JP4422111B2 - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4422111B2 JP4422111B2 JP2006031007A JP2006031007A JP4422111B2 JP 4422111 B2 JP4422111 B2 JP 4422111B2 JP 2006031007 A JP2006031007 A JP 2006031007A JP 2006031007 A JP2006031007 A JP 2006031007A JP 4422111 B2 JP4422111 B2 JP 4422111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- emitting device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 claims 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
以下、図面を参照して従来の技術を具体的に説明する。図1は、従来の技術による有機発光表示装置のピクセル部1を表した平面図である。図1を参照すれば、発光領域である有機膜層101は、レーザ転写法によって画素定義膜100の開口部(図示せず)上に形成されており、開口部のまわり方向に沿って画素定義膜100が形成されている。
300、600、800 画素定義膜
301、601、801 有機膜層
302a、602a、802a アクティブチャンネル層
302b、602b、802b オーミックコンタクト層
303、603、803 段差部
400、500、700、900 基板
401、501、701、901 バッファー層
403、503、703、903 ゲート絶縁層
404、504、704、904 ゲート電極
405、505、705、905 層間絶縁層
409、509、709、909 第1電極層
414、514、714、914 開口部
515 突出部
Claims (14)
- 基板上に形成される第1電極層と、
前記第1電極層上に形成されて、前記第1電極層を少なくとも部分的に露出させる開口部及び前記開口部周辺の一領域に少なくとも一つの段差部が形成された画素定義膜と、
前記画素定義膜の前記開口部上に、ドナーフィルムからレーザ転写法によって転写された有機膜層と、
前記有機膜層及び前記画素定義膜上に形成される第2電極層と、
を含み、
前記段差部は、レーザ転写方向に沿って前記有機膜層が一番最後に転写される前記画素定義膜の端部のみに形成され、
前記段差部は、前記有機膜層が転写されない所定幅を含む、有機発光素子。 - 前記画素定義膜は、
50Åないし10000Åの範囲厚さに形成され、
前記段差部は、
前記画素定義膜厚さの1/4ないし1/3の厚さに形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記段差部の幅は、
画素領域の1/4ないし1/2の範囲に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記段差部の段差面には、
少なくとも一つの突出部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記突出部の高さは、
少なくとも前記段差部より高く形成されることを特徴とする請求項4に記載の有機発光素子。 - 前記突出部の高さは、
前記画素定義膜の高さと同じく形成されることを特徴とする請求項4に記載の有機発光素子。 - 前記有機膜層は、
発光層を必須的に含み、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層で構成されるグループから選べられる少なくとも一つの層で構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。 - 基板上に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層を少なくとも部分的に露出させる開口部及び前記開口部周辺の一領域に少なくとも一つの段差部が形成された画素定義膜を前記第1電極層上に形成させる段階と、
前記画素定義膜の前記開口部及び段差部上に有機膜層をレーザ転写させる段階と、
前記有機膜層及び前記画素定義膜上に第2電極層を形成する段階と、
を含み、
前記段差部は、
レーザ転写方向に沿って有機膜層が一番最後に転写される前記画素定義膜の端部に形成される、有機発光素子の製造方法。 - 前記画素定義膜は、
50Åないし10000Åの範囲の厚さに形成され、前記段差部は前記画素定義膜厚さの1/4ないし1/3の厚さに形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記段差部の幅は、
画素領域の1/4ないし1/2の範囲に形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記段差部は、
乾式エッチングまたは湿式エッチングの中でいずれか一つの方法によって形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記段差部の段差面には、
少なくとも一つの突出部をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記突出部の高さは、
少なくとも前記段差部より高く形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記突出部の高さは、
前記画素定義膜の高さと同じく形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050090738A KR100745332B1 (ko) | 2005-09-28 | 2005-09-28 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007096251A JP2007096251A (ja) | 2007-04-12 |
JP4422111B2 true JP4422111B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=37529394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006031007A Active JP4422111B2 (ja) | 2005-09-28 | 2006-02-08 | 有機発光素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667392B2 (ja) |
EP (1) | EP1770800A3 (ja) |
JP (1) | JP4422111B2 (ja) |
KR (1) | KR100745332B1 (ja) |
CN (1) | CN1941400B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI340467B (en) * | 2007-03-21 | 2011-04-11 | Au Optronics Corp | Active matrix organic electroluminescent substrate and method of making the same |
KR100833772B1 (ko) * | 2007-06-20 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100924137B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-10-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101147428B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20140107036A (ko) | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판 |
KR20140118000A (ko) | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140127688A (ko) * | 2013-04-25 | 2014-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20140128080A (ko) | 2013-04-26 | 2014-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140139304A (ko) * | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN108231824B (zh) * | 2016-12-16 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
KR102660313B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2024-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
CN110941126B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5998085A (en) | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
JPH11204267A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
EP1096568A3 (en) | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP4021177B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 |
JP2004031262A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2004071554A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP3705282B2 (ja) | 2002-10-03 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法 |
JP2004165067A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネル |
NL1022269C2 (nl) * | 2002-12-24 | 2004-06-25 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een organic electroluminescent display device, substraat ten gebruike bij een dergelijke werkwijze, alsmede een organic electroluminescent display device verkregen met de werkwijze. |
JP3915806B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR101163087B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2012-07-06 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 디스플레이 패널 |
JP2005158494A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜の形成方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
KR101007717B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-01-13 | 삼성전자주식회사 | 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR100611159B1 (ko) | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
KR100579174B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
KR100625994B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
KR100615227B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-09-28 KR KR1020050090738A patent/KR100745332B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-02-08 JP JP2006031007A patent/JP4422111B2/ja active Active
- 2006-09-26 US US11/526,664 patent/US7667392B2/en active Active
- 2006-09-27 EP EP06255001A patent/EP1770800A3/en not_active Withdrawn
- 2006-09-27 CN CN2006101393840A patent/CN1941400B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070035857A (ko) | 2007-04-02 |
CN1941400A (zh) | 2007-04-04 |
JP2007096251A (ja) | 2007-04-12 |
EP1770800A3 (en) | 2012-08-01 |
KR100745332B1 (ko) | 2007-08-02 |
CN1941400B (zh) | 2010-06-09 |
US7667392B2 (en) | 2010-02-23 |
EP1770800A2 (en) | 2007-04-04 |
US20070069639A1 (en) | 2007-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4422111B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
JP6154572B2 (ja) | 薄膜蒸着用のマスクフレームアセンブリー | |
US7666707B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
JP4333728B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法および電子機器 | |
WO2015010424A1 (zh) | 有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法 | |
JP2007280963A (ja) | フルカラー有機電界発光表示素子 | |
US8282436B2 (en) | Light emitting device, electronic device, and method of manufacturing light emitting device | |
JP2011119238A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
JP2008243406A (ja) | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2008243773A (ja) | 電気発光装置、その製造方法、電子機器、薄膜構造体、薄膜形成方法 | |
KR100707601B1 (ko) | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2008004290A (ja) | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 | |
JP4520997B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法 | |
US20080230772A1 (en) | Display device and method of manufacturing the display device | |
CN111430418A (zh) | Oled显示装置及制备方法 | |
JP2004319119A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP4742977B2 (ja) | 有機elディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100646936B1 (ko) | 유기 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2003347048A (ja) | Elパネルの製造方法及び成膜装置 | |
JP2006004743A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
CN111710709A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
JP2005158584A (ja) | パターン形成方法及び表示装置の製造方法 | |
WO2020021722A1 (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
JP4506788B2 (ja) | Elパネルの製造方法 | |
KR20180076825A (ko) | 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091203 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4422111 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |