JP4474914B2 - レジスト残渣剥離用組成物及びそれを用いた洗浄方法 - Google Patents
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Description
3.1重量%の過酸化水素水10gに表1記載のカルボン酸アンモニウムを溶解し、レジスト残渣剥離用組成物とした。
水10gに酢酸アンモニウム2gを溶解し、過酸化水素を添加しないでレジスト残渣剥離用組成物とした。当該レジスト残渣剥離用組成物に、実施例1と同様の5500オングストロームの厚みの熱酸化膜を形成したシリコンウエハ上に酸化チタン粒子を析出させた基板を10分浸漬した。その後、水洗、乾燥し、表面をSEMで観察し、酸化チタンの除去性を調べた。
31重量%の過酸化水素水10gに酢酸アンモニウム2gを溶解してレジスト残渣剥離用組成物とした。実施例1と同様に、5500オングストロームの厚みの熱酸化膜を形成したシリコンウエハ上に酸化チタン粒子を析出させた基板をこの混合液に室温で1分浸漬した。その後、水洗、乾燥し、表面をSEMで観察し、酸化チタンの除去性を調べた。その結果、酸化チタンは完全に除去されていた。
2.5重量%過酸化水素、2重量%シュウ酸アンモニウム、2重量%ブトキシプロパノールの水溶液100gからなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物に、i線用レジストを塗布し、ハードベークしたシリコンウエハを40℃で5分浸漬した。その結果、レジストは完全に剥離、除去できた。
1重量%過酸化水素、1重量%クエン酸アンモニウム、2重量%ブトキシエタノールの水溶液からなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物を、50℃で8時間、撹拌維持した。
1重量%過酸化水素、1重量%アンモニア、2重量%ブトキシエタノールの水溶液からなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物を50℃で8時間、撹拌維持した。
1重量%過酸化水素、1重量%アンモニア、1重量%クエン酸アンモニウム、2重量%ブトキシエタノールの水溶液からなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物を50℃で8時間、撹拌維持した。
1重量%過酸化水素、1重量%リンゴ酸アンモニウム、2重量%ブトキシエタノールの水溶液からなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物に、アルミ金属のテストピースを50℃で1時間浸漬した。
1重量%過酸化水素、1重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、2重量%ブトキシエタノールの水溶液からなるレジスト残渣剥離用組成物を混合調製した。当該レジスト残渣剥離用組成物に、アルミ金属のテストピースを50℃で1時間浸漬した。
Claims (12)
- カルボン酸アンモニウム、過酸化水素及び水からなるレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸アンモニウムの含量が0.01〜40重量%、過酸化水素の含量が10ppm〜35重量%、水の含量が25〜99.9重量%である請求項1記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸が脂肪族カルボン酸、環式カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1又は請求項2記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、安息香酸、フタル酸、グリコール酸、乳酸、グリセリン酸、タルトロン酸、りんご酸、酒石酸、トロパ酸、ベンジル酸、サリチル酸、没食子酸、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、アスコルビン酸、グルタミン酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸アンモニウム、過酸化水素、水及び水溶性有機溶媒からなるレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸アンモニウムの含量が0.01〜40重量%、過酸化水素の含量が10ppm〜35重量%、水の含量が25〜99.9重量%である請求項5記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸が脂肪族カルボン酸、環式カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項5又は請求項6記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、安息香酸、フタル酸、グリコール酸、乳酸、グリセリン酸、タルトロン酸、りんご酸、酒石酸、トロパ酸、ベンジル酸、サリチル酸、没食子酸、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、アスコルビン酸、グルタミン酸から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項5乃至請求項7のいずれかに記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- 水溶性有機溶媒の含量が0.1〜70重量%である請求項5乃至8のいずれかに記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- 水溶性有機溶媒が、エーテルアルコール及び/又は炭酸エステルである請求項5乃至9のいずれかに記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- エーテルアルコールがブトキシプロパノール、ブトキシエタノール、プロポキシプロパノール、プロポキシエタノール、エトキシプロパノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール、メトキシエタノール、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルメーテルから成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項10に記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
- 炭酸エステルが炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートから成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項10に記載のレジスト残渣剥離用組成物を使用してチタン酸化物を除去する洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003419471A JP4474914B2 (ja) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | レジスト残渣剥離用組成物及びそれを用いた洗浄方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003419471A JP4474914B2 (ja) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | レジスト残渣剥離用組成物及びそれを用いた洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005183525A JP2005183525A (ja) | 2005-07-07 |
JP4474914B2 true JP4474914B2 (ja) | 2010-06-09 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003419471A Expired - Fee Related JP4474914B2 (ja) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | レジスト残渣剥離用組成物及びそれを用いた洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4474914B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4642001B2 (ja) | 2006-10-24 | 2011-03-02 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物 |
WO2010029867A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 昭和電工株式会社 | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 |
US20150104952A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Ekc Technology, Inc. | Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper |
-
2003
- 2003-12-17 JP JP2003419471A patent/JP4474914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005183525A (ja) | 2005-07-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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