JP2003215222A - 磁気抵抗効果素子センサ - Google Patents
磁気抵抗効果素子センサInfo
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- JP2003215222A JP2003215222A JP2002013997A JP2002013997A JP2003215222A JP 2003215222 A JP2003215222 A JP 2003215222A JP 2002013997 A JP2002013997 A JP 2002013997A JP 2002013997 A JP2002013997 A JP 2002013997A JP 2003215222 A JP2003215222 A JP 2003215222A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果多層膜が複数個並列に配置さ
れ、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗効果多層膜の出力
を演算することにより検出するようにした磁気抵抗効果
素子センサにおいて、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン
止め強磁性層の磁化の向きを同一方向としつつ、適切に
磁気を検出できるようにする。 【解決手段】 各々の磁気抵抗効果多層膜１０のピン止
め強磁性層（ピンド層）は磁化の向きが同一であり、各
々の磁気抵抗効果多層膜１０は、平面形状が四角形であ
って当該四角形の縦横比Ｌ／Ｗが異なっているものにす
ることで、互いに磁気抵抗特性が異なっている。
れ、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗効果多層膜の出力
を演算することにより検出するようにした磁気抵抗効果
素子センサにおいて、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン
止め強磁性層の磁化の向きを同一方向としつつ、適切に
磁気を検出できるようにする。 【解決手段】 各々の磁気抵抗効果多層膜１０のピン止
め強磁性層（ピンド層）は磁化の向きが同一であり、各
々の磁気抵抗効果多層膜１０は、平面形状が四角形であ
って当該四角形の縦横比Ｌ／Ｗが異なっているものにす
ることで、互いに磁気抵抗特性が異なっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＭＲ（トンネル
磁気抵抗効果）素子やＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子
を用いた磁気抵抗効果素子センサに関する。
磁気抵抗効果）素子やＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子
を用いた磁気抵抗効果素子センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の磁気抵抗効果素子セ
ンサとしては、特開平１０−２５６６２０号公報や特開
２０００−３５４７０号公報に記載のセンサが提案され
ている。
ンサとしては、特開平１０−２５６６２０号公報や特開
２０００−３５４７０号公報に記載のセンサが提案され
ている。
【０００３】これらのセンサは、少なくとも磁化反転が
ピン止めされたピン止め強磁性層および外部磁界により
磁化が自在に反転するフリー強磁性層からなるとともに
抵抗値が互いに同じである複数個の磁気抵抗効果多層膜
が、並列に配置され、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗
効果多層膜の出力を演算することにより検出するように
している。
ピン止めされたピン止め強磁性層および外部磁界により
磁化が自在に反転するフリー強磁性層からなるとともに
抵抗値が互いに同じである複数個の磁気抵抗効果多層膜
が、並列に配置され、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗
効果多層膜の出力を演算することにより検出するように
している。
【０００４】ここで、各磁気抵抗効果多層膜は互いに、
ピン止め強磁性層の磁化の向きを異ならせており、それ
によって、各々の磁気抵抗効果多層膜の磁気抵抗特性を
異ならせている。そして、外部磁界による各々の磁気抵
抗効果多層膜の抵抗変化を、演算処理（差動処理等）し
て出力することで、温度特性変化分をキャンセルし、磁
界変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く出力で
きる。
ピン止め強磁性層の磁化の向きを異ならせており、それ
によって、各々の磁気抵抗効果多層膜の磁気抵抗特性を
異ならせている。そして、外部磁界による各々の磁気抵
抗効果多層膜の抵抗変化を、演算処理（差動処理等）し
て出力することで、温度特性変化分をキャンセルし、磁
界変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く出力で
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開平１
０−２５６６２０号公報にも記載されているように、複
数個の磁気抵抗効果多層膜においてピン止め強磁性層の
磁化の向きの異ならせるには、磁化処理を複数回行った
り、磁気抵抗効果多層膜を別々の基板（ウェハ）上に作
製し、それぞれのウェハを切断して互いに磁化の向きが
異なるように並設して磁気センサを組み付ける必要があ
るため、手間がかかったり、コスト高を招く。
０−２５６６２０号公報にも記載されているように、複
数個の磁気抵抗効果多層膜においてピン止め強磁性層の
磁化の向きの異ならせるには、磁化処理を複数回行った
り、磁気抵抗効果多層膜を別々の基板（ウェハ）上に作
製し、それぞれのウェハを切断して互いに磁化の向きが
異なるように並設して磁気センサを組み付ける必要があ
るため、手間がかかったり、コスト高を招く。
【０００６】そこで、本発明は上記問題に鑑み、磁気抵
抗効果多層膜が複数個並列に配置され、外部磁界の変化
を各々の磁気抵抗効果多層膜の出力を演算することによ
り検出するようにした磁気抵抗効果素子センサにおい
て、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン止め強磁性層の磁
化の向きを同一方向としつつ、適切に磁気を検出できる
ようにすることを目的とする。
抗効果多層膜が複数個並列に配置され、外部磁界の変化
を各々の磁気抵抗効果多層膜の出力を演算することによ
り検出するようにした磁気抵抗効果素子センサにおい
て、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン止め強磁性層の磁
化の向きを同一方向としつつ、適切に磁気を検出できる
ようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、少なくとも磁化反転が
ピン止めされたピン止め強磁性層（１３）および外部磁
界により磁化が自在に反転するフリー強磁性層（１１）
からなる磁気抵抗効果多層膜（１０）が複数個並列に配
置され、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗効果多層膜の
出力を演算することにより検出するようにした磁気抵抗
効果素子センサにおいて、各々の磁気抵抗効果多層膜の
ピン止め強磁性層は磁化の向きが同一であり、各々の磁
気抵抗効果多層膜は、互いに平面形状が異なっているこ
とを特徴とする。
め、請求項１に記載の発明では、少なくとも磁化反転が
ピン止めされたピン止め強磁性層（１３）および外部磁
界により磁化が自在に反転するフリー強磁性層（１１）
からなる磁気抵抗効果多層膜（１０）が複数個並列に配
置され、外部磁界の変化を各々の磁気抵抗効果多層膜の
出力を演算することにより検出するようにした磁気抵抗
効果素子センサにおいて、各々の磁気抵抗効果多層膜の
ピン止め強磁性層は磁化の向きが同一であり、各々の磁
気抵抗効果多層膜は、互いに平面形状が異なっているこ
とを特徴とする。
【０００８】それによれば、各々の磁気抵抗効果多層膜
（１０）は、互いに平面形状が異なっているため、各々
の磁気抵抗効果多層膜のピン止め強磁性層（１３）にお
いて磁化の向きが互いに同一であっても、磁化の向きを
互いに変えた場合と同様に、互いの磁気抵抗効果多層膜
の磁気抵抗特性を変えることができる。
（１０）は、互いに平面形状が異なっているため、各々
の磁気抵抗効果多層膜のピン止め強磁性層（１３）にお
いて磁化の向きが互いに同一であっても、磁化の向きを
互いに変えた場合と同様に、互いの磁気抵抗効果多層膜
の磁気抵抗特性を変えることができる。
【０００９】そのため、外部磁界による各々の磁気抵抗
効果多層膜の抵抗変化を、演算処理（差動処理等）して
出力することで、温度特性変化分をキャンセルし、磁界
変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く出力でき
