JP4421550B2 - Probes and probe cards - Google Patents

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本発明は、測定対象物である半導体ウエハに形成された半導体素子の電気的諸特性を測定するために使用されるプローブカードを構成するプローブ及びプローブカードに関する。 The present invention relates to a probe and a probe card constituting a probe card used for measuring various electrical characteristics of a semiconductor element formed on a semiconductor wafer as a measurement object.

中腹部に座屈部８３０を設けた図６に示すようなタイプのプローブ８００は、オーバードライブ時の変形によって、半導体素子６００の電極６１０とプローブ８００の接触部８１０との間に所定の接触圧を確保することができるというメリットがある。なお、オーバードライブとは、半導体素子６００の電気的諸特性の測定の際に、半導体素子６００が形成された半導体ウエハと、プローブカードとを相対的に接近させ、プローブカードのプローブ８００の先端の接触部８１０が、半導体素子６００の電極６１０に接触してからさらに両者を接近させて、電極６１０とプローブ８００との間に所定の接触圧を確保する動作をいう。   A probe 800 of the type shown in FIG. 6 in which a buckling portion 830 is provided in the middle abdomen has a predetermined contact pressure between the electrode 610 of the semiconductor element 600 and the contact portion 810 of the probe 800 due to deformation during overdrive. There is an advantage that can be secured. The overdrive means that the semiconductor wafer on which the semiconductor element 600 is formed and the probe card are relatively brought close to each other when the electrical characteristics of the semiconductor element 600 are measured, and the tip of the probe 800 of the probe card is measured. The contact portion 810 refers to an operation for ensuring a predetermined contact pressure between the electrode 610 and the probe 800 by bringing the contact portion 810 into contact with the electrode 610 of the semiconductor element 600 and then bringing them closer together.

特開２０００−２９２４３９JP 2000-292439

近年の微細化技術の発達により、図７に示すように、半導体素子６００に形成される電極６１０の間隔は、９０μｍ以下と非常に狭くなっている。このため、プローブカードにおけるプローブ８００同士の間隔も非常に狭いものが要求されている。   With the recent development of miniaturization technology, as shown in FIG. 7, the interval between the electrodes 610 formed on the semiconductor element 600 is very narrow, 90 μm or less. For this reason, it is required that the distance between the probes 800 in the probe card is very narrow.

例えば、現在のプローブ８００の直径は、約６５μｍから５０μｍとなっている。このため、図７に示すように、例えば、プローブの直径を６０μｍ、電極の間隔を９０μｍとすると、プローブ同士の間隔は３０μｍと非常に狭くなっている。   For example, the current probe 800 has a diameter of about 65 μm to 50 μm. For this reason, as shown in FIG. 7, for example, when the probe diameter is 60 μm and the electrode interval is 90 μm, the interval between the probes is as very small as 30 μm.

前記座屈部８３０を設けた図６に示すようなタイプのプローブ８００では、オーバードライブ時の座屈部８３０の変形によって、座屈部８３０同士の接触の可能性が高くなっている。万が一、座屈部８３０同士が接触すると、ショートとなり、半導体素子６００の電気的諸特性の測定が行なえなくなる。   In the probe 800 of the type shown in FIG. 6 provided with the buckling portion 830, the possibility of contact between the buckling portions 830 is increased due to deformation of the buckling portion 830 during overdrive. If the buckling portions 830 come into contact with each other, a short circuit occurs, and the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor element 600 cannot be performed.

本発明は、上記事情に鑑みて創案されたもので、オーバードライブを考慮しつつ、半導体素子の電極の間隔が狭くなった半導体素子にも対応可能なプローブ及びプローブカードとを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a probe and a probe card that can cope with a semiconductor element in which the distance between electrodes of the semiconductor element is reduced while considering overdrive. It is said.

