JP2006058633A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】反射膜とカラーフィルタを夫々別々の基板に形成して開口率の向上を図り、高品位な液晶装置等を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、素子基板とカラーフィルタ基板との間に液晶が封入されてなる。素子基板において反射層は、反射表示領域の樹脂散乱層上及びコンタクト部上の一部に形成されている。カラーフィルタ基板には、画素電極と対向する位置に着色層が形成されている。素子基板とカラーフィルタ基板とは、カラーフィルタ基板側に且つ反射表示領域に対応する位置に形成されたフォトスペーサにて規定の間隔に保持され、マルチギャップが形成されている。本発明の液晶表示装置では、反射層と着色層とが分離して構成されるため、反射特性等の向上を図ることができる。また、コンタクトホールを含む表示に寄与しない領域が形成されないので、開口率の向上を図ることができる。
【選択図】 図8
【解決手段】 液晶表示装置は、素子基板とカラーフィルタ基板との間に液晶が封入されてなる。素子基板において反射層は、反射表示領域の樹脂散乱層上及びコンタクト部上の一部に形成されている。カラーフィルタ基板には、画素電極と対向する位置に着色層が形成されている。素子基板とカラーフィルタ基板とは、カラーフィルタ基板側に且つ反射表示領域に対応する位置に形成されたフォトスペーサにて規定の間隔に保持され、マルチギャップが形成されている。本発明の液晶表示装置では、反射層と着色層とが分離して構成されるため、反射特性等の向上を図ることができる。また、コンタクトホールを含む表示に寄与しない領域が形成されないので、開口率の向上を図ることができる。
【選択図】 図8
Description
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
現在、携帯電話機、携帯情報端末機、PDA(Personal Digital Assistant)等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を表示するための表示部に液晶装置が用いられている。そのような液晶装置として、透過型表示及び反射型表示の両方の表示モードを有し、TFD(Thin Film Diode)素子等の二端子型スイッチング素子を備える半透過反射型の液晶装置が知られている。そのような液晶装置では、相互に対向する2枚の基板のうち一方の基板には反射膜、その上にカラーフィルタ、及びその上方に走査線が夫々形成され、他方の基板にはデータ線、二端子型スイッチング素子及び画素電極が夫々形成され、両基板間に液晶が封入されている。
かかる液晶装置において反射型表示がなされる場合、液晶装置に入射した外光は、カラーフィルタが形成されている領域を通過して、そのカラーフィルタの下側にある反射膜により反射され、再びカラーフィルタ等を通過して表示画面上に出射する。これにより、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。
この種の液晶装置として、例えば有効表示領域の周りに支障なく遮光領域を形成できる構造を有する半透過反射型の液晶装置が知られている(例えば、特許文献1を参照)。この特許文献1によれば、第2基板側の基材上には半透過反射膜が形成され、その上にはカラーフィルタ膜等が形成されている。
上記の液晶装置では、一方の基板の反射膜上にカラーフィルタを形成するようにしている。このため、そのような液晶装置において反射型表示がなされる場合、カラーフィルタの屈折率の影響により反射率が低下して、反射コントラスト等の反射特性が低下してしまうという問題がある。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、反射膜とカラーフィルタを夫々別々の基板に形成することにより反射特性の向上を図ると共に、さらに素子基板側にマルチギャップ等を形成して開口率の向上を図り、高品位な表示画像を得ることが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
本発明の1つの観点では、スイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶を封入してなる液晶装置において、前記素子基板は、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、前記散乱層上に形成されたオーバーコート層と、前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備える。
上記の液晶装置は、TFD素子及びTFT(Thin Film Transistor)素子等のスイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶が封入されてなる。素子基板は、スイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、反射層、オーバーコート層及び画素電極を備えて構成される。散乱層は、スイッチング素子を覆うように形成されている。散乱層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。反射層は導電膜及び散乱層の上に形成されている。オーバーコート層は、散乱層上に形成されている。オーバーコート層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。画素電極は、オーバーコート層及び反射層の一部上に形成されている。
このような構成を有する液晶装置では、素子基板側に反射層が、対向基板側に着色層が夫々形成されており、反射層と着色層とが分離した構成になっている。このため、この液晶装置において反射型表示をした場合に反射率が低下するのを防止できる。よって、反射コントラスト等の反射特性の向上を図ることができる。
また、この液晶装置では、スイッチング素子は導電膜に、当該導電膜は反射層に夫々接続されていると共に、画素電極は当該反射層の一部上に形成されている。即ち、画素電極は、反射層及び導電膜を介してスイッチング素子に電気的に接続されている。これにより、画素電極とスイッチング素子を容易に電気的に接続できるので、設計工数の削減を図ることができる。加えて、画素電極とスイッチング素子とを接続する機能を有するコンタクトホールを形成する必要がなくなるので、開口率の向上を図ることができる。また、好適な例では、前記スイッチング素子を、前記素子基板上において前記反射層と重なり合う位置に形成することができる。これにより、画素電極の領域の一部を除去する必要がなく、その分、開口率の向上を図ることができる。
また、この液晶装置では、素子基板において、画素電極と、データ線及びスイッチング素子とが散乱層等にて絶縁されており、いわゆるオーバーレイヤー構造を有している。これにより、画素電極の左右周縁部を、それに隣接する各データ線にできる限り近づけた状態で、当該画素電極を形成することができる。よって、開口率の向上を図ることができる。
上記の液晶装置の一態様では、前記素子基板は、サブ画素内において前記反射層が形成される反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、前記画素電極は、前記透過領域に形成されている。これにより、サブ画素内の透過領域において透過型表示を行うことができる。
上記の液晶装置の他の態様では、前記反射層と前記画素電極とは、前記反射層上の第1のコンタクト部において電気的に接続されており、前記導電膜と前記反射層とは、前記導電膜上の第2のコンタクト部において電気的に接続されており、前記第2のコンタクト部は略矩形の平面形状を有する前記反射層の一辺に位置し、前記第1のコンタクト部は前記反射層の前記一辺と対向する一辺に位置する。