る。したがって、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン止め
強磁性層の磁化の向きを同一方向としつつ、適切に磁気
を検出することができる。
効果多層膜の抵抗変化を、演算処理（差動処理等）して
出力することで、温度特性変化分をキャンセルし、磁界
変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く出力でき
る。したがって、各々の磁気抵抗効果多層膜のピン止め
強磁性層の磁化の向きを同一方向としつつ、適切に磁気
を検出することができる。
【００１０】ここで、請求項２に記載の発明のように、
各々の磁気抵抗効果多層膜（１０）は、平面形状が四角
形であって当該四角形の縦横比が異なっているものにす
ることができる。
各々の磁気抵抗効果多層膜（１０）は、平面形状が四角
形であって当該四角形の縦横比が異なっているものにす
ることができる。
【００１１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。本実施形態の磁気抵抗効果素子セン
サは基板の上に磁気抵抗効果多層膜が複数個並列に配置
されてなるスピンバルブ素子を用いたものである。図１
は、本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子センサに
おける１個の磁気抵抗効果多層膜１０の概略断面構成を
示す図である。
について説明する。本実施形態の磁気抵抗効果素子セン
サは基板の上に磁気抵抗効果多層膜が複数個並列に配置
されてなるスピンバルブ素子を用いたものである。図１
は、本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子センサに
おける１個の磁気抵抗効果多層膜１０の概略断面構成を
示す図である。
【００１３】磁気抵抗効果多層膜１０は、表面に絶縁層
２１が形成された基板２０の表面上に、電極層３０、３
１に挟まれた形で形成されている。ここで、基板２０は
ガラス基板やシリコン基板等、非磁性且つ電気絶縁性を
有する材料からなり、絶縁層２１はシリコン酸化膜等か
らなる。また、電極層３０、３１はＣｕやＡｌ等の導体
材料からなる。
２１が形成された基板２０の表面上に、電極層３０、３
１に挟まれた形で形成されている。ここで、基板２０は
ガラス基板やシリコン基板等、非磁性且つ電気絶縁性を
有する材料からなり、絶縁層２１はシリコン酸化膜等か
らなる。また、電極層３０、３１はＣｕやＡｌ等の導体
材料からなる。
【００１４】磁気抵抗効果多層膜１０は、基板２０側か
ら、フリー強磁性層１１、絶縁薄膜１２、ピン止め強磁
性層１３、反強磁性層１４が積層されてなる。反強磁性
層（以下、ピニング層という）１４はピン止め強磁性層
（以下、ピンド層という）１３の磁化反転をピン止めす
るものであり、フリー強磁性層１１は外部磁界により磁
化が自在に反転するものである。
ら、フリー強磁性層１１、絶縁薄膜１２、ピン止め強磁
性層１３、反強磁性層１４が積層されてなる。反強磁性
層（以下、ピニング層という）１４はピン止め強磁性層
（以下、ピンド層という）１３の磁化反転をピン止めす
るものであり、フリー強磁性層１１は外部磁界により磁
化が自在に反転するものである。
【００１５】そして、磁気抵抗効果多層膜１０において
は、図１中の矢印Ｙに示すように、ピンド層１３から絶
縁薄膜１２を介してフリー強磁性層１１へトンネル電流
が流れるが、外部磁界が変化した場合、磁化反転をピン
止めされたピンド層１３の磁化の向きは一定であるのに
対し、フリー強磁性層１１の磁化の向きが変化すること
で、磁気抵抗効果多層膜１０の抵抗値が変化し、トンネ
ル電流の大きさが変わるようになっている。
は、図１中の矢印Ｙに示すように、ピンド層１３から絶
縁薄膜１２を介してフリー強磁性層１１へトンネル電流
が流れるが、外部磁界が変化した場合、磁化反転をピン
止めされたピンド層１３の磁化の向きは一定であるのに
対し、フリー強磁性層１１の磁化の向きが変化すること
で、磁気抵抗効果多層膜１０の抵抗値が変化し、トンネ
ル電流の大きさが変わるようになっている。
【００１６】ここで、磁気抵抗効果多層膜１０における
各膜の積層順序は限定されるものではなく、磁気抵抗効
果多層膜１０は、少なくとも磁化反転がピン止めされた
ピン止め強磁性層１３と外部磁界により磁化が自在に反
転するフリー強磁性層１１とを備えたものであって、上
記外部磁界の変化に伴う抵抗値変化によるトンネル電流
の変化が発生するものであればよい。
