JP4466495B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の一実施形態が適用された製造方法を用いて製造された半導体装置の断面図を図1に示す。
上記実施形態では、バイト10を接地状態にすることで静電気等による電荷のチャージを防止するようにしたが、図3に示す半導体装置の製造工程図に表したように、バイト10での研削中にエアブローやCO2バブラー等の雰囲気調整装置20を用いて、研削が行われる装置内もしくは研削部位を導電性雰囲気、つまり導電性の高められた気体で包まれるようにしても良い。このように、研削部位を導電性雰囲気で包むようにすれば、より電荷のチャージを防止できる。例えば、CO2バブラーのように、CO2を雰囲気中に導入することで、雰囲気中の気体の導電性を高めることが可能である。
10…バイト、20…雰囲気調整装置。
Claims (4)
- 半導体素子が形成された半導体基板(1)を用意する工程と、
前記半導体基板(1)の上に、前記半導体素子の所望場所と電気的に接続される第1金属膜(2)を形成する工程と、
前記第1金属膜(2)の上に、前記第1金属膜(2)におけるパッドとなる領域を露出させるコンタクトホール(3a)を有する保護膜(3)を形成する工程と、
前記保護膜(3)の表面と前記第1金属膜(2)における前記パッドとなる領域の表面とに、デポジションとスパッタと蒸着法のいずれか1つの手法にて、第2金属膜(4)を形成する工程と、
機械加工にて、該機械加工に用いる冶具(10)を接地状態にした状態で用いて、前記保護膜(3)および前記第2金属膜(4)を前記保護膜(3)の厚みの途中まで研削または切削し、前記保護膜(3)における前記コンタクトホール(3a)の側壁面と前記第1金属膜(2)における前記パッドとなる領域の表面に前記第2金属膜(4)を残す工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜(3)を形成する工程では、前記保護膜(3)を有機樹脂材料で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記冶具としてバイトもしくは多刃工具を用いた切削加工を行うことで前記機械加工を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記機械加工中に、少なくとも前記研削または切削が行われる部分の雰囲気を導電性雰囲気とすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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