本発明に係るプローブは、測定対象物の電極に接触する接触部と、プローブカードを構成する基板の配線パターンに接続される接続部と、前記接触部と接続部との間に設けられた座屈部とを具備しており、細線にメッキが施されてなるプローブであって、第１のメッキ層の上に第２メッキ層が施された前記前記接触部及び接続部には、前記第１メッキ層が施された前記屈曲部よりもメッキが厚く施されていて、前記座屈部が、前記接触部及び接続部より細く形成され、前記第１のメッキ層と前記第２メッキ層とが同じメッキ材料からなることを特徴とするプローブ。 A probe according to the present invention includes a contact portion that contacts an electrode of a measurement object, a connection portion that is connected to a wiring pattern of a substrate that constitutes the probe card, and a seat provided between the contact portion and the connection portion. A probe in which a thin wire is plated, and the contact portion and the connection portion having a second plating layer formed on the first plating layer include the first portion and the connection portion . The plating is thicker than the bent portion provided with one plating layer , the buckling portion is formed narrower than the contact portion and the connection portion, and the first plating layer and the second plating layer Are made of the same plating material .

本発明に係る別のプローブは、測定対象物の電極に接触可能な接触部と、プローブカードを構成する基板の配線パターンに接続される接続部と、前記接触部と接続部との間に設けられており且つ接触部及び接続部より細い座屈部とを具備するプローブであって、白金族の合金からなる細線と、この細線に施された第１のメッキ層と、この第１のメッキ層の上であって、前記接触部及び接続部に相当する部分に施された第２のメッキ層とを有しており、前記第１及び第２のメッキ層は、ニッケル又はニッケル合金からなる。 Another probe according to the present invention is provided between a contact portion that can contact an electrode of a measurement object, a connection portion that is connected to a wiring pattern of a substrate constituting the probe card, and the contact portion and the connection portion. a probe comprising a more narrow buckling and contact portions and the connection portions are al a fine line consisting of a platinum group alloy, a first plating layer applied to the thin lines, the first A second plating layer provided on a portion corresponding to the contact portion and the connection portion, and the first and second plating layers are made of nickel or a nickel alloy. Become .

前記第１のメッキ層は、第２のメッキ層より薄く形成されている。   The first plating layer is formed thinner than the second plating layer.

前記第１のメッキ層の厚さは２〜１０μｍ、第２のメッキ層の厚さは１０〜２０μｍである。   The thickness of the first plating layer is 2 to 10 μm, and the thickness of the second plating layer is 10 to 20 μm.

前記細線は、直径が１５〜３０μｍである。   The fine wire has a diameter of 15 to 30 μm.

本発明に係るプローブカードは、配線パターンを有する基板と、この基板の裏面に設けられた絶縁性を有するフレーム部と、上記プローブとを備えており、前記フレーム部は、開口が各々設けられた上側及び下側フレームを有しており、前記プローブの接触部は、下側フレームの開口に挿通され、該開口から下端部が下方に突出しており、前記プローブの接続部は、上側フレームの開口に挿通され、該開口から上端部が上方に突出して前記基板の配線パターンに接続されている。The probe card according to the present invention includes a substrate having a wiring pattern, an insulating frame portion provided on the back surface of the substrate, and the probe, and the frame portion is provided with an opening. The probe has an upper and lower frame, and the contact portion of the probe is inserted into an opening of the lower frame, and a lower end portion protrudes downward from the opening. The connection portion of the probe is an opening of the upper frame. The upper end protrudes upward from the opening and is connected to the wiring pattern of the substrate.

本発明に係るプローブは、座屈部が接触部や接続部より細く形成されているので、座屈部の太さが他の部分と同等の従来のものより、オーバードライブ時の座屈部の変形に起因する座屈部同士の接触のおそれが低くなっている。   In the probe according to the present invention, the buckling portion is formed to be narrower than the contact portion and the connection portion. The risk of contact between buckling parts due to deformation is low.

また、細線として使用する白金族の合金は、電気抵抗が高いが、表面にニッケル又はニッケル合金のメッキを 施すと、全体の電気抵抗は低くなることが知られている。従って、このように、表面にニッケル又はニッケル合金のメッキを施すメリットがある。
しかし、ニッケル又はニッケル合金のメッキが厚いと、座屈部においてオーバードライブ時の変形時に剥がれるおそれがあるが、薄いとそのような心配もない。 In addition, platinum group alloys used as thin wires have high electrical resistance, but it is known that when the surface is plated with nickel or a nickel alloy, the overall electrical resistance is lowered. Therefore, there is an advantage that the surface is plated with nickel or a nickel alloy.
However, if the plating of nickel or a nickel alloy is thick, the buckling portion may be peeled off during overdrive deformation, but if it is thin, there is no such concern.