各膜の積層順序は限定されるものではなく、磁気抵抗効
果多層膜１０は、少なくとも磁化反転がピン止めされた
ピン止め強磁性層１３と外部磁界により磁化が自在に反
転するフリー強磁性層１１とを備えたものであって、上
記外部磁界の変化に伴う抵抗値変化によるトンネル電流
の変化が発生するものであればよい。
【００１７】磁気抵抗効果多層膜１０において、ピニン
グ層１４は反強磁性体からなる薄膜であれば良く、例え
ば、Ｍｎに対してＦｅやＮｉなどが添加された合金等か
ら構成することができる。
グ層１４は反強磁性体からなる薄膜であれば良く、例え
ば、Ｍｎに対してＦｅやＮｉなどが添加された合金等か
ら構成することができる。
【００１８】ピンド層１３およびフリー強磁性層１１
は、いずれも強磁性体からなる薄膜であれば良く、例え
ば、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｆｅ合金等から構成するこ
とができる。また、絶縁薄膜１２は、Ａｌ2Ｏ3等の非磁
性体からなる薄膜から構成することができる。
は、いずれも強磁性体からなる薄膜であれば良く、例え
ば、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｆｅ合金等から構成するこ
とができる。また、絶縁薄膜１２は、Ａｌ2Ｏ3等の非磁
性体からなる薄膜から構成することができる。
【００１９】このような図１に示す磁気抵抗効果多層膜
１０を、基板２０の表面上に複数個並列に配置し、各々
の磁気抵抗効果多層膜１０のピンド層（ピン止め強磁性
層）１３の磁化の向きを同一とし、且つ、各々の磁気抵
抗効果多層膜１０の平面形状を互いに異ならせたもの
が、本実施形態の磁気抵抗効果素子センサである。各磁
気抵抗効果多層膜１０における上記トンネル電流が流れ
る方向の抵抗値は、初期的に（外部磁界が０のときに）
同一である。
１０を、基板２０の表面上に複数個並列に配置し、各々
の磁気抵抗効果多層膜１０のピンド層（ピン止め強磁性
層）１３の磁化の向きを同一とし、且つ、各々の磁気抵
抗効果多層膜１０の平面形状を互いに異ならせたもの
が、本実施形態の磁気抵抗効果素子センサである。各磁
気抵抗効果多層膜１０における上記トンネル電流が流れ
る方向の抵抗値は、初期的に（外部磁界が０のときに）
同一である。
【００２０】ここで、各々の磁気抵抗効果多層膜１０の
平面形状を互いに異ならせ、その磁気抵抗特性を調べた
例を示す。図２に示すように、各々の磁気抵抗効果多層
膜１０の平面形状を四角形とし、その四角形の縦横比
（縦寸法Ｌと横寸法Ｗとの比）Ｌ／Ｗを異ならせた。
平面形状を互いに異ならせ、その磁気抵抗特性を調べた
例を示す。図２に示すように、各々の磁気抵抗効果多層
膜１０の平面形状を四角形とし、その四角形の縦横比
（縦寸法Ｌと横寸法Ｗとの比）Ｌ／Ｗを異ならせた。
【００２１】図２において、（ａ）は、正方形に近い縦
横比Ｌ／Ｗを有する磁気抵抗効果多層膜１０であるパタ
ーンＡを示し、（ｂ）は、縦横比Ｌ／Ｗの大きい縦長の
磁気抵抗効果多層膜１０であるパターンＢを示す。ま
た、各パターンの磁気抵抗効果多層膜１０におけるピン
ド層１３の磁化の向きは、横寸法Ｗ方向に同一としてい
る。
横比Ｌ／Ｗを有する磁気抵抗効果多層膜１０であるパタ
ーンＡを示し、（ｂ）は、縦横比Ｌ／Ｗの大きい縦長の
磁気抵抗効果多層膜１０であるパターンＢを示す。ま
た、各パターンの磁気抵抗効果多層膜１０におけるピン
ド層１３の磁化の向きは、横寸法Ｗ方向に同一としてい
る。
【００２２】この図２において、外部から印加される磁
界（印加磁界）Ｈの印加方向を横寸法Ｗ方向としたと
き、各パターンＡ、Ｂにおける磁気抵抗特性（磁界Ｈと
磁気抵抗効果多層膜１０の抵抗値変化率との関係を示す
特性）を模式的に示したものが、図３である。
界（印加磁界）Ｈの印加方向を横寸法Ｗ方向としたと
き、各パターンＡ、Ｂにおける磁気抵抗特性（磁界Ｈと
磁気抵抗効果多層膜１０の抵抗値変化率との関係を示す
特性）を模式的に示したものが、図３である。
【００２３】図３に示すように、磁界Ｈの印加方向であ
る横寸法Ｗと磁界Ｈの印加方向とは垂直方向である縦寸
法Ｌとの比、すなわち縦横比Ｌ／Ｗが大きくなるほど、
磁界Ｈに対する抵抗値の変化は小さくなる（感度が低下
する）。これは、反磁界の影響によるものと考えられ
る。
る横寸法Ｗと磁界Ｈの印加方向とは垂直方向である縦寸
法Ｌとの比、すなわち縦横比Ｌ／Ｗが大きくなるほど、
磁界Ｈに対する抵抗値の変化は小さくなる（感度が低下
する）。これは、反磁界の影響によるものと考えられ
る。
【００２４】つまり、フリー強磁性層１１の初期の磁化
の向きは、形状異方性効果によって磁気抵抗効果多層膜
１０の平面形状の長手方向に向きやすい。そのため、図
２において、パターンＡでは印加磁界Ｈの変化に応じて
感度良く（応答良く）フリー強磁性層１１の磁化が反転
するのに対し、パターンＢでは、フリー強磁性層１１の
初期の磁化の向きが磁界Ｈの印加方向と略直交するた
め、感度が低下すると考えられる。
の向きは、形状異方性効果によって磁気抵抗効果多層膜
１０の平面形状の長手方向に向きやすい。そのため、図
２において、パターンＡでは印加磁界Ｈの変化に応じて
感度良く（応答良く）フリー強磁性層１１の磁化が反転
するのに対し、パターンＢでは、フリー強磁性層１１の
初期の磁化の向きが磁界Ｈの印加方向と略直交するた
め、感度が低下すると考えられる。
【００２５】よって、本実施形態の磁気抵抗効果素子セ
ンサにおいては、上記図２に示されるような平面形状の
異なるパターンを有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数
個組み合わせることで、各々の磁気抵抗効果多層膜１０
のピンド層１３が、その磁化の向きが互いに同一であっ
ても、磁化の向きを互いに変えた場合と同様に、互いの
磁気抵抗効果多層膜１０の磁気抵抗特性を変えることが
できる。
ンサにおいては、上記図２に示されるような平面形状の
異なるパターンを有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数
個組み合わせることで、各々の磁気抵抗効果多層膜１０
のピンド層１３が、その磁化の向きが互いに同一であっ
ても、磁化の向きを互いに変えた場合と同様に、互いの
磁気抵抗効果多層膜１０の磁気抵抗特性を変えることが
できる。
【００２６】そのため、外部磁界Ｈによる各々の磁気抵
抗効果多層膜１０の抵抗変化を、演算処理（差動処理
等）して出力することで、温度特性変化分をキャンセル
し、磁界変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く
出力できる。したがって、本実施形態によれば、各々の
磁気抵抗効果多層膜１０のピンド層１３の磁化の向きを
同一方向としつつ、適切に磁気を検出することができ
る。
抗効果多層膜１０の抵抗変化を、演算処理（差動処理
等）して出力することで、温度特性変化分をキャンセル
し、磁界変化による抵抗変化分のみを実質的に精度良く
出力できる。したがって、本実施形態によれば、各々の
磁気抵抗効果多層膜１０のピンド層１３の磁化の向きを
同一方向としつつ、適切に磁気を検出することができ
る。
【００２７】図４（ａ）は、平面形状が異なるパターン
を有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数個組み合わせた
一例を示す図である。この図４（ａ）に示す例は、上記
図２に示したパターンＡとパターンＢとを基板２０上に
並列に配置して、両パターンＡ、Ｂによりハーフブリッ
ジ回路を構成した場合であり、出力は、パターンＡの多
層膜１０とパターンＢの多層膜１０との中点から行って
いる。
を有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数個組み合わせた
一例を示す図である。この図４（ａ）に示す例は、上記
図２に示したパターンＡとパターンＢとを基板２０上に
並列に配置して、両パターンＡ、Ｂによりハーフブリッ
ジ回路を構成した場合であり、出力は、パターンＡの多
層膜１０とパターンＢの多層膜１０との中点から行って
いる。
【００２８】この図４（ａ）に示す例における磁界Ｈの
変化に対する出力変化率を図４（ｂ）に示す。この図４
（ｂ）に示す出力変化率は、上記図３に示したパターン
Ａの抵抗値変化率とパターンＢの抵抗値変化率との差を
とったものに相当する。これによって、温度特性による
変化分をキャンセルした磁気センサとしての機能を果た
すことができる。
変化に対する出力変化率を図４（ｂ）に示す。この図４
（ｂ）に示す出力変化率は、上記図３に示したパターン
Ａの抵抗値変化率とパターンＢの抵抗値変化率との差を
とったものに相当する。これによって、温度特性による
変化分をキャンセルした磁気センサとしての機能を果た
すことができる。
【００２９】さらに、図５は、平面形状が異なるパター
ンを有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数個組み合わせ
た他の例を示す図である。この図５に示す例は、上記図
２に示したパターンＡを２個およびパターンＢを２個基
