JP2017096722A - Contact probe - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact probe that prevents an end of a columnar terminal from being damaged, has a small stylus pressure and a large overdrive margin, can realize stable contact, and is suitable for miniaturization.SOLUTION: The contact probe includes: an insulating supporting base plate, having a main surface with a recess and a back surface; an insulating and flexible thin film layer, of which one surface is tightly attached to the main surface of the supporting base plate to cover the recess; and a contact electrode on the other surface of the flexible thin film layer, the contact electrode being projected from the edge of the recess to the center and being exposed in a region corresponding to the center region of the recess of the flexible thin film layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、コンタクトプローブに関するものである。   The present invention relates to a contact probe.

半導体検査に用いられるプローブカードは、検査対象となる半導体基板上のＩＣチップの端子の狭ピッチ化に伴い、プローブカードに配置するプローブの狭ピッチ化が求められている。このような狭ピッチ化に対応するものとして、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）技術により薄膜上に形成されたプローブ（特許文献１参照）が提案されている。   A probe card used for semiconductor inspection is required to have a narrow pitch of probes arranged on the probe card in accordance with a narrow pitch of terminals of an IC chip on a semiconductor substrate to be inspected. As a measure corresponding to such a narrow pitch, a probe (see Patent Document 1) formed on a thin film by a MEMS (micro electro mechanical system) technique has been proposed.

半導体検査の際にプローブはＩＣチップの端子に接触し、電気測定が行われる。プローブが接触するＩＣチップの端子の一形態として円柱状のもの、例えば円柱状のＣｕの先端に半球状のはんだ層が形成されたものがあり、このような立体的な端子との接触に適した、スパイラル形状のコンタクタ（特許文献２参照）が開示されている。   During the semiconductor inspection, the probe contacts the terminal of the IC chip, and electrical measurement is performed. One form of IC chip terminal with which the probe comes into contact is a cylindrical one, for example, one in which a hemispherical solder layer is formed on the tip of a cylindrical Cu, and is suitable for contact with such a three-dimensional terminal. In addition, a spiral contactor (see Patent Document 2) is disclosed.

特開平７−１１３８４２号公報JP-A-7-113842 特開２００２−１７５８５９号公報JP 2002-175859 A

上述のような円柱状のＩＣチップの端子にプローブが接触する際に、先端のはんだ層の表面に凹みなどの傷が付くと、ＩＣチップを基板に実装するためのはんだ層溶融時に気泡が発生して実装不良の原因となるという問題がある。この問題に対し、端子の先端部を押圧する特許文献１に記載のプローブ、あるいは、先端部を含めた端子の先端部を抱き込むように押圧する特許文献２に記載のプローブ（コンタクタ）は、端子の先端部を損傷してしまう虞がある。また、特許文献２に記載のプローブ（コンタクタ）は、構造が複雑なスパイラル形状を用いていることにより、微細化が進むにつれて形成が困難になるという別の問題が生じる。   When the probe contacts the terminal of the cylindrical IC chip as described above, if the surface of the solder layer at the tip is damaged, such as a dent, bubbles are generated when the solder layer for mounting the IC chip on the substrate is melted. As a result, there is a problem that it causes mounting failure. For this problem, the probe described in Patent Document 1 that presses the tip of the terminal, or the probe (Contactor) described in Patent Document 2 that presses so as to embrace the tip of the terminal including the tip, There is a risk of damage to the tip of the terminal. Further, the probe (contactor) described in Patent Document 2 uses another spiral shape with a complicated structure, which causes another problem that it becomes difficult to form as the miniaturization progresses.

そして、プローブの狭ピッチ化に伴ってプローブの数が増加し、その結果、プローブカードによる検査時のＩＣチップの端子に作用する荷重が増大するという問題が生じており、プローブには、低針圧でオーバードライブマージンが大きく、安定的な接触が求められている。   As the pitch of the probes is reduced, the number of probes increases. As a result, there is a problem that the load acting on the terminals of the IC chip at the time of inspection by the probe card increases. The overdrive margin is large due to pressure, and stable contact is required.

本発明はこのような従来の問題を解決し、柱状の端子の先端の損傷を防止し、低針圧でオーバードライブマージンが大きく、安定的な接触を実現する、微細化に適したコンタクトプローブを提供することを目的とする。   The present invention provides a contact probe suitable for miniaturization that solves such a conventional problem, prevents damage to the tip of a columnar terminal, realizes stable contact with a low needle pressure and a large overdrive margin. The purpose is to provide.

本発明のコンタクトプローブは、凹部が設けられた主面、および、裏面を有し、絶縁性を有する板状の支持基板と、前記支持基板の前記主面に一方の面が固着されて前記凹部を覆う、絶縁性および可撓性を有する可撓性薄膜層と、前記可撓性薄膜層の他方の面に設けられたコンタクト電極と、を備え、前記コンタクト電極は、前記凹部の周縁から中心に向かって突出するとともに、前記可撓性薄膜層における前記凹部の中心領域に相当する箇所は露出するように形成されていることを特徴とする。   The contact probe of the present invention includes a plate-like support substrate having a main surface provided with a recess and a back surface and having an insulating property, and one surface fixed to the main surface of the support substrate. A flexible thin film layer having insulation and flexibility, and a contact electrode provided on the other surface of the flexible thin film layer, wherein the contact electrode is centered from the periphery of the recess. And a portion corresponding to the central region of the recess in the flexible thin film layer is exposed.

そして、前記支持基板は、前記主面と前記裏面とを接続し、且つ前記コンタクト電極と電気的に接続された導電部材を備える。   The support substrate includes a conductive member that connects the main surface and the back surface and is electrically connected to the contact electrode.

前記凹部は、前記支持基板の前記主面から前記裏面へと貫通する貫通孔であり、前記導電部材は前記貫通孔の内面に形成された導電膜である。   The recess is a through hole penetrating from the main surface of the support substrate to the back surface, and the conductive member is a conductive film formed on the inner surface of the through hole.

前記支持基板の前記裏面に結合され、前記支持基板の前記導電部材と電気的に接続された貫通電極を有するベース基板を更に備える。   And a base substrate having a through electrode coupled to the back surface of the support substrate and electrically connected to the conductive member of the support substrate.

前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記コンタクト電極と異なる材質で形成された接触部を備える。   The contact electrode includes a contact portion formed of a material different from that of the contact electrode at a portion protruding toward the center of the recess.

前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記可撓性薄膜層から離れる方向に突出した接触部を備える。   The contact electrode includes a contact portion protruding in a direction away from the flexible thin film layer at a location protruding toward the center of the recess.

前記可撓性薄膜層の厚さが、５．０〜１０．０μｍであり、前記コンタクト電極の厚さが、０．１〜５．０μｍである。   The flexible thin film layer has a thickness of 5.0 to 10.0 μm, and the contact electrode has a thickness of 0.1 to 5.0 μm.

