JP4674063B2 - 光電変換素子,その製造方法 - Google Patents
光電変換素子,その製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4674063B2 JP4674063B2 JP2004210099A JP2004210099A JP4674063B2 JP 4674063 B2 JP4674063 B2 JP 4674063B2 JP 2004210099 A JP2004210099 A JP 2004210099A JP 2004210099 A JP2004210099 A JP 2004210099A JP 4674063 B2 JP4674063 B2 JP 4674063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoelectric conversion
- conversion element
- back surface
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Prog.Photovolt:Res.Appl.2003;11:39−45 Appl.Phys.Lettes 1998;73:1991−1993 Proc.of 16th EuropeanPVSEC p.1443 Proc.of 16th EuropeanPVSEC p.1181 Proc.of 16th EuropeanPVSEC p.1091
本発明の光電変換素子は,裏面に凹凸を有する半導体基板を用いた光電変換素子において,半導体基板裏面には,パッシベーション膜と裏面電極がこの順に形成されており,半導体基板の凹部において,裏面電極は,パッシベーション膜に設けられた開口部で前記半導体基板と接触しており,半導体基板の凹部以外の領域において,裏面電極は,半導体基板に対しパッシベーション膜を介している。
本発明の光電変換素子の製造方法は,裏面に凹凸を有する半導体基板の裏面にパッシベーション膜を形成する工程と,凹部での厚さが選択的に厚くなるように裏面電極用材料を塗布する工程と,この材料を焼成することにより,凹部においてパッシベーション膜を貫通して基板に電気的に接続される裏面電極を形成する工程とを備える。
半導体基板は,シリコンなどの元素半導体基板又はGaAsなどの化合物半導体基板などからなる。基板裏面の凹凸は,例えば,特開2001−223172号公報に示されるように,例えば,凹凸を形成した基体上に,半導体層を成長させて作製することができる。また,平坦な裏面を有する基板の裏面に,機械的又は化学的な手段を用いて凹凸を形成してもよい。機械的な手段は,例えばダイシング装置による切削加工であり,化学的な手段は,例えばウェットエッチング法である。凹凸は,好ましくは,略周期的に形成される。凹凸は、基板裏面の少なくとも一部に形成されていればよい。凹凸は,好ましくは,その凹部の底のピッチが1〜3mmである。また,凹凸は,好ましくは,凹部の底と凸部の頂点との間の高さの差が20〜200μmであり,さらに好ましくは,50〜150μmである。このように凹凸を形成すると,周期的に,適切なピッチで,後述する開口部が形成されることになり,高効率な光電変換素子を形成することができるからである。なお,「裏面に凹凸を有する基板」には,平坦な基板の裏面に凹部が形成されている場合も含まれる。この場合,基板裏面の平坦部が凸部となる。また,凹部の形状は,溝状又は非貫通孔状の何れであってもよく,凹部の側面は,実質的に垂直又はテーパー状の何れであってもよい。
裏面電極用材料は,例えば,印刷法などで塗布することができる。その他の方法であっても,凹部での厚さが選択的に厚くなるように裏面電極用材料を塗布できる方法であればよい。「凹部での厚さが選択的に厚くなる」とは,凹部に塗布される裏面電極用材料の厚さが,その他の部分(例えば凸部)に塗布される裏面電極用材料の厚さよりも厚くなることを意味する。裏面電極用材料は,後の焼成工程で発熱する材料からなる。このような材料を凹部に厚く塗布し,この状態で,この材料を焼成すると,凹部に開口部が形成される。また,裏面電極用材料は,好ましくは,基板と同一の導電型のドーパントを含む材料である。この場合,後の焼成工程で,開口部を形成した後,そのまま開口部近傍に,基板と同じ導電型の高濃度不純物領域を形成することができる。裏面電極用材料は,代表的には,アルミニウムペーストが用いられる。
焼成は,例えば,温度プロファイルのピーク温度を700〜800℃として行われる。このとき,裏面電極用材料が厚く塗布されているほど,焼成時に多くの燃焼熱が放出され,所定厚さ以上に裏面電極用材料が塗布されている場所にのみ、パッシベーション膜に開口部が形成される。また,裏面電極用材料は,焼成により焼き固められ,前記開口部を介して基板に電気的に接続される裏面電極となる。
本発明の光電変換素子は,裏面に凹凸を有する半導体基板を用いた光電変換素子において,基板裏面にパッシベーション膜を介して裏面電極を有し,凹部においてパッシベーション膜に開口部を有し,開口部において裏面電極と基板が接触していることを特徴とする。
ここで,本発明による太陽電池と,本発明によらない従来の太陽電池を比較する。基板裏面側がフラットであることを除いて,従来太陽電池の構造は本発明によるものと変わらない。図6を参照して従来の太陽電池の作製方法を以下に述べる。比較に用いたp型半導体基板は実施例と同様である。
2 n型半導体層
3 受光面酸化シリコン膜
4 開口部
5 裏面酸化シリコン膜
6 p+層
7 アルミニウムペースト
8 受光面電極
9 開口部
Claims (10)
- 裏面に凹凸を有する半導体基板の裏面にパッシベーション膜を形成する工程と,
凹部での厚さが選択的に厚くなるように裏面電極用材料を塗布する工程と,
この材料を焼成することにより,裏面電極を形成するとともに,凹部においてのみパッシベーション膜を貫通する開口部を形成して,前記裏面電極と前記基板を電気的に接続させる裏面電極を形成する工程とを備える光電変換素子の製造方法。 - 裏面電極用材料は,基板と同一の導電型のドーパントを含む材料である請求項1に記載の製造方法。
- 基板は,裏面に略周期的な凹凸を有する請求項1に記載の製造方法。
- 基板は,シリコン基板からなり,パッシベーション膜は,酸化シリコン膜からなる請求項1に記載の製造方法。
- 凹凸は,凹部の底と凸部の頂点との間の高さの差が20〜200μmである請求項1に記載の製造方法。
- 裏面に凹凸を有する半導体基板を用いた光電変換素子において,
前記半導体基板裏面には,パッシベーション膜と裏面電極がこの順に形成されており,
前記半導体基板の凹部において,前記裏面電極は,前記パッシベーション膜に設けられた開口部で前記半導体基板と接触しており,
前記半導体基板の凹部以外の領域において,前記裏面電極は,前記半導体基板に対し前記パッシベーション膜を介していることを特徴とする光電変換素子。 - 基板は,開口部近傍に,基板と同じ導電型であり,かつ,不純物濃度が高い高濃度不純物領域を備える請求項6に記載の光電変換素子。
- 基板は,裏面に略周期的な凹凸を有する請求項6に記載の光電変換素子。
- 基板は,シリコン基板からなり,パッシベーション膜は,酸化シリコン膜からなる請求項6に記載の光電変換素子。
- 凹凸は,凹部の底と凸部の頂点との間の高さの差が20〜200μmである請求項6に記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004210099A JP4674063B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 光電変換素子,その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004210099A JP4674063B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 光電変換素子,その製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032690A JP2006032690A (ja) | 2006-02-02 |
JP4674063B2 true JP4674063B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=35898660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004210099A Expired - Fee Related JP4674063B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 光電変換素子,その製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4674063B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5377226B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2013-12-25 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259488A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | シリコン太陽電池素子及び製造方法 |
JP2001044470A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004210099A patent/JP4674063B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259488A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | シリコン太陽電池素子及び製造方法 |
JP2001044470A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006032690A (ja) | 2006-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI489641B (zh) | 太陽能電池及其製作方法 | |
JP6271844B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
US8664015B2 (en) | Method of manufacturing photoelectric device | |
JP2005310830A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JPS6215864A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5756352B2 (ja) | 裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
KR20170143074A (ko) | 양면 수광형 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 | |
JP4325912B2 (ja) | 太陽電池素子及びその製造方法 | |
JP2007019259A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP6783231B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP4674063B2 (ja) | 光電変換素子,その製造方法 | |
JP6116616B2 (ja) | 裏面電極型太陽電池及びその製造方法 | |
JP2004281569A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
KR101711440B1 (ko) | 다결정실리콘 광검출기의 제조방법 | |
KR101223021B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 태양전지 | |
JP2013171943A (ja) | 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル | |
JP2014229851A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP7418869B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2018170379A (ja) | 半導体装置、太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
KR102547806B1 (ko) | 후면접합 실리콘 태양전지 제조방법 | |
JP6624864B2 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP6639169B2 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP6371883B2 (ja) | 裏面接合型太陽電池の製造方法 | |
TW202404111A (zh) | 具有鈍化觸點的背接觸式太陽電池及製造方法 | |
KR101172611B1 (ko) | 태양전지 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |