JP4435214B2 - 印刷回路基板の製造方法 - Google Patents
印刷回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4435214B2 JP4435214B2 JP2007180248A JP2007180248A JP4435214B2 JP 4435214 B2 JP4435214 B2 JP 4435214B2 JP 2007180248 A JP2007180248 A JP 2007180248A JP 2007180248 A JP2007180248 A JP 2007180248A JP 4435214 B2 JP4435214 B2 JP 4435214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed circuit
- circuit board
- resin layer
- resin
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 61
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 51
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 7
- -1 vinyl benzyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-M sodium 2-anthraquinonesulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- CTIQLGJVGNGFEW-UHFFFAOYSA-L naphthol yellow S Chemical compound [Na+].[Na+].C1=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C([O-])=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 CTIQLGJVGNGFEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- YWPOLRBWRRKLMW-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-2-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 YWPOLRBWRRKLMW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- WZZLWPIYWZEJOX-UHFFFAOYSA-L disodium;naphthalene-2,6-disulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].C1=C(S([O-])(=O)=O)C=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 WZZLWPIYWZEJOX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012685 gas phase polymerization Methods 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- LIBWRRJGKWQFSD-UHFFFAOYSA-M sodium;2-nitrobenzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O LIBWRRJGKWQFSD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 claims 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MMNWSHJJPDXKCH-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 MMNWSHJJPDXKCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0108—Male die used for patterning, punching or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0014—Shaping of the substrate, e.g. by moulding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(a)所望の配線パターンに対応するエンボスパターンが形成されたモールドを準備する工程と、
(b)上記モールドのエンボスパターン形成面に重合用酸化剤を付着する工程と、
(c)上記モールドを樹脂層に押圧する工程と、
(d)上記樹脂層から上記モールドを分離して、上記樹脂層に上記重合用酸化剤が付着したパターンを形成する工程と、
(e)上記樹脂層に形成されたパターンの内部に、選択的に導電性高分子のモノマーを充填して重合させることにより、導電性高分子の配線を形成する工程と、
を含む印刷回路基板の製造方法が提供される。
本発明は、インプリント法を用いて、導電性高分子の構成モノマーを重合させて導電性高分子を合成することができる酸化剤(重合用酸化剤または高分子重合用酸化剤)を、基板に選択的に付着(mark)させ、選択されたパターンに導電性高分子のモノマーを充填させて重合させることを含む、導電性高分子の配線パターンを有する印刷回路基板の製造方法に関する。
(a)所望の配線パターンに対応するエンボスパターンが形成されたモールドを準備する工程と、
(b)上記モールドのエンボスパターン形成面に重合用酸化剤を付着する工程と、
(c)上記モールドを樹脂層に押圧する工程と、
(d)上記樹脂層からモールドを分離して、樹脂層に上記重合用酸化剤が付着したパターンを形成(すなわち転写)する工程と、
(e)上記樹脂層に形成(転写)されたパターンの内部に、選択的に導電性高分子のモノマーを充填して重合させることにより、導電性高分子の配線を形成する工程と、
を含んでいる。
先ず、図1(a)のように、所望の配線パターンに対応するエンボスパターンが形成されたモールド10を準備する。
すなわち、上記モールド10は透明モールドと不透明モールドとに区分することができる。透明モールドは、SiO2、石英、ガラス、ポリマーなど、UVが透過できる材質を用いる場合であり、不透明モールドの場合は、半導体、セラミック、金属、ポリマー及びこれらの組合せからなる物質で形成される。
一般的に導電性高分子を液状で重合する方法としては、電気化学的方法と化学的酸化方法がある。電気化学的方法は、電解質中で所定の電圧を印加して、電極表面に付着して重合した高分子を得る方法であり、化学的酸化方法は、酸化剤を用いて高分子を重合する方法である。例えば、ポリピロールを後者の方法を用いて重合する場合、ピロールモノマー、アントラキノン−2−スルホン酸ナトリウム塩及びFeCl3酸化剤を蒸留水中で反応させて、濾過した後、洗浄、乾燥させてポリピロールを得ることができる。
上記樹脂層30は、基板素材として用いることができる絶縁物質であれば特別に限定されない。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ビニルベンジル基含有樹脂などの熱硬化性樹脂や、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。
このように準備された樹脂層30の上に、上記モールド10のパターンを加圧して圧着させる。
好ましい実施態様によれば、上記表面処理は、樹脂層30の上部面を、極性溶媒等の任意の有機溶剤で拭いて、パターン内部以外の箇所に付着した重合用酸化剤を除去することにより行なわれる。または、樹脂層30の上部面を機械的に研磨して、パターン内部以外の箇所に付着した重合用酸化剤を除去することもできる。
モノマーの充填方法は特に限定されず、例えば、モノマー溶液に樹脂層30(基板)を含浸させる方法、樹脂層30にモノマーを蒸着させる方法などが挙げられる。
酸化剤である塩化鉄(FeCl3)1kgを、水0.9L/メタノール0.1Lの混合溶媒に溶解させて、酸化剤混合溶液を製造した。得られた酸化剤水溶液に、Ni材質のエンボスモールドを含浸させて、モールドの表面に酸化剤溶液を充分に塗布した。この酸化剤溶液が塗布されたモールドを、半硬化状態のエポキシ基板に、1MPaの圧力で、100℃で30分間押圧した後、さらに170℃で2時間押圧した。温度を下げた後、離型し、酸化剤が塗布されている基板を、0.04Mのピロールと0.015Mのアントラキノン−2−スルホン酸塩(anthraquinone−2−sulfonate)とを含有した水溶液に、窒素雰囲気下で2時間含浸して、ポリピロールをパターン状に重合させて、配線を形成した。
酸化剤であるFeCl31kgを、水0.9L/メタノール0.1Lの混合溶媒に溶解させて、酸化剤混合溶液を製造した。得られた酸化剤水溶液に、Ni材質のエンボスモールドを含浸させて、モールドの表面に酸化剤溶液を充分に塗布させた。この酸化剤溶液が塗布されたモールドを、半硬化状態のエポキシ基板に、1MPaの圧力で、100℃で30分間押圧した後、170℃で2時間押圧した。温度を下げた後、離型し、酸化剤が塗布されている基板を、0.04Mのピロールと0.015Mのアントラキノン2−スルホン酸塩とを含有した水溶液とともに、真空オーブンの中に入れて真空をかけた。蒸発したピロールモノマーを基板の酸化剤の塗布されたパターンに選択的に付着・重合させて、配線を形成した。
20 重合用酸化剤
30 樹脂層
40 導電性高分子
Claims (12)
- (a)所望の配線パターンに対応するエンボスパターンが形成されたモールドを準備する工程と、
(b)前記モールドのエンボスパターン形成面に重合用酸化剤を付着する工程と、
(c)前記モールドを樹脂層に押圧する工程と、
(d)前記樹脂層から前記モールドを分離して、前記樹脂層に前記重合用酸化剤が付着したパターンを形成する工程と、
(e)前記樹脂層に形成されたパターンの内部に、選択的に導電性高分子のモノマーを充填して重合させることにより、導電性高分子の配線を形成する工程と、
を含む印刷回路基板の製造方法。 - 前記モールドは、半導体、セラミック、金属、ポリマー、SiO2、石英、ガラス及びこれらの組合せからなる群から選択される物質で形成される、請求項1に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記重合用酸化剤は、H2O、HCl、HBr、HNO3、H2SO4、カルボン酸、フェノール、アルコールを含む中性プロトンドナー(neutral protone donor);Li+、Mg2+、Br+を含む陽イオン;及びAlCl3、BF3、TiCl4、FeCl3、ZnCl2を含む金属化合物;からなる群から選択される少なくとも一つである、請求項1または2に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記重合用酸化剤の付着工程は、重合用酸化剤溶液に前記モールドを含浸させて行われる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記樹脂層は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ビニルベンジル基含有樹脂を含む熱硬化性樹脂;及びポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂を含む熱可塑性樹脂;からなる群から選択される少なくとも一つの樹脂で形成される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記工程(e)に先立ち、前記樹脂層に形成されたパターン内部以外の樹脂層上部面を表面処理する工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記表面処理は、前記樹脂層上部面を極性溶媒で拭いて前記重合用酸化剤を除去することである、請求項6に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記表面処理は、前記樹脂層上部面を研磨して前記重合用酸化剤を除去することである、請求項6に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記導電性高分子は、ポリアセンチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレン、ポリイソチアナフタレン、ポリアズレン、ポリフラン及びポリアニリンからなる群から選択される少なくとも一つである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記導電性高分子の重合時に、I2、Br2、Li、Na、K、AsF5、BF4 −、ClO4 −、FeCl4 −、トシレート、HCl、アントラキノン−2−スルホン酸ナトリウム塩、2−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩、2、6−ナフタレンジスルホン酸ジナトリウム塩、p−トルエンスルホン酸ナトリウム、ナフトールイエローS及びニトロベンゼンスルホン酸ナトリウム塩からなる群から選択される少なくとも一つの化合物をドーパントとして用いる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記導電性高分子の配線形成工程は、溶液重合法または気相重合法を用いて行われる、請求項1〜10のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の印刷回路基板の製造方法により製造される印刷回路基板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060064575A KR100827620B1 (ko) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | 임프린트법을 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008022002A JP2008022002A (ja) | 2008-01-31 |
JP4435214B2 true JP4435214B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=38919411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007180248A Expired - Fee Related JP4435214B2 (ja) | 2006-07-10 | 2007-07-09 | 印刷回路基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8216503B2 (ja) |
JP (1) | JP4435214B2 (ja) |
KR (1) | KR100827620B1 (ja) |
CN (1) | CN100586255C (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100925762B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2009-11-11 | 삼성전기주식회사 | 임프린트 방법 |
JP5075157B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | 配線基材の製造方法及び該製造方法により得られた配線基材 |
US8272126B2 (en) * | 2008-04-30 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | Method of producing circuit board |
KR101286867B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2013-07-17 | 파나소닉 주식회사 | 애디티브법에 의해 회로 기판를 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 얻어진 회로 기판과 다층 회로 기판 |
US8240036B2 (en) | 2008-04-30 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Method of producing a circuit board |
US8101519B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
WO2010064602A1 (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | パナソニック電工株式会社 | 回路基板の製造方法、及び前記製造方法により得られた回路基板 |
US9082438B2 (en) | 2008-12-02 | 2015-07-14 | Panasonic Corporation | Three-dimensional structure for wiring formation |
CN102224770A (zh) * | 2008-12-02 | 2011-10-19 | 松下电工株式会社 | 电路基板的制造方法以及由该制造方法获得的电路基板 |
US8698003B2 (en) | 2008-12-02 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Method of producing circuit board, and circuit board obtained using the manufacturing method |
JP5583384B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2014-09-03 | パナソニック株式会社 | 回路基板の製造方法、及び前記製造方法により得られた回路基板 |
WO2011052207A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | パナソニック電工株式会社 | 回路基板、及び前記回路基板の製造方法 |
EP2496061A4 (en) | 2009-10-30 | 2014-01-08 | Panasonic Corp | PRINTED CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A COMPONENT MOUNTED ON A PRINTED CIRCUIT BOARD |
JP5465512B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 回路基板の製造方法 |
US9332642B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-03 | Panasonic Corporation | Circuit board |
JPWO2011096539A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-13 | 株式会社フジクラ | 配線板及びその製造方法 |
KR101678052B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2016-11-22 | 삼성전자 주식회사 | 단층 배선 패턴을 포함한 인쇄회로기판(pcb), pcb를 포함한 반도체 패키지, 반도체 패키지를 포함한 전기전자장치, pcb제조방법, 및 반도체 패키지 제조방법 |
JP2012156498A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-16 | Fujikura Ltd | 配線基板、モールド及び配線基板の製造方法 |
JP6106082B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2017-03-29 | 株式会社カネカ | 補強板一体型フレキシブルプリント基板 |
CN102280583B (zh) * | 2011-07-15 | 2013-08-07 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 |
CN102510673A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-06-20 | 牧东光电(苏州)有限公司 | 移印布线方法 |
CN102654459A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种表面等离子体共振传感器芯片的制作方法 |
KR102042822B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2019-11-08 | 한국전자통신연구원 | 전자회로 및 그 제조방법 |
KR101466795B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2014-11-28 | 재단법인대구경북과학기술원 | 신축성 기판 및 그 제조방법 |
KR101472416B1 (ko) * | 2013-10-17 | 2014-12-12 | 고려대학교 산학협력단 | 3차원 스트레쳐블 전자소자 및 이의 제조 방법 |
JP2015159277A (ja) | 2014-01-23 | 2015-09-03 | パナソニック株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
GB2526316B (en) * | 2014-05-20 | 2018-10-31 | Flexenable Ltd | Production of transistor arrays |
CN105517347B (zh) * | 2014-09-26 | 2018-08-07 | 深南电路有限公司 | 一种电路板表面涂覆的方法 |
CN106034373B (zh) * | 2015-03-10 | 2018-09-25 | 上海量子绘景电子股份有限公司 | 高密度多层铜线路板及其制备方法 |
US11191164B2 (en) | 2015-09-29 | 2021-11-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wiring structure and method of manufacturing the same, semiconductor device, multilayer wiring structure and method of manufacturing the same, semiconductor element mounting substrate, method of forming pattern structure, imprint mold and method of manufacturing the same, imprint mold set, and method of manufacturing multilayer wiring board |
FI129918B (en) * | 2019-05-02 | 2022-10-31 | Turun Yliopisto | A method of making a film |
CN112340693B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-08-25 | 清华大学 | 制备具有表面微结构涂层的方法 |
CN112505114A (zh) * | 2020-11-28 | 2021-03-16 | 青岛科技大学 | 一种全聚合物自支撑性电极的制备及其在柔性电化学传感器的应用 |
WO2023189855A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 慶應義塾 | マトリックス内への導電性高分子の複合化 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1306904C (en) * | 1985-10-09 | 1992-09-01 | Tetsumi Suzuki | Electrically conductive material and secondary battery using the electrically conductive material |
EP0535864B1 (en) * | 1991-09-30 | 1998-07-29 | AT&T Corp. | Fabrication of a conductive region in electronic devices |
KR970004756B1 (ko) * | 1993-10-16 | 1997-04-03 | 내쇼날 사이언스 카운실 | 가공성 도전 콜로이드 폴리머의 제조방법 |
JPH08148805A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Sony Corp | プリント配線板の製造方法 |
US6060121A (en) * | 1996-03-15 | 2000-05-09 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing of catalytic colloids |
JPH11186698A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法および回路基板 |
US6287968B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-09-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of defining copper seed layer for selective electroless plating processing |
JP2001320150A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Mitsui Chemicals Inc | スタンパを使った配線基板の製造方法及び配線基板 |
SG108820A1 (en) * | 2001-02-23 | 2005-02-28 | Agency Science Tech & Res | Method and apparatus for forming a metallic feature on a substrate |
US6663820B2 (en) * | 2001-03-14 | 2003-12-16 | The Procter & Gamble Company | Method of manufacturing microneedle structures using soft lithography and photolithography |
US6746751B2 (en) * | 2001-06-22 | 2004-06-08 | Agfa-Gevaert | Material having a conductive pattern and a material and method for making a conductive pattern |
TWI279080B (en) * | 2001-09-20 | 2007-04-11 | Nec Corp | Shielded strip line device and method of manufacture thereof |
US20050004336A1 (en) * | 2003-05-08 | 2005-01-06 | Mabrouk Patricia Ann | Method for synthesizing conducting polymers from neat monomer solutions |
US7063762B2 (en) * | 2003-08-20 | 2006-06-20 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrate and method of making same |
-
2006
- 2006-07-10 KR KR1020060064575A patent/KR100827620B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-28 US US11/819,720 patent/US8216503B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-09 JP JP2007180248A patent/JP4435214B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-09 CN CN200710130508A patent/CN100586255C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008022002A (ja) | 2008-01-31 |
CN101106868A (zh) | 2008-01-16 |
US8216503B2 (en) | 2012-07-10 |
KR20080005790A (ko) | 2008-01-15 |
KR100827620B1 (ko) | 2008-05-07 |
CN100586255C (zh) | 2010-01-27 |
US20080008824A1 (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4435214B2 (ja) | 印刷回路基板の製造方法 | |
KR101086828B1 (ko) | 매립형 인쇄회로기판, 다층 인쇄회로기판 및 이들의 제조방법 | |
JP4046123B2 (ja) | パターン形成方法およびトランジスタの製造方法 | |
US6709806B2 (en) | Method of forming composite member | |
KR100453255B1 (ko) | 중합체막을 패턴화하는 방법 및 이 방법의 용도 | |
EP2647267B1 (en) | Method for manufacturing printed circuit board | |
JP4853774B2 (ja) | 還元性ポリマー微粒子を用いるパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造方法 | |
KR20100133368A (ko) | 기판 상에 미립자의 박층을 형성하는 방법 | |
CN101641219A (zh) | 使用掩模材料在基底上形成功能性材料的图案的方法 | |
KR100515535B1 (ko) | 강성및연성회로의제조방법 | |
JP2020528665A (ja) | 介在層および導電性ペーストを使用する多層回路基板 | |
JP4853775B2 (ja) | 還元性ポリマー微粒子を用いるパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造法 | |
JP2012505553A (ja) | 選択的な基板領域メッキを可能とする方法 | |
KR100720940B1 (ko) | 금속 패턴 형성 방법 | |
KR101050588B1 (ko) | 유기절연막 패턴형성 방법 | |
Khaldi et al. | Synergetic PEDOT degradation during a reactive ion etching process | |
JP2011139010A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
KR20070106173A (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
KR20010093616A (ko) | 모세관 효과를 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
KR101110361B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
KR20060132380A (ko) | 회로기판의 패턴 형성방법 및 이를 이용하여 제조된회로기판 | |
KR20110035062A (ko) | 잉크젯 프린팅을 이용한 미세 패턴 형성방법 | |
KR102476985B1 (ko) | 디스플레이용 전극 형성방법 | |
KR101086838B1 (ko) | 인쇄회로기판 제조용 캐리어 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 | |
KR100730294B1 (ko) | 자기조립 리소그래피 회로형성 방법, 상기 방법으로 제조된회로 및 상기 회로의 응용 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |