JP4483179B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28185—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28202—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a nitrogen-containing ambient, e.g. nitride deposition, growth, oxynitridation, NH3 nitridation, N2O oxidation, thermal nitridation, RTN, plasma nitridation, RPN
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トレンチゲート構造を有する半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体基板に形成されたトレンチの内壁に絶縁膜が形成され、この絶縁膜を介して、トレンチ内に導電性膜が埋め込まれたトレンチゲート構造の半導体装置として、DMOS、IGBT等のトレンチゲート型パワー素子がある。(例えば、特許文献1、2、3参照)。
【0003】
このようなトレンチゲート型パワー素子は、トレンチを用いた微細なゲート構造によりセルを高密度化でき、その結果、オン抵抗を低減させ、コストを低減させることができる。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−196587号公報
【0005】
【特許文献2】
特開2001−127072号公報
【0006】
【特許文献3】
特開2001−127284号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなトレンチゲート型パワー素子では、ゲート電極が基板表面と平行に形成されたプレーナーゲート型パワー素子と比較して、ゲート絶縁膜のTDDB(Time Dependent dielectric breakdown)寿命、つまり信頼性が劣化しやすいという問題がある。この理由としては、以下のことが考えられる。
【0008】
▲1▼トレンチの内壁にトレンチを形成するためのエッチングによるダメージ層が存在すること、▲2▼製造プロセス中にて、半導体基板のトレンチ上部及び下部近傍に体積膨張による大きな応力が発生すること、▲3▼半導体基板のトレンチ上部及び下部近傍に結晶欠陥が発生しやすいこと等である。これらのようなトレンチの内壁の状態に起因して、トレンチの内壁表面上に形成されているゲート絶縁膜の膜質が劣化するため、ゲート絶縁膜の信頼性が低下すると考えられる。
【0009】
従来では、トレンチの内壁状態を改善する方法として、トレンチの形成後、例えば、トレンチの内壁表面に酸化膜を形成し、その酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化等が行われていた。しかしながら、本発明者が調査したところ、このような方法では上述した理由のうち、トレンチ内壁に存在するダメージ層を除去できるが、トレンチ近傍の応力、及びトレンチ近傍の結晶欠陥の低減が十分でないため、ゲート絶縁膜の信頼性の改善が十分でないことがわかった。
【0010】
なお、このようなことは、基板表層に形成されたトレンチ内に層間絶縁膜を介して上部電極が形成されたトレンチキャパシタ、その他トレンチ内に絶縁膜を介して導電性膜が形成されたトレンチゲート構造の半導体装置においても言える。
【0011】
本発明は上記点に鑑みて、トレンチの内壁に形成された絶縁膜の信頼性が従来よりも高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明者はトレンチゲート構造を有する半導体装置の製造工程において、トレンチの内壁に形成された絶縁膜の信頼性低下の原因と考えられるトレンチ近傍の応力と、トレンチ近傍の結晶欠陥とがどの工程にて発生するかを調査した。
【0013】
この結果、トレンチの内部に絶縁膜を介して導電性膜を形成する工程の後にトレンチ近傍にて応力及び結晶欠陥が発生することがわかった。この結果から、トレンチの内壁に形成された絶縁膜の信頼性が低下するのは、トレンチ内に導電性膜を形成した後にトレンチ近傍に発生する応力及び結晶欠陥により、絶縁膜に歪みが生じることが原因であると推測される。このことから、本発明者は以下の発明を創出した。
【0014】
請求項1に記載の発明では、トレンチ(4)内にゲート電極(6)を形成する工程と、ソース領域(8)を形成する工程との間に、イオン注入時に用いるスルー酸化膜(32)を半導体基板の一表面上に形成するために、ゲート電極(6)の表面及び半導体基板(3)の表面を熱酸化する工程と、熱酸化の後に、絶縁膜(5)に対して熱処理を行う工程とを有し、絶縁膜(5)に対して熱処理を行う工程では、熱拡散処理時の温度よりも高い温度であって、前記熱酸化により発生した応力によって絶縁膜(5)中に生じた歪みを除去できる温度にて、熱処理を行うことを特徴としている。
【0015】
このようにトレンチ内にゲート電極を形成した後に、熱処理を行うことにより、絶縁膜中の歪みを除去することから、絶縁膜のTDDB寿命を延ばすことができる。すなわち、絶縁膜の信頼性を増加させることができる。
また、トレンチゲート電極及びソース領域を有する半導体装置の製造方法においては、ソース領域の形成後に、絶縁膜に対する熱処理を行うと、ソース領域中の不純物が再度拡散し、ソース領域の不純物濃度及び基板表面からの深さが設定値から変動してしまう。
したがって、請求項1に記載の発明のように、ソース領域を形成する前に絶縁膜に対する熱処理を行うことで、この熱処理によりソース領域の不純物濃度等が設定値から変動するのを防ぐことができる。
【0016】
本発明者が製造工程とトレンチ近傍に発生する応力・結晶欠陥の発生との関係を調べた結果をより詳細にみると、トレンチの内部に導電性膜を形成した後に、この導電性膜の表面を酸化する工程を有する場合、この工程の後にトレンチの近傍に応力や結晶欠陥が発生していた。このため、この応力や結晶欠陥により絶縁膜に歪みが生じ、信頼性が低下すると推察される。
【0017】
このことから、絶縁膜(5)に対して熱処理を行う工程を、請求項1に記載の発明のように、ゲート電極の表面を熱酸化する工程の後に行うことが良い。