この態様によれば、反射層と画素電極とは、反射層上の第1のコンタクト部において電気的に接続されており、導電膜と反射層とは、導電膜上の第2のコンタクト部において電気的に接続されている。これにより、画素電極は、反射層上の第1のコンタクト部及び導電膜上の第2のコンタクト部を介してスイッチング素子に電気的に接続されている。また、この態様では、第2のコンタクト部を、略矩形状の平面形状を有する反射層の一辺に位置させることができる一方、第1のコンタクト部を、反射層の当該一辺と対向する一辺に位置させることができる。これにより、画素電極とスイッチング素子を容易に電気的に接続できるので、設計工数の削減を図ることができる。
上記の液晶装置の他の態様では、前記対向基板は、前記第2のコンタクト部に対応する領域に黒色遮光層が形成されている。
この態様によれば、対向基板において、第2のコンタクト部に対応する領域に黒色遮光層が形成されている。このため、表示に寄与しない第2のコンタクト部が画素領域内に形成されることはなく、開口率の向上を図ることができる。
上記の液晶装置の他の態様では、前記素子基板上にはデータ線が形成されており、前記データ線は前記散乱層により前記画素電極と隔離されている。
この態様によれば、素子基板上にはデータ線が形成されていると共に、そのデータ線は、絶縁性を有する散乱層により画素電極と隔離されている。よって、データ線と画素電極との間に寄生容量が生じるのを防止することができ、いわゆる縦クロストークが生じるのを防止できる。なお、縦クロストークとは、灰色などを背景色として、赤、青、緑などの単色、或いは赤、青、緑の各色に対して補色の関係にある、シアン、マゼンタ、イエローなどの色を矩形状に表示したときに、矩形表示領域の上下方向に位置する領域が、本来表示されるべき背景色より明るく表示されてしまい、かつ、微妙に色づいて表示されてしまう現象をいう。
上記の液晶装置の他の態様では、前記散乱層は、サブ画素領域全体に形成されている。
この態様によれば、透過表示を行う領域及びデータ線の近傍を含む領域に対応する散乱層が平坦となり、データ線近傍に散乱層のテーパー形状部分は形成されないので光抜けなどの不具合が生じるのを防止できる。これにより、データ線の周囲上の液晶層の配向状態を、画素領域に対応する液晶層の配向状態と同様に均一に保つことができる。よって、高品位な表示画像を得ることができる。
上記の液晶装置の他の態様では、前記対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサが形成されており、前記フォトスペーサは、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合せた状態において、反射領域に対応する前記対向基板上に形成されており、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さい。
この態様によれば、対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサがフォトリソグラフィーなどの方法にて形成されている。そして、フォトスペーサは、素子基板と対向基板とを貼り合せた状態において、反射型表示を行う反射領域に対応する対向基板上に形成されている。これにより、反射領域に対応する液晶層の厚さは、透過型表示を行う透過領域に対応する液晶層の厚さより小さくなっている。即ち、この液晶装置は、反射領域に対応する液晶層の厚さと透過領域に対応する液晶層の厚さとが夫々最適に設定されたマルチギャップ構造を有している。よって、透過型表示及び反射型表示の双方において高品位な表示画像を得ることができる。
また、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。本発明の実施形態は、素子基板側に反射層を形成して、対向基板となるカラーフィルタ基板側に着色層を形成することにより、反射コントラスト等の反射特性等の向上を図る。また、本発明の実施形態は、素子基板にマルチギャップを形成し、且つ、素子基板をオーバーレイヤー構造にして、画素電極とTFD素子とを反射層を通じて電気的に接続することにより開口率の向上等を図る。これにより、高品位な表示画像を得る。
[液晶表示装置100の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図1は、本発明の液晶表示装置100の概略構成を模式的に示す平面図である。図1では、主として、液晶表示装置100の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置100は、TFD素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置100は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びTFD素子とが樹脂散乱層にて絶縁されたオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図1は、本発明の液晶表示装置100の概略構成を模式的に示す平面図である。図1では、主として、液晶表示装置100の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置100は、TFD素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置100は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びTFD素子とが樹脂散乱層にて絶縁されたオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
図2は、図1の液晶表示装置100において、1つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線A−A’に沿った概略断面図である。図3は、図1の液晶表示装置100において、1つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線B−B’に沿った概略断面図を示す。
まず、図2を参照して、画素電極10の反射表示領域を通る切断線A−A’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明し、続いて、図3を参照して、画素電極10の透過表示領域を通る切断線B−B’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明する。そして、その後、液晶表示装置100の電極及び配線の構成について説明する。
図2において、液晶表示装置100は、素子基板92と、その素子基板92に対向して配置されるカラーフィルタ基板91とが枠状のシール部材3を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層4が形成されてなる。この枠状のシール部材3には、複数の金粒子などの導通部材7が混入されている。
下側基板1の内面上には、適宜の間隔をおいてデータ線32が、サブ画素SG毎にTFD素子21が夫々形成されている。下側基板1、データ線32及びTFD素子21の内面上には、表面上に微細な凹凸を有する樹脂散乱層25が形成されている。樹脂散乱層25の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。樹脂散乱層25の内面上には、サブ画素SG毎に反射層5が形成されている。各反射層5には樹脂散乱層25の微細な凹凸が反映されており、各反射層5の表面上には微細な凹凸が形成されている。各反射層5は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。
