー半導体X1,X2間のオフタイミングを調整する構成としてある。   The transmission of the gate control signal from the control unit 22 to each drive circuit unit 20 is made serial communication. That is, since the power semiconductors X1 and X2 must both be provided with a timing at which both power semiconductors X1 and X2 are turned off, the serial signal is transmitted in a combination of the off time and the on time, and between the power semiconductors X1 and X2. The off timing is adjusted.

次に、本例の構成でのパワー半導体の制御動作を、パワー半導体X1を代表して説明する。パワー半導体X1をオン状態にする場合、制御部22内の主演算部16からパワー半導体X1に対して、オン信号のゲート制御信号が出力され、制御部22内の送受信回路17aから無線通信で駆動回路部20内の送受信回路14に到る。さらに、送受信回路14から増幅回路11にゲート制御信号は送信され、増幅回路11で増幅され、ゲート駆動信号としてパワー半導体X1のゲート端子に印加される。こうして、パワー半導体X1はオン状態となり正電圧が正極側端子31から交流出力端子30に印加される。なお、この時、パワー半導体X2はオフ状態である。   Next, the control operation of the power semiconductor in the configuration of this example will be described using the power semiconductor X1 as a representative. When the power semiconductor X1 is turned on, a gate control signal of an on signal is output from the main arithmetic unit 16 in the control unit 22 to the power semiconductor X1, and is driven by wireless communication from the transmission / reception circuit 17a in the control unit 22 The transmission / reception circuit 14 in the circuit unit 20 is reached. Further, the gate control signal is transmitted from the transmission / reception circuit 14 to the amplification circuit 11, amplified by the amplification circuit 11, and applied as a gate drive signal to the gate terminal of the power semiconductor X1. Thus, the power semiconductor X1 is turned on, and a positive voltage is applied from the positive terminal 31 to the AC output terminal 30. At this time, the power semiconductor X2 is in an off state.

パワー半導体X1をオフ状態にする際には、制御部22内の主演算部16から駆動回路部20に対して、オフ信号のゲート制御信号が出力される。オフ状態にする際のゲート制御信号の動作は、パワー半導体X1をオン状態にする場合の動作と同様である。こうして、パワー半導体X1はオフ状態となり、正極側端子31から交流出力端子30への電圧印加が停止する。   When the power semiconductor X1 is turned off, a gate control signal of an off signal is output from the main calculation unit 16 in the control unit 22 to the drive circuit unit 20. The operation of the gate control signal when turning off is the same as the operation when turning on the power semiconductor X1. Thus, the power semiconductor X1 is turned off, and voltage application from the positive terminal 31 to the AC output terminal 30 is stopped.

なお、パワー半導体X2をオン状態、オフ状態にする動作もパワー半導体X1をオン状態、オフ状態にする動作とそれぞれ同じである。   Note that the operation of turning the power semiconductor X2 on and off is the same as the operation of turning the power semiconductor X1 on and off.

なお、故障診断演算部10の動作は、第1の実施の形態における図2の処理例によるフローチャートと同様である。   Note that the operation of the failure diagnosis calculation unit 10 is the same as the flowchart according to the processing example of FIG. 2 in the first embodiment.

本例では、制御部22内の主演算部16からパワー半導体X1に対して、ゲート制御信号を供給する通信手段と、主演算部16が故障診断演算部10側と通信を行う通信手段を、送受信回路17aで兼用した点が、特徴である。   In this example, a communication unit that supplies a gate control signal to the power semiconductor X1 from the main calculation unit 16 in the control unit 22, and a communication unit that the main calculation unit 16 communicates with the failure diagnosis calculation unit 10 side, A feature is that the transmitter / receiver circuit 17a is also used.

上述した第1の実施の形態においては、制御部22から駆動回路部20へのゲート制御信号は光ファイバ18を介して伝送していたが、本例においては、無線通信手段を用いるため、光ファイバ等の信号伝送媒体を必要としない。例えば、光ファイバは折り曲げ限界があるので、設置の取り扱いが困難であるため、光伝送の故障が発生しやすいが、無線通信手段ではそうした問題が発生しない。   In the first embodiment described above, the gate control signal from the control unit 22 to the drive circuit unit 20 is transmitted via the optical fiber 18. No signal transmission medium such as fiber is required. For example, the optical fiber has a bending limit, so that it is difficult to handle the installation, so that an optical transmission failure is likely to occur, but such a problem does not occur in the wireless communication means.

ここで、制御部と駆動回路部を絶縁して信号を伝送する技術として、パルストランスが従来技術として上げられる。しかしながら、パルストランスの絶縁耐量を上げながら高速通信するのは難しく、また、パルストランスの場合、制御部と駆動回路部間の絶縁破壊の可能性があるので、絶縁の高信頼性を要求される高電圧電力変換装置においては使用しにくい。また、光ファイバを使用すると、ゲート制御信号のオンオフ幅に従った信号を伝送できるが、無線通信手段では数ミリ秒程度の長いオン信号を直接伝送することが出来ない。   Here, as a technique for transmitting a signal by insulating the control unit and the drive circuit unit, a pulse transformer is given as a conventional technique. However, it is difficult to perform high-speed communication while increasing the dielectric strength of the pulse transformer, and in the case of a pulse transformer, there is a possibility of dielectric breakdown between the control unit and the drive circuit unit, so high reliability of insulation is required. It is difficult to use in a high voltage power converter. If an optical fiber is used, a signal according to the on / off width of the gate control signal can be transmitted, but the wireless communication means cannot directly transmit an on signal as long as several milliseconds.

従って、ゲート制御信号をシリアル通信化する必要がある。パワー半導体X1,X2は短絡しないように両方ともオフ状態になるタイミングを必ず設けなければならないが、本例においては、シリアル信号はオフ時間+オン時間の組み合わせで伝送するようにし、パワー半導体X1,X2間のオフタイミングを調整するようしたので、良好にパワー半導体X1,X2を制御できる。   Therefore, it is necessary to serialize the gate control signal. The power semiconductors X1 and X2 must be provided with a timing at which both power semiconductors X1 and X2 are turned off, but in this example, the serial signals are transmitted in a combination of off time + on time, Since the off timing between X2 is adjusted, the power semiconductors X1 and X2 can be controlled satisfactorily.

こうしたことから、制御部と駆動回路部間の絶縁信号伝送を無線通信手段で行う本例は電力変換装置の高信頼化に寄与できるものである。   For this reason, the present example in which the insulation signal transmission between the control unit and the drive circuit unit is performed by wireless communication means can contribute to high reliability of the power conversion device.

また、電光変換部、光電変換部、光ファイバを用いないため、制御部、駆動回路部ともに構成を簡略化することが可能である。   In addition, since the electro-optic conversion unit, the photoelectric conversion unit, and the optical fiber are not used, the configuration of both the control unit and the drive circuit unit can be simplified.

また、制御部22と駆動回路部20との間は完全に絶縁距離が確保できるため、電力変換装置の故障原因となりうる接触による短絡等の事故は発生しない。   Moreover, since the insulation distance can be completely ensured between the control part 22 and the drive circuit part 20, accidents, such as a short circuit by the contact which may cause a failure of a power converter device, do not occur.

また、制御部22と駆動回路部20の間の通信を無線通信とすることで、速やかに信号を送受信することができる。   Further, by making communication between the control unit 22 and the drive circuit unit 20 wireless communication, signals can be quickly transmitted and received.

こうして、パワー半導体X1に電圧を印加せずに、駆動回路部20内の各種回路に対する機能診断を行い、駆動回路部20内の回路故障を検知することで、パワー半導体X1をオフ状態にし、パワー半導体X1の2次故障を防ぐことが出来る。   In this way, functional diagnosis is performed on various circuits in the drive circuit unit 20 without applying a voltage to the power semiconductor X1, and a circuit failure in the drive circuit unit 20 is detected, so that the power semiconductor X1 is turned off. Secondary failure of the semiconductor X1 can be prevented.

また、制御部22と駆動回路部20の間を無線通信することで、設置取り扱いの難しく壊れやすい光ファイバの設置を回避できる。こうして制御部22と駆動回路部20間に高い絶縁性を確保することで、電力変換装置の絶縁破壊の可能性を低減させることが可能となる。   In addition, by performing wireless communication between the control unit 22 and the drive circuit unit 20, installation of an optical fiber that is difficult to install and easily broken can be avoided. By ensuring high insulation between the control unit 22 and the drive circuit unit 20 in this way, it is possible to reduce the possibility of dielectric breakdown of the power conversion device.

なお、上述した第1〜第3の実施の形態では、故障診断演算部10による故障診断は、インバータ駆動つまりモータを回転させる前に診断するものであるが、インバータ駆動中に診断することも可能である。   In the first to third embodiments described above, the failure diagnosis by the failure diagnosis calculation unit 10 is performed before the inverter is driven, that is, before the motor is rotated, but it is also possible to make a diagnosis while the inverter is being driven. It is.

また、上述した第1〜第3の実施の形態では駆動回路部内の回路動作について診断を行ったが、例えば、電圧値又は駆動回路部温度又は機能回路のフェール信号等を故障診断演算部10などで常時監視し、制御部22の主演算部16にデータを送信することにより、常時故障診断を行うことも可能である。   In the above-described first to third embodiments, the circuit operation in the drive circuit unit is diagnosed. For example, the failure diagnosis calculation unit 10 or the like is used for the voltage value, the drive circuit unit temperature, the failure signal of the functional circuit, or the like. It is also possible to always perform failure diagnosis by constantly monitoring and transmitting data to the main arithmetic unit 16 of the control unit 22.

ここで、ここまで説明した各実施の形態の構成が適用される構成について説明する。図5は第1〜3の実施の形態に示した電力変換装置を鉄道車両100に搭載した構成の例であり、以下にこの構成を説明する。本例の鉄道車両100には、車輪101を回転駆動させるモータ112が取り付けてあり、モータ112は、高出力の直流電流を交流電流に変換する電力変換装置111で変換された交流電源が供給される。そして、電力変換装置111には、電力変換装置111内の図示していない内部回路の状態を診断可能な演算装置110が備えてある。   Here, a configuration to which the configuration of each embodiment described so far is applied will be described. FIG. 5 shows an example of a configuration in which the power conversion device shown in the first to third embodiments is mounted on the railcar 100, and this configuration will be described below. The railway vehicle 100 of this example is equipped with a motor 112 that rotates the wheels 101, and the motor 112 is supplied with AC power converted by a power converter 111 that converts high-output DC current into AC current. The The power conversion device 111 includes an arithmetic device 110 that can diagnose the state of an internal circuit (not shown) in the power conversion device 111.

鉄道車両100は、電力変換装置111によりモータ112を駆動して、車輪101を回転駆動させることができる。ここで、電力変換装置111からの故障診断結果を鉄道車両100に搭載される演算装置110に伝送することで、電力変換装置111の外部で異常検知の判定を行うこともできる。   The railway vehicle 100 can drive the motor 101 by the power converter 111 to drive the wheels 101 to rotate. Here, by transmitting the failure diagnosis result from the power conversion device 111 to the arithmetic device 110 mounted on the railway vehicle 100, it is possible to determine abnormality detection outside the power conversion device 111.

また、電力変換装置111内の図示していない故障診断演算部から、電力変換装置111内の図示していない駆動回路部の温度情報等を演算装置110に伝送し、演算装置110内で電力変換装置111の異常判定を行ってもよい。   Further, temperature information of a drive circuit unit (not shown) in the power conversion device 111 is transmitted to the calculation device 110 from a failure diagnosis calculation unit (not shown) in the power conversion device 111, and power conversion is performed in the calculation device 110. An abnormality determination of the device 111 may be performed.

あるいは、電力変換装置111の内部に演算装置110を組み込んで異常検知の判定を行うこともできる。   Alternatively, the abnormality detection can be determined by incorporating the arithmetic device 110 into the power conversion device 111.

この演算装置110による電力変換装置111の診断判定に従うことで、電力変換装置111が故障する前に交換することが可能となる。   By following the diagnostic determination of the power converter 111 by the arithmetic device 110, the power converter 111 can be replaced before it fails.

あるいは、発熱を抑制するために演算装置110による電力変換装置111への運転指令を変更することで、鉄道車両100の故障を事前に防止することが可能となる。   Or it becomes possible to prevent a failure of the railway vehicle 100 in advance by changing the operation command to the power conversion device 111 by the arithmetic device 110 in order to suppress heat generation.

また、電力変換装置111と演算装置110の間の通信手段を光ファイバによる光信号、あるいは、無線通信手段を用いることで絶縁距離を確保し、電力変換装置111の短絡電流等による演算装置110に対する破壊を防止することが可能となる。   Further, the communication means between the power conversion device 111 and the calculation device 110 is secured to the insulation distance by using an optical signal using an optical fiber or a wireless communication means. It becomes possible to prevent destruction.

また、電力変換装置111の駆動中に電力変換装置111の内部回路を診断したり、電圧値又は駆動回路部温度又は機能回路のフェール信号等を常時監視することにより、常時故障診断を行ってもよい。   In addition, even if the failure diagnosis is performed constantly by diagnosing the internal circuit of the power conversion device 111 while driving the power conversion device 111, or constantly monitoring the voltage value, the temperature of the drive circuit unit, the failure signal of the functional circuit, or the like. Good.

