JP4452726B2 - メモリ - Google Patents
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図1は、本発明の第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリを示した断面図である。
図14は、本発明の第2実施形態によるクロスポイント型の巨大磁気抵抗材料を用いた不揮発性メモリを示した断面図である。図14を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、本発明を、記憶材料膜として巨大磁気抵抗材料を用いた不揮発性メモリに適用した例について説明する。
図15は、本発明の第3実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリを示した断面図である。図15を参照して、この第3実施形態では、上記第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの構造を、下部電極が直接タングステンプラグに接続されるとともに、強誘電体膜が下部電極の上面および側面を覆う構造に変更した例について説明する。
14、74 Pt膜(第1電極膜)
15、75 強誘電体膜(記憶材料膜)
15a 記憶部
15b 薄膜部
16、76 上部電極(第2電極膜)
17、77 シリコン窒化膜(絶縁膜)
19、79 TiN膜(接続配線)
20、80 Al膜(接続配線)
18b ビアホール(接続領域)
25 巨大磁気抵抗材料膜(記憶材料膜)
25a、75a 記憶部
25b、75b 薄膜部
Claims (5)
- 第1電極膜と、
前記第1電極膜上に形成され、記憶部と、前記記憶部の厚みよりも小さく、かつ、平均値で前記記憶部の厚みの15%以上95%以下の厚みを有する薄膜部とを有する記憶材料膜と、
前記記憶材料膜の前記記憶部上に形成された第2電極膜と、
前記第1電極膜、前記記憶材料膜および前記第2電極膜を有する単純マトリックス型の複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ領域と、
平面的に見て前記メモリセルアレイ領域とは異なる領域に形成され、トランジスタを含む周辺回路領域と、
前記メモリセルアレイ領域の前記複数のメモリセルが形成される領域の前記記憶材料膜の上方の実質的に全領域を覆うように形成されるとともに、前記トランジスタを含む周辺回路領域には形成されない水素の拡散を抑制する絶縁膜と
を備えた、メモリ。 - 前記メモリセルアレイ領域と前記周辺回路領域とを接続するための接続配線をさらに備え、
少なくとも前記メモリセルアレイ領域の前記第1電極膜の上面と前記接続配線との接続領域近傍には、前記記憶材料膜の薄膜部が存在しないように、前記記憶材料膜がパターニングされている、請求項1に記載のメモリ。 - 前記第1電極膜は、第1下部電極膜と、前記第1下部電極膜上に形成された第2下部電極膜とを含み、
前記第1下部電極膜は、酸素の拡散を抑制する機能を有する、請求項1および2のいずれか1項に記載のメモリ。 - 前記記憶材料膜は、前記第1電極膜の上面および側面を覆うように形成されている、請求項1および3のいずれか1項に記載のメモリ。
- 一対のソース/ドレイン領域を有する導電性トランジスタと、
前記トランジスタのソース/ドレイン領域の一方に接続された導電性プラグと
をさらに備え、
前記第1電極膜は、前記導電性プラグに接触するように形成されている、請求項1、3および4のいずれか1項に記載のメモリ。
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