JP4432666B2

JP4432666B2 - 光モジュールおよび光伝送装置

Info

Publication number: JP4432666B2
Application number: JP2004234796A
Authority: JP
Inventors: 弘巳田中
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2004-08-11
Filing date: 2004-08-11
Publication date: 2010-03-17
Anticipated expiration: 2024-08-11
Also published as: JP2006054316A

Description

本発明は、光モジュールおよび光伝送装置に関する。

文献１（特開２００３−２９８５２４号公報）には、波長多重（ＷＤＭ）伝送のための光源が記載されている。光源には、複数の光モジュールが含まれる。光モジュール内のレーザダイオードのスタートアップ時に、該レーザダイオードの出力を出力シャットダウン回路によりシャットダウンする。シャットダウンの後に、レーザダイオードの温度制御を開始する。この温度制御により、レーザダイオードの温度を所定の温度、この温度は所望の発光波長の生じさせる温度に対応する温度、に安定化させる。レーザダイオードの温度が安定したならば、レーザダイオードのシャットダウンが解除されて、レーザダイオードはレーザ光を出力する。
特開２００３−２９８５２４号公報

ＷＤＭ用途または広範囲温度用途に使用する光モジュールでは、波長を目標値に制御をするために、レーザダイオードの温度を調整するための熱電素子に流れる電流を制御する必要がある。光モジュールの起動では、自動温度制御（ＡＴＣ）を開始してからレーザダイオードが目標温度に達するまで、数ミリ秒から数百ミリ秒程度の時間が必要である。この間、熱電素子への大きな突入電流が一時的に流れる。すなわち、複数の光モジュールを搭載する光伝送装置を起動する時に、個々の光モジュールは、その温度を安定化するためにＡＴＣを行うが、各光モジュールのＡＴＣ制御が同時に開始されるので、この制御の開始から波長の安定が達成されるまでの間、消費電流が多くなる。

例えば、ＷＤＭ用途の光通信装置では、波長の異なる同一品種の複数の光モジュールを含む。光通信装置のスタートアップの時には、全突入電流は個々の光モジュールの突入電流にその台数を乗じた消費電流になるので、この電流容量を賄うだけの電源容量が必要となる。

そこで、本発明の目的は、光伝送装置の起動時に必要とされる総突入電流を低減可能な光モジュールおよび光伝送装置を提供することとしている。

本発明の光モジュールは、レーザダイオードと、前記レーザダイオードの駆動するレーザドライバと、前記レーザダイオードの温度を調整するための熱電素子と、前記熱電素子を駆動する電流制御部と、前記レーザダイオードの発振波長情報と遅延時間情報とを格納したメモリ素子を含み、前記電流制御部を制御する制御部とを備える。前記制御部は、前記発振波長情報及び前記遅延時間情報を読み出して、前記熱電素子に突入電流が流れ始めるタイミングを調整するために前記熱電素子の駆動開始を遅延する遅延時間を決定し、前記制御部は前記遅延時間中では前記熱電素子を作動させないように前記電流制御部を制御すると共に、前記遅延時間の後に前記電流制御部は前記熱電素子の制御を開始する。

光伝送装置内の各光モジュールでは、熱電素子は、レーザダイオードの温度を調整してレーザダイオードが発生する光の波長を決定する。制御部は、熱電素子の駆動開始を遅延するように動作する。故に、該光モジュールに突入電流が流れる時間が、光伝送装置内の他の光モジュールに突入電流が流れる時間と異なるようにできる。
本発明の光モジュールでは、前記遅延時間の後では、前記電流制御部は前記レーザダイオードの温度が所望の範囲に入るように前記熱電素子の制御を行う。本発明の光モジュールは、前記制御部は、前記発振波長情報及び前記遅延時間情報を前記メモリ素子に書き込むためのメモリ素子書き込み手段を含むことができる。前記レーザダイオードの温度が所望の範囲に入る前には前記レーザダイオードが駆動されていない。

本発明の光伝送装置は、前記熱電素子の駆動開始を第１の遅延時間だけ遅らせた第１の光モジュールと、前記熱電素子の駆動開始を第２の遅延時間だけ遅らせた第２の光モジュールと、前記第１および第２の光光モジュールに接続されたホスト制御装置とを備え、前記第１の遅延時間は前記第２遅延時間と異なる。

この光伝送装置では、第１の遅延時間が第２の遅延時間と異なるので、光伝送装置の起動時に流れる総突入電流を小さくできる。

本発明の光伝送装置では、前記第１および第２の光モジュールは、相互に異なる波長の光を出射する。また、前記第１および第２の光モジュールは、相互に異なる固有のアドレスを有することができる。固有アドレスは、遅延時間と関連づけられるようにできる。

以上説明したように、本発明によれば、光伝送装置の起動時に必要とされる総突入電流を低減可能な光モジュールおよび光伝送装置が提供されることができる。

添付図面を参照しながら、本発明の光モジュールおよび光伝送装置に係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。

（第１の実施の形態）
図１は、ＷＤＭ用の光伝送装置を示す概略図である。光伝送装置１は、第１から第８の光モジュール３ａ〜３ｈと、ホスト制御装置５と、搭載基板７とを備える。ホスト制御装置５は、第１〜第８の光モジュール３ａ〜３ｈの各々とバス線９（例えば、Ｉ^２Ｃバス）を用いて接続されており、両者の間で双方向通信を行うことができる。第１〜第８の光モジュール３ａ〜３ｈの発振光の波長は、他の光モジュールの発振光の波長と異なっている。例えば、ＣＷＤＭに用いられる光伝送装置では、第１〜第８の光モジュール３ａ〜３ｈの波長は、それぞれ、１０ナノメートル間隔で１４７０ナノメートル〜１６１０ナノメートルの８種である。第１〜第８の光モジュール３ａ〜３ｈには、アドレス「Ａ０ｈ、Ａ２ｈ」が割り当てられている。

図２は、図１における個々の光モジュールの一例を示す概略図である。光モジュール１１は、レーザダイオード１３と、熱電素子１５と、電流制御回路１７と、メモリ素子１９と、制御回路２１とを備える。レーザダイオード１３として、例えば、分布帰還型レーザダイオード、ファブリベロー型レーザダイオードまたは面発光型レーザダイオード等を用いることができる。熱電素子１５は、例えば、ペルチェ素子である。熱電素子１５は、レーザダイオード１３の温度を調整してレーザダイオード１３の発振波長を目標値に合わせるために用いられる。電流制御回路１７は、熱電素子１５を駆動する。制御部２０はメモリ素子１９および制御回路２１を含んでおり、メモリ素子１９はレーザダイオード１３の発振波長情報を格納する。制御回路２１はメモリ素子１０から読み出された発振波長情報に基づき電流制御回路１７を制御して熱電素子１５を駆動する。また、同発振波長情報に基づき熱電素子１５の駆動開始時間を調整する。

したがって、それぞれの光モジュールで熱電素子へ突入電流が流れ始めるタイミングを、他の光モジュールに突入電流が流れ始めるタイミングと異ならせることができる。

レーザドライバ５１は、端子５３ａからの送信信号Ｓ１を受け、この信号Ｓ１に応答してレーザダイオード１３に駆動信号Ｓ_Ｄを出力する。レーザダイオード１３は、駆動信号Ｓ_Ｄに応答して、信号光Ｌ１を光ファイバＷＧ１に向けて出射する出射する。

レーザドライバ５１は制御回路２１からの二種類の制御信号、すなわちバイアス電流制御信号および変調電流制御信号、を受ける。これらの制御信号は、端子５３ｂおよび５３ｃにも提供される。

温度モニタ５５は、例えばサーミスタを用いることができ、レーザダイオード１３の温度をモニタし、対応するモニタ信号Ｍ１を電流制御回路１７および制御回路２１に出力する。電流制御回路１７は、モニタ信号Ｍ１に応答して、熱電素子１５を制御する。

フォトダダイオード５７は、光ファイバＷＧ２を伝送してきた信号光Ｌ２を受けて、該信号光Ｌ２に応じた受信信号Ｓ２を生成する。フォトダダイオード５７としては、ｐｉｎフォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオードを用いることができる。フォトダダイオード５７は、フォトダダイオードバイアス回路５９からバイアスを受ける。ポストアンプ６１は、フォトダイオード５７からの受信信号Ｓ２を増幅し、信号Ｓ３を端子５３ｆに提供する。

図３は、制御部２０の一例を示す概略図である。制御部２０は、ＣＰＵ２５、Ａ／Ｄ変換器２７、双方向通信バス用のインタフェイス２９、制御用インタフェイス３１、出力インタフェイス３３、入力インタフェイス３５、モニタインタフェイス３７を含む。ＣＰＵ２５は、Ａ／Ｄ変換器２７、バスインタフェイス２９、制御用インタフェイス３１、出力インタフェイス３３、入力インタフェイス３５、モニタインタフェイス３７に内部バス３９を経由して接続されている。また制御部２０は、内部バス３９に接続されたメモリユニット４１を含む。

バスインタフェイス２９は、ホスト制御装置と通信を行うために利用される。制御用インタフェイス３１は、電流制御回路１７およびフォトダイオードバイアス回路等を制御するための信号を提供する。出力インタフェイス３３は、レーザドライバおよびポストアンプを制御するために用いられる。入力インタフェイス３５は、当該光モジュールの外からの信号を受けるために利用される。メモリユニット４１は、ＲＯＭ４３、ＲＡＭ４５、ＥＥＰＲＯＭ４７を含む。ＲＯＭ４３は、光モジュールを制御するためのプログラムを格納している。ＥＥＰＲＯＭ４７は、遅延時間情報４７ａおよび発振波長情報４７ｂを格納している。

図４は、光モジュールのスタートアップ動作を示すフローチャート１００である。ステップＳ１０１において、電源が投入され、または光モジュール１１がリセットされるが、制御回路２１は熱電素子１５を作動させないように、電流制御回路１７を制御する。

ステップＳ１０２において、制御回路２１はレーザドライバ５１に制御信号を出しレーザドライバ５１はレーザダイオード１３に駆動信号を提供しない。すなわち、起動時において制御回路２１はＥＥＰＲＯＭ４７に保持された波長情報、遅延量情報を読み出し、熱電素子１７の駆動開始を遅らせる遅延時間を決定する。この所定遅延時間だけステップＳ１０３において待機した後に、ステップＳ１０４において、電流制御回路１７は、熱電素子１５の制御を開始する。この制御の開始から暫くの期間に、光モジュール１１に突入電流が流れる。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入るまで、ステップＳ１０４およびＳ１０５を繰り返す（ＡＴＣ制御を行う）。その後、ステップＳ１０６において、レーザダイオード１３を駆動して光出力の自動制御（Automatic Power Control：ＡＰＣ）を開始する。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入った後にも、ＡＴＣ制御およびＡＰＣ制御は引き続き有効である。これらの制御の結果、レーザ光の波長および強度がそれぞれ所望の範囲に維持され、光モジュール１１は光通信に使用できる（ステップＳ１０７）。

以上説明したように、光モジュール１１の起動時には、ＣＰＵの初期処理の後に、熱電素子に流す電流の制御を開始する。制御回路２１は、この開始時間を変更することができる情報（以下、遅延時間パラメータと称す）を格納するＥＥＰＲＯＭを含んでおり、この遅延量は、工場において当該光モジュールを調整する時に個々に設定される。光モジュールでは、例えば、ＣＷＤＭ８波（1470、1490、1510、1530、1550、1570、1590、1610nm）毎に、異なる時間（50、100、150、200、250、300、350、400msec）に相当する遅延時間をＥＥＰＲＯＭに記録しておく。この光伝送装置では、図５（Ａ）に示されるように、それぞれの光モジュールにおける熱電素子へ供給する電流のピークが、時間的にシフトする。つまり、この光伝送装置では、各光モジュールの起動後の突入電流のタイミングをずらして、光伝送装置としての最大消費電流を抑えている。一方、従来の構成に係る光伝送装置内の全光モジュールの熱電素子がほぼ同時に起動され、熱電素子へ供給される電流の時間変化は、図５（Ｂ）に示されるように、それぞれの光モジュールにおける電流のピークが、ほぼ同じタイミングとなる。したがって、この場合には電源装置に対する負担が大きくなってしまう。