本発明の第1の実施の形態における電力変換装置の例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the example of the power converter device in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態における、故障診断手順の処理例を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the process example of the failure diagnosis procedure in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態における電力変換装置の例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the example of the power converter device in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態における電力変換装置の例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the example of the power converter device in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第1〜3の実施の形態における電力変換装置を搭載した鉄道車両の例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the example of the railway vehicle carrying the power converter device in the 1st-3rd embodiment of this invention. 従来の電力変換装置の例を示した構成図である。It is the block diagram which showed the example of the conventional power converter device.

符号の説明Explanation of symbols

1…制御部、2…信号伝送部、4…増幅回路、3…検出回路、7…ゲート駆動回路、8…光伝送手段、10…故障診断演算部、11…増幅回路、12…機能回路、13…光電変換部、14…送受信回路、15,15a,15b…電光変換部、16…主演算部、17a,17b…送受信回路、18a,18b…光ファイバ、20…駆動回路部、21…駆動回路部、22…制御部、30…交流出力端子、31…正極側端子、32…負極側端子、X1…パワー半導体、X2…パワー半導体、100…鉄道車両、101…車輪、110…演算装置、111…電力変換装置、112…モータ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Control part, 2 ... Signal transmission part, 4 ... Amplification circuit, 3 ... Detection circuit, 7 ... Gate drive circuit, 8 ... Optical transmission means, 10 ... Fault diagnosis operation part, 11 ... Amplification circuit, 12 ... Functional circuit, DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Photoelectric conversion part, 14 ... Transmission / reception circuit, 15, 15a, 15b ... Electro-optic conversion part, 16 ... Main operation part, 17a, 17b ... Transmission / reception circuit, 18a, 18b ... Optical fiber, 20 ... Drive circuit part, 21 ... Drive Circuit part, 22 ... Control part, 30 ... AC output terminal, 31 ... Positive electrode side terminal, 32 ... Negative electrode side terminal, X1 ... Power semiconductor, X2 ... Power semiconductor, 100 ... Railway vehicle, 101 ... Wheel, 110 ... Arithmetic unit, 111 ... Power converter, 112 ... Motor

Claims (9)

少なくとも1相分として半導体素子の直列接続体が直流電源に並列接続され、前記直列接続された半導体素子を交互にスイッチング制御することによって前記半導体素子の直列接続部から交流を出力する電力変換回路と、
前記半導体素子をスイッチング制御させるためのゲート制御信号を出力する制御部と、
前記ゲート制御信号を増幅し前記半導体素子をスイッチング駆動させるためのゲート駆動信号を出力する駆動回路部と、
前記駆動回路部に対する故障診断を行う故障診断手段と、
前記半導体素子に電圧を印加しない状態で前記制御部から前記故障診断手段へ診断開始信号を通信し、又は、前記半導体素子に電圧を印加しない状態で前記故障診断手段の診断結果信号を前記故障診断手段から前記制御部へ無線通信する無線通信手段と、を備え、
前記無線通信手段を、前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信とは別個の通信系統とすることを特徴とする電力変換装置。
A power conversion circuit for outputting a alternating current from the series connection portion of the semiconductor elements by switching the series connection semiconductor elements alternately by switching a series connection body of the semiconductor elements in parallel to a DC power source as at least one phase; ,
A control unit that outputs a gate control signal for switching control of the semiconductor element;
A drive circuit unit for amplifying the gate control signal and outputting a gate drive signal for switching and driving the semiconductor element;
Fault diagnosis means for performing fault diagnosis on the drive circuit unit;
A diagnosis start signal is communicated from the control unit to the failure diagnosis unit without applying a voltage to the semiconductor element , or a diagnosis result signal of the failure diagnosis unit is applied to the failure diagnosis without applying a voltage to the semiconductor element. Wireless communication means for wirelessly communicating from the means to the control unit,
The power converter according to claim 1, wherein the wireless communication unit is a communication system separate from the communication of the gate control signal from the control unit to the drive circuit unit .
請求項1記載の電力変換装置において、
前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信手段を光通信手段としたことを特徴とする電力変換装置。
The power conversion device according to claim 1,
A power conversion device characterized in that the communication means of the gate control signal from the control section to the drive circuit section is an optical communication means.
請求項1記載の電力変換装置において、
前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信手段を無線通信手段としたことを特徴とする電力変換装置。
The power conversion device according to claim 1,
The power conversion apparatus according to claim 1, wherein the communication means of the gate control signal from the control section to the drive circuit section is a wireless communication means.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記故障診断手段は、前記駆動回路部の診断結果を前記制御部に送信すると共に、前記駆動回路部のフェール信号又は電圧値又は温度信号を前記制御部に送信することを特徴とする電力変換装置。
In the power converter device according to any one of claims 1 to 3,
The failure diagnosis unit transmits a diagnosis result of the drive circuit unit to the control unit, and transmits a failure signal, a voltage value, or a temperature signal of the drive circuit unit to the control unit. .
少なくとも1相分として半導体素子の直列接続体が直流電源に並列接続され、前記直列接続された半導体素子を交互にスイッチング制御することによって前記半導体素子の直列接続部から交流を出力する電力変換回路と、
前記半導体素子をスイッチング制御させるためのゲート制御信号を出力する制御部と、
前記ゲート制御信号を増幅回路で増幅し、前記半導体素子をスイッチング駆動させるためのゲート駆動信号を出力する駆動回路部と、
前記増幅回路に機能動作のための擬似信号を入力した際の出力信号に基づき前記駆動回路部に対する故障診断を行う故障診断手段と、
前記半導体素子に電圧を印加しない状態で前記制御部から前記故障診断手段へ診断開始信号を通信し、又は前記半導体素子に電圧を印加しない状態で前記故障診断手段の診断結果信号を前記故障診断手段から前記制御部へ無線通信する無線通信手段と、を備え、
前記無線通信手段を、前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信とは別個の通信系統とすることを特徴とする電力変換装置。
A power conversion circuit for outputting a alternating current from the series connection portion of the semiconductor elements by switching the series connection semiconductor elements alternately by switching a series connection body of the semiconductor elements in parallel to a DC power source as at least one phase; ,
A control unit that outputs a gate control signal for switching control of the semiconductor element;
A drive circuit unit that amplifies the gate control signal by an amplifier circuit and outputs a gate drive signal for switching and driving the semiconductor element;
Fault diagnosis means for performing fault diagnosis on the drive circuit unit based on an output signal when a pseudo signal for functional operation is input to the amplifier circuit;
Wherein communicating a diagnosis start signal to the failure diagnosis unit from the control unit in a state where no voltage is applied to the semiconductor element, or the failure diagnosis means diagnose result signal of the failure diagnosis means in a state where no voltage is applied to the semiconductor element Wireless communication means for wirelessly communicating to the control unit from,
The power converter according to claim 1, wherein the wireless communication unit is a communication system separate from the communication of the gate control signal from the control unit to the drive circuit unit .
請求項5記載の電力変換装置において、
前記半導体素子を保護する保護回路とを備え、
前記故障診断手段は、前記駆動回路部の故障診断に加え、前記保護回路に機能動作のための擬似信号を入力した際の出力信号に基づき前記保護回路に対する故障診断を行うことを特徴とする電力変換装置。
The power conversion device according to claim 5, wherein
A protection circuit for protecting the semiconductor element,
The failure diagnosis means performs failure diagnosis on the protection circuit based on an output signal when a pseudo signal for functional operation is input to the protection circuit in addition to failure diagnosis of the drive circuit unit. Conversion device.
請求項5又は6に記載の電力変換装置において、
前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信手段を光通信手段としたことを特徴とする電力変換装置。
The power converter according to claim 5 or 6,
A power conversion device characterized in that the communication means of the gate control signal from the control section to the drive circuit section is an optical communication means.
請求項5又は6に記載の電力変換装置において、
前記制御部から前記駆動回路部への前記ゲート制御信号の通信手段を無線通信手段としたことを特徴とする電力変換装置。
The power converter according to claim 5 or 6,
The power conversion apparatus according to claim 1, wherein the communication means of the gate control signal from the control section to the drive circuit section is a wireless communication means.
請求項5から請求項8のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記故障診断手段は、前記駆動回路部の診断結果を前記制御部に送信すると共に、前記駆動回路部のフェール信号又は電圧値又は温度信号を前記制御部に送信することを特徴とする電力変換装置。
In the power converter device according to any one of claims 5 to 8,
The failure diagnosis unit transmits a diagnosis result of the drive circuit unit to the control unit, and transmits a failure signal, a voltage value, or a temperature signal of the drive circuit unit to the control unit. .
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