JP4439048B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、特に、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)に代表されるIII−V族窒化ガリウム系化合物半導体は、1.9〜6.2eVにおよぶ広範なバンドギャップエネルギーを有し、可視域から紫外域までをカバーする発光・受光デバイス用半導体材料として有望である。とりわけ、この材料により実現される発振波長が400nm付近の青紫色半導体発光装置は、次世代の超高密度光ディスク用の光源の極めて有力な候補であり、その研究開発が盛んに進められている。
【0003】
窒化ガリウム系化合物半導体発光装置において波長400nm付近のレーザ発振を得るために、従来より活性層としてInxGa1-xN(0.1≦x≦0.2)を、またクラッド層として光を効果的に閉じ込めるために活性層よりも屈折率が小さい材料であるAlyGa1-yN(0≦y≦1)を用いることが知られている。
【0004】
また、この窒化ガリウム系化合物半導体発光装置を、有機金属気相成長法(以下MOCVD法という)を用い、サファイア(Al2O3)基板、炭化珪素(SiC)基板または窒化ガリウム基板の上に作製する技術が従来より知られている。
【0005】
以下、図面を参照しながら従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光装置を説明する。
【0006】
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光装置は、図4にその断面図を示すように、サファイア基板1の上にGaNよりなるバッファ層2、n型GaNよりなるn型コンタクト層3、n型Aly1Ga1-y1N(0<y1≦1)よりなるn型クラッド層4、In0.15Ga0.85N井戸層とIn0.05Ga0.95Nバリア層とを交互に多重量子井戸として形成した活性層5、p型Aly2Ga1-y2N(0<y2≦1)よりなるp型クラッド層6、p型GaNよりなるp型コンタクト層7が順次形成され、さらにn型コンタクト層3の上にn型オーミック電極8が形成され、p型コンタクト層7の上にp型オーミック電極9が形成された構造を有している。
【0007】
バッファ層2はサファイア基板1と、その上のn型コンタクト層3をはじめとする窒化ガリウム系化合物半導体よりなる層との格子不整合を緩和し、かつ窒化ガリウム系化合物半導体よりなる層の結晶性を向上させるための役割を果たす。また、通常窒化ガリウム系化合物半導体よりなる層の結晶性をさらに向上させるためにn型コンタクト層3の膜厚は2μm以上としている。
【0008】
活性層5で発生した光を十分に閉じ込めるためには、n型クラッド層4およびp型クラッド層6について、Al組成を大きくするかまたは膜厚を大きくする必要がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来の従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光装置に関して、次のような問題があった。
【0010】
まず、AlzGa1-zN(0<z≦1)はAl2O3やGaNよりも硬度が大きく、しかもこの傾向はAl組成が大きくなるにつれて著しくなるため、例えばサファイア基板1の上に、基板よりも厚さの小さい、AlzGa1-zNよりなるn型クラッド層4またはp型クラッド層6を形成した場合、サファイア基板1とn型クラッド層4またはp型クラッド層6との間の格子不整合により発生する転位やクラックがn型クラッド層4またはp型クラッド層6に集中して発生し、特にAl組成が大きくなるにつれて転位やクラックが著しく発生するという問題があった。
【0011】
また、n型コンタクト層3の上にn型クラッド層4を形成する場合、AlzGa1-zNはGaNよりも格子定数が小さく、しかもこの傾向はAl組成が大きくなるにつれて著しくなるため、n型クラッド層4の膜厚やAl組成を大きくするとn型クラッド層4内に転位やクラックが発生し、それが窒化ガリウム系化合物半導体発光装置に及び、窒化ガリウム系化合物半導体発光装置の特性を悪化させるという問題があった。
【0012】
さらに、AlzGa1-zNはGaNよりも熱膨張係数が大きく、しかもこの傾向はAl組成が大きくなるにつれて著しくなるため、結晶成長時においてはn型クラッド層4およびp型クラッド層6の結晶性が良好であっても、結晶成長温度から室温に戻す降温過程において、n型クラッド層4およびp型クラッド層6に引っ張り歪がかかり、それによって窒化ガリウム系化合物半導体発光装置内に転位やクラックが生じ、特にAl組成が大きくなるにつれてクラックが著しく発生するという問題があった。
【0013】
一方、上記問題を回避するためにn型クラッド層4およびp型クラッド層6の層厚を薄くすれば、その厚さは活性層5に光を閉じ込めるには不十分なものとなっていた。
【0014】
そのため、従来の窒化ガリウム系半導体発光装置には109cm-2の欠陥密度が存在し、かつクラックが生じていた。その結果、活性層における発光効率が低下し、しきい値電流が60mAと特性の悪いものしか得られなかった。
【0015】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、活性層への十分な光閉じ込めを実現しつつクラックの生じにくい新しい構造を提案し、低しきい値電流の窒化ガリウム系半導体装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、AlxGa1-xN(0<x<1)からなる基板と、前記基板の上に形成されたAlを含むIII族窒化物半導体よりなる第1半導体層と、を備え、前記基板のAl組成比xと前記第1半導体層のAl組成比との差が0.15より小さい半導体装置により上記目的が達成される。
【0017】
前記半導体装置は、前記第1半導体層の上に形成され、かつ前記第1半導体層よりも禁制帯幅が小さいIII族窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された、前記第1半導体層と異なる導電型を有するAlを含むIII族窒化物半導体の第2半導体層とをさらに備えてもよい。
【0018】
前記半導体装置は、前記基板のAl組成比xと前記第2半導体層のAl組成比との差および前記第1半導体層のAl組成比と前記第2半導体層のAl組成比との差がいずれも0.15より小さくてもよい。
【0019】
前記半導体装置は、前記基板の厚さが20μm以上であってもよい。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0021】
本発明の実施の形態における窒化ガリウム系半導体発光装置は、図1にその断面図を示すように、珪素が添加され、かつキャリア密度が5×1018cm-3である厚さ100μmのn型Al0.1Ga0.9N基板10の表面上に膜厚が1.0μmのn型Al0.15Ga0.85N(禁制帯幅約3.68eV)よりなるn型クラッド層11(第1半導体層11)、膜厚が30ÅのIn0.15Ga0.85N井戸層(禁制帯幅約2.76eV)と膜厚が50ÅのIn0.05Ga0.95Nバリア層(禁制帯幅約3.16eV)とを交互に10層ずつ繰り返し、多重量子井戸として形成した活性層12、膜厚が1.0μmのp型Al0.15Ga0.85Nよりなるp型クラッド層13(第2半導体層13)、膜厚が1.5μmのp型GaNよりなるp型コンタクト層14が順次形成され、さらにn型Al0.1Ga0.9N基板10の裏面にn型オーミック電極15が形成され、p型GaNコンタクト層14の上にp型オーミック電極16が形成された構造を有している。
【0022】
ここで、p型クラッド層13およびp型コンタクト層14は電流狭窄のため幅2μmのリッジ形状を有する。また、n型クラッド層11およびp型クラッド層13は光ガイド層の役目も果たす。
【0023】
n型クラッド層11には珪素が添加され、キャリア密度は5×1018cm-3である。また、p型クラッド層13およびp型コンタクト層14にはマグネシウムが添加され、キャリア密度はどちらも1×1018cm-3である。
【0024】
また、n型オーミック電極15はn型Al0.1Ga0.9N基板10側より厚さが100Åのチタンおよび厚さが0.3μmのアルミニウムが順次形成された構造を有し、p型オーミック電極16はp型コンタクト層14側より厚さが0.1μmのニッケルおよび厚さが0.3μmの金が順次形成された構造を有している。
【0025】
この窒化ガリウム系半導体発光装置は、リッジの長手方向に垂直な方向に長さ1000μmの共振器を有し、その共振器端面にはSiO2とTiO2とからなる高反射率コーティング(不図示)が施されている。
【0026】
この構成により、n型Al0.1Ga0.9N基板10を用いているので、n型Al0.1Ga0.9N基板10とn型クラッド層11およびp型クラッド層13との間の格子定数の差および熱膨張係数の差を、従来のサファイアやGaNを基板に用いた場合よりも小さくすることができる。また、n型Al0.1Ga0.9N基板10の硬度が大きいので、n型Al0.1Ga0.9N基板10に転位を生じさせることができる。その結果、転位密度が小さくかつクラックが従来よりも著しく少ない窒化ガリウム系半導体発光装置を得ることができる。
【0027】
この構成において、基板の組成比と第1半導体層の組成比との差はクラック発生を防止するという視点からできるだけ小さいことが好ましい。その差は0.15より小さければ十分である。例えば、上述したように、基板Al0.1Ga0.9N、n型Al0.15Ga0.85Nよりなるn型クラッド層の場合には、その差は0.05である。その差は、0.05以下であることがさらに好ましい。
【0028】
また、この構成により、n型Al0.1Ga0.9N基板10とn型クラッド層11およびp型クラッド層13とのAl組成の差は0.05であるので、クラックを従来よりも著しく少なくして形成できるn型クラッド層11およびp型クラッド層13の厚さをそれぞれ1.5μm以上とすることができ、その結果活性層12に十分に光を閉じ込めることができ、窒化ガリウム系半導体発光装置の特性を従来よりも向上させることができる。
【0029】
さらに、AlxGa1-xN基板10およびAlyGa1-yNよりなるn型クラッド層11のAl組成比がy<xである場合、なお望ましい。この場合、基板10およびn型クラッド層11の格子定数をそれぞれas、alとすると、as<alの関係を有する。クラッド層の格子定数が基板の格子定数より大きくなるため、クラッド層には圧縮歪がかかり、引っ張り歪がかかる時と比較して、クラックが生じにくい。
【0030】
本発明の実施の形態における窒化ガリウム系半導体発光装置は、以下の方法により製造される。
【0031】
まずハイドライド気相エピタキシャル(HVPE)法によりサファイア基板の上に珪素を添加したAl0.1Ga0.9Nを100μm結晶成長し、サファイア基板を除去してn型Al0.1Ga0.9N基板10を作製する。
【0032】
次にn型Al0.1Ga0.9N基板10をMOCVD炉に導入し、全圧が1気圧のアンモニアおよび水素の混合ガスの雰囲気中で1000℃まで昇温した後、トリメチルアルミニウム(以下TMAという)、トリメチルガリウム(以下TMGという)およびシラン(以下SiH4という)を供給し、n型クラッド層11を結晶成長する。
【0033】
続いて、TMG、TMA、SiH4の供給を停止し、基板温度を800℃まで降温する。TMGおよびトリメチルインジウム(以下TMIという)を供給し、膜厚が30ÅのIn0.15Ga0.85N井戸層と膜厚が50ÅのIn0.05Ga0.95Nバリア層とを交互に10層ずつ繰り返し、多重量子井戸の活性層12を形成する。
【0034】
次に、TMGとTMIの供給を停止し、基板温度を再び1000℃まで上昇させたのち、TMA、TMGおよびシクロペンタジエニルマグネシウム(以下Cp2Mgという)を供給し、p型クラッド層13を形成する。
【0035】
さらに、TMAの供給のみを停止して、p型コンタクト層14を形成する。
【0036】
以上の結晶成長の後、p型クラッド層13およびp型コンタクト層14にドライエッチングを施して幅2μmのリッジ形状を形成し、n型オーミック電極15およびp型オーミック電極16を、n型Al0.1Ga0.9N基板10の裏面およびp型コンタクト層14の上にそれぞれ形成する。
【0037】
その後、n型Al0.1Ga0.9N基板10を劈開し、リッジの長手方向に垂直な方向に長さ1000μmの共振器を形成する。最後に、共振器端面にSiO2とTiO2との多層膜からなる高反射率コーティングを施す。
【0038】
以下、本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置に関する特性について説明する。
【0039】
本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置の発振波長は410nmであり、発振しきい値電流は20mAと、従来よりも大幅に発振しきい値電流を低減させることができた。
【0040】
また、窒化ガリウム系半導体発光装置を光学顕微鏡および透過電子顕微鏡により観察したところ、転位密度は106cm-2と従来の10-3倍であり、かつクラックは見当たらなかった。
【0041】
本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置に関する良好な特性を考察するために、以下に示す実験を行った。
【0042】
厚さが100μmのAltGa1-tN基板の組成tを変化させ、その上にAlsGa1-sN層(0≦s≦1)を結晶成長させたときの、組成tとクラック無しで結晶成長可能なAlsGa1-sN層の最大膜厚との関係を調べた。クラックの発生状況の判断は、光学顕微鏡を用いた表面観察により行った。その結果を図2に示す。図2において、曲線a、b、cおよびdはs=0.05、s=0.10、s=0.15およびs=0.20の場合をそれぞれ表す。図2より、組成tと組成sとの差が小さいほどクラック無しで結晶成長可能なAlsGa1-sN層の最大膜厚が大きくなることがわかった。特にt=0すなわちGaN基板の場合、Al0.15Ga0.85N層がクラック無しで結晶成長可能な最大膜厚は0.5μmであったが、Al0.1Ga0.9N基板の場合、Al0.15Ga0.85N層がクラックなしで結晶成長可能な最大膜厚は3μmであった。これは、組成tと組成sとの差が小さいほどAltGa1-tN基板とAlsGa1-sN層との格子定数の差および熱膨張係数の差が小さくなり、その結果AlsGa1-sN層にクラックが発生しにくくなるためと考えられる。
【0043】
図2において、基板のAl組成0.05の上に1μmのAlsGa1-sNをクラックなしで成長できる組成sの上限は0.2程度となり、基板のAl組成tとAlsGa1-sN層のAl組成sとの差は0.15程度となる。
【0044】
それぞれの厚さが100μmのGaN基板およびAl0.1Ga0.9N基板の上にAl0.15Ga0.85N層を形成した。その結果、GaN基板に関してはAl0.15Ga0.85N層にクラックが生じ、かつAl0.15Ga0.85N層の転位密度は109cm-2であった。一方、Al0.1Ga0.9N基板に関してはAl0.15Ga0.85N層にクラックは生じず、かつAl0.15Ga0.85N層の転位密度は106cm-2であった。これは基板とAl0.15Ga0.85N層との格子定数の差および熱膨張係数の差によるだけでなく、Al0.1Ga0.9N基板のほうがGaN基板より硬度が大きく、その結果Al0.1Ga0.9N基板のほうにも転位が生じ、相対的にAl0.15Ga0.85N層に転位が生じにくくなるためと考えられる。
【0045】
本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置が従来よりも特性が良好なのは、以上の実験結果が示すようにn型Al0.1Ga0.9N基板10の上にn型クラッド層11およびp型クラッド層13を、それぞれの膜厚が1.0μmと厚く、転位密度およびクラックの発生を従来よりも減少させて形成でき、その結果窒化ガリウム系半導体発光装置内において転位密度およびクラックの発生を従来よりも減少させることができて窒化ガリウム系半導体発光装置の発光効率を向上させ、また活性層12に効果的に光を閉じ込めることができたからであると考えられる。
【0046】
【実施例】
次に、本発明の一実施形態における窒化ガリウム系半導体発光装置の実施例として、n型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さと窒化ガリウム系半導体発光装置の特性との関係について説明する。
【0047】
n型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さが小さくなるほど窒化ガリウム系半導体発光装置における転位密度は小さくなった。特にn型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さが40μmのとき、窒化ガリウム系半導体発光装置における転位密度は105cm-2であった。これはn型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さを小さくすることによりn型Al0.1Ga0.9N基板10のほうに転位が生じ、その上に形成されるn型クラッド層11等の窒化ガリウム系半導体層に転位が生じにくくなるためと考えられる。
【0048】
n型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さと基板の割れに起因する窒化ガリウム系半導体発光装置の歩留まり率との関係は、図3に示すようになった。図3から明らかなように、n型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さが20μm以下になると、歩留まり率が急激に低下することがわかった。したがって、n型Al0.1Ga0.9N基板10の厚さは20μm以上とすることが望ましいことがわかった。
