JP4468791B2 - 光検出素子の製造方法 - Google Patents
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また、本発明では、前記エネルギー線の前記半導体基板への照射時間は10000秒以下であることを特徴とする。
Claims (5)
- 内部に光電変換部を有する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に設けられた20nm未満の厚みを有する第1絶縁体層と、前記第1絶縁体層上に設けられた第2絶縁体層とを備えた光検出素子の製造方法において、
前記第1及び第2絶縁体層を形成する工程と、
前記第1及び第2絶縁体層の形成後、前記半導体基板に波長400nm以下のエネルギー線を30秒以上照射する工程と、
を備えることを特徴とする光検出素子の製造方法。 - 前記第1絶縁体層のエネルギーバンドギャップは、前記第2絶縁体層のエネルギーバンドギャップよりも広いことを特徴とする請求項1に記載の光検出素子の製造方法。
- 前記第1絶縁体層はSiO2層であり、前記第2絶縁体層はSiNX層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出素子の製造方法。
- 前記第1絶縁体層は、前記半導体基板を構成するSiを酸素雰囲気中でランプ加熱することによって形成されることを特徴とする請求項3に記載の光検出素子の製造方法。
- 前記エネルギー線の前記半導体基板への照射時間は10000秒以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光検出素子の製造方法。
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