【0018】
具体的に、この熱処理は、請求項5に示すように、半導体基板としてシリコン基板を用い、シリコン酸化膜を有する絶縁膜を備える半導体装置を製造する場合では、不活性ガス雰囲気中で1150℃以上の温度にて行うことが好ましい。
【0019】
また、請求項2に記載の発明では、ゲート電極(6)の形成後に、ゲート電極(6)をマスクとしたイオン注入及び不純物を拡散させるための熱拡散処理を行うことで、半導体基板(3)の表層にチャネル領域となる不純物拡散領域(7)を形成する工程と、不純物拡散領域(7)の形成後に、半導体基板(3)の表層にトレンチ(4)に隣接するソース領域(8)を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極(6)を形成する工程と、不純物拡散領域(7)を形成する工程との間に、イオン注入時に用いるスルー酸化膜(32)を半導体基板の一表面上に形成するために、ゲート電極(6)の表面及び半導体基板(3)の表面を熱酸化する工程を有し、不純物を拡散させるための熱拡散処理を行う際に、前記熱酸化により発生した応力によって絶縁膜(5)中に生じた歪みを除去できる温度にて熱処理を行うことを特徴としている。
具体的には、請求項5に示すように、熱拡散処理を、不活性ガス雰囲気中で1150℃以上の温度にて行うことが好ましい。
【0023】
請求項3に記載の発明では、ゲート電極(6)がトレンチ(4)の開口端に位置する絶縁膜(5)を覆うひさし部(6a)を有するようにゲート電極(6)の断面形状をT字形状とし、かつ、ひさし部(6a)の先端(6b)からトレンチ(4)の開口端(4a)までの長さ(6c)が、ソース領域(8)を形成する工程にて、トレンチ(4)近傍でのソース領域(8)と半導体基板(3)との接合面(8a)が半導体基板(3)の表面に対して略平行であるソース領域(8)を形成できる長さとなるように、ゲート電極を形成することを特徴としている。
【0024】
ゲート電極を形成する工程の後、絶縁膜に対する熱処理を行い、ソース領域を形成する場合では、ゲート電極を形成する工程と絶縁膜に対する熱処理工程との間にて、ソース領域をイオン注入により形成するためにトレンチを形成する際に用いたマスク材をエッチングにより除去し、その後、イオン注入によりソース領域を形成する。
【0025】
この場合、ゲート電極がトレンチの開口端に位置する絶縁膜を覆うように、ゲート電極の断面形状がT字形状となるように形成していることから、マスク材を除去する工程にて、トレンチの開口端に位置する絶縁膜の上部がエッチングされるのを防ぐことができる。
【0026】
このようにして、トレンチの内壁に形成された絶縁膜に対して熱処理を行うことで絶縁膜の歪みを除去するだけでなく、マスク材の除去の際にこの絶縁膜をゲート電極により保護し、エッチングにより絶縁膜にダメージが与えられるのを防ぐことで絶縁膜の信頼性を向上させることができる。
【0027】
さらに、本発明では、ゲート電極の形状において、絶縁膜を覆っているひさし部の先端からトレンチの開口端までの長さを、ソース領域をイオン注入及び熱拡散にて形成したとき、トレンチ近傍でのソース領域と半導体基板との接合面が半導体基板の表面に対して略平行となるようにソース領域を形成できる長さとしている。
【0028】
このため、ソース領域を形成する工程にて、トレンチ近傍でのソース領域と半導体基板との接合面が半導体基板の表面に対して略平行となるようにソース領域を形成することができる。これにより、トレンチ近傍でのソース領域と半導体基板との接合面が半導体基板の表面に対して略平行とならず、しきい値電圧が所望の設定値よりも高くなるのを抑制することができる。
【0029】
具体的には、請求項4に示すように、ゲート電極を形成する工程では、ひさし部の先端からトレンチの開口端までの長さが0.05〜0.1μmとなるように、ゲート電極を形成することができる。
また、請求項6に記載の発明では、絶縁膜(5)として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が順に積層されたONO膜(5d)を形成することを特徴としている。
【0030】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0031】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1に本発明を適用した一実施形態におけるDMOSを備える半導体装置の平面図を示す。また、図1中のA−A’線方向断面、B−B’線方向断面、C−C’線方向断面、D−D’線方向断面、及びE−E’線方向断面を、それぞれ、図2、図3、図4、図5、及び図6に示す。
【0032】
この半導体装置は、図2に示すように、シリコンにより構成されたN+型基板1と、このN+型基板1上に形成されたN-型ドリフト層2から構成された半導体基板3を備えている。
【0033】
また、この半導体装置は、図1に示すように、トランジスタとして機能するセルが形成されているセル領域と、ゲート引き出し配線が形成されているゲート引き出し配線領域とを有している。セル領域では、この半導体基板3の表層に、メッシュ構造のトレンチゲートが形成されている。このメッシュ構造は、1つのメッシュが例えば略六角形形状であり、同一形状の複数のメッシュにより構成されている。
【0034】
セル領域では、図2に示すように、半導体基板3の一表面に形成されたトレンチ4の深さは例えば1〜3μmであり、このトレンチ4の内壁上には、ゲート絶縁膜5が形成されている。
【0035】
ゲート絶縁膜5は、トレンチ4の側壁部においては、ボトム酸化膜と呼ばれるシリコン酸化膜5a、シリコン窒化膜5b、及びトップ酸化膜と呼ばれるシリコン酸化膜5cから構成されるいわゆるONO(Oxide Nitride Oxide)膜5dからなり、トレンチ4の上部及び底部においてはONO膜5dよりも厚いシリコン酸化膜5e、5fからなっている。
【0036】
ゲート絶縁膜5の上に、ポリシリコンから構成されたゲート電極6が形成されている。ゲート電極6は断面がいわゆるT字形状となっており、半導体基板3の表面上方からゲート電極6を見たとき、トレンチ4の上部に形成されたゲート絶縁膜5(シリコン酸化膜5f)を覆っている。なお、以下では、半導体基板3の表面よりも上方に突出している部分をひさし部6aと呼ぶ。
【0037】
そして、半導体基板3のうち、隣接する2つのトレンチ4の間の領域には、チャネルを形成するP型領域7、ソースとなるN+型領域8、ボディP型領域9が形成されている。また、ゲート電極6の上及び半導体基板3の上には、例えばBPSGから構成された層間絶縁膜10が形成されている。
【0038】
層間絶縁膜10の上には、例えばAlから構成されたソース電極用の金属膜11が形成されている。また、層間絶縁膜10には、N+型領域8、コンタクト用のP+型領域12の上側の位置にコンタクトホール13が形成されている。金属電極11は、このコンタクトホール13を介して、N+型領域8及びP+型領域12と電気的に接続されている。また、N+型基板1の裏面側には例えばAlから構成されたドレイン電極用の金属膜14が形成されている。
【0039】
一方、ゲート引き出し配線領域においては、図1に示すように、トレンチ4がセル領域から延びるように形成されている。図3に示すように、ゲート引き出し配線領域においても、トレンチ4は半導体基板3の表面から深さが例えば1〜3μmにて、半導体基板3の表層に形成されている。
【0040】
そして、ゲート引き出し配線領域のトレンチ4の内壁上には、セル領域と同様に、ゲート絶縁膜5が形成されており、このゲート酸化膜5を介してトレンチ4の内部にポリシリコンにより構成されたゲート電極6が形成されている。
【0041】
さらに、半導体基板3の表面上のうち、ゲート電極6が配置された領域を除く領域にはトレンチ4を形成するときのマスク材として用いられた酸化膜22が除去されずに残されている。なお、この酸化膜22の厚さは0.8〜1.0μm程度である。そして、酸化膜22の上にはゲート電極6に接続するようにポリシリコンにより構成されたゲート引き出し配線21が形成されている。
【0042】
また、ゲート引き出し配線21の上にはセル領域から延びるように層間絶縁膜10が形成されており、層間絶縁膜10の上には例えばAlから構成されたゲート電極用の金属膜23が形成されている。N+型基板1の裏面側にはドレイン電極用の金属膜14が形成されている。
【0043】
また、ゲート引き出し配線領域には、図3、図4に示すように、P型領域7の表層にて、トレンチ4と隣接してN+型層8が形成されている。
【0044】
また、図4、図5に示すように、N-型ドリフト層2上に、セル領域のP型領域7と連続するように形成されたP型ウェル層24を有している。P型ウェル層24の上にはフィールド絶縁膜としてLOCOS法により形成された酸化膜25が形成されており、その上に酸化膜22が形成されている。そして、ゲート引き出し配線21は、酸化膜22、25を介して、P型ウェル層24上にも形成されている。また、ゲート電極用の金属膜23は層間絶縁膜10に形成されたコンタクトホール26を介して、ゲート引き出し配線21と電気的に接続されている。
【0045】
また、セル領域とゲート引き出し配線領域との間の領域では、図5、図6に示すように、P+型領域12が形成されている。なお、この領域では、セルとしては機能しない領域であるため、本実施形態では、セル領域と異なり、P型領域7の表層にはボディP型領域9及びN+型領域8を形成していないが、これらを形成することもできる。このP+型領域12は、セル領域と同様に、層間絶縁膜10に形成されたコンタクトホール27を介して、金属膜11と電気的に接続されている。
【0046】
このように構成されている半導体装置は、ゲート電極6に電圧を印加し、オン状態にすると、P型領域7のトレンチ4近傍の領域がチャネル領域となる。これにより、このチャネル領域を介して、ソース・ドレイン間に電流を流すことができる。
【0047】
次にこのように構成される半導体装置の製造方法を説明する。製造工程を図7(a)〜(c)、図8(a)〜(c)、図9(a)〜(c)、図10(a)〜(c)、図11(a)〜(c)に示す。なお、これらの図は図2の断面図を左右半分に分割した片方に相当する。
【0048】
〔図7(a)に示す工程〕
表面が(100)結晶面であるN+型基板1の上にエピタキシャル成長法によりN-型ドリフト層2が形成された半導体基板3を用意する。そして、半導体基板3の表面上に、後に行うトレンチ形成の際に用いるマスク材としての酸化膜22をCVD法により膜厚が約1μmとなるように形成する。
【0049】
〔図7(b)、(c)に示す工程〕
図7(b)に示すように、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによって、酸化膜22のうち、半導体基板3のトレンチ形成予定領域に対向する領域を選択的に除去する。次に、図7(c)に示すように、パターニングされた酸化膜22をマスクとしたドライエッチングを行い、半導体基板3の表層にトレンチ4を形成する。
【0050】
〔図8(a)に示す工程〕
この工程では、トレンチ4を形成する際のエッチングによりトレンチ4の内壁が受けたダメージを除去する。例えば、トレンチ4の内壁に対するケミカルドライエッチング、1000℃程度でのアニール処理、及び850〜1050℃での犠牲酸化等を行う。このとき、同時にトレンチ4の上部及び下部のコーナーが丸められる。また、酸化膜22のトレンチを形成するために設けられた開口部の端面22aが後退し、開口部が拡大される。
【0051】
〔図8(b)、(c)、図9(a)、(b)に示す工程〕
これらの工程にてゲート絶縁膜5を形成する。まず、図8(b)に示すように、H2OまたはO2雰囲気中にて例えば850程度での熱酸化により、トレンチ4の内壁上にボトム酸化膜としてのシリコン酸化膜5aを形成する。
【0052】
次に、図8(c)に示すように、LPCVD法により、シリコン酸化膜5及び酸化膜22の表面上にシリコン窒化膜5bを形成する。
【0053】
そして、図9(a)に示すように、CHF3及びO2ガス系を用いた異方性ドライエッチングにより、シリコン窒化膜5bのうち、トレンチ4の側壁部のシリコン窒化膜を残し、トレンチ4の底部のシリコン窒化膜を除去することで、シリコン酸化膜5aを露出させる。このとき、同時にトレンチ4の上部及び酸化膜22の上に形成されたシリコン窒化膜も同時に除去され、その部分においてシリコン酸化膜5aが露出する。
【0054】