【0049】
なお、上記実施の形態において、n型クラッド層11とp型クラッド層13のAl組成は異なっていてもよい。
【0050】
なお、以上の説明では、窒化ガリウム化合物半導体発光装置を例にして説明したが、本発明は半導体発光装置には限定されない。本発明は、基板とその基板の上に形成されるAlを含むIII族窒化物半導体層よりなる第1半導体層を有する半導体装置に適用され得る。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、AlxGa1-xN(0<x<1)基板と該基板上に形成されたAlを含むIII族窒化物半導体よりなる第1半導体層との間のAl組成比の差を0.15より小さくすることにより、基板と第1半導体層の格子定数の差、熱膨張係数の差を小さくすることができる。また、AlxGa1-xN基板の硬度が大きいので、AlxGa1-xN基板にクラックまたは転位を生じさせることができる。
【0052】
また、第1半導体層の上に、記第1半導体層よりも禁制帯幅が小さいIII族窒化物半導体からなる活性層と、前記第1半導体層と異なる導電型を有するAlを含むIII族窒化物半導体の第2半導体層とを備えることにより、活性層への光閉じ込めを実現しつつクラックの生じにくい半導体装置を提供することができる。
【0053】
また、AlxGa1-xN基板と第1半導体層および第2半導体層とのAl組成の差を0.15より小さくすることにより、従来よりもクラックの発生を著しく少なくして形成でき、第1半導体層および第2半導体層の厚さをそれぞれ0.5μm以上にすることができる。さらに、AlxGa1-xN基板と第1半導体層、AlxGa1-xN基板と第2半導体層、第1半導体層と第2半導体層、とのAl組成比の差を0.05以下にすることにより、n型クラッド層およびp型クラッド層の厚さをそれぞれ1.5μm以上とすることができる。その結果、活性層に十分に光を閉じ込めることができ、半導体装置の特性を従来よりも向上させることができる。
【0054】
さらに、基板の厚さを20μm以上とすることにより、基板の割れに起因する歩留まり率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における窒化ガリウム系半導体発光装置の断面図である。
【図2】AltGa1-tN基板上にクラック無しで結晶成長可能なAlsGa1-sN層の最大膜厚とAl組成tおよびsとの関係を示す図である。
【図3】n型Al0.1Ga0.9N基板の厚さと、基板の割れに起因する歩留まり率との関係を示す図である。
【図4】従来の窒化ガリウム系半導体発光装置の断面図である。
【符号の説明】
10 n型Al0.1Ga0.9N基板
11 n型クラッド層
12 活性層
13 p型クラッド層
14 p型コンタクト層
15 n型オーミック電極
16 p型オーミック電極
Claims (6)
- AlxGa1-xN(0<x<1)からなる基板と、
前記基板の上に形成されたAlを含むIII族窒化物半導体よりなる第1半導体層と、を備え、
前記基板のAl組成比xと前記第1半導体層のAl組成比との差が0.15より小さく、
前記基板のAl組成比xは前記第1半導体層のAl組成比よりも大きい半導体装置。 - 前記第1半導体層の上に形成され、かつ前記第1半導体層よりも禁制帯幅が小さいIII族窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された、前記第1半導体層と異なる導電型を有するAlを含むIII族窒化物半導体の第2半導体層とをさらに備えた請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板のAl組成比xと前記第2半導体層のAl組成比との差および前記第1半導体層のAl組成比と前記第2半導体層のAl組成比との差がいずれも0.15より小さい請求項2に記載の半導体装置。
- 前記基板の厚さが20μm以上である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板のAl組成比xと前記第1半導体層のAl組成比との差が0.05より小さい請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層は、Al y Ga 1-y Nよりなる請求項1に記載の半導体装置。
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