樹脂散乱層25及び反射層5の内面上には、オーバーコート層26が形成されている。オーバーコート層26の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。このオーバーコート層26は、液晶表示装置100の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から反射層5などを保護する機能を有する。オーバーコート層26の内面上には、サブ画素SG毎に画素電極10が形成されている。画素電極10等の内面上には、配向膜(図示略)が形成されている。
また、下側基板1の内面上の左右周縁部には走査線31が形成されている。走査線31の一端部はシール部材3内まで延在しており、その走査線31はシール部材3内の導通部材7と電気的に接続されている。
一方、上側基板2の内面上であって且つ画素電極10と対向する位置には、R、G、Bの三色のいずれかからなる着色層6R、6G、及び6Bが形成されている。着色層6R、6G及び6Bによりカラーフィルタが構成される。画素Gは、R、G、Bのサブ画素SGから構成されるカラー1画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層6」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層6R」などと記す。
また、各サブ画素SGの間には、隣接するサブ画素SGを隔て、一方のサブ画素SGから他方のサブ画素SGへの光の混入を防止するため黒色遮光層BMが形成されている。この黒色遮光層BMは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、本発明では、これに代えて、R、G、Bの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層(図示略)を用いてもよい。
着色層6及び黒色遮光層BMの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層18が形成されている。このオーバーコート層18は、液晶表示装置100の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層6等を保護する機能を有する。オーバーコート層18の内面上には、ストライプ状のITO(Indium-Tin Oxide)などの透明電極(走査電極)8が形成されている。この透明電極8の一端はシール部材3内に延在しており、そのシール部材3内の導通部材7と電気的に接続されている。
透明電極8の内面上には、配向膜(図示略)が形成されている。また、透明電極8の内面上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、柱状の形状をなすフォトスペーサ27が形成されている。フォトスペーサ27は、反射表示領域における液晶層4の厚さを一定の厚さD1に保持している。フォトスペーサの材料としては、例えば、アクリル膜、ポリイミド膜のような感光性を有する熱硬化型の樹脂材料や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料からなるものが好ましい。
下側基板1の外面上には、位相差板(1/4波長板)13及び偏光板14が配置されており、上側基板2の外面上には、位相差板(1/4波長板)11及び偏光板12が配置されている。また、偏光板14の下側には、バックライト15が配置されている。バックライト15は、例えば、LED(Light Emitting Diode)等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源などが好適である。
下側基板1の走査線31と、上側基板2の透明電極8、即ち上側基板の走査線とは、シール部材3内に混入された導通部材7を介して上下導通している。
さて、本実施形態の液晶表示装置100において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置100に入射した外光は、図2に示す経路Rに沿って進行する。つまり、液晶表示装置100に入射した外光は、反射層5によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層6、画素電極10及びオーバーコート層26等が形成されている領域を通過して、そのオーバーコート層26の下側にある反射層5により反射され、再度オーバーコート層26、画素電極10及び着色層6等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
次に、図3を参照して、画素電極10の透過表示領域を通る直線B−B’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明する。
図3において、下側基板1の内面上には、適宜の間隔をおいてデータ線32が形成されている。また、下側基板1、走査線31及びデータ線32の内面上には、樹脂散乱層25が形成されている。このため、データ線32は樹脂散乱層25にて覆われている。さらに、樹脂散乱層25の内面上には、サブ画素SG毎に画素電極10が形成されている。なお、下側基板1に形成又は実装されるその他の構成要素は図2と同様であり、その説明を省略する。
一方、上側基板2の内面上であって且つ画素電極10と対向する位置には、着色層6R、6G、及び6Bが形成されている。各サブ画素SGの間であって且つデータ線32と対向する位置には、黒色遮光層BMが形成されている。着色層6及び黒色遮光層BMの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層18が形成されている。オーバーコート層18の内面上には、透明電極8が形成されている。なお、上側基板2に形成されるその他の構成要素は図2と同様であり、その説明を省略する。
なお、透過表示領域における液晶層4の厚さは、上側基板2の反射表示領域に対応する透明電極8の内面上に形成されたフォトスペーサ27により、一定の厚さD2(>D1)に保持されている。
さて、本発明の液晶表示装置100において透過型表示がなされる場合、バックライト15から出射した照明光は、図3に示す経路Tに沿って進行し、画素電極10及び着色層6等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層6を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
次に、図1、図4及び図5を参照して、本発明の素子基板92及びカラーフィルタ基板91の電極及び配線の構成について説明する。図4は、素子基板92を正面方向(即ち、図2及び図3における上方)から観察したときの素子基板92の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図5は、カラーフィルタ基板91を正面方向(即ち、図2及び図3における下方)から観察したときのカラーフィルタ基板91の電極の構成を平面図として示す。また、図4及び図5において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
図1において、素子基板92の画素電極10と、カラーフィルタ基板91の透明電極8との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素SGを構成する。そして、このサブ画素SGが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域V(2点鎖線により囲まれる領域)である。この有効表示領域Vに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図1及び図4において、液晶表示装置100の外周と、有効表示領域Vとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域38である。