次に、図9(b)に示すように、H2OもしくはO2雰囲気中にて例えば950℃程度での熱酸化を行うことで、シリコン窒化膜5bの上にトップ酸化膜としてのシリコン酸化膜5cを形成する。このようにして、トレンチ4の側壁部では、ボトム酸化膜5a、シリコン窒化膜5b、トップ酸化膜5cから構成されたONO膜5dが形成される。また、トレンチ4の上部、底部では、熱酸化によって膜厚が大きくなったシリコン酸化膜5e、5fが形成される。これにより、トレンチ4の上部と底部におけるコーナー部での電界集中を緩和することができ、その部分でのゲート絶縁膜5の電界集中による耐圧の低下を防ぐことができる。
【0055】
〔図9(c)に示す工程〕
トレンチ4の内部を含む半導体基板3の表面上にドープドポリシリコン31をLPCVD法により形成し、トレンチ4の内部を充填する。このとき、酸化膜22上のドープドポリシリコン31の膜厚は例えば1μm程度とする。なお、ノンドープドポリシリコンを堆積し、その後に不純物をドープすることもできる。
【0056】
〔図10(a)に示す工程〕
ゲート引き出し配線21を形成するために、ドープドポリシリコン31を所望の厚さにエッチバックする。具体的には、酸化膜22上のドープドポリシリコン31の膜厚を例えば0.3〜0.5μmとする。
【0057】
〔図10(b)に示す工程〕
フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、セル領域ではドープドポリシリコン31の上部表面の位置が酸化膜22の表面と同等もしくはそれよりも低くかつ、半導体基板3の表面よりも高くなるようにし、また、ゲート引き出し配線領域ではドープドポリシリコン31を残すようにドープドポリシリコン31をエッチングする。具体的には、セル領域において、ドープドポリシリコン31の上部表面の位置が半導体基板3の表面から例えば0.6〜0.7μm上方に位置するようにエッチング時間を調整する。
【0058】
これにより、セル領域にてゲート電極6を形成し、ゲート引き出し配線領域にてゲート引き出し配線21を形成する。酸化膜22の開口端22aが後退しているため、この時点で、ゲート電極6は断面がT字形状となり、ひさし部6aの厚さは例えば0.3〜0.5μmとなる。
【0059】
なお、本実施形態では、ゲート電極6のひさし部6aが、トレンチ4の開口端4aよりもトレンチ4の内部側に位置するシリコン酸化膜5fの上部を覆っており、かつ、ひさし部6aの先端6bからトレンチ4の開口端4aまでの長さ6cが、後に説明するソース領域を形成する工程にて、トレンチ4の近傍でのソース領域となるN+型領域8とP型領域7との接合面8aが半導体基板3の表面に対して略平行であるN+型領域8を形成できる長さとなるように、あらかじめ、酸化膜22の開口端22aの位置を設定している。
【0060】
具体的には、後に説明するトレンチマスクを除去する際、半導体基板3の表面に対して平行な方向でのひさし部6aの先端6bからトレンチ4の開口端4aまでの長さ6cが、0.05〜0.1μmとなっているように、あらかじめ、酸化膜22の開口端22aの位置を設定しておく。
【0061】
〔図10(c)、図11(a)に示す工程〕
図10(c)に示すように、セル領域において、ドライエッチングによりトレンチ4を形成するときに用いたマスク材としての酸化膜22を除去する。続いて、図11(a)に示すように、850〜1050℃にて熱酸化を行うことで、ゲート電極6の表面及び露出した半導体基板3の表面に酸化膜32を形成する。これは、後に説明するP型領域7、N+型領域8等をイオン注入にて形成する際に、この酸化膜32をチャネリングや汚染を防止するためのいわゆるスルー酸化膜として用いるためである。
【0062】
次に、ゲート絶縁膜5の信頼性を向上させるために、例えば1170℃、30分の窒素雰囲気中での高温アニール処理を行う。なお、窒素雰囲気中に限らず、不活性ガス雰囲気であれば他の雰囲気中でも高温アニール処理を行うことができる。
【0063】
〔図11(b)に示す工程〕
フォトリソグラフィによりマスク材を形成し、このマスク材とゲート電極6とをマスクとしたイオン注入及び不純物を拡散させるための熱拡散処理を行うことで、チャネル領域となるP型領域7を形成する。なお、P型領域7の基板表面からの深さを例えば1.5〜2μmとするため、熱拡散処理は例えば1050℃〜1100℃にて行う。
【0064】
〔図11(c)に示す工程〕
同様に、フォトリソグラフィによりマスク材を形成し、このマスク材とゲート電極6とをマスクとしたイオン注入及び1000〜1100℃の熱拡散処理を行うことで、ソース領域となるN+型領域8を形成し、また、図示しないが、ボディP型領域9、P+型領域12を形成する。
【0065】
その後、図示しないが、ゲート電極6及び半導体基板3の表面上に層間絶縁膜10を形成し、層間絶縁膜10の平坦化のために例えば950℃にて1stリフロー処理を行う。層間絶縁膜10にコンタクトホール13、26、27を形成し、コンタクトホールのコーナー部を丸めるために例えば900℃にて2ndリフロー処理を行う。そして、層間絶縁膜10の表面上からコンタクトホール13、27の内部にかけてソース電極となる金属膜11を形成し、層間絶縁膜10の表面上からコンタクトホール26の内部にかけてゲート電極となる金属膜23を形成する。
【0066】
さらに、裏面研削により半導体基板3を薄くし、半導体基板3の裏面側にドレイン電極となる金属膜14を形成する。このようにして、図1〜図6に記載する半導体装置を製造することができる。
【0067】
以下にて本実施形態の特徴を説明する。
【0068】
本実施形態では、ゲート電極6を形成した後の図11(a)に示す工程にて、ゲート電極6の表面及び露出した半導体基板3の表面に酸化膜32を形成した後、N+型領域8を形成するための熱拡散処理温度よりも高い温度にて、高温アニール処理を行っている。これにより、ゲート絶縁膜の信頼性を従来よりも向上させることができる。
【0069】
ここで、図12に本実施形態の製造方法により半導体装置を製造した場合と、高温アニールを行わず、その他は同一の方法により半導体装置を製造した場合のゲート絶縁膜の信頼性試験の結果を示す。なお、試験条件はVg=50V、150℃である。また、この図12には参考として他の温度にて高温アニールを行った場合の結果も示している。
【0070】
図12に示すように、1170℃にて高温アニールを行った場合、高温アニールを行わなかった場合と比較して、図中の矢印のように偶発故障モードを低減することができ、すなわち、ゲート絶縁膜5の信頼性を向上させることができる。
【0071】