図１は本発明の実施の形態に係るプローブの概略的正面図、図２は本発明の実施の形態に係るプローブの概略的断面図、図３は本発明の実施の形態に係るプローブの製造方法の各工程の概略的説明図、図４は本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカードの概略的説明断面図、図５は本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカードの要部の概略的拡大断面図である。   1 is a schematic front view of a probe according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of the probe according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a manufacture of the probe according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a probe card using a probe according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a probe using the probe according to an embodiment of the present invention. It is a schematic expanded sectional view of the principal part of a card | curd.

本発明の実施の形態に係るプローブ１００は、図１に示すように、測定対象物としての半導体素子６００の電極６１０に接触する接触部１１０と、プローブカード５００を構成する基板５１０の配線パターン（図示省略）に接続される接続部１２０と、前記接触部１１０と接続部１２０との間に設けられた座屈部１３０とを備えており、前記座屈部１３０は、接触部１１０や接続部１２０より細く形成されている。   As shown in FIG. 1, the probe 100 according to the embodiment of the present invention includes a contact portion 110 that contacts an electrode 610 of a semiconductor element 600 as a measurement object, and a wiring pattern ( (Not shown), and a buckling portion 130 provided between the contact portion 110 and the connection portion 120. The buckling portion 130 includes the contact portion 110 and the connection portion. It is thinner than 120.

このプローブ１００の先端側の接触部１１０は、半導体素子６００の電極６１０に接触する部分であるので、先鋭化されている。また、このプローブ１００の後端側の接続部１２０は、特に先鋭化されていない。接触部１１０の先鋭化されていない部分や、接続部１２０の太さ寸法は４０〜６０μｍに設定されている。   Since the contact portion 110 on the distal end side of the probe 100 is a portion that contacts the electrode 610 of the semiconductor element 600, it is sharpened. Further, the connecting portion 120 on the rear end side of the probe 100 is not particularly sharpened. The non-sharpened part of the contact part 110 and the thickness dimension of the connection part 120 are set to 40 to 60 μm.

前記座屈部１３０は、略く字形状に屈曲している。この座屈部１３０は、太さ寸法が３０〜５０μｍと、前記接触部１１０や接続部１２０より細く設定されていることと、略く字形状に屈曲していることから、オーバードライブ時の力が加わると、変形するようになっている。   The buckling portion 130 is bent into a substantially square shape. The buckling portion 130 has a thickness of 30 to 50 μm, is set to be thinner than the contact portion 110 and the connecting portion 120, and is bent in a substantially square shape. When it is added, it will be deformed.

このように構成されたプローブ１００の製造方法は、白金、ロジウム合金、イリジウム、パラジウム等の白金族の合金からなる細線２００の全体にニッケル又はニッケル合金をメッキする第１のメッキ工程と、座屈部１３０に相当する部分にメッキされない素材からなるカバー２３０を形成するカバー形成工程と、前記カバー２３０でカバーされた部分以外の部分にニッケル又はニッケル合金をメッキする第２のメッキ工程と、前記カバー２３０を剥離する剥離工程とを有している。   The method of manufacturing the probe 100 thus configured includes a first plating step of plating nickel or a nickel alloy on the entire thin wire 200 made of a platinum group alloy such as platinum, rhodium alloy, iridium, and palladium, and buckling. A cover forming step of forming a cover 230 made of a material that is not plated on a portion corresponding to the portion 130, a second plating step of plating nickel or a nickel alloy on a portion other than the portion covered by the cover 230, and the cover And a peeling step for peeling 230.

前記細線２００としては、直径が１５〜３０μｍであり、素材が白金、ロジウム合金、イリジウム、パラジウム等の白金族の合金であるものを使用する（図３（Ａ）参照）。白金ロジウム合金の場合には、白金が６０〜８０重量％、ロジウムが４０〜２０重量％とし、白金イリジウム合金の場合には、白金が６０〜８０重量％、イリジウムが４０〜２０重量％とする。   As the thin wire 200, one having a diameter of 15 to 30 μm and a material made of a platinum group alloy such as platinum, rhodium alloy, iridium, and palladium is used (see FIG. 3A). In the case of a platinum rhodium alloy, platinum is 60 to 80% by weight and rhodium is 40 to 20% by weight. In the case of a platinum iridium alloy, platinum is 60 to 80% by weight and iridium is 40 to 20% by weight. .

この細線２００に対して、第１のメッキ工程を施す（図３（Ｂ）参照）。この第１のメッキ工程で施される第１のメッキ層２１０は、ニッケル又はニッケル合金であって、その厚さ寸法は２〜１０μｍとする。   A first plating step is performed on the thin wire 200 (see FIG. 3B). The first plating layer 210 applied in the first plating step is nickel or a nickel alloy and has a thickness dimension of 2 to 10 μm.

細線２００に第１のメッキ層２１０が施された後に、プローブ１００となった場合に座屈部１３０に相当する部分１３０Ａにメッキされない素材からなるカバー２３０を形成するカバー形成工程を施す（図３（Ｃ）参照）。このカバー２３０の素材としては、例えば、フォトレジストが適している。すなわち、座屈部１３０に相当する部分１３０Ａに感光性樹脂であるフォトレジストを塗布した後、感光、現像させて硬化させることでカバー２３０を形成するのである。   After the first plated layer 210 is applied to the thin wire 200, a cover forming step is performed for forming a cover 230 made of a material that is not plated on the portion 130A corresponding to the buckling portion 130 when the probe 100 is formed (FIG. 3). (See (C)). As a material for the cover 230, for example, a photoresist is suitable. That is, the cover 230 is formed by applying a photoresist, which is a photosensitive resin, to the portion 130 </ b> A corresponding to the buckling portion 130, and then exposing, developing, and curing.

このようにカバー２３０を形成した状態で、第２のメッキ層２２０を形成するための第２のメッキ工程を行なう。この第２のメッキ工程では、第２のメッキ層２２０の厚さが１０〜２０μｍとなるように行なう。これで、第１のメッキ層２１０は、第２のメッキ層２２０より薄く形成されることになる。   With the cover 230 thus formed, a second plating step for forming the second plating layer 220 is performed. In the second plating step, the thickness of the second plating layer 220 is 10 to 20 μm. Accordingly, the first plating layer 210 is formed thinner than the second plating layer 220.

このように、第１のメッキ層２１０が、第２のメッキ層２２０より薄く形成されるということは、オーバードライブ時に座屈部１３０が変形しても、座屈部１３０にのみ形成される第１のメッキ層２１０が剥がれにくいことに結びつく。   As described above, the first plating layer 210 is formed thinner than the second plating layer 220. This means that even if the buckling portion 130 is deformed during overdrive, the first plating layer 210 is formed only on the buckling portion 130. 1 plating layer 210 is difficult to peel off.

第２のメッキ工程が終了したならば、前記カバー２３０を剥離する剥離工程を行い、座屈部１３０に相当する部分１３０Ａを露出させる（図３（Ｄ）参照）。具体的には、このカバー剥離工程では、前記フォトレジストを溶剤で剥離する。   When the second plating step is completed, a peeling step for peeling the cover 230 is performed to expose a portion 130A corresponding to the buckling portion 130 (see FIG. 3D). Specifically, in the cover peeling step, the photoresist is peeled with a solvent.

ここまでの工程は、複数のプローブ１００を形成可能な長いままの細線であっても、このプローブ１００の長さに予め切断された短い細線であってもよいが、少なくともこの工程以降は、細線２００はプローブ１００の長さに予め切断されている。すなわち、前記剥離工程の後工程には、接触部１１０の先端に相当する部分１１０Ａを先鋭化する先鋭化工程が存在するため、細線が長いままの状態では、先鋭化工程を行なうことができないためである。   The process up to this point may be a long thin line that can form a plurality of probes 100 or a short thin line that has been cut in advance to the length of the probe 100. 200 is cut in advance to the length of the probe 100. That is, since there is a sharpening process for sharpening the portion 110A corresponding to the tip of the contact portion 110 in the subsequent process of the peeling process, the sharpening process cannot be performed in a state where the thin line remains long. It is.

接触部１１０の先端に相当する部分１１０Ａを先鋭化する先鋭化工程は、例えば、研磨加工やエッチング加工、あるいはレーザー加工等の適宜な加工手法で行なう。この先鋭化工程によって、先端から０．３〜１．０ｍｍの部分が接触部１１０として先鋭化される（図３（Ｅ）参照）。   The sharpening step for sharpening the portion 110A corresponding to the tip of the contact portion 110 is performed by an appropriate processing technique such as polishing, etching, or laser processing. By this sharpening step, a portion of 0.3 to 1.0 mm from the tip is sharpened as the contact portion 110 (see FIG. 3E).

先鋭化工程が行なわれた後には、座屈部１３０に相当する部分１３０Ａを屈曲させる屈曲工程を行なう。この座屈部１３０に相当する部分１３０Ａは、第１のメッキ層２１０が露出している部分であり、他の部分より細くなっているので、屈曲工程を行ないやすいというメリットがある。   After the sharpening step is performed, a bending step of bending the portion 130A corresponding to the buckling portion 130 is performed. The portion 130A corresponding to the buckling portion 130 is a portion where the first plating layer 210 is exposed, and is thinner than the other portions, so that there is an advantage that the bending process can be easily performed.

白金、ロジウム合金、イリジウム、パラジウム等の白金族の合金は、電気抵抗が高いが、表面にニッケル又はニッケル合金のメッキを施すと、全体の電気抵抗は低くなることが知られている。従って、このように、表面にニッケル又はニッケル合金のメッキを施すメリットがある。
しかし、ニッケル又はニッケル合金のメッキが厚いと、座屈部１３０においてオーバードライブ時の変形時に剥がれるおそれがあるが、薄いとそのような心配もない。 It is known that platinum group alloys such as platinum, rhodium alloy, iridium, and palladium have high electrical resistance, but if the surface is plated with nickel or a nickel alloy, the overall electrical resistance is low. Therefore, there is an advantage that the surface is plated with nickel or a nickel alloy.
However, if the plating of nickel or a nickel alloy is thick, the buckling portion 130 may be peeled off during overdrive deformation, but if it is thin, there is no such concern.

このような各工程を経て製造されたプローブ１００は、例えば、図４に示すようなプローブカード５００に使用される。なお、図４においては、作図の都合上、プローブ１００の座屈部１３０は、接触部１１０や接続部１２０と同等の太さに描かれているが、実際には図５に示すように、座屈部１３０は接触部１１０や接続部１２０より細く形成されていることはいうまでもない。
このプローブカード５００は、図４に示すように、基板５１０と、この基板５１０の裏面側に設けられるフレーム部５２０と、前記プローブ１００とをその基本的構成要素としている。 The probe 100 manufactured through these steps is used for a probe card 500 as shown in FIG. 4, for example. In FIG. 4, for the sake of drawing, the buckling portion 130 of the probe 100 is drawn to the same thickness as the contact portion 110 and the connection portion 120, but actually, as shown in FIG. 5, Needless to say, the buckling portion 130 is formed thinner than the contact portion 110 and the connection portion 120.
As shown in FIG. 4, the probe card 500 includes a substrate 510, a frame portion 520 provided on the back side of the substrate 510, and the probe 100 as its basic components.

前記基板５１０には、表面、裏面及び内部に図示しない配線パターンが形成されており、裏面側で接続されたプローブ１００と、表面側から接続される図示しないプローバーの接続端子とを電気的に接続させるようになっている。   A wiring pattern (not shown) is formed on the front surface, the back surface, and the inside of the substrate 510, and the probe 100 connected on the back surface side is electrically connected to a connection terminal of a prober (not shown) connected from the front surface side. It is supposed to let you.

前記フレーム部５２０は、絶縁性を有する素材から構成されており、前記基板５１０と平行になった上側フレーム５２１と、この上側フレーム５２１と平行になった下側フレーム５２２と、両フレーム５２１、５２２を基板５１０に取り付けるための連結フレーム５２３とを有している。   The frame portion 520 is made of an insulating material, and includes an upper frame 521 that is parallel to the substrate 510, a lower frame 522 that is parallel to the upper frame 521, and both frames 521 and 522. And a connecting frame 523 for attaching to the substrate 510.

前記上側フレーム５２１及び下側フレーム５２２には、測定対象物である半導体素子６００の電極６１０の配置パターンに応じた開口５２１Ａ、５２２Ａがそれぞれ開設されている。そして、プローブ１００は、座屈部１３０を上側フレーム５２１と下側フレーム５２２との間に位置させた状態で、接触部１１０を下側フレーム５２２の開口５２２Ａに、接続部１２０を上側フレーム５２１の開口５２１Ａにそれぞれ挿通されている。当然、接続部１２０の先端は基板５１０の裏面に露出した配線パターンに電気的に接続されている。   In the upper frame 521 and the lower frame 522, openings 521A and 522A corresponding to the arrangement pattern of the electrodes 610 of the semiconductor element 600 which is a measurement object are opened. In the probe 100, with the buckling portion 130 positioned between the upper frame 521 and the lower frame 522, the contact portion 110 is in the opening 522 </ b> A of the lower frame 522, and the connection portion 120 is in the upper frame 521. The openings 521A are respectively inserted. Of course, the tip of the connecting portion 120 is electrically connected to the wiring pattern exposed on the back surface of the substrate 510.

さらに、このフレーム部５２０の上側フレーム５２１の上面には、絶縁性を有する合成樹脂からなる樹脂５３０が配置されている。この樹脂５３０は、各プローブ１００が相互に接触しないように支持するものであるとともに、オーバードライブが加えられた際に、基板５１０に加わる力を低減させるものである。   Further, on the upper surface of the upper frame 521 of the frame portion 520, a resin 530 made of an insulating synthetic resin is disposed. The resin 530 supports the probes 100 so that they do not contact each other, and reduces the force applied to the substrate 510 when overdrive is applied.

各プローブ１００は、図５に示すように、座屈部１３０の方向を一致させた状態でプローブカード５００に取り付けられる。オーバードライブ時には、プローブ１００に対して垂直方向の力が加わるので、プローブ１００の座屈部１３０は、横方向に向かって変形する。   As shown in FIG. 5, each probe 100 is attached to the probe card 500 in a state where the directions of the buckling portions 130 are matched. At the time of overdrive, a vertical force is applied to the probe 100, so that the buckling portion 130 of the probe 100 is deformed in the lateral direction.

しかし、プローブ１００の座屈部１３０は、従来のものと違って、接触部１１０や接続部１２０より細く形成されているので、変形したとしても座屈部１３０同士の接触に起因するショートが発生するおそれは格段に低くなっている。   However, unlike the conventional one, the buckling portion 130 of the probe 100 is formed to be narrower than the contact portion 110 or the connection portion 120, so that even if it is deformed, a short circuit due to the contact between the buckling portions 130 occurs. The risk of doing so is much lower.

本発明の実施の形態に係るプローブの概略的正面図である。It is a schematic front view of the probe which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るプローブの概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the probe which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るプローブの製造方法の各工程の概略的説明図である。It is a schematic explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the probe concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカードの概略的説明断面図である。It is a rough explanatory sectional view of a probe card using a probe concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカードの要部の概略的拡大断面図である。It is a schematic expanded sectional view of the principal part of the probe card using the probe concerning an embodiment of the invention. 従来のこの種のプローブを用いたプローブカードの要部の概略的拡大断面図である。It is a schematic expanded sectional view of the principal part of the conventional probe card using this kind of probe. 従来のこの種のプローブを用いたプローブカードにおけるプローブの間隔を示す概略的説明図である。It is a schematic explanatory drawing which shows the space | interval of the probe in the probe card using this kind of conventional probe.

符号の説明Explanation of symbols

１００ プローブ
１１０ 接触部
１２０ 接続部
１３０ 座屈部 100 Probe 110 Contact part 120 Connection part 130 Buckling part

Claims (6)

測定対象物の電極に接触する接触部と、プローブカードを構成する基板の配線パターンに接続される接続部と、前記接触部と接続部との間に設けられた座屈部とを具備しており、
細線にメッキが施されてなるプローブであって、第１のメッキ層の上に第２メッキ層が施された前記前記接触部及び接続部には、前記第１メッキ層が施された前記屈曲部よりもメッキが厚く施されていて、
前記座屈部が、前記接触部及び接続部より細く形成され、
前記第１のメッキ層と前記第２メッキ層とが同じメッキ材料からなることを特徴とするプローブ。 A contact portion that comes into contact with the electrode of the object to be measured; a connection portion that is connected to the wiring pattern of the substrate that constitutes the probe card; and a buckling portion that is provided between the contact portion and the connection portion. And
A probe in which a thin wire is plated, wherein the bent portion in which the first plating layer is applied to the contact portion and the connection portion in which the second plating layer is applied on the first plating layer The plating is thicker than the part,
The buckling portion is formed narrower than the contact portion and the connecting portion;
The probe characterized in that the first plating layer and the second plating layer are made of the same plating material . 測定対象物の電極に接触する接触部と、
プローブカードを構成する基板の配線パターンに接続される接続部と、
前記接触部と接続部との間に設けられており且つ接触部及び接続部より細い座屈部とを具備するプローブにおいて、
白金族の合金からなる細線と、
この細線に施された第１のメッキ層と、
この第１のメッキ層の上であって、前記接触部及び接続部に相当する部分に施された第２のメッキ層とを有しており、
前記第１及び第２のメッキ層は、ニッケル又はニッケル合金からなることを特徴とするプローブ。 A contact portion that contacts the electrode of the measurement object;
A connection part connected to the wiring pattern of the board constituting the probe card;
In the probe provided between the contact part and the connection part and comprising a buckling part thinner than the contact part and the connection part,
Fine wires made of platinum group alloys;
A first plating layer applied to the fine wire;
A second plating layer on the first plating layer and applied to a portion corresponding to the contact portion and the connection portion;
The probe according to claim 1, wherein the first and second plating layers are made of nickel or a nickel alloy. 前記第１のメッキ層は、前記第２のメッキ層より薄く形成されていることを特徴とする請求項２記載のプローブ。   The probe according to claim 2, wherein the first plating layer is formed thinner than the second plating layer. 前記第１のメッキ層の厚さは２〜１０μｍ、第２のメッキ層の厚さは１０〜２０μｍであることを特徴とする請求項２又は３記載のプローブ。   The probe according to claim 2 or 3, wherein the thickness of the first plating layer is 2 to 10 µm, and the thickness of the second plating layer is 10 to 20 µm. 前記細線は、直径が１５〜３０μｍであることを特徴とする請求項２、３又は４記載のプローブ。   The probe according to claim 2, 3 or 4, wherein the thin wire has a diameter of 15 to 30 µm. 配線パターンを有する基板と、A substrate having a wiring pattern;
この基板の裏面に設けられた絶縁性を有するフレーム部と、  An insulating frame provided on the back surface of the substrate;
請求項１又は２記載のプローブとを備えており、  A probe according to claim 1 or 2,
前記フレーム部は、開口が各々設けられた上側及び下側フレームを有しており、  The frame part has an upper frame and a lower frame each provided with an opening,
前記プローブの接触部は、下側フレームの開口に挿通され、該開口から下端部が下方に突出しており、  The contact portion of the probe is inserted through the opening of the lower frame, and the lower end protrudes downward from the opening,
前記プローブの接続部は、上側フレームの開口に挿通され、該開口から上端部が上方に突出して前記基板の配線パターンに接続されているプローブカード。  A probe card in which the connecting portion of the probe is inserted into the opening of the upper frame, and the upper end portion protrudes upward from the opening and is connected to the wiring pattern of the substrate.
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