(電極及び配線構成)
先ず、図4を参照して、素子基板92の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板92は、TFD素子21、画素電極10、複数の走査線31、複数のデータ線32、YドライバIC33、XドライバIC110、及び複数の外部接続用端子35を備えている。
先ず、図4を参照して、素子基板92の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板92は、TFD素子21、画素電極10、複数の走査線31、複数のデータ線32、YドライバIC33、XドライバIC110、及び複数の外部接続用端子35を備えている。
素子基板92の張り出し領域36上には、YドライバIC33及びXドライバIC110が例えばACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)を介して、それぞれ実装されている。なお、図4において、素子基板92の張り出し領域36側の辺92aから反対側の辺92cへ向かう方向をX方向とし、辺92dから辺92bへ向かう方向をY方向とする。
張り出し領域36上には、複数の外部接続用端子35が形成されている。YドライバIC33及びXドライバIC110の各入力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子35にそれぞれ接続されている。外部接続用端子35は、ACFや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置100へ信号や電力が供給される。
XドライバIC110の出力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線32に接続されている。一方、各YドライバIC33の出力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線31に接続されている。これにより、各YドライバIC33は複数の走査線31に走査信号を、XドライバIC110は複数のデータ線32にデータ信号をそれぞれ出力する。
複数のデータ線32は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域36から有効表示領域VにかけてX方向に形成されている。各データ線32は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線32は、適宜の間隔をおいて複数のTFD素子21に接続されており、各TFD素子21は、反射層5(図示略)を通じて、対応する各画素電極10に接続されている。
複数の走査線31は、本線部分31aと、その本線部分31aに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分31bとにより構成されている。各本線部分31aは、額縁領域38内を張り出し領域36からX方向に形成されている。また、各本線部分31aは、各データ線32に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分31bは、額縁領域38内において、左右に位置するシール部材3内までY方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分31bの終端部は、シール部材3内で導通部材7に接続されている。
次に、カラーフィルタ基板91の電極の構成について説明する。図5に示すように、カラーフィルタ基板91は、Y方向にストライプ状の透明電極(走査電極)8が形成されている。各透明電極8の左端部或いは右端部は、図1及び図5に示すように、シール部材3内まで延在しており、且つ、シール部材3内の導通部材7に接続されている。
以上に述べた、カラーフィルタ基板91と素子基板92とをシール部材3を介して貼り合わせた状態が図1に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板91の各透明電極8は、素子基板92の各データ線32に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極10と平面的に重なり合っている。このように、透明電極8と画素電極10とが重なり合う領域がサブ画素SGを構成する。
また、カラーフィルタ基板91の透明電極8(即ち、カラーフィルタ基板91側の走査線)と、素子基板92の走査線31とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その透明電極8と走査線31とは、シール部材3内の導通部材7を介して上下導通している。つまり、透明電極8たるカラーフィルタ基板91の各走査線と、素子基板92の各走査線31との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板91の透明電極8は、素子基板92の走査線31を介して、紙面左右に夫々位置する各YドライバIC33に電気的に接続されている。
[素子基板92の構成]
次に、図6乃至図8を参照して、本発明の特徴をなす素子基板92の構成について説明する。図6は、素子基板92を正面方向(即ち、図2及び図3における上方)から観察したときの素子基板92における1画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図6において、各データ線32の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板91側の透明電極8(二点鎖線にて囲まれる領域)と対向する領域は、サブ画素SG領域(一点鎖線にて囲まれる領域)である。サブ画素SG領域は、反射表示領域E1、及び透過表示領域E2により構成される。反射表示領域E1は、反射型表示を行う領域であり、X方向の長さW1とY方向の長さW2を有する矩形状の領域である。反射表示領域E1は、透過表示領域E2側に、X方向の長さW4とY方向の長さW2を有する矩形状の第1コンタクト領域E3と、第1コンタクト領域E3の一端側からX方向に長さW6とY方向に長さW2を有するマルチギャップテーパー領域E5とを有する。マルチギャップテーパー領域E5とは、樹脂散乱層25及びオーバーコート層26がテーパー状に形成される領域である。透過表示領域E2は、透過型表示を行う領域であり、X方向の長さW3とY方向の長さW2を有する領域である。
次に、図6乃至図8を参照して、本発明の特徴をなす素子基板92の構成について説明する。図6は、素子基板92を正面方向(即ち、図2及び図3における上方)から観察したときの素子基板92における1画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図6において、各データ線32の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板91側の透明電極8(二点鎖線にて囲まれる領域)と対向する領域は、サブ画素SG領域(一点鎖線にて囲まれる領域)である。サブ画素SG領域は、反射表示領域E1、及び透過表示領域E2により構成される。反射表示領域E1は、反射型表示を行う領域であり、X方向の長さW1とY方向の長さW2を有する矩形状の領域である。反射表示領域E1は、透過表示領域E2側に、X方向の長さW4とY方向の長さW2を有する矩形状の第1コンタクト領域E3と、第1コンタクト領域E3の一端側からX方向に長さW6とY方向に長さW2を有するマルチギャップテーパー領域E5とを有する。マルチギャップテーパー領域E5とは、樹脂散乱層25及びオーバーコート層26がテーパー状に形成される領域である。透過表示領域E2は、透過型表示を行う領域であり、X方向の長さW3とY方向の長さW2を有する領域である。
図6において、下側基板1上には、X方向に直線状のデータ線32が適宜の間隔をおいて形成されている。下側基板1上の反射表示領域E1内には、TFD素子21が形成されている。データ線32とTFD素子21は電気的に接続されている。
ここで、図7(a)を参照して、データ線32及びTFD素子21の構成等について説明する。図7(a)は、図6における切断線X1−X2に沿った断面図である。なお、図7(a)では、データ線32及びTFD素子21の内面上に形成される要素、及び下側基板1の外面上に形成又は実装される要素は、便宜上図示を省略している。
図7(a)に示すように、TFD素子21は、第1のTFD素子21a及び第2のTFD素子21bより構成される。第1のTFD素子21a及び第2のTFD素子21bは、TaW(タンタルタングステン)などからなる島状の第1金属膜322と、この第1金属膜322の表面を陽極酸化することによって形成されたTa2O5等からなる絶縁膜323と、この表面に形成されて相互に離間した第2金属膜316、336と、この第2金属膜336の一端側に接続された矩形状のコンタクト部337とを有する。このうち、第2金属膜316及び336、並びにコンタクト部337は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第2金属膜316は、データ線32からT字状に分岐したものが用いられる。一方、後者のコンタクト部337は、反射層5の一端側に接続される。
ここで、TFD素子21のうち、第1のTFD素子21aは、データ線32の側からみると順番に、第2金属膜316/絶縁膜323/第1金属膜322となって、金属/絶縁体/金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第2のTFD素子21bは、データ線32の側からみると順番に、第1金属膜322/絶縁膜323/第2金属膜336となって、第1のTFD素子21aとは逆向きの構造を採る。このため、第2のTFD素子21bの電流−電圧特性は、第1のTFD素子21aの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、TFD素子21は、2つのTFDを互いに逆向きに直列接続した形となるため、1つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。以上のように、データ線32、TFD素子21及び反射層5は電気的に接続されている。
なお、図7(a)では、TFD素子21の第2金属膜336の一部と、コンタクト部337とは共に下側基板1上に形成されており、それらは同一層にある。これに代えて、図7(b)に示すように、コンタクト部337と、TFD素子21の第2金属膜336とを別々の層となるように構成しても構わない。即ち、図7(b)に示すように、コンタクト部337を、TFD素子21の第2金属膜336の一部上、及びその付近の下側基板1上に形成して、コンタクト部337の一部分が当該第2金属膜336の一部分と重なり合うように構成しても構わない。ここで、図7(a)の構成によれば、TFD素子21の第2金属膜336とコンタクト部337を同一の製造工程にて製造することができるのに対し、図7(b)の構成によれば、TFD素子21の第2金属膜336を下側基板1上に形成した後に、その後工程でコンタクト部337を形成する必要がある。よって、工数削減を図るという点からすると、前者の構成の方が後者の構成の方より望ましいといえる。
図6の平面図に戻り、下側基板1、データ線32、及びTFD素子21等の上には各種の要素が形成されるが、ここで理解を容易にするため、図8の断面図を参照して、その積層構造について説明する。図8は、図6における切断線X3−X4に沿った断面図であり、具体的には1つのサブ画素SGをX方向にて切断したときの断面図である。なお、図8では、説明の便宜上、素子基板92に対向配置されるカラーフィルタ基板91の断面図も示す。
下側基板1の内面上には、TFD素子21、その構成要素であるコンタクト部337、及び樹脂散乱層25が形成されている。
具体的には、TFD素子21は、反射表示領域E1に対応する下側基板1の内面上に形成されている。コンタクト部337は、第2コンタクト領域E4に対応する下側基板1の内面上に形成されている。第2コンタクト領域E4は、図6の平面図では、反射表示領域E1の上側に位置し、X方向の長さW5とY方向の長さW2を有する矩形状の領域である。図8に示すように第2コンタクト領域E4は、カラーフィルタ基板91側に形成された黒色遮光層BMと対向しており、かかる第2コンタクト領域E4は黒色遮光層BMに遮光され表示に寄与しない領域となっている。
樹脂散乱層25は、コンタクト部337を除く下側基板1の内面上、並びにTFD素子21及びデータ線32(図示略)の内面上に形成されている。このため、コンタクト部337の上面には、樹脂散乱層25が矩形状にくり抜かれた開口25aが形成されている。また、反射表示領域E1に対応する樹脂散乱層25の表面上には微細な凹凸が形成されている。図6において樹脂散乱層25の上下方向に位置する周縁部はテーパー状に形成されている。なお、反射表示領域E1に対応する液晶層4を一定の厚さD1に、透過表示領域E2に対応する液晶層4を一定の厚さD2に夫々保つため、樹脂散乱層25は、約1.2〜1.3μm程度の厚さに形成するのが好ましい。
反射層5は、反射表示領域E1に対応する樹脂散乱層25の内面上、及び第2コンタクト領域E4内におけるコンタクト部337の一部の内面上に形成されている。反射層5の表面上には、樹脂散乱層25の微細な凹凸が反映されている。このため、反射型表示を行う際には、外光がその凹凸形状により適度に散乱した状態で反射されるため反射光が均一化される。
オーバーコート層26は、第1コンタクト領域E3を除く反射表示領域E1に対応する反射層5の内面上、第2コンタクト領域E4内の反射層5の内面上、第2コンタクト領域E4内のコンタクト部337の一部内面上、及び第2コンタクト領域E4近傍の樹脂散乱層25の内面上に形成されている。マルチギャップテーパー領域E5、及び第2コンタクト領域E4近傍に夫々位置するオーバーコート層26の周縁部はテーパー状に形成されている。このように、オーバーコート層26は反射層5のエッジを被覆しているので、反射層5のエッジが剥離するなどの不具合が生じるのを防止できる。なお、第1コンタクト領域E3に対応する反射層5の内面上は、画素電極10と接続する領域となるためオーバーコート層26は形成されていない。
画素電極10は、サブ画素SG領域内に形成されている。具体的には、画素電極10は、透過表示領域E2に対応する樹脂散乱層25の内面上、第1コンタクト領域E3に対応する反射層5の内面上、及び第1コンタクト領域E3を除く反射表示領域E1に対応するオーバーコート層26の内面上に形成されている。
以上の構成において、画素電極10は、第1コンタクト領域E3にて反射層5の一端側に接続されていると共に、当該反射層5の他端側は第2コンタクト領域E4にてTFD素子21の構成要素であるコンタクト部337に接続されている。これにより、画素電極10は、反射層5を介してデータ線32及びTFD素子21に電気的に接続されている。
次に、素子基板92における1つのサブ画素SGと、それに対向するカラーフィルタ基板91の構成及びその要素との位置関係等について説明する。
上側基板2の内面上には、着色層6及び黒色遮光層BMが形成されている。具体的には、着色層6は、画素電極10に対向する位置に形成されている。黒色遮光層BMは、画素電極10の周囲、換言すればサブ画素SGの領域外と対向する位置に形成されている。このため、第2コンタクト領域E4は黒色遮光層BMにより遮光されている(図6の平面図も参照)。着色層6及び黒色遮光層BMの内面上にはオーバーコート層18が形成されていると共に、オーバーコート層18の内面上には透明電極8が形成されている。反射表示領域E1に対応する透明電極8の内面上には、フォトスペーサ27が形成されている。
そして、素子基板92とカラーフィルタ基板91とがシール部材3(図2及び図3を参照、図示略)を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ27により液晶層4が一定の厚さに保持されている。換言すれば、この液晶表示装置100では、特に素子基板92において樹脂散乱層25及びオーバーコート層26の各層厚によりマルチギャップが構成されているため、反射表示領域E1では、液晶層4が一定の厚さD1に保持されていると共に、透過表示領域E2では、液晶層4が一定の厚さD2(>D1)に保持されている。
以上の構成を有する、1つのサブ画素SGにおいては、透過表示領域E2においてバックライト15からの照明光が経路Tに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射表示領域E1において外光が経路Rに沿って進行して反射型表示がなされる。
次に、図9を参照して、図6の平面図における切断線X5−X6に沿った断面の積層構造について説明する。図9は、データ線32付近の断面構成を示す。
下側基板1の内面上には、データ線32が形成されている。データ線32及び下側基板1の内面上には、樹脂散乱層25が形成されている。このため、データ線32は樹脂散乱層25にて覆われている。これにより、画素電極10a及びそれに隣接する画素電極10bは樹脂散乱層25を介してデータ線32と絶縁されている。
次に、上記の適当な図面等を参照して、本発明の素子基板92を有する液晶表示装置100の作用効果について説明する。
まず、比較例として、反射層上に着色層を形成してなる素子基板を有する液晶表示装置では、反射型表示の際、その内部に入射した外光は、次のような経路に従って進行する。かかる液晶表示装置内に入射した外光は、着色層等が形成された領域を通過して、その下に形成された反射層にて反射され、再び着色層等を通過して観察者に至る。このような液晶表示装置では、そのような経路にしたがって外光が進行することにより、着色層の屈折率の影響により、反射率が低下する(換言すれば、光の取り出し効率が悪くなる)などして、反射コントラスト等の反射特性が低下してしまう現象が起こる。
これに対して、本発明の液晶表示装置100では、素子基板92側に反射層5を形成し、対向するカラーフィルタ基板91側に着色層6を形成して、反射層5と着色層6を分離させた構成にしている。このため、液晶表示装置100では、反射型表示の際に外光が図2及び図8に示す経路Rに従って進行したとしても、着色層6による光の屈折率の変化は少なく、反射率が低下するのを防止することができる。よって、反射コントラスト等の反射特性の向上を図ることができる。
また、本発明の液晶表示装置100では、図2、図8及び図9などに示すように、素子基板92において、画素電極10と、データ線32及びTFD素子21とが樹脂散乱層25にて絶縁されている。即ち、素子基板92は、いわゆるオーバーレイヤー構造をなしている。これにより、画素電極10の左右周縁部を、それに隣接する各データ線32にできる限り近づけた状態で、当該画素電極を形成することができる。加えて、この液晶表示装置100では、図8に示すように、駆動時にマルチギャップテーパー領域E5において光漏れを防止するために、反射層5が第2コンタクト領域E4側から第1コンタクト領域E3まで延在するように形成されており、第1コンタクト領域E3にて露出した反射層5の一端側と画素電極10とを接続する一方、黒色遮光層BMにて遮光される領域であり、かつ、樹脂散乱層25が除去される領域である第2コンタクト領域E4にてTFD素子21のコンタクト部337と反射層5の他端側とを接続するようにしている。よって、サブ画素SG内に、画素電極10とTFD素子21とを接続するためのコンタクトホールを形成する必要がなくなる。また、本発明の液晶表示装置100では、図8に示すように、素子基板92においてTFD素子21を反射層5と重なる位置に形成している。以上のように、この液晶表示装置100では、サブ画素SG内に表示に寄与しない不要な領域が形成されず、開口率の向上を図ることができる。また、画素電極10とTFD素子21を容易に電気的に接続できるので、設計工数の削減を図ることができる。
また、本発明の液晶表示装置100では、素子基板92において透過表示領域E1に対応する樹脂散乱層25を除去せず、樹脂散乱層25を残している。これにより、図3及び図9に示すように、透過表示領域E2に位置する画素電極10と、それに隣接するデータ線32とは樹脂散乱層25にて絶縁されている。また、反射表示領域E1に位置する画素電極10と、それに隣接するデータ線32とは樹脂散乱層25及びオーバーコート層26を介して絶縁されている。よって、データ線32と画素電極10との間に寄生容量が生じるのを防止することができ、縦クロストークが生じるのを防止できる。また、かかる構成により、図3及び図9に示すように、データ線32近傍上に形成される樹脂散乱層25は平坦になっている。即ち、データ線32の付近の樹脂散乱層25はテーパー状に形成されない。これにより、そのデータ線32の付近での光漏れが防止され、データ線32近傍の液晶層4の配向状態を、サブ画素SGに対応する液晶層4の配向状態と同様に均一に保つことができる。よって、高品位な表示画像を得ることができる。
また、本発明の液晶表示装置100では、反射表示領域E1に樹脂散乱層25及びオーバーコート層26を形成して、透過表示領域E2に樹脂散乱層25のみ形成することにより、マルチギャップが形成されており、反射表示領域E1に対応する液晶層4を一定の厚さD1に設定している一方、透過表示領域E2に対応する液晶層4を一定の厚さD2(>D1)に設定している。即ち、本発明の液晶表示装置100は、反射表示領域E1に対応する液晶層の厚さと透過表示領域E2に対応する液晶層の厚さとを夫々最適に設定されたマルチギャップが形成されている。よって、透過型表示及び反射型表示の双方において高品位な表示画像を得ることができる。
[液晶表示装置100の製造方法]
次に、図10乃至図14等を参照して、本発明の液晶表示装置100の製造方法について説明する。図10は、液晶表示装置100の製造方法のフローチャートを示す。
次に、図10乃至図14等を参照して、本発明の液晶表示装置100の製造方法について説明する。図10は、液晶表示装置100の製造方法のフローチャートを示す。
先ず、図2及び図3などに示されるカラーフィルタ基板91を既知の方法にて作製する(工程S1)。
次に、本発明の特徴をなす素子基板92を作製する(工程S2)。図11は、素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図12乃至図14は、図11における工程P1〜P5に対応する1画素分の部分平面図である。なお、以下では、図11における工程P1〜P5に対応する1画素分の部分断面図を特に示さないが、図14は、図6に対応する部分平面図に対応しているため、図12乃至図14の製造工程では、対応する各断面構成を把握するため必要に応じて図8を参照されたい。
素子基板92の製造方法について説明する。ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板1上に、データ線32、及びTFD素子21を形成する(工程P1)。具体的には、各データ線32は、下側基板1上において、X方向に延在するように且つ適宜の間隔をおいて形成する。TFD素子21は、反射表示領域E1に対応する下側基板1上に形成する。特に、TFD素子21の構成要素となるコンタクト部337は、サブ画素SGの領域外となる第2コンタクト領域E4に対応する下側基板1上に形成する。これにより、素子基板92とカラーフィルタ基板91とを貼り合せた状態において、コンタクト部337を黒色遮光層BMに対向配置させることができる。即ち、コンタクト部337を黒色遮光層BMにて遮光することができる。図12(a)には、データ線32、及びTFD素子21が下側基板1上に形成された状態が示されている。
次に、樹脂散乱層25を形成する(工程P2)。具体的には、下側基板1、データ線32、及びコンタクト部337を含むTFD素子21の上に、感光性を有するアクリル樹脂などを均一の厚さ、例えば約1.2〜1.3μmの厚さに塗布した後、露光、現像及びパターニングをして、反射表示領域E1に対応する樹脂散乱層25の表面に多数の微細な凹凸を形成すると共に、コンタクト部337の上面に形成された樹脂層を除去する。このとき、樹脂散乱層25の上下方向に位置する周縁部はテーパー状に形成される。図12(b)には、樹脂散乱層25が形成された状態が示されている。なお、図12(b)において、反射表示領域E1の多角形は凹凸を示している。
次に、反射層5を形成する(工程P3)。具体的には、樹脂散乱層25等の上にアルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属を蒸着法やスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより、第1コンタクト領域E3及びマルチギャップテーパー領域E5を含む各反射表示領域E1内に対応する樹脂散乱層25上、並びに第2コンタクト領域E4に対応するコンタクト部337の一部の上に略矩形状の反射層5を形成する。これにより、樹脂散乱層25の微細な凹凸を反映した反射層5が形成されると共に、反射層5の一端側とTFD素子21のコンタクト部337とが接続される。図13(a)には、かかる状態が示されている。
次に、オーバーコート層26を形成する(工程P4)。具体的には、樹脂散乱層25及び反射層5等の上に感光性を有するアクリル樹脂などを均一の厚さに塗布した後、所定のパターンに露光及び現像してパターニングし、第1コンタクト領域E3を除く反射表示領域E1に対応する樹脂散乱層25の上、並びに第2コンタクト領域E4の反射層5及びコンタクト部337上の一部等にオーバーコート層26を形成する。これにより、第1コンタクト領域E3に対応する反射層5上にはオーバーコート層26は形成されず、かかる領域において反射層5の一部は露出した状態になる。このとき、第1コンタクト領域E3の上側近傍の領域(マルチギャップテーパー領域E5)に対応するオーバーコート層26はテーパー状に形成される。また、このように、第1コンタクト領域E3を除く反射層5をオーバーコート層26にて覆うことにより、製造工程において反射層5のエッジが剥がれる等の不具合が生じるのを防止することができる。さらに、オーバーコート層26を所定の厚さに形成することにより、樹脂散乱層25と共に、反射表示領域E1と透過表示領域E2とで液晶層4の厚さが異なる所望のマルチギャップを形成することが可能となる。即ち、液晶表示装置100のパネル構造が完成したときに、反射表示領域E1に対応する液晶層の厚さが、透過表示領域E2に対応する液晶層の厚さより小さい所定厚さとなるように設定することができる。図13(b)には、反射層5等の上にオーバーコート層26が形成された状態が示されている。
次に、画素電極10を形成する(工程P5)。具体的には、サブ画素SG内、具体的には透過表示領域E2に対応する樹脂散乱層25上、第1コンタクト領域E3に対応する反射層5上、第1コンタクト領域E3を除く反射表示領域E1に対応するオーバーコート層26上に、ITOなどの透明電極をスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより略矩形状の画素電極10を形成する。これにより、第1コンタクト領域E3において画素電極10と反射層5の一端側とが接続され、その結果、当該画素電極10とTFD素子21とが反射層5を介して電気的に接続される。図14には、サブ画素SG内に画素電極10が形成された状態が示されている。
次に、その他の構成要素、具体的には位相差板13、偏光板14及びバックライト15等を実装する(工程P6)。こうして、図2乃至図4に示される素子基板92が作製される。
図10に戻り、次に、シール部材3を介して素子基板92とカラーフィルタ基板91とを貼り合わせてパネル構造を構成し、その後、シール部材3の図示しない開口部から液晶を注入し、その開口部を紫外線硬化性樹脂などの封止材によって封止する(工程S3)。これにより、素子基板92とカラーフィルタ基板91とは、ほぼ規定の基板間隔となるように貼り合わせられる。即ち、これにより、図2、図3及び図8に示すように、透過表示領域E2に対応する液晶層4の厚さはD2に、反射表示領域E1に対応する液晶層4の厚さはD1(<D2)に夫々設定され、マルチギャップが構成される。
次に、その他の構成要素を取り付けることにより、図1乃至図3に示される液晶表示装置100が完成する。
[変形例]
上記の実施形態では、アクティブ素子としてTFD(薄膜ダイオード)素子21を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、TFD素子21の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスTFTを用いることも可能である。図15(a)に、アモルファスTFTの断面図を示す。また、図15(b)は、アモルファスTFTを本発明に適用したときの、図8における破線領域E10の部分を拡大した断面図である。
上記の実施形態では、アクティブ素子としてTFD(薄膜ダイオード)素子21を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、TFD素子21の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスTFTを用いることも可能である。図15(a)に、アモルファスTFTの断面図を示す。また、図15(b)は、アモルファスTFTを本発明に適用したときの、図8における破線領域E10の部分を拡大した断面図である。
図15(a)において、TFT450は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極402の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜403が設けられている。ゲート絶縁膜403の上には、ゲート電極402に重なるようにa−Si層405が設けられている。a−Si層405の上には、2つに分断されたn+−a−Si層406a、406bが設けられている。さらに、n+−a−Si層406aの上には図示しないソース線から分岐したソース電極408が設けられ、n+−a−Si層406bの上にはドレイン電極409が設けられている。ドレイン電極409の上には、クロム等よりなるコンタクト部410が部分的に重なるように設けられている。なお、コンタクト部410は、上記したTFD素子21のコンタクト部337に対応しており、データ線32に接続される。
本発明は、図15(b)に示すように、アクティブ素子として、上記のようなアモルファスTFTのドレイン電極409とコンタクト部410との接続部分にも適用することができる。これにより、TFT450は、コンタクト部410を介して画素電極10及びデータ線32に電気的に接続される。
また、上記の実施形態では、反射表示領域E1に対応する樹脂散乱層25の表面上だけに微細な凹凸を形成するようにしているが、これに限らず、本発明では、透過表示領域E2に対応する樹脂散乱層25の表面上にも微細な凹凸を形成するようにしても構わない。 また、本実施形態では、透過表示領域E2内に樹脂散乱層25を形成するようにしているが、これに限らず、本発明では、透過表示領域E2に樹脂散乱層25を形成しないように構成することも可能である。但し、透過表示領域E2に樹脂散乱層25を形成しない場合でも、データ線32上には樹脂散乱層25を形成する必要があるため、データ線32の近傍では樹脂散乱層25のテーパー形状部分が形成されるので、そのテーパー形状部分において光抜けが生じる可能性がある。この点、上記実施例のように透過表示領域E2に樹脂散乱層25を形成する場合には、樹脂散乱層25は透過表示領域E2及びデータ線32の近傍を含む領域で平坦となり、データ線32の近傍に樹脂散乱層25のテーパー形状部分は形成されないので、光抜けなどの不具合は生じない。
[電子機器]
次に、本発明による液晶表示装置100を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
次に、本発明による液晶表示装置100を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
図16は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置100と、これを制御する制御手段410とを有する。ここでは、液晶表示装置100を、パネル構造体403と、半導体ICなどで構成される駆動回路402とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段410は、表示情報出力源411と、表示情報処理回路412と、電源回路413と、タイミングジェネレータ414と、を有する。
表示情報出力源411は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ414によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路412に供給するように構成されている。
表示情報処理回路412は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKとともに駆動回路402へ供給する。駆動回路402は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路413は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
次に、本発明に係る液晶表示装置100を適用可能な電子機器の具体例について図17を参照して説明する。
まず、本発明に係る液晶表示装置100を、可搬型のパーソナルコンピュータ(いわゆるノート型パソコン)の表示部に適用した例について説明する。図17(a)は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ710は、キーボード711を備えた本体部712と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部713とを備えている。
続いて、本発明に係る液晶表示装置100を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図17(b)は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機720は、複数の操作ボタン721のほか、受話口722、送話口723とともに、本発明に係る液晶表示装置100を適用した表示部724を備える。
なお、本発明に係る液晶表示装置100を適用可能な電子機器としては、図17(a)に示したパーソナルコンピュータや図17(b)に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
1 下側基板、 2 上側基板、 3 シール部材、 5 反射層、 6 着色層、 7 導通部材、 8 走査電極、 10 画素電極、 21 TFD素子、 25 樹脂散乱層、 26 オーバーコート層、 27 フォトスペーサ、 31 走査線、 32 データ線、 91 カラーフィルタ基板、 92 素子基板、 100 液晶表示装置
Claims (9)
- スイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶を封入してなる液晶装置であって、
前記素子基板は、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、
前記散乱層上に形成されたオーバーコート層と、
前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備えることを特徴とする液晶装置。 - 前記素子基板は、サブ画素内において前記反射層が形成される反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、
前記画素電極は、前記透過領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記反射層と前記画素電極とは、前記反射層上の第1のコンタクト部において電気的に接続されており、
前記導電膜と前記反射層とは、前記導電膜上の第2のコンタクト部において電気的に接続されており、前記第2のコンタクト部は略矩形の平面形状を有する前記反射層の一辺に位置し、前記第1のコンタクト部は前記反射層の前記一辺と対向する一辺に位置することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記対向基板は、前記第2のコンタクト部に対応する領域に黒色遮光層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。
- 前記素子基板上にはデータ線が形成されており、前記データ線は前記散乱層により前記画素電極と隔離されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記スイッチング素子は、前記素子基板上において前記反射層と重なり合う位置に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記散乱層は、サブ画素領域全体に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサが形成されており、
前記フォトスペーサは、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合せた状態において、反射領域に対応する前記対向基板上に形成されており、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 請求項1乃至8いずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
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WO2011045953A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルおよびその製造方法、液晶表示装置 |
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2004
- 2004-08-20 JP JP2004240751A patent/JP2006058633A/ja active Pending
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JPWO2009041112A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2011-01-20 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2011045953A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルおよびその製造方法、液晶表示装置 |
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