JP4418670B2 - 垂直配向形液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特に広視野角を得るために画素領域を複数の小ドメインに分割する垂直配向液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は一般に共通電極とカラーフィルターなどが形成されている上部基板と薄膜トランジスタと画素電極などが形成されている下部基板との間に液晶物質を注入しておいて、画素電極と共通電極とに互いに異なる電位を印加することによって電界を形成して液晶分子群の配列を変更させ、これにより光の透過率を調節して画像を表現する装置である。
【0003】
【従来の技術】
しかし、液晶表示装置は視野角が狭いことが重大な短所である。このような短所を克服しようと視野角を広めるための様々な方案が開発されているが、その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向し、画素電極とその対向電極である共通電極に一定の切開パターンを形成したり突起を形成する方法が有力視されている。
【0004】
切開パターンを形成する方法としては、画素電極と共通電極に各々切開パターンを形成し、これら切開パターンによって形成される周辺電界(Fringe Field)を利用して液晶分子群が横になる方向を調節することによって視野角を広める方法がある。
【0005】
突起を形成する方法は、上下基板上に形成されている画素電極及び共通電極上に各々突起を形成しておくことにより、突起によって歪曲される電場を利用し液晶分子が横になる方向を調節する方式である。
【0006】
他の方法としては、下部基板上に形成されている画素電極には切開パターンを形成し、上部基板に形成されている共通電極上には突起を形成し、切開パターンと突起とによって形成される周辺電界(Fringe Field)を利用して液晶が横になる方向を調節してドメインを形成する方法がある。
【0007】
しかし、このような垂直配向(VA:vertically aligned)モード液晶表示装置では、液晶がねじれ配向されているTNモード液晶表示装置に比べて高い駆動電圧を必要とする。つまり、TNモード液晶表示装置はAVdd(アナログ駆動電圧)が9V以下であるが、VAモード液晶表示装置はAVddが10Vから13Vの間である。したがって、TNモード液晶表示装置は10VタップICを駆動ICとして使用することができるが、VAモード液晶表示装置は13VタップICや15VタップICを使用しなければならない。しかし、10VタップICに比べて13VタップICや15VタップICは価格が高いため、垂直配向形液晶表示装置の価格競争力を落とす大きな原因として作用する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が目的とする技術的課題は、垂直配向形液晶表示装置の駆動電圧を下げることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために本発明では、誘電率異方性が−4.0V以下である液晶物質を使用する。
【0010】
具体的には、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上に形成されている第1配線と、前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1配線と絶縁されて交差している第2配線と、前記第1配線と前記第2配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されている画素電極と、前記第1配線と、前記第2配線及び前記画素電極と連結されている薄膜トランジスタと、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成されている共通電極と、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板の間に注入されている液晶物質と、前記第1絶縁基板と前記2絶縁基板のうちの少なくともいずれかの基板上に形成されている第1ドメイン分割手段と、前記第1絶縁基板と前記2絶縁基板のうちの少なくともいずれかの基板上に形成されている第2ドメイン分割手段と、を含み、前記液晶物質に含まれている液晶分子は前記画素電極と前記共通電極の間に電界が印加されていない状態で前記第1及び第2基板に対して垂直に配向されており、前記液晶物質の誘電率異方性は−4.5から−5.5の間であり、前記第1及び第2ドメイン分割手段は前記画素領域を複数の第1及び第2ドメインに分割し、前記第1及び第2ドメインは長さと幅を有し、前記第1ドメインの長さ方向と前記第2ドメインの長さ方向とは互いに実質的に垂直をなす液晶表示装置を設ける。
【0011】
この時、前記液晶物質の誘電率異方性は−4.5から−5.5の間であればさらに好ましい。ここで、第1及び第2ドメイン分割手段は、前記画素電極が有している切開パターンと第2絶縁基板上に形成されている誘電体突起の組み合わせであるか、前記画素電極と前記共通電極に各々形成されている切開パターンの組み合わせであることが可能である。
【0012】
一方、前記第1及び第2ドメイン分割手段によって形成される前記第1及び第2ドメインは左右ドメインと上下ドメインとに分類され、前記上下ドメインが占める面積が前記左右ドメインが占める面積より大きくすることができる。また、隣接した二つの前記第2配線の間の間隔は一定の長さを周期として反復的に変化し、前記画素電極の前記第2配線と隣接した辺は前記第2配線に沿って屈曲し、前記画素電極は幅が狭い部分と広い部分を有することもできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例による垂直配向形液晶表示装置について説明する。
【0014】
図1は本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。図2は本発明の第1実施例による液晶表示装置の共通電極に形成されている切開部の配置図である。図3は本発明の第1実施例による液晶表示装置を正面から見る時の画素電極と共通電極切開部の配置図である。図4は図3のIV−IV´線による断面図である。
【0015】
まず、図1と図4を参照して第1実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板について説明する。
【0016】
ガラスなどの透明な絶縁基板10上に横方向にのびているゲート線20が形成されており、ゲート線と平行に維持容量線30が形成されている。ゲート線20にはゲート電極21が突起の形態で形成されている。維持容量線30には第1乃至第4維持電極31、32、33、34と維持電極連結部35、36が枝形態で連結されている。第1維持電極31は維持容量線30に直接連結されて縦方向に形成されている。第2維持電極32と第3維持電極33とは各々第1維持電極31に連結されて横方向にのびている。第4維持電極34は第2及び第3維持電極32、33に連結されて縦方向にのびている。維持電極連結部35、36は第4維持電極34と隣接する画素の第1維持電極31を連結している。ゲート配線20、21と維持容量配線30、31、32、33、34、35、36上にはゲート絶縁膜40が形成されている。ゲート電極21上部のゲート絶縁膜40上には非晶質シリコンからなる半導体層50が形成されている。半導体層50上にはリン(P)などのN型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンからなる接触層61、62が形成されている。両側接触層61、62の上には各々ソース電極71とドレーン電極72が形成されている。ソース電極71はゲート絶縁膜40上に縦方向にのびているデータ線70に連結されている。データ配線70、71、72の上にはドレーン電極72を露出させる接触孔81を有する保護膜80が形成されている。保護膜80の上には接触孔81を通じてドレーン電極72と連結されている画素電極90が形成されている。画素電極90はITO(indium tin oxide)またはIZO(indium zinc oxide)などの透明な導電物質からなっている。
【0017】
この時、画素電極90は第1乃至第3小部分91、92、93に分離されており、これら小部分は連結部94、95、96を通じて互いに連結されている。第1小部分91は二つのゲート線20と二つのデータ線70の交差によって定義される画素領域の下半面に四隅が切れた(以下、"面取り"という。)長方形模様で形成されており、接触孔81を通じてドレーン電極72と直接連結されている。第2及び第3小部分92、93は画素領域の上半面にやはり四隅が切れた長方形模様で形成されている。第2小部分92は第1小部分91と第1及び第2連結部94、96を通じて連結されている。第3小部分93は第2小部分92と第3連結部95を通じて連結されている。この時、第1小部分91と第2小部分92との間には第2維持電極32が位置する。また、第2小部分92と第3小部分93との間には第3維持電極33が位置する。第1維持電極31と第4維持電極34とは画素電極90とデータ線70との間に位置する。第1小部分91は、データ線と平行な辺がゲート線と平行な辺に比べて長い。第2小部分及び第3小部分は、データ線と平行な辺がゲート線と平行な辺に比べて短い。この時、第2及び第3小部分92、93は第1及び第4維持電極31、34と重なるが、第1小部分91は第1及び第4維持電極31、34と重なることはない。また、維持容量線30はゲート線20と第3小部分93との間に位置する。この時、維持容量線30、維持電極31、32、33、34及び維持電極連結部35、36には、後述する色フィルター基板の共通電極に印加される電位が印加されるのが普通である。
【0018】
以上のように、データ線と画素電極との間及びゲート線と画素電極との間に共通電位が印加される維持容量線や維持電極を配置すれば、データ線電位とゲート線電位が画素領域の電界に与える影響を維持容量線と維持電極が遮断し、安定なドメインを形成することができる。
【0019】
次に、図2と図4を参照して本発明の第1実施例による液晶表示装置の色フィルター基板について説明する。
【0020】
ガラスなどからなる透明な基板100上にクロム/酸化クロム二重層からなるブラックマトリクス200が形成されて画素領域を定義している。各画素領域には色フィルター300が形成されている。色フィルター300の上には透明な導電体からなる共通電極400が基板100全面に形成されている。共通電極400の上には誘電率が液晶物質900と異なる誘電体からなる突起パターン510、520、530が形成されている。この時、突起パターン510、520、530は第1乃至第3突起510、520、530からなっている。第1突起510は画素領域の下半部を左右に2分しており、第2突起520と第3突起530は画素領域の上半部を上下に3分している。各突起510、520、530の両端部はしだいに拡張されて二等辺三角形状をしている。これら各突起510、520、530は互いに分離されている。
【0021】
前記においてブラックマトリクス200は有機物質で形成してもよく、色フィルター300は薄膜トランジスタ基板に形成してもよい。
【0022】
以下、図3と図4を参照して本発明の第1実施例による液晶表示装置について説明する。
【0023】
図1の薄膜トランジスタ基板と図2の色フィルター基板とを位置合わせして結合し、二つの基板の間に液晶物質900を注入してそれに含まれている液晶分子の方向子を垂直に配向し、二つの偏光板11、101を二つの基板10、100の外部にその偏光軸が互いに直交するように配置すれば第1実施例による液晶表示装置が設けられる。
【0024】
二つの基板10、100が位置合わせされた状態では薄膜トランジスタ基板の画素電極90の各小部分91、92、93と色フィルター基板の共通電極400上に形成されている第1乃至第3突起510、520、530が重なって画素領域を複数の小ドメインに分割する。この時、画素電極90の各小部分91、92、93は二つの長辺と二つの短辺からなり、各小部分の長辺はデータ線70またはゲート線20と平行になり、偏光板の偏光軸とは45゜をなす(図3参照)。ここで、データ線70やゲート線20と隣接して画素電極90の各小部分91、92、93の長辺が位置している場合にはデータ線70と長辺との間及びゲート線20と長辺との間に維持容量線30や維持電極31、32、33、34が配置される。一方、画素電極の各小部分91、92、93の短辺周辺には維持容量配線30、31、32、33、34が配置されることがないか、配置されていても画素電極90によって完全に覆われているか又は画素電極90から3μm以上遠く離れていることが好ましい。このように維持容量配線30、31、32、33、34を配置する理由は、データ線70またはゲート線20が画素電極小部分91、92、93の長辺と隣接する部分ではデータ線70またはゲート線20の電位がドメイン形成を妨害する方向に作用し、反対に短辺と隣接する部分ではデータ線70またはゲート線20の電位がドメイン形成を助ける方向に作用するためである。
【0025】
この時、液晶物質900の誘電率異方性(Δε)は−4.0から−5.5の間の値を有する。液晶物質900の誘電率異方性(Δε)が−4.5から−5.5の間の値を有すれば、V10電圧(透過率が最高透過率の10%に到達する電圧)を2.2V以下に下げることができるので更に好ましい。
【0026】
次に、図5と図6を参照して液晶物質900の誘電率異方性が−4.0から−5.5の間の値でなければならない理由を説明する。図5は液晶の誘電率異方性によるV−T曲線の変化を示すグラフであり、図6は液晶の誘電率異方性によるV10電圧を示すグラフである。
【0027】
図5を見れば、液晶の誘電率異方性(Δε)が大きいほどV−T曲線が速く上昇することが分かる。したがって、液晶の誘電率異方性(Δε)が大きいほど最高透過率に到達する電圧がさらに低い。従来使用した液晶(4番グラフ)は誘電率異方性(Δε)が−3.8程度であるLC4に該当する。しかし、LC4は、図5から分かるように、5.5V駆動(AVdd基準11V)には適しているが、4.5V駆動(AVdd基準9V)では透過率が過度に減少して適用するのが難しい。
【0028】
図6を見れば、誘電率異方性の絶対値が大きくなるほど(4番グラフから1番グラフへ行くほど)V10電圧(透過率が最高透過率の10%に到達する電圧)が低くなることが分かる。従来使用された液晶(4番グラフ)であるLC4のV10電圧が約2.4〜2.5Vの間であり、AVdd基準9V以下の低電圧駆動のためにはV10電圧がLC4に比べて約0.5V程度低くなければならない。透過率減少を勘案すればV10電圧がLC4に比べて約0.3V程度低ければ、AVdd基準9V以下の低電圧駆動が可能である。つまり、V10電圧が2.2V以下になれば低電圧駆動が可能である。図6を見れば、液晶の誘電率異方性(Δε)が−4.5以下になって、V10電圧は2.2V以下になり、低電圧駆動に適することが分かる。しかし、液晶の誘電率異方性(Δε)が−5.5以下になれば液晶の粘度が過度に大きくなり、応答速度が遅くなって残像が激しくなる。しかし、セルギャップ、液晶の弾性係数、液晶の屈折率異方性などの他のセル変数を調整することによって駆動電圧を一定の程度補償することができることを考慮すれば、低電圧駆動に適した誘電率異方性(Δε)値は−5.5から−4.0の間の範囲に拡張される。
【0029】
図7は本発明の第2実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。図8は本発明の第2実施例による液晶表示装置の共通電極に形成されている切開部の配置図である。図9は本発明の第2実施例による液晶表示装置を正面から見る時の画素電極と共通電極切開部の配置図である。図10は図9のX−X´線による断面図である。
【0030】
まず、図8と図10を参照して薄膜トランジスタ基板について説明する。
【0031】
絶縁基板10上に横方向にゲート線20が形成されており、ゲート線20と同じ方向に維持容量線30が形成されており、ゲート線20には突起の形態でゲート電極21が形成されている。この時、維持容量線30は一直線模様で形成されていない。つまり、幅が広い複数の棒が横方向にのびている仮想の直線を中心にして交互に上下に少しずつ外れる形態で配列されており、これら棒の間を幅が狭い連結部が連結する形態をしている。維持容量線20には縦方向にのびている第1及び第2枝電極33、31が連結されており、第2枝電極31には横方向にのびている第3枝電極32が連結されている。
【0032】
ゲート線20と維持容量配線30、33、31、32上にはゲート絶縁膜40が形成されている。
【0033】
ゲート絶縁膜40上には水素化非晶質シリコンを代表とする半導体からなる半導体層50が形成されている。半導体層50はゲート電極21と重なっている。
【0034】
半導体層50上にはN型不純物で高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンを代表とする物質で作られた接触層(図示せず)が形成されている。接触層はゲート電極21を中心にして両側に分離されている。
【0035】
接触層上にはデータ配線70、71、72が形成されている。データ線70はゲート絶縁膜40上に縦方向に形成されている。しかし、データ線70は一直線に形成されていない。つまり、いくつかの棒が縦方向にのびている仮想の直線を中心にして交互に左右に少しずつ外れる形態で配列されており、これら互いに外れている棒の間を連結部が連結する形態をしている。棒の間の外れている距離は上下ドメインと左右ドメインの占有率を考慮して調整する。この時、隣接する二つのデータ線70は左右に外れる順序が互いに反対になっていて、二つのデータ線70によってその間に形成される領域は狭い部分と広い部分が交互になっている。これは左右方向及び上下方向全てで同じである。データ線70は維持容量線30及びゲート線20と交差するが、データ線70と維持容量線30は両者の連結部で互いに交差する。
【0036】
データ線70上には保護膜80が形成されている。
【0037】
保護膜80上には隣接する二本のゲート線20とデータ線70が交差してなす一つの画素領域に一つずつITOやIZOからなる画素電極90が形成されている。画素電極90は接触孔141を通じてドレーン電極72と連結されている。また、画素電極90は画素領域の模様と同様に広い部分と狭い部分を有しており、狭い部分には縦方向に長く第1切開部98が形成されており、広い部分には横方向に長く2つの第2切開部99が形成されている。この時、画素電極90の狭い部分は第1切開部98によって左右に2分され、広い部分は第2切開部99によって上下に3分される。3分された広い部分の中で真中にある部分は他の二つの部分に比べて2倍以上の広い幅がある。この時、第1切開部98は維持容量線30の第1枝電極33と重なっており、第2切開部99は第3枝電極32と重なっている。
【0038】
次に、図8と図10を参照して薄膜トランジスタ基板に対向する上部基板について説明する。
【0039】
絶縁基板100下にブラックマトリクス200が形成されており、ブラックマトリクス200下に赤、緑、青の色フィルター300が形成されている。色フィルター300下にはオーバーコート膜600が形成されている。オーバーコート膜600下にはITOやIZOなどの透明導電物質からなる共通電極400が形成されている。ここで、共通電極400には図8に示したようなパターンの切開部が形成されている。つまり、縦方向に長くのびている第3切開部410と横方向に長くのびている第4及び第5切開部420、430が形成されている。これら切開部410、420、430の配置は、第3切開部410の左右側に第4及び第5切開部420、430が位置しており、第5切開部430は二つの第4切開部420の間に配置されている。また、第3切開部410の第4及び第5切開部420、430と隣接する境界線は、第4及び第5切開部420、430の端部と分離できるように屈曲をなしている。
【0040】
次に、図9と図10を参照して本発明の第2実施例による液晶表示装置について説明する。
【0041】
本発明の第2実施例による液晶表示装置は薄膜トランジスタ基板10と上部基板100を一定の間隔をおいて配置し、これらの間に液晶物質を注入密封して形成する。この時、液晶物質に含まれている液晶分子は画素電極90と共通電極400の間に電界が印加されていない状態でその方向が薄膜トランジスタ基板10及び色フィルター基板100に対して垂直をなすように配向されている。
【0042】
この時、液晶物質900の誘電率異方性(Δε)は−4.0から−5.5の間の値を有する。液晶物質900の誘電率異方性(Δε)が−4.5から−5.5の間の値を有するならば、V10電圧(透過率が最高透過率の10%に到達する電圧)を2.2V以下に下げることができてさらに好ましい。
【0043】
薄膜トランジスタ基板10と上部基板100を結合した状態で各種配線と画素電極及び切開部の配置を見てみる。
【0044】
第3切開部410は画素電極90の狭い部分の左右辺と重なっている。第4切開部420は画素電極90の広い部分の上下境界部と重なっている。第5切開部430は画素電極90の広い部分を上下に2分する位置に配置されている。したがって、画素電極90の狭い部分は第1切開部98と第3切開部410によって2つの小ドメインに分割され、広い部分は第2切開部99と第4及び第5切開部420、430によって4つの小ドメインに分割される。この時、小ドメインの幅は20±5μmになるのが好ましく、上下ドメイン(B)と左右ドメイン(A)の占有率を考慮して小ドメインの幅を決定する。小ドメインの幅があまり狭ければ、開口率が低下し、また、あまり広ければ周辺電界が弱く形成されて液晶分子の傾く方向の規制が難しくなるためである。また、上下ドメイン(B)の占有率を左右ドメイン(A)の占有率に比べて大きく形成することができる。この時、上下ドメイン(B)が全体画素領域で占める占有率は60%乃至90%程度になるのが好ましい。
【0045】
以上のようなパターンに画素電極90とドメイン分割のための切開パターン98、99、410、420、430を形成すれば、開口率を格段に向上させることができる。本発明の実施例による液晶表示装置は48%の開口率を示す。これは上下及び左右ドメインの幅を適切に調節できるように画素電極自体の模様を変形させることで可能になったものである。また、共通電極に形成する切開部410、420、430を本来ブラックマトリクス200によって覆われる画素領域周辺部に大部分配置して開口率減少を最少化する。つまり、第3切開部410は画素電極90の狭い部分の左右辺と重なるように配置し、第4切開部420は画素電極90の広い部分の上下境界部分と重なっているが、これら部分は本来画素の間の境界部分で光がもれることを防止するためにブラックマトリクス200で覆っておく部分であるか、維持容量形成のための維持容量線30が配置される部分である。したがって、これら部分に形成されている第3及び第4切開部410、420は別途の開口率低下を招くことはない。
【0046】
また、左右ドメイン(A)に比べて上下ドメイン(B)を広く形成することによって視認性を向上させることができる。
【0047】
また、本発明の第2実施例による液晶表示装置では全ての小ドメインが長方形形態を有するので、応答速度の側面や小ドメイン隅部でのテクスチャー発生最少化の側面から有利である。
【0048】
【発明の効果】
本発明によると、誘電率異方性(Δε)が−4.0から−5.5の間である液晶物質を用いることによって従来に比べて低い電圧で駆動が可能であり、誘電率異方性(Δε)が−4.5から−5.5の間である液晶物質を用いれば、V10電圧(透過率が最高透過率の10%に到達する電圧)を2.2V以下に下げるすることができる。したがって、高価な高電圧駆動ICの代わりに安価な低電圧駆動ICを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図2】 本発明の第1実施例による液晶表示装置の共通電極に形成されている切開部の配置図である。
【図3】 本発明の第1実施例による液晶表示装置を正面から見る時の画素電極と共通電極切開部の配置図である。
【図4】 図3のIV−IV’線による断面図である。
【図5】 液晶の誘電率異方性によるV−T曲線の変化を示すグラフである。
【図6】 液晶の誘電率異方性によるV10電圧を示すグラフである。
【図7】 本発明の第2実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図8】 本発明の第2実施例による液晶表示装置の共通電極に形成されている切開部の配置図である。
【図9】 本発明の第2実施例による液晶表示装置を正面から見る時の画素電極と共通電極切開部の配置図である。
【図10】 図9のX−X’線による断面図である。
【符号の説明】
10:絶縁基板
11、101:偏光板
20、21:ゲート線、ゲート電極(ゲート配線)
30:維持容量線
31、32、33、34:維持電極
35、36:維持電極連結部
40:ゲート絶縁膜
50:半導体層
61、62:接触層
70、71、72:データ線、ソース電極、ドレイン電極(データ配線)
80:保護膜
81:接触孔
90:画素電極
91、92、93:第1、第2、第3小部分
94、95、96:第1、第3、第2連結部
98:第1切開部(切開パターン)
99:第2切開部(切開パターン)
100:透明基板
200:ブラックマトリクス
300:色フィルター
400:共通電極
410、420、430:第3、第4、第5切開部(切開パターン)
510、520、530:第1、第2、第3突起
600:オーバーコート膜
900:液晶物質
Claims (5)
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に形成されている第1配線と、
前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1配線と絶縁されて交差している第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線とが交差して定義する画素領域ごとに形成されている画素電極と、
前記第1配線、前記第2配線及び前記画素電極と連結されている薄膜トランジスタと、
前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成されている共通電極と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶物質と、
前記第1絶縁基板と前記2絶縁基板のうちの少なくともいずれかの基板上に形成されている第1ドメイン分割手段と、
前記第1絶縁基板と前記2絶縁基板のうちの少なくともいずれかの基板上に形成されている第2ドメイン分割手段と、
を含み、前記液晶物質に含まれている液晶分子は前記画素電極と前記共通電極との間に電界が印加されていない状態で前記第1及び第2基板に対して垂直に配向されており、前記液晶物質の誘電率異方性は−4.0から−5.5の間であり、前記第1及び第2ドメイン分割手段は前記画素領域を複数の左右及び上下ドメインに分割し、前記左右及び上下ドメインは長さと幅を有し、前記左右ドメインの長さ方向と前記上下ドメインの長さ方向とは互いに実質的に垂直をなし、
前記左右ドメインの前記長さ方向は前記第2配線の延長方向と実質的に垂直をなし、前記上下ドメインの前記長さ方向と前記第2配線の前記延長方向とは実質的に平行であり、
前記画素電極は前記左右ドメインが配置される幅の狭い第1領域と前記上下ドメインが配置される幅の広い第2領域とを含み、
隣接した2つの前記第2配線の間の間隔が一定の長さを周期として反復的に変化するように前記第2配線は第1及び第2領域の側部に沿って屈曲する液晶表示装置。 - 前記液晶物質の誘電率異方性は−4.5から−5.5の間である、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ドメイン分割手段は前記画素電極が有している切開パターンであり、前記第2ドメイン分割手段は前記第2絶縁基板上に形成されている誘電体突起である、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ドメイン分割手段と前記第2ドメイン分割手段は各々前記画素電極と前記共通電極に形成されている切開パターンである、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記上下ドメインが占める前記第2領域の面積は前記左右ドメインが占める前記第1領域の面積より大きい、請求項1に記載の液晶表示装置。
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