JP4501806B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の一実施形態が適用された製造方法を用いて製造された半導体装置の断面図を図1に示す。
上記実施形態では、冶具としてバイト10を用いて金属膜4および保護膜3を切削する機械加工について説明したが、その他、冶具を用いても構わない。例えば、図3に示すような多数の刃11が備えられた多刃工具12を用いて切削を行っても良い。
Claims (2)
- 半導体素子が形成され、半導体チップ(1)を構成するための半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の上に、前記半導体素子と電気的に接続される第1金属膜(2)を形成する工程と、
前記第1金属膜(2)および前記半導体基板の上に保護膜(3)を形成する工程と、
前記保護膜(3)に対して、前記第1金属膜(2)におけるパッドとなる領域を露出させるコンタクトホール(3a)を形成する工程と、
前記保護膜(3)の表面と前記第1金属膜(2)における前記パッドとなる領域の表面とに、デポジションにて、第2金属膜(4)を形成する工程と、
冶具としてバイトもしくは多刃工具を用いた切削加工による機械加工にて、前記保護膜(3)および前記第2金属膜(4)を前記保護膜(3)の厚みの途中まで除去し、該除去後の前記保護膜(3)における前記コンタクトホール(3a)の側壁面と前記第1金属膜(2)における前記パッドとなる領域の表面に前記第2金属膜(4)を残す工程と、を有し、
前記コンタクトホール(3a)を形成する工程では、該コンタクトホール(3a)の側壁面をテーパ面とし、前記第1金属膜(2)の表面に対する前記コンタクトホール(3a)の側壁面の為す角度が26度以上かつ70度以下となるようにし、
前記第2金属膜(4)を形成する工程では、前記第1金属膜(2)の表面に対して該第2金属膜(4)のうち前記コンタクトホール(3a)の側壁面上に形成される部分の為す角度が26度以上かつ70度以下となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜(3)を形成する工程では、前記保護膜(3)を有機樹脂材料で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007035926A JP2007035926A (ja) | 2007-02-08 |
JP4501806B2 true JP4501806B2 (ja) | 2010-07-14 |
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JP (1) | JP4501806B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4618295B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2011-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の金属電極形成方法 |
US7800232B2 (en) | 2007-03-06 | 2010-09-21 | Denso Corporation | Metallic electrode forming method and semiconductor device having metallic electrode |
JP2011066371A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-03-31 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164172A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイオ−ド |
JP2001015403A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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JP2004146597A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005064451A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2005064451A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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---|---|
JP2007035926A (ja) | 2007-02-08 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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