光モジュール１１では、制御回路２１は、遅延時間情報および発振波長情報等の初期設定値をＥＥＰＲＯＭ１９に書き込むためのメモリ素子書き込み手段６３を含む。

（第２の実施の形態）
図６は、光伝送装置８１を示す概略図である。以下、第１の光伝送装置と異なる点のみ説明する。第１〜第８の光モジュール８３ａ〜８３ｈには、それぞれ異なるアドレスが割り当てられている。すなわち、第１〜第８の光モジュール８３ａ〜８３ｈの各々において、３つの端子Ａ０〜Ａ２を用いてアドレスが設定される。３つの端子Ａ０〜Ａ２は、抵抗素子を介して接地線（ＧＮＤ）または電源線（ＶＣＣ）のいずれかに接続される。この組み合わせの数は２^３個であり、３つの端子および抵抗を用いて、８個の光モジュールを識別することが可能になる。３つの端子Ａ０〜Ａ２および抵抗により光モジュールに付与されるアドレスは、固定である。個々の第１〜第８の光モジュール８３ａ〜８３ｈは、図２および図３に示された構造を有する。

ＥＥＰＲＯＭ４７は、上記の固有アドレスを格納しており、制御回路２０はＥＥＰＲＯＭ４７に格納されたアドレス信号に応答して熱電素子１５の駆動開始時間を調整する。

図７は、光モジュール１１ａのスタートアップ動作を示すフローチャート１１０である。ステップＳ１１０において、光モジュール１１ａの電源が投入される（または光モジュール１１ａがリセットされる）。ステップＳ１１１においては、光モジュール１１の例と同様に、レーザドライバ５１はレーザダイオード１３に駆動信号を提供しない。また、制御回路２１は、電流制御回路１７を制御して、熱電素子１５に電流を供給しない。制御回路２１は、端子６５ａ、６５ｂ、６５ｃのアドレスを読み出し、このアドレス信号は、引き続くステップＳ１１２ないしＳ１１８において解析され、熱電素子１７の駆動開始遅延時間が決定される。解析結果に応じて、ステップＳ１１９〜Ｓ１２６のいずれか一のステップにおいて、制御回路２１は、実際に熱電素子１７の駆動開始タイミングを調整する各モジュールに対して調整された遅延時間の後に、熱電素子１７の駆動開始信号を電流制御回路１７に提供し、ステップＳ１２７において、熱電素子１７の制御を開始する。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入るまで、ステップＳ１２７およびＳ１２８を繰り返す（ＡＴＣ制御を行う）。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入った後に、ステップＳ１２９において、レーザダイオード１３のＡＰＣ制御が開始され、レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入った後にも、ＡＴＣ制御およびＡＰＣ制御は引き続き有効である。これらの制御の結果、レーザの発振波長および発光強度がそれぞれ所望の値となる（ステップＳ１３０）。

光モジュールは、Ｉ^２Ｃバスアドレス（Slave Address）を固有に設定するために、３本の外部ピン（Ａ０〜Ａ２）を用いており、このアドレスに対応して固有の遅延時間を対応させることができる。例えば、最大8台の光モジュール（アドレス：０００ｂ〜１１１ｂ）に対して、異なる遅延時間（５０ミリ秒間隔で５０ｍ秒〜４００ｍ秒）に相当するパラメータをＥＥＰＲＯＭに記録しておくことができる。

ホストは、光モジュールの物理アドレスに対して１ビット左シフトした値を認証アドレスとして各光モジュールに割り付け、Ｉ^２Ｃバスを介して各光モジュールに遅延時間を書き込む。すなわち、まず、ホストはＡ０ｈアドレスをバスにのせ、対応する光モジュール（この場合０００ｂ）を特定する。この特定された光モジュールとホストとの間で、遅延時間情報（５０ｍ秒）がホストからモジュールに送信され、光モジュールでは、バスインタフェィス２９を介してこの情報をＣＰＵに取り込み、ＣＰＵはＥＥＰＲＯＭ４７内の所定のメモリアドレスに、この遅延情報を書き込む。この操作を他の光モジュールに対しても行い、全ての光モジュールに対して異なる遅延時間を伝える。

（第３の実施の形態）
図８は、第３の実施の形態に係る光伝送装置９１を示す概略図である。第１〜第８の光モジュール９３ａ〜９３ｈは、第１の実施の形態の第１〜第８の光モジュール３ａ〜３ｈと異なり、それぞれ、制御線Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ１〜Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ８を介してホスト制御装置９５に接続されている。Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ１〜Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ８は各光モジュールの端子６７に入力される。第１〜第８の光モジュール９３ａ〜９３ｈには、同じアドレス、例えば「Ａ０ｈ」が割り当てられている。本形態の光伝送装置においては、個々の第１〜第８の光モジュール９３ａ〜９３ｈは、熱電素子１５の駆動開始タイミングを調整するために、メモリユニット４１内の情報を用いない。個々の第１〜第８の光モジュール９３ａ〜９３ｈは、図２および図３に示された光モジュールと類似の構造を有することができるが、制御部２０に替えて、制御線Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ上の外部信号に応答して熱電素子１５の駆動の開始を遅延するための制御部を有する。

図９は、制御線Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ１〜Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ８上の外部信号のタイミングを示す図面である。Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ１〜Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ８上の信号に応答して、制御回路は、熱電素子１５の動作開始時間が異なるように、電流制御回路１７を動作させる。故に、光伝送装置９１において、この光モジュールに突入電流が流れる時間を他の光モジュールに突入電流が流れる時間と異なるものにできる。

図１０は、光モジュールのスタートアップ動作を示すフローチャート１４０である。ステップＳ１４０において起動され、ステップＳ１４１、Ｓ１４２を繰り返す。ステップＳ１４２において制御回路２１は、Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ端子を監視し、制御線Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ上に提供された許可信号を受けるまで、熱電素子１７の駆動の開始を遅らせる。制御回路２１は、この遅延時間の後に、熱電素子１７の駆動を許可する信号を電流制御回路１７に提供する。この許可信号に応答して、電流制御回路１７はステップＳ１４３において熱電素子１７の制御を開始し、この制御の開始時に、光モジュールに突入電流が流れる。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入るまで、ステップＳ１４３およびＳ１４４を繰り返す（ＡＴＣ制御を行う）。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入った後に、ステップＳ１４５において、レーザダイオード１３を駆動しながらＡＰＣ制御を行う。レーザダイオード１３の温度が所望の範囲に入った後にも、ＡＴＣ制御およびＡＰＣ制御は引き続き有効である。これらの制御の結果、レーザ光の波長および強度がそれぞれ所望の範囲となり、光モジュールは光通信に使用可能になる（ステップＳ１４６）。

この実施の形態は、マザー基板が、複数の光モジュール（例えば8台の光モジュール）を搭載している場合に好適である。この光伝送装置では、Ｉ^２Ｃバスと、Ｉ^２Ｃ通信の可否をホスト制御装置が選択できる“MOD_DESEL”端子とを装備している。ホスト制御装置と各光モジュールを同一Ｉ^２Ｃバス上で使用するには、通常、各光モジュールは固有のスレーブアドレスを有する必要があるが、本例に係る通信装置では、ホスト制御装置は、Ｉ^２Ｃバス上の一台の光モジュールの “MOD_DESEL”端子に通信許可信号（Low）を送ることにより、この光モジュールと通信することが可能になる。

本実施の形態に係る光モジュールも、第１の実施の形態の光モジュールと同様に、熱電素子を制御できる電流制御回路と、制御回路等を含んでおり、“MOD_DESEL”端子上の信号に応答して熱電素子の電流制御を遅延させることができる。具体的には、電源起動後、全ての光モジュールの“MOD_DESEL”端子を通信禁止信号（”High”）を送り、ある時間間隔毎に、例えば５０ミリ秒（msec.）毎に“MOD_DESEL”端子を通信許可信号（“Low”）に切り替えていく。この切り替えにより、同一基板上に搭載された光モジュールを起動する際に、個々の光モジュールに流れる突入電流がピークとなるタイミングがずれるので、光伝送装置としての最大消費電流を抑えることができる。

以上説明したいくつかの実施の形態によれば、温度制御が必要なレーザダイオードと、熱電素子の電流制御回路と、電流制御回路をコントロールすることが可能な制御回路を内蔵し、電流制御開始のタイミングを出荷前に調整することが可能な光モジュール（光送信モジュール、光送受信モジュール）が提供される。

なお、上記一連の実施の形態において、光モジュールは、送信、及び受信機能の双方を有する場合を例として説明したが、本発明は、光モジュール内に送信機能のみを有する発光モジュールに対しても、何らの変更を加えることなく適用可能である。

好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではなく、本実施の形態の光モジュールにおける制御は、主にソフトウエアを用いて実現しているけれども、主にハードウエアを用いて実現することもできる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。

図１は、光伝送装置を示す概略図である。図２は、光モジュールの一例を概略的に示す図面である。図３は、制御部の一例を示す概略図である。図４は、光モジュールのスタートアップ動作を示すフローチャートである。図５（Ａ）は、本実施の形態に係る光伝送装置における個々の光モジュールの電流波形を示す図面である。図５（Ｂ）は、比較例の光伝送装置における個々の光モジュールの電流波形を示す図面である。図６は、光伝送装置を示す概略図である。図７は、光モジュールのスタートアップ動作を示すフローチャートである。図８は、光伝送装置を示す概略図である。図９は、制御線Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ１〜Ｍｏｄ＿Ｄｅｓｅｌ８上の外部信号の波形を示す図面である。図１０は、光モジュールのスタートアップ動作を示すフローチャートである。

符号の説明

１…光伝送装置、３ａ〜３ｈ…光モジュール、５…ホスト制御装置、７…搭載基板、１１…光モジュール、１３…レーザダイオード、１５…熱電素子、１７…電流駆動回路、１９…メモリ素子、２０…制御部、２１…制御回路、２５…ＣＰＵ、２７…Ａ／Ｄ変換器、２９…バスインタフェイス、３１…制御用インタフェイス、３３…出力インタフェイス、３５…入力インタフェイス、３７…モニタインタフェイス、３９…内部バス、４１…メモリユニット、４３…読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、４５…ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、４７…電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、４７ａ、４７ｂ…情報、５１…レーザダイオードドライバ、ＷＧ１、ＷＧ２…光ファイバ、５７…フォトダダイオード、５９…フォトダダイオードバイアス回路、６１…ポストアンプ、６３…メモリ素子書き込み手段、６７…端子、８１…光伝送装置、８３ａ〜８３ｈ…光モジュール、９１…光伝送装置、９３ａ〜９３ｈ…光モジュール、９５…ホスト制御装置

Claims

レーザダイオードと、
前記レーザダイオードを駆動するレーザドライバと、
前記レーザダイオードの温度を調整するための熱電素子と、
前記熱電素子を駆動する電流制御部と、
前記レーザダイオードの発振波長情報と遅延時間情報とを格納したメモリ素子を含み、前記電流制御部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記発振波長情報及び前記遅延時間情報を読み出して、前記熱電素子に突入電流が流れ始めるタイミングを調整するために前記熱電素子の駆動開始を遅延する遅延時間を決定し、
前記制御部は前記遅延時間中では前記熱電素子を作動させないように前記電流制御部を制御すると共に、前記遅延時間の後に前記電流制御部は前記熱電素子の制御を開始することを特徴とする光モジュール。
前記遅延時間の後では、前記電流制御部は前記レーザダイオードの温度が所望の範囲に入るように前記熱電素子の制御を行い、
当該光モジュールは前記レーザダイオードの温度をモニタする温度モニタを更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載された光モジュール。
前記制御部は、前記発振波長情報及び前記遅延時間情報を前記メモリ素子に書き込むためのメモリ素子書き込み手段を含み、
前記レーザダイオードの温度が所望の範囲に入る前には前記レーザダイオードが駆動されていない、ことを特徴とする請求項２に記載された光モジュール。
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載され、前記熱電素子の駆動開始を第１の遅延時間だけ遅らせた第１の光モジュールと、
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載され、前記熱電素子の駆動開始を第２の遅延時間だけ遅らせた第２の光モジュールと、
前記第１および第２の光モジュールに接続されたホスト制御装置と
を備え、
前記第１および第２の光モジュールは、相互に異なる波長の光を出射し、
前記第１の遅延時間は前記第２の遅延時間と異なる光伝送装置。