次に、この高温アニールの温度、時間及び実施時期について説明する。図12に示すように、この高温アニールの温度を他の温度、例えば、1050℃、1100℃にて行った場合では、高温アニールをしない場合と比較しても大きな変化が見られなかった。このことから、高温アニールの温度が1100℃以下の場合では信頼性を向上させるという効果をもたらさず、高温アニールは1100℃よりも高温で行う必要があると言える。
【0072】
また、図13に▲1▼高温アニールを本実施形態のように図11(a)に示す工程後、すなわち、ゲート電極6の表面に酸化膜32を形成した後に行った場合、▲2▼図9(b)に示す工程後であって、図11(a)に示す工程の前、すなわち、ゲート絶縁膜5を形成した後であって、ゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する前に行った場合、及び▲3▼高温アニールを行わなかった場合のゲート絶縁膜の信頼性試験の結果を示す。なお、試験条件は図12と同じであるが、高温アニール時間は図12のときよりも10minと短い場合の結果である。
【0073】
図13に示すように、高温アニールを▲1▼1170℃−10minでゲート電極6の表面に酸化膜32を形成した後に行った場合でも、▲3▼高温アニールを行わなかった場合と比較して、図13中の矢印のように偶発故障モードを低減することができる。このことから、処理時間は30分よりも短くしても良いと言える。
【0074】
しかし、▲2▼高温アニールをゲート絶縁膜5を形成した後であって、ゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する前に行った場合では、偶発故障モードを低減させることができなかった。このことから、高温アニールはゲート電極6の表面に酸化膜32を形成した後に行うことが良いと言える。
【0075】
参考として、図14に本実施形態における半導体装置の製造工程とトレンチ近傍に発生する応力及び結晶欠陥密度との関係を示す。図14(a)は各工程とその工程での熱処理温度を示しており、図14(b)は半導体基板3のトレンチ4の上部近傍に発生した応力の大きさを示しており、図14(c)は同様に半導体基板3のトレンチ4の近傍に発生した結晶欠陥の密度を示している。
【0076】
図14(b)に示すように、高温アニールを行わなかった場合、ソース電極、ゲート電極用の金属膜11、23の形成後に測定した応力値は、ゲート絶縁膜5(トップ酸化膜5c)の形成後であってゲート電極6の形成前に測定した結果と比較して増加していた。これに対して、高温アニールを行った場合、金属膜11、23の形成後の応力値は、ゲート絶縁膜5(トップ酸化膜5c)の形成後であってゲート電極6の形成前に測定した結果と同程度であった。
【0077】
また、図14(c)に示すように、高温アニールを行わなかった場合、半導体基板3のトレンチ4の近傍での結晶欠陥密度は、図11(a)のゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する工程の後に増加し、その後はほぼ一定の値であった。これに対して、高温アニールを行った場合、金属膜11、23の形成後において、結晶欠陥が確認されなかった。
【0078】
次に、図15(a)に高温アニールの温度と半導体基板3のトレンチ4の上部近傍に発生する応力との関係を示し、図15(b)に高温アニールの温度と半導体基板3のトレンチ4の近傍に発生する結晶欠陥の密度との関係を示す。なお、これらの結果は本実施形態の製造工程にて様々な温度で高温アニールを行ったときの結果である。また、本実施形態の製造工程において、高温アニールを行わない場合、ゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する工程後に行われる熱処理としては、層間絶縁膜10へのリフロー処理がある。このため、このリフロー処理時の温度を高温アニール処理を行わない場合の温度として示している。
【0079】
図15(a)、(b)に示すように、高温アニールの温度が高くなるにつれ、トレンチ4の近傍に発生する応力及び結晶欠陥密度が減少することがわかる。
【0080】
以上のことから、高温アニールを行わなかった場合、半導体基板3のトレンチ4の近傍にて応力及び結晶欠陥が、ゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する工程後に発生し、その後においても大きく変化せず、応力及び結晶欠陥が発生した状態となっていると思われる。
【0081】
したがって、本実施形態のようにゲート電極6の表面に酸化膜32を形成する工程後に高温アニールを行うことで、トレンチ4の近傍に発生した結晶欠陥や応力を減少させることができる。これにより、トレンチ4の近傍に発生した結晶欠陥や応力によって、ゲート絶縁膜5に対してダメージが与えられるのを抑制することができる。また、ゲート絶縁膜5に対しても、高温アニールによって、トレンチ4の近傍に発生した応力及び結晶欠陥から与えられていた歪み等のダメージを緩和することができるため、ゲート絶縁膜の信頼性を向上することができると推察される。
【0082】
このことから、高温アニールは、このように半導体基板3のトレンチ4の近傍に発生している応力及び結晶欠陥を除去し、また、ゲート絶縁膜5に対して与えられたダメージを緩和することができる温度にて行うことが良いと言える。一般的に、ゲート絶縁膜5に含まれる成分と同じ成分である透明石英(SiO2)ガラスにおいて、内部歪みを除去可能な温度である徐冷点は1150℃であることが知られている。したがって、高温アニールは1150℃以上の温度にて行うことで十分な効果が得られる。なお、高温アニールの温度の上限は、当然のことではあるが半導体装置を製造できる温度であり、すなわち、半導体基板の耐熱温度、例えば1200℃以下である。
【0083】
また、本実施形態では、高温アニール処理の後、図11(b)、(c)に示す工程にて、チャネル領域となるP型領域7、ソース領域となるN+型領域8、ボディP型領域9を形成している。
【0084】
これは、高温アニール処理の工程よりも前にP型領域7、N+型領域8、ボディP型領域9を形成した場合、所望の濃度や、基板表面からの深さが所望の深さとなるようにこれらを形成しても、高温アニールはこれらを形成するときに行う熱拡散処理よりも高温で行うため、P型領域7等が再度拡散し、P型領域7等の濃度及び深さが設定値より変動してしまうからである。したがって、本実施形態のように、高温アニール処理の後に、P型領域7等を形成することで、P型領域7等を所望の濃度及び基板表面からの深さとすることができる。
【0085】
また、本実施形態では、図10(b)に示す工程にて、半導体基板3の表面上方からゲート電極6を見たとき、ゲート電極6がトレンチ4の開口端4aに位置するゲート絶縁膜5(シリコン酸化膜5f)を覆うひさし部6aを有するように断面形状をT字形状としてゲート電極6を形成している。つまり、半導体基板3の表面と平行な方向において、ひさし部6aの先端6bがトレンチ4の開口端4aから外側に離れたところに位置するようにゲート電極6を形成している。
【0086】
このようにゲート電極6がトレンチ4の開口端4aに位置するゲート絶縁膜5(シリコン酸化膜5f)の上部表面を覆っていることから、図10(c)に示す工程での酸化膜22のエッチングの際に、ゲート絶縁膜5(シリコン酸化膜5f)の上部表面がエッチングされるのを防ぐことができる。これにより、酸化膜22のエッチングによりゲート絶縁膜5がダメージを受け、ゲート絶縁膜5の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【0087】
また、ゲート電極6においては、ひさし部6aの先端6bからトレンチ4の開口端4aまでの長さ6cを、図11(c)に示すソース領域となるN+型領域8を形成する工程にて、トレンチ4の近傍でのN+型領域8とP型領域7との接合面8aが半導体基板の表面に対して略平行となるようにN+型領域8を形成できる長さとしている。
【0088】
このことから、図11(c)に示す工程にてN+型領域8を形成したとき、トレンチ4の近傍でのN+型領域8とP型領域7との接合面8aを半導体基板3の表面に対して略平行とすることができる。つまり、N+型領域8の底面8aが半導体基板3の表面と略平行な状態でトレンチ4と接する構造とすることができる。
【0089】
これにより、トレンチ4の近傍でのN+型領域8とP型領域7との接合面8aを半導体基板3の表面に対して略平行とならず、しきい値電圧が所望の設定値から外れるのを抑制することができる。
【0090】
なお、本発明者の実験結果より、図10(c)に示す工程にてトレンチマスクを除去するとき、ひさし部6aの先端6bからトレンチ4の開口端4aまでの長さ6cが例えば0.05〜0.1μmとなっていれば良いことがわかっている。ただし、ここで言う長さ6cの寸法は、図10(b)に示す工程にてゲート電極6を形成した直後のゲート電極6の寸法であり、完成時においてもゲート電極6がこのような寸法でなくても良い。これは、イオン注入前後の熱処理によっては、ゲート電極6が酸化され、ゲート電極6の寸法が変動する場合があるからである。
【0091】
(他の実施形態)
第1実施形態では、ゲート絶縁膜5はONO膜5dとシリコン酸化膜5e、5fにより構成されていたが、ゲート絶縁膜5の全体をONO膜にて構成したり、単に酸化膜のみ等のONO膜以外の膜により構成することもできる。
【0092】
また、第1実施形態では、ゲート電極6の断面形状がT字形状である場合を説明したが、必ずしもT字形状とする必要はなく、断面形状をT字形状に対してひさし部6aがない、いわゆるI字形状とすることもできる。この場合でも、ゲート電極6の形成後において、高温アニールを行うことで、ゲート絶縁膜5の信頼性を向上させることができる。
【0093】
また、第1実施形態では、高温アニールを行った後、チャネル領域となるP型領域7を形成するための熱処理を行っていたが、P型領域7の基板表面からの深さが第1実施形態よりも大きな半導体装置を形成する場合では、高温アニールと同時に行ったり、トレンチ4の形成前にあらかじめP型領域7を形成することもできる。
【0094】
これは、第1実施形態では、P型領域7の基板表面からの深さが1.5〜2μmとなるように1050〜1100℃と熱処理条件にて熱拡散処理を行っていたが、P型領域7の基板表面からの深さをこれよりも大きくする場合では、熱拡散処理は1100℃よりも高い温度にて行うからである。
【0095】
また、第1実施形態では、ソース領域となるN+型領域8を形成するための熱拡散処理時の温度は、高温アニール処理時の温度より低い場合を説明したが、高温アニール処理時のような1170℃といった高温にて行うこともできる。言い換えると、N+型領域8を形成するための熱拡散処理を1170℃等の高温で行う場合では、高温アニール処理をこの熱拡散処理時の温度と同じ温度にて行うことができる。
【0096】
上記した実施形態では、トレンチゲートの平面構造において、1つのメッシュが六角形形状である場合を例として説明したが、四角形等の他の多角形形状のメッシュ形状としたり、トレンチゲートがストライプ状に配置された構造とすることもできる。
【0097】
また、上記した実施形態では、トレンチゲートを有するNチャネル型MOSFETを例として説明してきたが、導電型をそれぞれ反対導電型としたPチャネル型MOSFETや、基板1とドリフト層2とを相互に異なる導電型としたIGBT等のトレンチゲートを有するMOS構造を備えるパワー素子においても、本発明を適用することができる。さらには、基板表層に形成されたトレンチ内に層間絶縁膜を介して上部電極が形成されたトレンチキャパシタ、その他トレンチ内に絶縁膜を介して導電性膜が形成されたトレンチゲート構造の半導体装置においても、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における半導体装置の平面図である。
【図2】図1中のA−A’線方向断面図である。
【図3】図1中のB−B’線方向断面図である。
【図4】図1中のC−C’線方向断面図である。
【図5】図1中のD−D’線方向断面図である。
【図6】図1中のE−E’線方向断面図である。
【図7】第1実施形態における半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。なお、この図は図2中の右(もしくは左)側半分に相当する図である。
【図8】図7に続く半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図9】図8に続く半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図10】図9に続く半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図11】図10に続く半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図12】各温度条件にて高温アニールを行った場合、もしくは高温アニールを行わなかった場合のゲート絶縁膜の信頼性試験結果を示す図である。
【図13】高温アニールを行う時期を変更した場合、もしくは高温アニールを行わなかった場合のゲート絶縁膜の信頼性試験結果を示す図である。
【図14】第1実施形態の製造工程と半導体装置のトレンチ近傍に発生する応力及び結晶欠陥との関係を示す図である。
【図15】高温アニール温度と半導体装置のトレンチ近傍に発生する応力及び結晶欠陥との関係を示す図である。
【符号の説明】
1…N+型基板、2…N-型ドリフト層、3…半導体基板、4…トレンチ、
5…ゲート絶縁膜、5a…シリコン酸化膜(ボトム酸化膜)、
5b…シリコン窒化膜5b、5c…シリコン酸化膜(トップ酸化膜)、
5d…ONO膜、5e、5f…シリコン酸化膜、6…ゲート電極、
6a…ゲート電極のひさし部、7…P型領域、8…N+型領域、
9…ボディP型領域、10…層間絶縁膜、11、14、23…金属膜、
12…P+型領域、13、26、27…コンタクトホール、
21…ゲート引き出し配線、22…酸化膜(マスク材)、
24…P型ウェル層、25…酸化膜(フィールド絶縁膜)。
Claims (6)
- 半導体基板(3)の一表面にトレンチ(4)を形成する工程と、
前記トレンチ(4)の内壁に絶縁膜(5)を形成する工程と、
前記絶縁膜(5)を介して、前記トレンチ(4)内にゲート電極(6)を形成する工程と、
前記ゲート電極(6)の形成後に、前記ゲート電極(6)をマスクとしたイオン注入及び不純物を拡散させるための熱拡散処理を行うことで、前記半導体基板(3)の表層に前記トレンチ(4)に隣接するソース領域(8)を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極(6)を形成する工程と、前記ソース領域(8)を形成する工程との間に、前記イオン注入時に用いるスルー酸化膜(32)を前記半導体基板の前記一表面上に形成するために、前記ゲート電極(6)の表面及び前記半導体基板(3)の表面を熱酸化する工程と、
前記熱酸化の後に、前記絶縁膜(5)に対して熱処理を行う工程とを有し、
前記絶縁膜(5)に対して熱処理を行う工程では、前記熱拡散処理時の温度よりも高い温度であって、前記熱酸化により発生した応力によって前記絶縁膜(5)中に生じた歪みを除去できる温度にて、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板(3)の一表面にトレンチ(4)を形成する工程と、
前記トレンチ(4)の内壁に絶縁膜(5)を形成する工程と、
前記絶縁膜(5)を介して、前記トレンチ(4)内にゲート電極(6)を形成する工程と、
前記ゲート電極(6)の形成後に、前記ゲート電極(6)をマスクとしたイオン注入及び不純物を拡散させるための熱拡散処理を行うことで、前記半導体基板(3)の表層にチャネル領域となる不純物拡散領域(7)を形成する工程と、
前記不純物拡散領域(7)の形成後に、前記ゲート電極(6)をマスクとしたイオン注入を行うことで、前記半導体基板(3)の表層に前記トレンチ(4)に隣接するソース領域(8)を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極(6)を形成する工程と、前記不純物拡散領域(7)を形成する工程との間に、前記イオン注入時に用いるスルー酸化膜(32)を前記半導体基板の前記一表面上に形成するために、前記ゲート電極(6)の表面及び前記半導体基板(3)の表面を熱酸化する工程を有し、
前記熱拡散処理を行う際では、前記熱酸化により発生した応力によって前記絶縁膜(5)中に生じた歪みを除去できる温度にて熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極(6)を形成する工程では、前記ゲート電極(6)が前記トレンチ(4)の開口端に位置する絶縁膜(5)を覆うひさし部(6a)を有するように前記ゲート電極(6)の断面形状をT字形状とし、かつ、前記ひさし部(6a)の先端(6b)から前記トレンチ(4)の開口端(4a)までの長さ(6c)が、前記ソース領域(8)を形成する工程にて、前記トレンチ(4)近傍での前記ソース領域(8)と前記半導体基板(3)との接合面(8a)が前記半導体基板(3)の表面に対して略平行である前記ソース領域(8)を形成できる長さとなるように、前記ゲート電極(6)を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極(6)を形成する工程では、前記ひさし部(6a)の先端(6b)から前記トレンチ(4)の開口端(4a)までの長さ(6c)が0.05〜0.1μmとなるように、前記ゲート電極(6)を形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜(5)中に生じた歪みを除去できる温度にて熱処理を行う際では、不活性ガス雰囲気中で1150℃以上の温度にて行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜(5)を形成する工程では、前記絶縁膜(5)として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が順に積層されたONO膜(5d)を形成することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055759A JP4483179B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
US10/790,211 US20040173845A1 (en) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the same |
CNB2004100073916A CN1326218C (zh) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | 具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法 |
DE102004010127A DE102004010127B4 (de) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | Halbleitervorrichtung mit einer Grabengatestruktur und Verfahren zum Herstellen dergleichen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055759A JP4483179B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004266140A JP2004266140A (ja) | 2004-09-24 |
JP4483179B2 true JP4483179B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=32866661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003055759A Expired - Fee Related JP4483179B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040173845A1 (ja) |
JP (1) | JP4483179B2 (ja) |
CN (1) | CN1326218C (ja) |
DE (1) | DE102004010127B4 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7667264B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Alpha And Omega Semiconductor Limited | Shallow source MOSFET |
JP2006173281A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101202232B (zh) * | 2006-12-15 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法及半导体器件 |
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JP5369300B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2013-12-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5452195B2 (ja) | 2009-12-03 | 2014-03-26 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
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JP5223040B1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-06-26 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP6112700B2 (ja) * | 2012-08-17 | 2017-04-12 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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JP6235298B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2017-11-22 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP7215878B2 (ja) | 2018-10-31 | 2023-01-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法および半導体装置 |
CN111009577A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-14 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法 |
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JP5385771B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-08 | 日東精工株式会社 | 貫入ロッド |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055759A patent/JP4483179B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-02 CN CNB2004100073916A patent/CN1326218C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-02 DE DE102004010127A patent/DE102004010127B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-02 US US10/790,211 patent/US20040173845A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1527369A (zh) | 2004-09-08 |
JP2004266140A (ja) | 2004-09-24 |
DE102004010127B4 (de) | 2012-02-02 |
CN1326218C (zh) | 2007-07-11 |
US20040173845A1 (en) | 2004-09-09 |
DE102004010127A1 (de) | 2004-09-16 |
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JP3498415B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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