板２０上に並列に配置して、これら４個のパターン（磁
気抵抗効果多層膜１０）によってフルブリッジ回路（ホ
ートストンブリッジ）を構成した場合であり、当該ブリ
ッジ回路の中点間の電圧を出力としている。この場合、
上記図４に示すハーフブリッジの場合の２倍程度の出力
が得られる。
ンを有する磁気抵抗効果多層膜１０を複数個組み合わせ
た他の例を示す図である。この図５に示す例は、上記図
２に示したパターンＡを２個およびパターンＢを２個基
板２０上に並列に配置して、これら４個のパターン（磁
気抵抗効果多層膜１０）によってフルブリッジ回路（ホ
ートストンブリッジ）を構成した場合であり、当該ブリ
ッジ回路の中点間の電圧を出力としている。この場合、
上記図４に示すハーフブリッジの場合の２倍程度の出力
が得られる。
【００３０】なお、上記実施形態の磁気抵抗効果素子セ
ンサは、ピンド層とフリー強磁性層との間のトンネル電
流を利用したスピンバルブ素子を用いたものであるが、
本発明の磁気抵抗効果素子センサは、スピンバルブ素子
以外のＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を用いたもので
あっても良い。
ンサは、ピンド層とフリー強磁性層との間のトンネル電
流を利用したスピンバルブ素子を用いたものであるが、
本発明の磁気抵抗効果素子センサは、スピンバルブ素子
以外のＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を用いたもので
あっても良い。
【図１】本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子セン
サにおける１個の磁気抵抗効果多層膜の概略断面図であ
る。
サにおける１個の磁気抵抗効果多層膜の概略断面図であ
る。
【図２】各々の磁気抵抗効果多層膜の平面形状を互いに
異ならせたパターン例を示す図である。
異ならせたパターン例を示す図である。
【図３】図２に示す各パターン例毎の磁気抵抗特性を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図４】（ａ）は、平面形状が異なるパターンを有する
磁気抵抗効果多層膜を複数個組み合わせた一例を示す概
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す例における磁界
変化に対する出力変化率を示す図である。
磁気抵抗効果多層膜を複数個組み合わせた一例を示す概
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す例における磁界
変化に対する出力変化率を示す図である。
【図５】平面形状が異なるパターンを有する磁気抵抗効
果多層膜を複数個組み合わせた他の例を示す概略平面図
である。
果多層膜を複数個組み合わせた他の例を示す概略平面図
である。
１０…磁気抵抗効果多層膜、１１…フリー強磁性層、１
３…ピン止め強磁性層（ピンド層）。
３…ピン止め強磁性層（ピンド層）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 康利
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 上野山 博文
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AC04 AD55 BA05
5D034 BA03 BB02 CA03 CA08
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも磁化反転がピン止めされたピ
ン止め強磁性層（１３）および外部磁界により磁化が自
在に反転するフリー強磁性層（１１）からなる磁気抵抗
効果多層膜（１０）が複数個並列に配置され、 外部磁界の変化を各々の前記磁気抵抗効果多層膜の出力
を演算することにより検出するようにした磁気抵抗効果
素子センサにおいて、 各々の前記磁気抵抗効果多層膜の前記ピン止め強磁性層
は磁化の向きが同一であり、 各々の前記磁気抵抗効果多層膜は、互いに平面形状が異
なっていることを特徴とする磁気抵抗効果素子センサ。 - 【請求項２】 各々の前記磁気抵抗効果多層膜（１０）
は、平面形状が四角形であって当該四角形の縦横比が異
なっていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
効果素子センサ。
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