本発明のコンタクトプローブは、凹部が設けられた主面、および、裏面を有し、絶縁性を有する板状の支持基板と、前記支持基板の前記主面に一方の面が固着されて前記凹部を覆う、絶縁性および可撓性を有する可撓性薄膜層と、前記可撓性薄膜層の他方の面に設けられたコンタクト電極と、を備え、前記コンタクト電極は、前記凹部の周縁から中心に向かって突出するとともに、前記可撓性薄膜層における前記凹部の中心領域に相当する箇所は露出するように形成されていることにより、検査対象物である柱状の端子の先端の損傷を防止し、また、低針圧でオーバードライブマージンが大きくなり、安定的な接触が可能となる。   The contact probe of the present invention includes a plate-like support substrate having a main surface provided with a recess and a back surface and having an insulating property, and one surface fixed to the main surface of the support substrate. A flexible thin film layer having insulation and flexibility, and a contact electrode provided on the other surface of the flexible thin film layer, wherein the contact electrode is centered from the periphery of the recess. And a portion corresponding to the central region of the recess in the flexible thin film layer is exposed so as to prevent damage to the tip of the columnar terminal that is the inspection object. In addition, the overdrive margin is increased at a low needle pressure, and stable contact is possible.

前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記コンタクト電極とは異なる材質の接触部が形成されている、あるいは、前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記可撓性薄膜層から離れる方向に突出した接触部を備えることにより、検査対象物に対するスクラブを十分に行うことで、安定的な接触が可能となる。   The contact electrode is formed with a contact portion made of a material different from the contact electrode at a location protruding toward the center of the recess, or the contact electrode is projected toward the center of the recess. Further, by providing the contact portion protruding in the direction away from the flexible thin film layer, stable contact is possible by sufficiently scrubbing the inspection object.

前記可撓性薄膜層の厚さが、５．０〜１０．０μｍであり、前記コンタクト電極の厚さが、０．１〜５．０μｍであることにより、前記可撓性薄膜層および前記コンタクト電極が検査対象物によってスムーズに変形することから、直径が５０μｍ以下の微細な検査対象物の検査に適応可能となる。   When the thickness of the flexible thin film layer is 5.0 to 10.0 μm and the thickness of the contact electrode is 0.1 to 5.0 μm, the flexible thin film layer and the contact Since the electrode is smoothly deformed by the inspection object, it can be applied to inspection of a fine inspection object having a diameter of 50 μm or less.

第１の実施形態のコンタクトプローブの断面図である。It is sectional drawing of the contact probe of 1st Embodiment. 第１の実施形態のコンタクトプローブの底面図である。It is a bottom view of the contact probe of the first embodiment. （ａ）は、コンタクトプローブがＩＣチップ端子と接触する前の断面図であり、（ｂ）はプローブがＩＣチップ端子と接触した状態の断面図である。(A) is sectional drawing before a contact probe contacts an IC chip terminal, (b) is sectional drawing of the state which the probe contacted the IC chip terminal. 第２の実施形態のコンタクトプローブの断面図である。It is sectional drawing of the contact probe of 2nd Embodiment. 第２の実施形態のコンタクトプローブの底面図である。It is a bottom view of the contact probe of 2nd Embodiment. （ａ）は第２の実施形態のコンタクトプローブのコンタクト電極の屈曲部を示す拡大平面図であり、（ｂ）は比較のためのコンタクト電極の屈曲部を示す拡大平面図である。(A) is an enlarged plan view showing the bent part of the contact electrode of the contact probe of the second embodiment, and (b) is an enlarged plan view showing the bent part of the contact electrode for comparison. 第３の実施形態のコンタクトプローブの断面図である。It is sectional drawing of the contact probe of 3rd Embodiment. 第３の実施形態のコンタクトプローブの底面図である。It is a bottom view of the contact probe of 3rd Embodiment. 第４の実施形態のコンタクトプローブの断面図である。It is sectional drawing of the contact probe of 4th Embodiment. 第４の実施形態のコンタクトプローブの底面図である。It is a bottom view of the contact probe of a 4th embodiment. 片持ち梁の厚さが５０μｍの場合の応力シミュレーションを示す図である。It is a figure which shows the stress simulation in case the thickness of a cantilever is 50 micrometers. 片持ち梁の厚さが５μｍの場合の応力シミュレーションを示す図である。It is a figure which shows the stress simulation in case the thickness of a cantilever is 5 micrometers.

本発明のコンタクトプローブについて図面を用いて説明する。本明細書では、便宜上、プローブカードを上方に、検査対象物を下方に配置した場合について説明するが、本発明のコンタクトプローブの使用時における姿勢を限定するものではない。まず初めに、第１の実施形態のコンタクトプローブ１について説明する。図１に示すのがコンタクトプローブ１の断面図であり、図２に示すのがコンタクトプローブ１の底面図である。   The contact probe of the present invention will be described with reference to the drawings. In this specification, for the sake of convenience, the case where the probe card is arranged on the upper side and the inspection object is arranged on the lower side will be described. However, the posture of the contact probe of the present invention is not limited. First, the contact probe 1 of the first embodiment will be described. FIG. 1 is a sectional view of the contact probe 1, and FIG. 2 is a bottom view of the contact probe 1.

図１，２に示すように、本発明のコンタクトプローブ１は、貫通電極５が形成されたベース基板２、前記ベース基板２の下面に積層され、円柱形状の複数の凹部６が所定の間隔で形成された支持基板３、前記支持基板３の下面に積層されて前記凹部６を略平面で覆う可撓性薄膜層４、および、前記可撓性薄膜層４の下面に積層されたコンタクト電極８から構成される。前記ベース基板２、前記支持基板３および前記可撓性薄膜層４は上から順に積層されており、底面となる前記可撓性薄膜層４の下面に前記コンタクト電極８が形成されている。前記凹部６は、前記支持基板３を垂直に貫通する貫通孔として形成されており、前記貫通孔の内部に検査対象物である円柱形状のＩＣチップの端子が挿入されるため、前記ＩＣチップの端子よりも大きい径を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, a contact probe 1 according to the present invention is laminated on a base substrate 2 on which a through electrode 5 is formed and a lower surface of the base substrate 2, and a plurality of cylindrical recesses 6 are formed at predetermined intervals. The formed support substrate 3, the flexible thin film layer 4 laminated on the lower surface of the support substrate 3 and covering the concave portion 6 with a substantially flat surface, and the contact electrode 8 laminated on the lower surface of the flexible thin film layer 4 Consists of The base substrate 2, the support substrate 3, and the flexible thin film layer 4 are laminated in order from the top, and the contact electrode 8 is formed on the lower surface of the flexible thin film layer 4 serving as a bottom surface. The recess 6 is formed as a through-hole penetrating the support substrate 3 vertically, and a terminal of a cylindrical IC chip as an inspection object is inserted into the through-hole. It has a larger diameter than the terminal.

前記可撓性薄膜層４が備える可撓性とは、前記貫通孔の内部に前記ＩＣチップの端子を挿入する外力に応じて変形可能であるとともに、前記外力が取り除かれた後に、元の状態へと復元できる弾性を意味している。そして、前記コンタクト電極８は、前記可撓性薄膜層４の変形および復元に追従可能な柔軟性を有している。これにより、前記外力に対する応力の大部分は、前記可撓性薄膜層４によって生じることになる。   The flexibility of the flexible thin film layer 4 means that it can be deformed according to an external force that inserts the terminal of the IC chip into the through-hole, and the original state after the external force is removed. It means elasticity that can be restored. The contact electrode 8 is flexible enough to follow the deformation and restoration of the flexible thin film layer 4. Thereby, most of the stress with respect to the external force is generated by the flexible thin film layer 4.

前記コンタクトプローブ１は、さらに前記支持基板３に、前記コンタクト電極８と前記貫通電極５とを接続する導電部材７が形成されている。本実施形態では、前記導電部材７は、前記貫通電極５と同一直線上に、かつ、前記凹部６と隣接して所定の間隔をあけて前記支持基板３および前記可撓性薄膜層４を貫通するように形成された貫通電極である。前記貫通電極５は前記ベース基板２を貫通するように形成されており、前記貫通電極５と前記導電部材７とが同一直線上に配置され互いに接続されていることで、前記ベース基板２の表面から前記コンタクト電極８への電気的接続が確保される。   In the contact probe 1, a conductive member 7 that connects the contact electrode 8 and the through electrode 5 is formed on the support substrate 3. In this embodiment, the conductive member 7 penetrates the support substrate 3 and the flexible thin film layer 4 on the same straight line as the through electrode 5 and at a predetermined interval adjacent to the recess 6. It is the penetration electrode formed so that it may do. The through electrode 5 is formed so as to penetrate the base substrate 2, and the through electrode 5 and the conductive member 7 are arranged on the same straight line and connected to each other, so that the surface of the base substrate 2 is formed. To the contact electrode 8 is ensured.

前記コンタクトプローブ１は、さらに前記コンタクト電極８に、検査対象物と接触する接触部９が別部材で形成されている。前記コンタクト電極８は、図２に示すように、前記可撓性薄膜層４の下面において、前記凹部６の周縁を取り囲む部分８１および前記導電部材７と接続される部分８２を接続した形状を有しており、さらに、前記凹部６の周縁を取り囲む部分８１は、前記凹部６の周縁から前記凹部６の中心に向かって突出する４つの三角形状を有している。前記可撓性薄膜層４において、前記凹部６の下方にあって、前記コンタクト電極８が形成されていない箇所が、前記コンタクト電極８の開口１０となる。そして、前記可撓性薄膜層４の前記４つの三角形状の先端に、主に検査対象物と接触する前記接触部９が、前記可撓性薄膜層４から離れる方向に突出するように形成されている。   In the contact probe 1, a contact portion 9 that is in contact with an inspection object is formed on the contact electrode 8 as a separate member. As shown in FIG. 2, the contact electrode 8 has a shape in which a lower surface of the flexible thin film layer 4 is connected to a portion 81 surrounding the periphery of the recess 6 and a portion 82 connected to the conductive member 7. Furthermore, a portion 81 surrounding the periphery of the recess 6 has four triangular shapes protruding from the periphery of the recess 6 toward the center of the recess 6. In the flexible thin film layer 4, a portion below the recess 6 where the contact electrode 8 is not formed becomes an opening 10 of the contact electrode 8. Then, the contact portions 9 that mainly come into contact with the inspection object are formed at the four triangular tips of the flexible thin film layer 4 so as to protrude in a direction away from the flexible thin film layer 4. ing.

前記コンタクト電極８は、必要とされる導電性を確保しつつ、前記可撓性薄膜層４の変形を妨げない程度の応力しか有しないように前記可撓性薄膜層４の下面に形成されており、検査時に前記可撓性薄膜層４の前記凹部６の下方に位置する部分が検査対象物によって上方に押されて変形した時に、前記コンタクト電極８および前記可撓性薄膜層４が共に前記凹部６内へと移動するように変形する。この際に、前記可撓性薄膜層４は、前記コンタクト電極８に前記開口１０が形成されていることで延伸を妨げられず、前記コンタクト電極８の内の前記４つの三角形状の箇所および前記接触部９とともに前記凹部６内へと移動するように変形する。この時、前記検査対象物によって生じる応力は、前記コンタクト電極８の方が前記可撓性薄膜層４よりも小さくなるように構成されていることから、前記コンタクト電極８は前記検査対象物と前記可撓性薄膜層４との前記凹部６内への移動を実質的に妨げない。   The contact electrode 8 is formed on the lower surface of the flexible thin film layer 4 so as to have a necessary degree of stress while preventing the deformation of the flexible thin film layer 4 while ensuring the required conductivity. When the portion of the flexible thin film layer 4 located below the concave portion 6 is pushed upward and deformed by an inspection object during inspection, both the contact electrode 8 and the flexible thin film layer 4 are It is deformed so as to move into the recess 6. At this time, the flexible thin film layer 4 is not hindered by the formation of the opening 10 in the contact electrode 8, and the four triangular portions of the contact electrode 8 and the It deform | transforms so that it may move in the said recessed part 6 with the contact part 9. FIG. At this time, since the stress generated by the inspection object is configured so that the contact electrode 8 is smaller than the flexible thin film layer 4, the contact electrode 8 has the inspection object and the stress. The movement of the flexible thin film layer 4 into the concave portion 6 is not substantially hindered.

外力によって変形する前記コンタクト電極８に生じる応力について、図１１，１２に示すように片持ち梁のモデルを用いて、前記コンタクト電極８の厚み（前記可撓性薄膜層４の下面から検査対象物に向かう方向）と前記コンタクト電極８に生じる最大応力との関係についてシミュレーションした。図１１に示すのは、前記コンタクト電極８のモデルとして、長さ５００μｍ、幅５０μｍ、厚み５０μｍであり材質をＮｉＣｏとした片持ち梁の先端を、５０μｍ押下げた時の応力を測定したものであり、図１２に示すのは、前記コンタクト電極８のモデルとして、長さ５００μｍ、幅５０μｍ、厚み５μｍであり材質をＮｉＣｏとした片持ち梁の先端を、５０μｍ押下げた時の応力をシミュレーションによって求めたものである。図１２は、図１１のモデルの厚みだけを変更したものであり、厚みは、図１１のモデルの１／１０の厚みとなっている。図１１の厚み５０μｍの場合の前記コンタクト電極８は、最大応力が３，０７６ＭＰａであるのに対し、図１２の厚み５μｍの場合の前記コンタクト電極８は、最大応力が２４３ＭＰａと大幅に減少している。   As for the stress generated in the contact electrode 8 deformed by an external force, the thickness of the contact electrode 8 (the object to be inspected from the lower surface of the flexible thin film layer 4 is measured using a cantilever model as shown in FIGS. And the maximum stress generated in the contact electrode 8 was simulated. FIG. 11 shows, as a model of the contact electrode 8, a stress measured when the tip of a cantilever having a length of 500 μm, a width of 50 μm, and a thickness of 50 μm and made of NiCo is pressed down by 50 μm. FIG. 12 shows a simulation of the stress when a tip of a cantilever having a length of 500 μm, a width of 50 μm and a thickness of 5 μm and made of NiCo is pushed down by 50 μm as a model of the contact electrode 8. It is what I have sought. FIG. 12 is obtained by changing only the thickness of the model of FIG. 11, and the thickness is 1/10 of the model of FIG. The maximum stress of the contact electrode 8 in the case of the thickness of 50 μm in FIG. 11 is 3,076 MPa, whereas the maximum stress of the contact electrode 8 in the case of the thickness of 5 μm in FIG. Yes.

本発明のコンタクトプローブ１において、前記検査対象物によって生じる応力は、前記可撓性薄膜層４よりも前記コンタクト電極８を小さくすることが好ましい。前記コンタクト電極８の応力を小さくするためには、厚みを薄くすること、特に、最大応力が生じる箇所の厚みを最低限の強度を確保できる範囲で薄くすることが必要となる。   In the contact probe 1 according to the present invention, it is preferable that the stress generated by the inspection object is smaller in the contact electrode 8 than in the flexible thin film layer 4. In order to reduce the stress of the contact electrode 8, it is necessary to reduce the thickness, in particular, to reduce the thickness of the portion where the maximum stress occurs within a range that can ensure the minimum strength.

前記検査対象物を直径３０μｍの柱状とし、前記凹部６の直径を５０μｍとした場合、前記可撓性薄膜層４の厚みを１０μｍとし、前記コンタクト電極８の厚みを１μｍとすることにより、検査時に前記検査対象物が前記凹部６内にスムーズに移動することができるとともに、前記検査対象物と前記コンタクト電極８との電気的接続が確保される。この場合、前記コンタクト電極８は、少なくとも図３（ｂ）において湾曲している部分の厚みを１μｍとすれば、必要とされる柔軟性は確保されることから、前記コンタクト電極８のその他の部分の厚みは、１μｍ以上とすることも可能である。また、前記検査対象物と前記コンタクト電極８との電気的接続をより確実なものとするためには、前記コンタクト電極８に前記接触部９を設けることも可能である。   When the inspection object is a column having a diameter of 30 μm and the diameter of the recess 6 is 50 μm, the thickness of the flexible thin film layer 4 is 10 μm and the thickness of the contact electrode 8 is 1 μm. The inspection object can move smoothly into the recess 6 and electrical connection between the inspection object and the contact electrode 8 is ensured. In this case, since the required flexibility is ensured if the thickness of the curved portion of the contact electrode 8 is at least 1 μm in FIG. 3B, the other portions of the contact electrode 8 are secured. The thickness of can be 1 μm or more. Further, the contact portion 9 can be provided on the contact electrode 8 in order to make the electrical connection between the inspection object and the contact electrode 8 more reliable.

前記ベース基板２および前記支持基板３の材質は、例えば、ポリマーまたはセラミックといった、絶縁性を有し加工に適した材料を用いる。前記貫通電極５および導電部材７の貫通電極の材質は、基板などに用いられる一般的な導電性材質であればよく、両者を同じ材質または異なる材質とすることができる。変形し易さが求められる前記可撓性薄膜層４の材質としては、絶縁性を有し伸び率の大きいポリマーまたはエラストマーが好ましい。   The base substrate 2 and the support substrate 3 are made of an insulating material suitable for processing, such as polymer or ceramic. The material of the through electrode 5 and the through electrode of the conductive member 7 may be a general conductive material used for a substrate or the like, and both may be the same material or different materials. The material of the flexible thin film layer 4 that is required to be easily deformed is preferably a polymer or an elastomer having an insulating property and a high elongation rate.

前記コンタクト電極８の材質は、コンタクト性および靭性の大きな材質が好ましい。前記コンタクト電極８は、検査時に検査対象物である銅ポストと接触し、その表面の銅酸化膜を削って導電性を有する面を露出させることが可能な高硬度の材質が好ましい。しかしながら、高硬度材料は靭性が低いことから、本実施形態のように前記コンタクト電極８に別部材として前記接触部９を設けた場合には、前記コンタクト電極８と前記接触部９とを互いに異なる材質とすることで対応する。   The material of the contact electrode 8 is preferably a material having high contactability and toughness. The contact electrode 8 is preferably made of a high-hardness material that can contact a copper post that is an object to be inspected at the time of inspection and scrape the surface of the copper oxide film to expose a conductive surface. However, since the high hardness material has low toughness, when the contact portion 9 is provided as a separate member on the contact electrode 8 as in this embodiment, the contact electrode 8 and the contact portion 9 are different from each other. Corresponding to the material.

この時、屈曲の大きい前記コンタクト電極８に高靭性材料を用い、検査対象物と接触する前記接触部９には、前記コンタクト電極８よりも硬度が高く、酸化しにくい金属層で形成する。以上のことから、前記コンタクト電極８の材質としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの鉄族元素、および、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕの銅族元素、そして、これらの元素の合金を用いることができる。前記接触部９の材質としては、Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの白金族元素、および、前記白金族元素を含む合金を用いることができる。   At this time, a high-tough material is used for the contact electrode 8 having a large bend, and the contact portion 9 that is in contact with the object to be inspected is formed of a metal layer that is harder than the contact electrode 8 and hardly oxidizes. From the above, as the material of the contact electrode 8, iron group elements such as Fe, Co, and Ni, copper group elements such as Cu, Ag, and Au, and alloys of these elements can be used. As the material of the contact portion 9, a platinum group element such as Re, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, and Pt, and an alloy containing the platinum group element can be used.

本実施形態では、前記コンタクト電極８に前記接触部９を別部材で設けた場合について説明したが、前記接触部９を別部材としないで、前記コンタクト電極８の一部を接触部とすることも可能であり、また、前記コンタクト電極８の一部を前記可撓性薄膜層４から離れる方向に突出するように形成することとも可能である。   In the present embodiment, the case where the contact portion 9 is provided as a separate member on the contact electrode 8 has been described. However, a part of the contact electrode 8 is used as a contact portion without using the contact portion 9 as a separate member. It is also possible to form part of the contact electrode 8 so as to protrude in a direction away from the flexible thin film layer 4.

次に、本発明のコンタクトプローブ１の検査時の動作について、図３を用いて説明する。図３には、プローブカードの基板２００にはんだ２０１を用いて前記コンタクトプローブ１が固定された状態の断面図が示されている。そして、検査対象となるＩＣチップ端子１０１がウエハ１００上に配置されている状態の断面図を示している。   Next, the operation | movement at the time of the test | inspection of the contact probe 1 of this invention is demonstrated using FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the contact probe 1 is fixed to the substrate 200 of the probe card using the solder 201. Then, a cross-sectional view in a state where the IC chip terminal 101 to be inspected is arranged on the wafer 100 is shown.

図３（ａ）に示すように、前記コンタクトプローブ１の凹部６が前記ＩＣチップ端子１０１の上方に位置するようにプローブカードの位置合わせを行う。その後、図３（ｂ）の状態に向けて、前記ウエハ１００を上方に移動させてオーバードライブを行い、前記ＩＣチップ端子１０１は前記可撓性薄膜層４および前記接触部９とともに、前記コンタクトプローブ１の凹部６内へ押し上げられる。この時、前記ＩＣチップ端子１０１の先端部分は、まず前記接触部９および前記コンタクト電極８の一部と接触した後、前記可撓性薄膜層４、前記接触部９および前記コンタクト電極８を前記凹部６内へと押し上げて変形させる。この時、前記可撓性薄膜層４は、一定の応力を生じながら前記ＩＣチップ端子１０１の移動を妨げないように弾性変形し、前記コンタクト電極８は前記可撓性薄膜層４の弾性変形に追従して撓むことになる。   As shown in FIG. 3A, the probe card is aligned so that the concave portion 6 of the contact probe 1 is positioned above the IC chip terminal 101. Thereafter, overdrive is performed by moving the wafer 100 upward toward the state of FIG. 3B, and the IC chip terminal 101 together with the flexible thin film layer 4 and the contact portion 9 is used as the contact probe. 1 is pushed up into the recess 6. At this time, the tip portion of the IC chip terminal 101 is first brought into contact with the contact portion 9 and a part of the contact electrode 8, and then the flexible thin film layer 4, the contact portion 9 and the contact electrode 8 are connected to the contact portion 9. It is pushed up into the recess 6 and deformed. At this time, the flexible thin film layer 4 is elastically deformed so as not to disturb the movement of the IC chip terminal 101 while generating a certain stress, and the contact electrode 8 is elastically deformed of the flexible thin film layer 4. It will follow and bend.

すると、図３（ｂ）に示すように、前記ＩＣチップ端子１０１の一部が、前記接触部９および前記可撓性薄膜層４とともに前記凹部６内へと挿入され、前記コンタクトプローブ１は、前記コンタクト電極８の４つの前記接触部９が主に前記ＩＣチップ端子１０１の外側面と接触した状態となる。これにより、前記コンタクトプローブ１は前記ＩＣチップ端子１０１と電気的に接続され検査可能な状態となる。   Then, as shown in FIG. 3B, a part of the IC chip terminal 101 is inserted into the recess 6 together with the contact portion 9 and the flexible thin film layer 4, and the contact probe 1 is The four contact portions 9 of the contact electrode 8 are mainly in contact with the outer surface of the IC chip terminal 101. As a result, the contact probe 1 is electrically connected to the IC chip terminal 101 and is ready for inspection.

図３（ａ）の状態から図３（ｂ）の状態となる間に、前記接触部９が前記ＩＣチップ端子１０１の側面と接触した状態で前記ＩＣチップ端子１０１は上方に移動し、前記ＩＣチップ端子１０１は側面の表面にある酸化膜が削られて導電性を有する面が露出され、前記接触部９と接触することから、スクラブが十分に機能して安定した電気的接触が確保される。その後、前記ＩＣチップ端子１０１が前記可撓性薄膜層４および前記コンタクト電極８を押し上げない状態へ移行すると、前記可撓性薄膜層４はその弾性力によって前記コンタクト電極８とともに図３（ｂ）の状態から図３（ａ）の状態へと復元する。   While the contact portion 9 is in contact with the side surface of the IC chip terminal 101 during the transition from the state of FIG. 3A to the state of FIG. 3B, the IC chip terminal 101 moves upward, and the IC The chip terminal 101 has a conductive surface exposed by scraping the oxide film on the side surface and is in contact with the contact portion 9, so that the scrub functions sufficiently to ensure stable electrical contact. . Thereafter, when the IC chip terminal 101 shifts to a state in which the flexible thin film layer 4 and the contact electrode 8 are not pushed up, the flexible thin film layer 4 is brought together with the contact electrode 8 by its elastic force as shown in FIG. The state is restored to the state shown in FIG.

また、前記ＩＣチップ端子１０１の先端部分は、図３（ｂ）に示すように、弾性変形し易い前記可撓性薄膜層４と接触し保護された状態となることから、さらなるオーバードライブが生じたとしても損傷する可能性が低くなる。このように、本発明のコンタクトプローブ１は、検査時の前記ＩＣチップ端子１０１の損傷を低減し、低針圧で安定したコンタクトが実現でき、この時のスクラブも十分に機能することができる。   Further, as shown in FIG. 3B, the tip portion of the IC chip terminal 101 comes into contact with and is protected by the flexible thin film layer 4 that is easily elastically deformed, so that further overdrive occurs. If so, the chance of damage is reduced. As described above, the contact probe 1 of the present invention can reduce the damage of the IC chip terminal 101 at the time of inspection, can realize a stable contact with a low needle pressure, and can sufficiently function the scrub at this time.

また、本発明のコンタクトプローブ１を繰り返し使用した場合、前記コンタクトプローブ１の前記可撓性薄膜層４および前記コンタクト電極８は変形を繰り返すことになるが、前記可撓性薄膜層４の表面に実質的には無視できる程度の応力しか有していない前記コンタクト電極８が形成されていることで、変形時の応力は主に前記可撓性薄膜層４が負担することになり、前記コンタクト電極８が損傷する可能性を低減し、前記コンタクトプローブ１の耐久性を向上させることができる。   Further, when the contact probe 1 of the present invention is repeatedly used, the flexible thin film layer 4 and the contact electrode 8 of the contact probe 1 are repeatedly deformed. Since the contact electrode 8 having substantially negligible stress is formed, the flexible thin film layer 4 mainly bears the stress at the time of deformation. The possibility of damaging 8 can be reduced, and the durability of the contact probe 1 can be improved.

前記ベース基板２と前記支持基板３とは別の基板を積層する形態を用いて説明したが、前記ベース基板２と前記支持基板３を一体の１つの基板とすることも可能である。また、前記ベース基板２の表面に前記貫通電極５の位置に電極パッドを設けることも可能である。前記コンタクト電極８の形状については、様々な形状が可能であり、以下に別の形態を用いて説明する。   The base substrate 2 and the support substrate 3 have been described as being stacked on each other. However, the base substrate 2 and the support substrate 3 may be integrated into one substrate. In addition, an electrode pad can be provided on the surface of the base substrate 2 at the position of the through electrode 5. The contact electrode 8 can have various shapes, and will be described below using other forms.

次に、第２の実施形態のコンタクトプローブ１１について図を用いて説明する。図４に示すのがコンタクトプローブ１１の断面図であり、図５に示すのがコンタクトプローブ１１の底面図である。第２の実施形態のコンタクトプローブ１１は、第１の実施形態のコンタクトプローブ１のコンタクト電極８および接触部９の形状を変更した形態である。   Next, the contact probe 11 of the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a cross-sectional view of the contact probe 11, and FIG. 5 is a bottom view of the contact probe 11. The contact probe 11 of the second embodiment has a form in which the shapes of the contact electrode 8 and the contact portion 9 of the contact probe 1 of the first embodiment are changed.

図４，５に示すように、本実施形態のコンタクトプローブ１１は、貫通電極１５が形成されたベース基板１２、円柱形状の凹部１６が貫通孔として形成された支持基板１３、可撓性薄膜層１４、および、前記可撓性薄膜層１４の下面に設けられたコンタクト電極１８から構成される。前記ベース基板１２、前記支持基板１３、前記可撓性薄膜層１４、前記貫通電極１５、前記凹部１６、および、前記支持基板１３に形成された導電部材１７については、第１の実施形態のコンタクトプローブ１における各部材と同じ構造を用いていることから詳細な説明は省略する。   As shown in FIGS. 4 and 5, the contact probe 11 of this embodiment includes a base substrate 12 on which a through electrode 15 is formed, a support substrate 13 on which a cylindrical recess 16 is formed as a through hole, and a flexible thin film layer. 14 and a contact electrode 18 provided on the lower surface of the flexible thin film layer 14. For the base substrate 12, the support substrate 13, the flexible thin film layer 14, the through electrode 15, the recess 16, and the conductive member 17 formed on the support substrate 13, the contact of the first embodiment. Since the same structure as each member in the probe 1 is used, detailed description is omitted.

前記コンタクトプローブ１１は、前記コンタクト電極１８に接触部１９が別部材として形成されている。前記コンタクト電極１８は、図５に示すように、前記可撓性薄膜層１４の下面において前記導電部材１７から前記凹部１６へと延伸し、前記凹部１６を挟むように前記凹部１６の周縁に沿って２つに分かれた後、２つに分かれた部分がそれぞれ前記凹部１６の中心に向かって曲線を描きながら延伸しており、前記凹部１６の中心付近に位置する２箇所の先端部分に前記接触部１９が前記コンタクト電極１８とは異なる材質で、前記可撓性薄膜層１４から離れる方向に突出するように形成されている。２つの前記接触部１９は前記凹部１６の中心を挟んで対向するように配置されており、検査対象物であるＩＣチップ端子１０１の側面に対して２箇所で接触する構造となる。   In the contact probe 11, a contact portion 19 is formed as a separate member on the contact electrode 18. As shown in FIG. 5, the contact electrode 18 extends from the conductive member 17 to the recess 16 on the lower surface of the flexible thin film layer 14, and extends along the periphery of the recess 16 so as to sandwich the recess 16. The two parts are extended while drawing a curve toward the center of the recess 16, and the contact is made with the two tip portions located near the center of the recess 16. The part 19 is formed of a material different from that of the contact electrode 18 so as to protrude in a direction away from the flexible thin film layer 14. The two contact portions 19 are arranged so as to face each other with the center of the concave portion 16 in between, and have a structure in contact with the side surface of the IC chip terminal 101 that is an inspection object at two locations.

本実施形態のコンタクトプローブ１１は、第１の実施形態のコンタクトプローブ１と比較すると、前記コンタクト電極１８の面積が少なくなっており、前記コンタクトプローブ１１が検査対象物であるＩＣチップ端子１０１と接触する際に、前記可撓性薄膜層１４は前記コンタクト電極１８によって拘束された領域が少なくなっていることから変形し易くなる。   Compared with the contact probe 1 of the first embodiment, the contact probe 11 of the present embodiment has a smaller area of the contact electrode 18, and the contact probe 11 is in contact with the IC chip terminal 101 which is an inspection object. In this case, the flexible thin film layer 14 is easily deformed because the region constrained by the contact electrode 18 is reduced.

前記可撓性薄膜層１４は、変形する際に前記凹部１６の周縁で折れ曲がることになる。同時に、前記コンタクト電極１８も前記凹部１６の周縁に位置する箇所で折れ曲がり、図６（ａ）に両矢印で示すような屈曲部Ａが生じる。本実施形態のコンタクトプローブ１１では、前記コンタクト電極１８は２箇所で折れ曲がることになるが、この時、図６（ａ）に示す前記コンタクト電極１８の屈曲部Ａの幅が広いほど、前記屈曲部Ａに作用する応力を分散することができる。例えば、図６（ｂ）に示すように、前記コンタクト電極１８とほぼ同じ幅で、前記凹部１６の周縁に対してほぼ直交するように延伸した場合、屈曲部Ｂの幅は図６（ａ）の前記屈曲部Ａよりも狭くなり折れ曲がり時の応力が集中することになり、繰り返し変形を行った場合、前記コンタクト電極１８は破損し易くなる。よって、本実施形態のコンタクトプローブ１１のように前記コンタクト電極１８の形状を前記屈曲部Ａの幅が広くなるように構成することで、折れ曲がり時の応力を分散させて耐久性を向上させることができる。   The flexible thin film layer 14 is bent at the periphery of the recess 16 when deformed. At the same time, the contact electrode 18 also bends at a position located at the periphery of the concave portion 16, and a bent portion A as shown by a double arrow in FIG. In the contact probe 11 of the present embodiment, the contact electrode 18 bends at two locations. At this time, as the width of the bent portion A of the contact electrode 18 shown in FIG. The stress acting on A can be dispersed. For example, as shown in FIG. 6B, when extending so as to be approximately the same width as the contact electrode 18 and substantially perpendicular to the periphery of the recess 16, the width of the bent portion B is as shown in FIG. Therefore, the stress at the time of bending is concentrated, and the contact electrode 18 is easily damaged when it is repeatedly deformed. Therefore, by configuring the shape of the contact electrode 18 so that the width of the bent portion A is wide like the contact probe 11 of the present embodiment, the stress at the time of bending can be dispersed to improve durability. it can.

次に、第３の実施形態のコンタクトプローブ２１について図を用いて説明する。図７に示すのがコンタクトプローブ２１の断面図であり、図８に示すのがコンタクトプローブ２１の底面図である。第３の実施形態のコンタクトプローブ２１は、第１の実施形態のコンタクトプローブ１の導電部材７の構造を変更し、これに合わせて貫通電極５の位置を変更した形態である。   Next, a contact probe 21 according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a sectional view of the contact probe 21, and FIG. 8 is a bottom view of the contact probe 21. The contact probe 21 of the third embodiment has a form in which the structure of the conductive member 7 of the contact probe 1 of the first embodiment is changed and the position of the through electrode 5 is changed in accordance with this.

図７，８に示すように、本実施形態のコンタクトプローブ２１は、貫通電極２５が形成されたベース基板２２、円柱形状の凹部２６が貫通孔として形成された支持基板２３、可撓性薄膜層２４、および、前記可撓性薄膜層２４の下面に設けられたコンタクト電極２８から構成される。   As shown in FIGS. 7 and 8, the contact probe 21 of the present embodiment includes a base substrate 22 on which a through electrode 25 is formed, a support substrate 23 on which a cylindrical recess 26 is formed as a through hole, and a flexible thin film layer. 24, and a contact electrode 28 provided on the lower surface of the flexible thin film layer 24.

前記コンタクト電極２８の形状は、第１の実施形態のコンタクトプローブ１のコンタクト電極８と同じ形状を用いている。前記コンタクト電極２８は、図８に示すように、前記可撓性薄膜層２４の下面において、前記凹部２６の周縁を取り囲む部分８３および前記導電部材２７と接続される部分８４を接続した形状を有しており、さらに、前記凹部２６の周縁を取り囲む部分８３は、前記凹部２６の周縁から前記凹部２６の中心に向かって突出する４つの三角形状を有している。前記可撓性薄膜層２４において、前記凹部２６の下方にあって、前記コンタクト電極２８が形成されていない箇所が、前記コンタクト電極２８の開口３０となる。そして、前記可撓性薄膜層２４の前記４つの三角形状の先端に、主に検査対象物と接触する接触部２９が、前記可撓性薄膜層２４から離れる方向に突出するように形成されている。   The shape of the contact electrode 28 is the same as that of the contact electrode 8 of the contact probe 1 of the first embodiment. As shown in FIG. 8, the contact electrode 28 has a shape in which a portion 83 surrounding the periphery of the recess 26 and a portion 84 connected to the conductive member 27 are connected to the lower surface of the flexible thin film layer 24. Furthermore, a portion 83 surrounding the periphery of the recess 26 has four triangular shapes protruding from the periphery of the recess 26 toward the center of the recess 26. In the flexible thin film layer 24, a portion below the recess 26 and where the contact electrode 28 is not formed becomes an opening 30 of the contact electrode 28. A contact portion 29 that mainly comes into contact with an inspection object is formed at the four triangular tips of the flexible thin film layer 24 so as to protrude in a direction away from the flexible thin film layer 24. Yes.

前記貫通電極２５は前記凹部２６の上方に位置するように前記ベース基板２２に形成されている。前記支持基板２３には、前記コンタクト電極２８と前記貫通電極２５とを接続する導電部材２７が形成されている。本実施形態では、前記導電部材２７は、前記凹部２６の内面に形成された導電膜が用いられている。前記導電膜は前記凹部２６の内周面および上面に形成され、さらに前記内周面から縁で折れ曲がり前記支持基板２３の下面へと延伸するように形成されている。前記凹部２６の上面は前記ベース基板２２の下面であり、前記貫通電極２５の端部が露出していることから、前記導電膜は前記貫通電極２５と電気的に接続される。   The through electrode 25 is formed on the base substrate 22 so as to be positioned above the recess 26. A conductive member 27 that connects the contact electrode 28 and the through electrode 25 is formed on the support substrate 23. In the present embodiment, the conductive member 27 is a conductive film formed on the inner surface of the recess 26. The conductive film is formed on the inner peripheral surface and the upper surface of the concave portion 26, and is further bent from the inner peripheral surface at the edge to extend to the lower surface of the support substrate 23. Since the upper surface of the recess 26 is the lower surface of the base substrate 22 and the end of the through electrode 25 is exposed, the conductive film is electrically connected to the through electrode 25.

前記コンタクト電極２８は、前記導電部材２７と接続される部分８４が前記可撓性薄膜層２４を貫通し、前記導電部材２７の導電膜の支持基板２３の下面に延伸した部分と接続されることで、前記コンタクト電極２８は、前記導電部材２７を介して前記貫通電極２５と電気的に接続される。   The contact electrode 28 has a portion 84 connected to the conductive member 27 passing through the flexible thin film layer 24 and connected to a portion of the conductive member 27 extending to the lower surface of the support substrate 23. Thus, the contact electrode 28 is electrically connected to the through electrode 25 through the conductive member 27.

このように、本実施形態では、前記導電部材２７として前記凹部２６の内面に設けた導電膜を用いていることから、前記凹部２６に隣接して貫通電極を設ける必要が無くなり、隣接する前記凹部２６の間隔を、第１の実施形態のコンタクトプローブ１よりも狭くすることが可能であり、より狭ピッチのコンタクトプローブ２１を実現することができる。   Thus, in this embodiment, since the conductive film provided on the inner surface of the recess 26 is used as the conductive member 27, it is not necessary to provide a through electrode adjacent to the recess 26, and the adjacent recess 26 can be made narrower than the contact probe 1 of the first embodiment, and a contact probe 21 with a narrower pitch can be realized.

また、他の実施形態と同様に、本実施形態のコンタクトプローブ２１も、検査時のＩＣチップ端子の損傷を低減し、低針圧で安定したコンタクトが実現でき、スクラブも十分に機能することができる。   Similarly to the other embodiments, the contact probe 21 of the present embodiment can reduce damage to the IC chip terminals during the inspection, can realize a stable contact with a low needle pressure, and can sufficiently function the scrub. it can.

次に、第４の実施形態のコンタクトプローブ３１について図を用いて説明する。図９に示すのがプローブ３１の断面図であり、図１０に示すのがコンタクトプローブ３１の底面図である。第４の実施形態のコンタクトプローブ３１は、第２の実施形態のコンタクトプローブ１１をベースに導電部材１７の構造を、第３の実施形態のコンタクトプローブ２１に用いた導電膜に変更し、これに合わせて貫通電極１５の位置を変更した形態である。   Next, a contact probe 31 according to a fourth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a cross-sectional view of the probe 31, and FIG. 10 is a bottom view of the contact probe 31. In the contact probe 31 of the fourth embodiment, the structure of the conductive member 17 is changed to the conductive film used for the contact probe 21 of the third embodiment based on the contact probe 11 of the second embodiment. In addition, the position of the through electrode 15 is changed.

図９，１０に示すように、本実施形態のコンタクトプローブ３１は、貫通電極３５が形成されたベース基板３２、円柱形状の凹部３６が貫通孔として形成された支持基板３３、可撓性薄膜層３４、および、前記可撓性薄膜層３４の下面に設けられたコンタクト電極３８から構成される。   As shown in FIGS. 9 and 10, the contact probe 31 of this embodiment includes a base substrate 32 on which a through electrode 35 is formed, a support substrate 33 on which a cylindrical recess 36 is formed as a through hole, and a flexible thin film layer. 34 and a contact electrode 38 provided on the lower surface of the flexible thin film layer 34.

前記コンタクト電極３８の形状は、第２の実施形態のコンタクトプローブ１１のコンタクト電極１８と同じ形状を用いる。前記コンタクト電極３８は、図１０に示すように、前記可撓性薄膜層３４の下面において、前記凹部３６の近傍で導電部材３７と接続されており、前記導電部材３７との接続箇所から前記凹部３６へと延伸し、前記凹部３６を挟むように前記凹部３６の周縁に沿って２つに分かれた後、２つに分かれた部分がそれぞれ前記凹部３６の中心に向かって曲線を描きながら延伸しており、前記凹部３６の中心付近に位置する２箇所の先端に接触部３９が別部材として、前記可撓性薄膜層３４から離れる方向に突出するように形成されている。２つの前記接触部３９は前記凹部３６の中心を挟んで対向するように配置されており、検査対象物であるＩＣチップ端子の側面に対して２箇所で接触する構造となる。   The shape of the contact electrode 38 is the same as that of the contact electrode 18 of the contact probe 11 of the second embodiment. As shown in FIG. 10, the contact electrode 38 is connected to the conductive member 37 in the vicinity of the concave portion 36 on the lower surface of the flexible thin film layer 34, and the concave portion is connected to the conductive member 37. After extending to 36 and being divided into two along the periphery of the recess 36 so as to sandwich the recess 36, the two parts are stretched while drawing a curve toward the center of the recess 36, respectively. The contact portion 39 is formed as a separate member so as to protrude in a direction away from the flexible thin film layer 34 at two tips located near the center of the recess 36. The two contact portions 39 are arranged so as to face each other with the center of the concave portion 36 interposed therebetween, and have a structure in which the two contact portions 39 are in contact with the side surface of the IC chip terminal which is an inspection object.

前記貫通電極３５は前記凹部３６の上方に位置するように前記ベース基板３２に形成されている。前記支持基板３３には、前記コンタクト電極３８と前記貫通電極３５とを接続する前記導電部材３７が形成されている。本実施形態では、前記導電部材３７は、前記凹部３６の内面に形成された導電膜が用いられている。前記導電膜は前記凹部３６の内周面および上面に形成され、さらに前記内周面から前記凹部３６の縁で折れ曲がり前記支持基板３３の下面へと延伸するように形成されている。前記凹部３６の上面は前記ベース基板３２の下面であり、前記貫通電極３５の端部が露出していることから、前記導電膜は前記貫通電極３５と電気的に接続される。   The through electrode 35 is formed on the base substrate 32 so as to be positioned above the recess 36. The conductive substrate 37 that connects the contact electrode 38 and the through electrode 35 is formed on the support substrate 33. In the present embodiment, the conductive member 37 is a conductive film formed on the inner surface of the recess 36. The conductive film is formed on the inner peripheral surface and the upper surface of the recess 36, and is further bent from the inner peripheral surface at the edge of the recess 36 to extend to the lower surface of the support substrate 33. Since the upper surface of the recess 36 is the lower surface of the base substrate 32 and the end of the through electrode 35 is exposed, the conductive film is electrically connected to the through electrode 35.

前記コンタクト電極３８の一部が前記可撓性薄膜層３４を貫通し、前記導電部材３７の導電膜の支持基板３３の下面に延伸した部分の一部と接続されることで、前記コンタクト電極３８は、前記導電部材３７を介して前記貫通電極３５と電気的に接続される。   A part of the contact electrode 38 penetrates the flexible thin film layer 34 and is connected to a part of the conductive member 37 extending to the lower surface of the support substrate 33, whereby the contact electrode 38. Is electrically connected to the through electrode 35 via the conductive member 37.

このように、本実施形態では、前記導電部材３７として前記凹部３６に設けた導電膜を用いていることから、貫通電極が不要となり、隣接する前記凹部３６の間隔を、第２の実施形態よりも狭くすることが可能であり、より狭ピッチのコンタクトプローブ３１を実現することができる。   Thus, in this embodiment, since the conductive film provided in the concave portion 36 is used as the conductive member 37, a through electrode is not required, and the interval between the adjacent concave portions 36 is set to be smaller than that in the second embodiment. The contact probe 31 with a narrower pitch can be realized.

また、他の実施形態と同様に、本実施形態のコンタクトプローブ３１も、検査時のＩＣチップ端子の損傷を低減し、低針圧で安定したコンタクトが実現でき、スクラブも十分に機能することができる。   Similarly to the other embodiments, the contact probe 31 of the present embodiment can reduce damage to the IC chip terminal during the inspection, can realize a stable contact with a low needle pressure, and can sufficiently function the scrub. it can.

以上のように、本発明のコンタクトプローブは、支持基板の凹部を覆って設置された変形し易い可撓性薄膜層に、凹部の周縁から中心に向かって突出するようにコンタクト電極の接触部を設けて検査対象物の側面と接触させる構造を用いることで、検査時の検査対象物であるＩＣチップ端子の損傷を低減し、低針圧で安定したコンタクトを実現する。そして、接触部を別部材とすることでスクラブを確実に行わせることができ、また、コンタクト電極の形状を選択することで狭ピッチに対応可能であり、さらに、耐久性を向上させることも可能である。   As described above, in the contact probe of the present invention, the contact portion of the contact electrode is projected from the peripheral edge of the concave portion toward the center on the flexible thin film layer that is easily deformed and is disposed so as to cover the concave portion of the support substrate. By using the structure that is provided and brought into contact with the side surface of the inspection object, damage to the IC chip terminal, which is the inspection object at the time of inspection, is reduced, and a stable contact with low needle pressure is realized. And by making the contact part a separate member, scrub can be performed reliably, and by selecting the shape of the contact electrode, it is possible to cope with a narrow pitch and further improve durability It is.

１，１１，２１，３１ コンタクトプローブ
２，１２，２２，３２ ベース基板
３，１３，２３，３３ 支持基板
４，１４，２４，３４ 可撓性薄膜層
５，１５，２５，３５ 貫通電極
６，１６，２６，３６ 凹部
７，１７，２７，３７ 導電部材
８，１８，２８，３８ コンタクト電極
９，１９，２９，３９ 接触部
１０，３０ 開口
１００ ウエハ
１０１ ＩＣチップ端子
２００ 基板
２０１ はんだ
1, 11, 21, 31 Contact probe 2, 12, 22, 32 Base substrate 3, 13, 23, 33 Support substrate 4, 14, 24, 34 Flexible thin film layer 5, 15, 25, 35 Through electrode 6, 16, 26, 36 Concave part 7, 17, 27, 37 Conductive member 8, 18, 28, 38 Contact electrode 9, 19, 29, 39 Contact part 10, 30 Opening 100 Wafer 101 IC chip terminal 200 Substrate 201 Solder

Claims (7)

凹部が設けられた主面、および、裏面を有し、絶縁性を有する板状の支持基板と、
前記支持基板の前記主面に一方の面が固着されて前記凹部を覆う、絶縁性および可撓性を有する可撓性薄膜層と、
前記可撓性薄膜層の他方の面に設けられたコンタクト電極と、を備え、
前記コンタクト電極は、前記凹部の周縁から中心に向かって突出するとともに、前記可撓性薄膜層における前記凹部の中心領域に相当する箇所は露出するように形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。 A plate-like support substrate having a main surface provided with a recess and a back surface, and having an insulating property;
A flexible thin film layer having insulation and flexibility, one surface of which is fixed to the main surface of the support substrate to cover the recess;
A contact electrode provided on the other surface of the flexible thin film layer,
The contact electrode protrudes from the periphery of the recess toward the center, and is formed so that a portion corresponding to the central region of the recess in the flexible thin film layer is exposed. . 前記支持基板は、前記主面と前記裏面とを接続し、且つ前記コンタクト電極と電気的に接続された導電部材を備えることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the support substrate includes a conductive member that connects the main surface and the back surface and is electrically connected to the contact electrode. 前記凹部は、前記支持基板の前記主面から前記裏面へと貫通する貫通孔であり、前記導電部材は前記貫通孔の内面に形成された導電膜であることを特徴とする請求項２に記載のコンタクトプローブ。   The said recessed part is a through-hole penetrating from the said main surface to the said back surface of the said support substrate, The said electrically-conductive member is the electrically conductive film formed in the inner surface of the said through-hole. Contact probe. 前記支持基板の前記裏面に結合され、前記支持基板の前記導電部材と電気的に接続された貫通電極を有するベース基板を備えること特徴とする請求項２または請求項３に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 2, further comprising a base substrate having a through electrode coupled to the back surface of the support substrate and electrically connected to the conductive member of the support substrate. 前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記コンタクト電極と異なる材質で形成された接触部を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のコンタクトプローブ。   The contact according to any one of claims 1 to 4, wherein the contact electrode includes a contact portion formed of a material different from that of the contact electrode at a portion protruding toward the center of the recess. probe. 前記コンタクト電極は、前記凹部の中心に向かって突出した箇所に、前記可撓性薄膜層から離れる方向に突出した接触部を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のコンタクトプローブ。   The said contact electrode is provided with the contact part which protruded in the direction which leaves | separates from the said flexible thin film layer in the location which protruded toward the center of the said recessed part. Contact probe. 前記可撓性薄膜層の厚さが、５．０〜１０．０μｍであり、前記コンタクト電極の厚さが、０．１〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンタクトプローブ。
The thickness of the flexible thin film layer is 5.0 to 10.0 μm, and the thickness of the contact electrode is 0.1 to 5.0 μm. The contact probe according to claim 1.
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